Что называется вольт амперной характеристикой: Характеристика вольт-амперная — Энциклопедия по машиностроению XXL — БилдоМан

Содержание

Характеристика вольт-амперная — Энциклопедия по машиностроению XXL

Характеристики вольт-амперные вакуумного кислородно-цезиевого фотоэлемента 304 [c.819]

Полупроводниковый диод — элемент, проводящий ток только в одном направлении. Его основная характеристика вольт-амперная (рис. 3.15). [c.466]

Характеристика вольт-амперная, см. вольт-амперная характеристика [c.254]

Характеристики вольт-амперные 22 [c.223]

Требования к статической устойчивости системы источник питания — сварочная дуга. Зависимость между напряжением дуги [/j,, необходимым для поддержания устойчивого горения дуги, и током дуги /д называется статической вольт-амперной характеристикой дуги. [c.124]

Рис. 7.29. Вольт-амперная характеристика вихревого плазмотрона

Поэтому при убывающей вольт-амперной характеристике (ji балластное сопротивление, которое обеспечивало бы выполнение критериев [c. 355]

Вольт-амперной характеристикой ВАХ дуги называется заг симость напряжения дуги от сварочного тока (рис. 28). ВАХ име [c.56]

Что такое вольт-амперная характеристика дуги [c.64]

Сварка в защитных газах плавящимся электродом имеет ряд особенностей. Устойчивое горение дуги обеспечивается при высокой плотности постоянного тока (100 А/мм и выше) на возрастающей ветви вольт-амперной характеристики (см. рис. 28). Стабильность параметров сварного шва (его глубина и ширина) зависит от постоянства длины дуги, которая обеспечивается процессами саморегулирования длины дуги за счет поддержания постоянной скорости подачи электродной проволоки, равной скорости ее плавления.

[c.85]

Математическая модель диода основана на аппроксимации вольт-амперной характеристики р-п-перехода [c.90]

ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДУГИ [c. 38]

В зависимости от плотности тока вольт-амперная характеристика дуги может становиться падающей, пологой и возрастающей (рис. 2.8). В / области при малых токах (примерно до 100 А) и свободной дуге с увеличением тока /д интенсивно возрастает число заряженных частиц главным образом вследствие разогрева и роста эмиссии катода, а следовательно, и соответствующего ей роста объемной ионизации в столбе дуги. Сопротивление столба дуги уменьшается и падает нужное для поддер-

[c.38]

Рис. 2.8. Вольт-амперные характеристики сварочных дуг

Рис. 2.27. Вольт-амперные характеристики и выделение теплоты на аноде и катоде для В7-дуг с катодным пятном (крестики) и без пятна (кружочки)

Если постепенно увеличивать ток, то дуга расширяется у катода и j падает в 10.

..100 раз — примерно до 10 А/мм . Такая дуга называется дугой без катодного пятна или собственно термоэлектронной дугой. Сравнение вольт-амперных характеристик обеих дуг (рис. 2.27) показывает, что с увеличением тока обе дуги дают возрастающую ветвь с положительным сопротивлением. Причем термоэлектрическая дуга горит при меньшем напряжении и меньшем U , чем дуга с катодным пятном. [c.72]

Вольт-амперные характеристики W-дуги в гелии и других инертных газах (аргоне, неоне, криптоне, ксеноне) представлены на рис. 2.56. Скачок характеристики для гелия при 150 А связан, видимо, с переходом от дуги в парах титанового анода к дуге в ионизированном гелии. [c.101]

Рис. 2.56. Вольт-амперные характеристики W-дуги в среде Не, Ne, Дг, Кг, Хе (анод титановый)

Изучая зависимость фототока (рис. 15.3), возникшего при облучении металла потоком монохроматического света, от разности потенциалов между электродами (такая зависимость обычно называется вольт-амперной характеристикой фототока), установили, что I) фототок возникает не только при Vа — V= О, но и при Va— V k абсолютного значения задерживающего потенциала [c. 343]

Для повышения чувствительности иногда наполняют колбу фотоэлемента каким-либо газом, не вступающим в реакцию с веществом фотокатода. В таких газонаполненных фотоэлементах выбитые из катода электроны при своем движении к аноду ионизируют атомы г аза. Образующиеся в газе ионы и электроны движутся к электродам фотоэлемента, заметно увеличивая исходный фототок. Чувствительность таких устройств велика (она достигает 500 мкА/лм), но их вольт-амперная характеристика имеет более сложный вид, чем обычная зависимость силы фототока от приложенной разности потенциалов, и часто не соблюдается пропорциональность силы фототока и светового потока. Другим недостатком газонаполненных фотоэлементов является их инерционность, приводящая к искажению фронта регистрируемого сигнала и ограничивающая возможность измерения модулированных и быстроизменяющихся световых потоков. При частоте модуляции в несколько килогерц обычно уже невозможно использование газонаполненных фотоэлементов.

[c. 437]

Если при постоянной интенсивности ионизирующего фактора увеличивать от нуля разность потенциалов между А и К, то сила ионизационного электрического тока будет изменяться. Зависимость величины тока от приложенного напряжения (вольт-амперная характеристика) изображена на рисунке 6, б. На участке ОА сила тока нарастает почти пропорционально приложенному напряжению [c.38]

Рис. 11.15. Вольт-амперные характеристики с переключением

Вольт-амперные характеристики, изображенные на рис. 11.15,6, относятся к переключению с запоминанием. Они реализуются на стеклах с другими свойствами. При достижении порогового напряжения (Уп) здесь происходит переключение в проводящее состояние 1- 2). Это состояние сохраняется в стекле, даже если прило-370 [c. 370]

Вольт-амперная характеристика внутреннего фотоэффекта при постоянном световом потоке в отличие от внешнего фотоэффекта не обладает током насыщения (рис. 26.12). Величина фототока пропорциональна приложенному напряжению.

[c.168]

Рис. 25.49. Вольт-амперные характеристики тока ПЭ полупроводников при различных температурах [29]

Вольт-амперная характеристика, полученная в опытах Франка и Герца [c.76]

В экспериментах снималась вольт-амперная характеристика (рис. 46). Максимумы силы тока отстоят друг от друга на равных расстояниях. Расстояние между последовательными максимумами х 4,9 В. Первый максимум расположен при U = 4, В. Однако это — измеряемая вольтметром разность потенциалов между катодом и сеткой-анодом. Фактическая же разность потенциалов несколько отличается от этого значения (в ускоряющих трубках с горячим катодом катод и анод сделаны из различных металлов).

Следовательно, между катодом и анодом существует некоторая контактная разность потенциалов, которая ускоряет электроны даже в отсутствие приложенной извне разности [c.76]

Вольт-амперная характеристика. [c.359]

Вольт-амперная характеристика р-и-перехода показана на рис. 123. Таким [c.359]

Вольт-амперная характеристика для р-п-пере-хода в кремнии [c.360]

Вольт-амперная характеристика, показанная на рис. 123, хорошо описывает / -и-переходы в германии. Однако р-и-переходы в кремнии имеют вольт-амперную характеристику, отличную от изображенной на рис. 123. Для них вольт-амперная характеристика показана на рис. 124. Возможной причиной такой вольт-амперной характеристики является очень малая концентрация неосновных носителей в кремнии. Поэтому при малых внешних напряжениях плотность тока неосновных носителей чрезвычайно мала и лишь при достижении 0,6 В сила тока начинает экспоненциально расти, как это происходит в германии начиная практически с нулевой разности потенциалов.

Наличие сдвига 0,6 В в сторону положительных напряжений в вольт-амперной характеристике кремния очень важно принимать во внимание в кремниевых транзисторах. Для их удовлетворительного функционирования разность потенциалов между базой и эмиттером должна быть установлена примерно равной 0,6 В. [c.360]

При наложении внешнего напряжения в проходном направлении возникает обычный диодный небольшой ток. Однако ввиду того что по разные стороны перехода, разделенного потенциальным барьером, энергии носителей одинаковы, возникает туннельный эффект (см. 29), в результате которого носители проникают через потенциальный барьер на другую сторону от перехода без изменения энергии. Благодаря этому через переход течет более значительный ток. При дальнейшем увеличении разности потенциалов энергия электронов в и-области у перехода увеличивается, а в /j-области — уменьшается (рис. 126,6) и область перекрытия примесных уровней начинает уменьшаться. В результате этого сила тока начинает уменьшаться. Максимум силы тока достигается при наиболее полном перекрытии зон (рис. 126, а). Когда примесные зоны сдвигаются друг относительно друга настолько, что каждой из них на другой стороне перехода противостоит запрещенная зона (рис. 126,6), туннелирование становится невозможным и сила тока через переход уменьшается. При достаточно больших разностях потенциалов зоны проводимости п- и /7-областей оказываются почти на одном уровне (рис. 126, в) и становится возможным возникновение обычного диодного тока. Сила тока начинает снова возрастать. Вольт-амперная характеристика туннельного диода показана на рис. 127. [c.361]

Электрические свойства дуги описываются статической вольт-амперной характеристикой, представляющей собой зависимость между напряжением и током дуги в состоянии устойчивого горения (рис. 5.3, а). Характеристика состоит из трех участков / — характеристика падающая, II — жесткая, /// — возрастающая. Самое широкое примеиеиие нашла дуга с жесткой н возрастающей характеристиками. Дуга с падающей характеристикой малоустойчива и имеет огра1П1ченное применение. В последнем случае для поддержания горения дуги необходимо постоянное включение в сварочную цепь осциллятора. Каждому участку характеристики дуги соответствует определенный характер переноса расплавленного электродного металла S сварочную ванну / и // — крупнокапельный, III — мелко-капельный или струйный. [c.186]

Источник тока с соответствующей внешней характеристикой В1 бирают в зависимости от вольт-амперной характеристики дуги. [c.56]

На рис. 29 изображены крутопадающая 1 и жесткая 2 характеристики источников питания и возрастающая вольт-амперная характеристика дуги, соответствующая III области ВАХ. Точка А пересечения характеривтик дуги и источника — точка устойчивого горения дуги, которой соответствует рабочий ток /р и напряжение U , U — на 1альная длина дуги для устойчивого горения. [c.58]

Рис.

2.5. Статическая вольт-амперная характеристика различных видов газорого разряда

В период с 1958 по 1968 г. С. Овшинский открыл и исследовал необычные свойства переключения у халькогенидных стекол. Переключением называют способность вещества обратимо переходить из одного состояния в другое под влиянием какого-либо внешнего воздействия. Два рода переключения, существующие в халькогенидных стеклах, иллюстрирует рис. 11.15, где приведены вольт-амперные характеристики этих полупроводников. Рис. И.15,а соответствует так называемому пороговому переключению. Приложение к стеклу напряжения выше порогового (Уп) приводит к скачку вольт-амперной характеристики с ветви 1 на ветвь 2, что соответствует увеличению проводимости полупроводника примерно в миллион раз (состояние включено ). Если напряжение, приложенное к такому переключателю, находящемуся в проводящем состоянии, уменьшается до точки возврата, то стекло вновь переключается в состояние с малой проводимостью (ветвь /).

Это соответствует состоянию выключено . [c.370]

Рис. 25.53. Вольт-амперные характеристики источника ионов цезия из алюмосиликата цезия ( s2-Al20a-2Si02) в импульсном режиме при различных температурах катода [32]. Расстояние катод—анод 2 мм, длительность импульсов тока 10 МКС, частота повторения 25 с

Рис. 25.54. Вольт-амперные характеристики источника ионов К» на основе алюмосиликата калия с присадкой польфрама (КгО-А120з-2510г+10%W) в импульсном режиме при разных температурах источника [33]. Значения ионного тока усреднены по импульсу. Длительность импульсов 700 мкс, частота повторения 10 с

Интерпретация результаюв опыта. Чтобы объяснить такой характер вольт-амперной характеристики, необходимо допустить, что при столкновении электронов с атомами рту и последние могут поглощать лиш1> дискретные порции энергии, равные 4,9 эВ.

При энергии электронов, меньшей [c.77]

Вольт-амперная характеристика р-и-перехода. Положительные значения напряжения U соответствуют падению внешнего потенциала на переходе от р-области к -области (т.е. стуации. представленной на рис. 121) [c.359]

Вольт-амперные характеристики полупроводников — Энциклопедия по машиностроению XXL

Вольт-амперные характеристики полупроводников [c.244]
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТЫ — скачкообразный обратимый переход полупроводника (или полупроводниковой структуры) из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрик, поля, превышающего пороговое значение п = Ю —Ю В/см, П. э. наблюдаются в полупроводниках, у к-рых вольт-амперная характеристика (ВАХ) имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Такой характер ВАХ обусловлен формированием электрик, доменов (для ВАХ А-типа см. Ганна аффект, Ганна диод) или токовых шнуров (для ВАХ iS-типа см.

Шнурование тока). [c.558]

Дальнейшее развитие теории Э. п, твёрдых диэлектриков и полупроводников основано на представлении о доменной неустойчивости. В сильных электрич, полях вольт-амперная характеристика (ВАХ) может иметь S-образную форму, что приведёт к шнурованию тока, или Л -образную форму и это ведёт к образованию доменов сильного электрич. поля (см. /анна эффект). [c.514]

Вольт-амперная характеристика контакта металл—полупроводник приведена на рис. 10.5. [c.75]
Разработана автоматическая цифровая установка для измерения электрофизических характеристик полупроводников, облегчающая и ускоряющая измерения вольт-амперных характеристик и коэффициента Холла при разных условиях (разных температурах, магнитных полях и т. п.), позволяющая изменять один из параметров (например, ток через образец) по задаваемой программе и измерять в каждой точке характеристики 10 величин [112].

[c.149]

Конструкция, характеристики и основные параметры полупроводниковых вентилей определяются материалом полупроводника. Практически применяются четыре типа полупроводниковых вентилей медно-закисные, селеновые, германиевые и кремниевые. В силовых передачах используются в основном кремниевые вентили. На локомотивах начинают широко применяться лавинные кремниевые вентили. Они имеют примерно такие же вольт-амперные характеристики, как и у обычных вентилей (см. рис, 127), однако при воздействии на них обратного напряжения, превышающего пробивное напряжение, происходит резкое увеличение обратного тока. Лавинные вентили способны выдерживать без повреждений кратковременные большие обратные напряжения и рассеивают при пробое значительно большую мощность, чем обычные вентили. При применении лавинных вентилей на локомотивах отпадает необходимость в специальных устройствах защиты от перенапряжения и сами вентили могут быть выбраны с меньшим запасом по напряжению. [c. 147]

При изменении напряжения с на — / ток в полупроводнике потечет в обратном направлении и будет изменяться по такому же закону (рис. 54) это значит, что полупроводник имеет симметричную вольт-амперную характеристику. [c.93]

Если взять два полупроводника, находящихся в плотном контакте друг с другом, причем один из полупроводников обладает электропроводностью м-типа, а другой — р-типа, то такая система будет иметь несимметричную вольт-амперную характеристику (рис. 55). При протекании тока в одном направлении система двух полупроводников будет обладать очень малым сопротивлением, а при протекании тока в обратном направлении — очень большим. В системе двух полупроводников с различного типа электропроводностями ток, протекающий в разных направлениях, будет иметь разную величину. При этом прямой ток / р быстро возрастает с ростом приложенного напряжения. Когда же к этой системе приложено напряжение —и, то вначале через эту систему ток обратного направления (/обр) практически не протекает. При повышении обратного напряжения появляется обратный ток очень небольшой величины. [c.93]

При повышении напряжения, приложенного к полупроводнику, величина тока в нем возрастает значительно быстрее напряжения (рис. 91), 1. е. наблюдается нелинейная зависимость между током и напряжением. Если при перемене напряжения на обратное (—11) изменение тока в полупроводнике имеет такой же характер, что и в обратном направлении, то такой полупроводник обладает симметричной вольт-амперной характеристикой. В полупроводниковых выпрямителях подбором полупроводников с разного типа электропроводностью (р-типа и л-типа) добиваются несимметричной вольт-амперной характеристики (рис. 92). В результате этого при одной полуволне переменного напряжения полупроводниковый выпрямитель будет пропускать ток. Это ток, протекающий в прямом направлении /пр, который быстро возрастает с повышение.м приложенного напряжения. При воздействии же второй полуволны напряжения система [c. 244]

Вольт-амперная характеристика р-п-перехода имеет тот же вид (рис. б.3,г), что и вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник . Прямое смещение приводит к сильному [c.169]

В 3 ВЫВОДЯТСЯ выражения, описывающие гетеропереход в модели Андерсона, и они иллюстрируются на примере гетеропереходов р — N, п — Р, р Р и ti — N. Влияние градиента состава иа энергетическую зонную диаграмму рассматривается в 4. Выражения, описывающие поведение вольт-емкостных и вольт-амперных характеристик, выводятся в 5. Одним из наиболее важных свойств гетеропереходов является ограничение для носителей тока, создаваемое более широкозонным полупроводником. В 6 рассматриваются потенциальные барьеры, создающие ограничение для электронов и дырок, а также токи утечки через них. Экспериментальные результаты представлены в гл, 7. [c.220]

Рассмотрим так называемый чисто омический контакт, т.

е. контакт металл — полупроводник, вольт-амперная характеристика которого линейна вне зависимости от полярности приложенного напряжения. Омический контакт обладает малым переходным сопротивлением. [c.51]

Эффект У. у. в полупроводниках сверхзвуковым движением носителей тока объясняет загиб вольт-амперных характеристик полупроводников в сильном Е > с/ х) электрич. ноле. Когда скорость дрейфа носителей тока превысит скорость звука, происходит интенсивная генерация фоно нов и появившийся вследствие этого акустоэлектрич. ток (т. е. постоянный ток, возникающий в полупроводниках нод действием звуковых волн) вычитается из стационарного тока носителей и результирующий ток через образец резко надает. При наличии достаточно сильного поперечного магнитного поля акустоэлектрич. ток генерируемых фононов и стационарный ток складываются и результирующий ток через образец увеличивается (подробнее см. [5]). [c.240]

Устройство, построенное по этому принципу (рис. 55), состоит из четырех нелинейных сопротивлений НС, а также двух сумматоров См и БУмн, построенных на базе УПТ. в качестве нелинейных элементов с вольт-амперными характеристиками / = AU могут быть взяты полупроводники типа Atmite, элементы из специальных материалов, например из метрозила, электронные лампы с регулируемым смещением на сетках и параллельно включенными сопротивлениями для регулировки крутизны характеристик, а также ряд полупроводниковых элементов. Проведенное исследование вольт-амперных характеристик показало, что необходимые зависимости могут быть получены, например, на триодах, а также на некоторых пентодах, если использовать начальные участки их характеристик. [c.148]

А. э. из полупроводников. Особенности А. э. из полупроводников связаны с H0 K. факторами 1) элект-рич. поле глубоко проникает в полупроводник, что приводит к смещению энергетич. зон, к изменению вблизи поверхности концентрации носителей заряда и их энергетич. спектра 2) концентрация электронов во много раз меньше, чем в металле, что ограничивает величину /, и она сильно зависит от внеш. воздействий (темп-ра, освещение и др. ) 3) поверхностные состояния носителей заряда могут сказываться на характеристиках А. э. 4) вольт-амперные характеристики и энергетич. спектры автоалектронов отражают зонную структуру полупроводников 5) протекающий через полупроводник ток может приводить к перераспределению потенциала па нём, а также влиять на энергетич. спектр электронов. Все эти особенности привлекаются для объяснения наблюдаемых вольт-амперных характеристик и энергетич. спектров автоэлектронов из нолуироводников. [c.23]

Здесь 8 — диэлектричесжая проницаемость т — время жизни носителей заряда а — параметр данного кристалла Ип и Up—подвижности электронов н дырок. По величине Uk можно определить концентрацию уровней рекомбинации. Интересно отметить, что в случае двойной ннжвкцин зависимость тока от расстоя-яня между электродами становится еще более сильной, чем при монополярной Очевидна необходимость изготовления весьма тонких образцов диэлектриков и полупроводников и соответственно совершенствования тонкопленочной технологии. Биполярная инжекция может приводить и ко многим других вариантам вольт-амперных характеристик, отличающимся от приведенной на рис. 2.3,6. На особенности зависимости j(U) влияют глубина залегания уровней прилипания электронов и дырок, подвижность носителей заряда, а также эффективность их рекомбинации. Очень большое значение имеют также качество и характер инжектирующих контактов. [c.51]

Полупроводниковые вентили разных типов имеют вольт-амперную характеристику, показанную на рис. 7-5. В правой части характеристики дана зависимость прямого тока от напряжения в пропускном (прямом) направлении, соответствующем рис. 7-4,в. В левой части— зависимость обратного тока от напряжения в запирающем (обратном) направлении, соответствующем рис. 7-4,6. Численные значения токов и напряжения изменяются в очень больших пределах в зависимости от свойств полупроводника. Кроме вольт-амперной характеристики, имеюг значение следующие величины допустимая плотность тока, коэффициент выпрямления (отношение прямого тока к обратному), к. п. д., допустимое обралюе напряжение, диапазон рабочих темпера-21 323 [c.323]

Используя методику, приведенную выше, можно получить так- е и формулу (5-2-7), которая описывает выпрямляющую вольт-амперную характеристику контакта металл — полупроводник. Более подробную формулу, аналогичную формуле (5-2-33), можно получить, применяя методику, прцведепнук) ниже лри выводе формулц (5-3-34), [c.334]

ВЯТСЯ похожими на характеристики металла (в связи с этнм его называют полуметаллом). По мере увеличения концентрации примесей примесные уровни расширяются, и наступает такой момент, когда уровень у электронного полупроводника становится немного выше дна зоны проводимости, а уровень у дырочного полупроводника — немного ниже верха заполненной зоны. При этом вольт-амперная характеристика р-п перехода изменяется, как это показано на рис. 5-6-1,е, и в диапазоне на- [c.378]

Устройство, состоящее из двух полупроводников различной проводимости, называется полупроводниковым диодом.

Первый квадрант вольт-амперной характеристики полупроводникового неуправляемого диода (рнс. 41) характеризует работу диода в прямо.ч направлении при этом приложенное к диоду напрн >кение в прямом направлении 6 р = С , вызывает увеличение прямого тока / р через р —/1-переход. Третий квадрант характеризует работу диода в обратном направлении, когда прн изменении полярности напряжения питания иоо = Ь пт проводимость р — -перехода уменьщается и через него протекает обратный ток / бр. Обратный ток зависит от температуры окружающей среды и приложенного обратного напряжения. При достижении равенства обратного напряжения 11об, напряжению пробоя ищ.ой в р — / -переходе полупроводникового диода происходит увеличение выделяемой мощности. Это приводит к увеличению его температуры и повышению концентрации неосновных носителей, что вызывает резкое увеличение значения обратного тока /о-з и пробой диода. Значение максимального обратного напряжения диода О с.ср а, приведено в паспортных данных на полупроводниковые диоды оно составляет 60 % напряжения пробоя (Урроб при заданной температуре окружающей среды.

[c.53]

Граничный слой между двумя полупроводниками практически обладает односторонней проводимостью. ЗавЬсимость прямого и обратного тока от приложенного напряжения называется вольт-амперной характеристикой. Такая характеристика приводится на рис. 6.10 для кремниевого диода. [c.169]

В случае контактов металл — полупроводник» присуютие поверхностных состояний существенно уменьшает роль разницы рабся выхода металла и полупроводника и влияет на форму вольт-амперных характеристик этих коитактов. [c.183]

Диоды Гаииа имеют однородную полупроводниковую структуру (без перехода) с невыпрямляющими контактами выводов. Вольт-амперная характеристика диода Ганна, снятая на постоянном токе, в начальной части подобна характеристике обычного резистора. На СВЧ диод Ганна обладает отрицательным сопротивлением. Появление отрицательного сопротивления на отдельных определенных частотах СВЧ диапазона обусловлено объемными эффектами, возникающими при высокой напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых материалах (арсенид галлия). Упомянутые эффекты были обнаружены в 1963 г. английским физиком Д. Ганном, установившим, что при приложении электрического поля, превышающего некоторое критическое значение, к произвольно ориентированным однородным образцам с двумя омическими контактами во внешней цепи возникают колебания тока. Период колебаний приближенно равнялся времени пролета электронов от катода к аноду, и для использованных Ганном образцов частота колебаний лежала в СВЧ диапазоне. Полученные впоследствии объяснения этому эффекту говорят о том, что колебания в полупроводнике и отрицательное сопротивление диода определяются возбуждением носителей высоким напряжением, которые за счет возбуждения переходят из низколежащей долины зоны проводимости, где их подвижность велика, в обычно незаполненную долину, где их подвижность мала. [c.93]

ГАННА эффект, генерация ВЧ колебаний электрич. тока в полупроводнике с Л -образной вольт-амперной характеристикой (рис. 1). г. э. обнаружен амер. физиком Дж. Ганном (J. Gunn [c.109]

Волът-амперная характеристика полупроводниковых приборов часто определяется малой областью объёма полупроводников, поэтому при концентрации механич. напряжений именно в этой области даже малое механич. усилие создаёт значит, изменение высоты потенциального барьера для носителей, что приводит к изменению вольт-амперной хар-ки прибора. Полупроводниковые тензоэлементы служат чувствительными датчиками механич. напряжений (>10 В/Н) и ускорений. [c.744]

Вольт-амперная характеристика резистора

Поведение pезистоpа пpи включении его в электpическую цепь хаpактеpизуется его электpическими паpаметpами и хаpактеpистиками. Функциональная зависимость между величиной пpиложенного напpяжения и значением электpического тока, пpотекающего чеpез pезистоp, в соответствии с законом Ома, называется вольт — ампеpной хаpактеpистикой.

Иногда в технической литеpатуpе используется сокpащенная абpевиатуpа — ВАХ. Гpафик этой зависмости, в декаpтовой системе кооpдинат «напpяжение — U, ток — I» имеет вид пpямой линии, пpоходящей чеpез начало кооpдинат.

Если к pезистоpу пpиложено положительное напpяжение, ток пpотекает в положительном напpавлении.

Пpи изменении поляpности пpиложенного напpяжения, напpавление пpотекающего тока также меняется на пpотивоположное.

Резистоpы с линейной вольт — ампеpной хаpактеpистикой называются ЛИHЕЙHЫМИ pезистоpами.

В отличие от аналогичных элементов, напpимеp, ваpистоpов, теpмистоpов, у котоpых вольт — ампеpная хаpактеpистика имеет нелинейный хаpактеp.

Такие pезистоpы называются HЕЛИHЕЙHЫМИ.

Чем больше номинальное сопpотивления pезистоpа, тем меньше угол наклона » a» вольт — ампеpной хаpактеpистики к оси абсцисс, тем более полого на гpафике pасполагается вольт — ампеpная хаpактеpистика.

Если к pезистоpу пpиложить напpяжение U1, то, в соответствии с пpиведенным гpафиком, чеpез pезистоp будет пpотекать ток I1. Точку А пpинято называть pабочей точкой. Ток I1 — током в pабочей точке, а напpяжение U1 — напpяжением в pабочей точке или напpяжением смещения pабочей точки.

применяемого при оценке соответствия оборонной продукции и проводит следующие виды аттестаций климатических испытательных камер: первичная аттестация, периодическая аттестация, повторная аттестация.

Задать вопрос

Контактная информация:
тел: (812) 387-55- 06, 387-65-64, 387-86-94
тел/факс: (812) 327-96-60
e- mail: ,

<< Предыдущая Следующая >>

Что такое вольт–амперная характеристика проводника?

помогите нужны задания:3,5,7,9 .очень срочно. хотя бы одну из них……

срочно пожалуйста ,решите

1. (10 баллов) С торца брандспойта сечением 10 см, расположенного на высоте 1,5 м от Земли, со скоростью 10 м/с извергается поток воды. Если наименьше … е значение радиуса кривизны водного потока h, то найдите массу воды, подвешенной в воздухе. Не учитывайте сопротивление воздуха. Принять значение ускорения свободного падения 10 м/с. 2. (10 баллов) 2..Легкая парусная лодка на коньках для скольжения по льду называется буером. В силу своей конструкции буер может двигаться только вдоль линии, по Ф и которой направлены его коньки. Если дует ветер, то на покоящийся буер действует разгоняющая направленная перпендикулярно парусу сила со стороны ветра, равная F = Vo avn?, Где Vn составляющая скорости ветра, перпендикулярная плоскости паруса. Предположим, что дует постоянный ветер, скорость которого Vо направлена перпендикулярно направлению движения буера, в то время как парус составляет угол ф с этим же направлением. Найдите установившуюся скорость движения буера и, если на него действует сила трения скольжения, равная Fo. Определите максимально возможную скорость буера Иmax при всех возможных значениях параметра а. . 3. (10 баллов) Оспан решил прокатиться, сидя на воздушном шаре. Шар начинает двигаться с ускорением 0,5 м/с? в вверх с поверхности земли. Через 8 с после подъема шара Оспан уронил ручку, которую он держал в руке. Через какое время ручка достигнет поверхности Земли? Силу сопротивления воздуха можно не учитывать. Ускорение свободного падения принять за 10 м/с.

6. Если на мокрую рубашку в комнате направить поток воздуха от вентилятора, то она высохнет намного быстрее. Объясните механизм этого явления. Поможет … ли вентилятор, если относительная влаж ность воздуха будет 100%?

2.Куб объемом 2,77 ли массой 60 кг лежит на столе. Определите из какого вещества состоит куб. 7 класс сор помогите

Заполни пропуск в предложении, выбрав верный вариант из выпадающего списка. В любой замкнутой системе (электрически изолированной)

Автоматическая станция вращается вокруг Земли. Одинаковы ли силы тяже- сти, действующие на станцию, когда она находилась на стартовой площадке и на ор … бите?(С решением и объяснением пжжж)

ФИЗИКА,8 КЛАСС,ПОМОГИТЕ ПОЖАЛУЙСТА!(1.сколько теплоты потребуется для превращения в пар эфира массой 40г,взятой при температуре 4°С2. сколько нужно сже … чь спирта,чтобы 2 кг льда,взятого при температуре 0°С, превратить в пар

8 При передаче газу количества теплоты 37Дж он совершает работу, равную 54 Дж. Чему равно изменение внутренней энергии газа? Увеличилась или уменьшила … сь внутренняя энергия?

срочно помогите даю 30 баллов

Вольт-амперная характеристика сварочной дуги

Сеть профессиональных контактов специалистов сварки

Электрическая дуга как элемент цепи тока обладает ярко выраженной нелинейностью, т. е. между ее током I и напряжением U нет пропорциональной связи. Зависимости U = f (I) при прочих неизменных условиях для таких элементов чаще всего изображаются в виде кривых, называемых вольт-амперными характеристиками. Если величины U измерены в состояниях устойчивого равновесия разряда при разных токах, то характеристики называются статическими. Построение вольт-амперных характеристик связано с большими трудностями не только из-за сложности измерения длины дуги между плавящимися электродами, но и поддержания неизменными прочих условий.

Другие страницы, близкие к теме

Вольт-амперная характеристика сварочной дуги:

Обычно с изменением тока меняются скорости струй паров, истекающих из активных пятен электродов, расположение пятен на поверхности последних, размеры областей столба, затененных электродами от воздействия струй защитных газов, давление газа в полости закрытых дуг и т. д.

Поэтому в чистом виде зависимости U_d = f (I_d) Для сварочных дуг построить практически не удается. Пока приходится довольствоваться измерениями U_d в условиях изменения всего комплекса параметров, связанных с током. Поскольку в различных сварочных дугах с током связаны различные параметры, то можно говорить о вольт-амперных характеристиках дуг с неплавящимися или плавящимися, обмазанными или голыми электродами, дуг под флюсом или в защитных газах, дуг в плазмотронах и т. д.

Рисунок 1. Прибор для возбуждения дуги с заданным расстоянием между электродами.

Наиболее простой зависимостью U_d от I_d должны характеризоваться свободные дуги с неплавящимися электродами. Как показывают многочисленные измерения, эти зависимости являются падающими. Получение достоверных характеристик дуг с плавящимися электродами связано, прежде всего, с трудностями измерения длин дуг.

Однако метод регистрации параметров дуги в начальной стадии ее существования после возбуждения прибором, изображенным на рис. 4, позволяет свести их к минимуму.

Для построения характеристик достаточно иметь осциллограммы U_d и I_d при I_do = δ = const и различных токах. Чтобы повысить стабильность маломощных дуг, применялись источники питания с U_xx = 100 в. Дуги большой мощности питались от многопостового генератора ПСМ-1000.

Характеристики открытых дуг в воздухе между стальными электродами различных диаметров и пластиной приведены на рис 8. Длина дуги l_d = 5 мм, полярность тока прямая. При токах до 220 а все характеристики, несмотря на различие диаметров электродов, практически совпадают и являются сначала падающими, потом независимыми. При больших токах дуге с большим диаметром электрода d₁ = 10 мм по-прежнему свойственна независимая или даже пологопадающая характеристика.

В дугах с катодами d₂ = 4 мм и d₃ = 2 мм происходит рост напряжения. Чем меньше диаметр электрода, тем при меньших токах наблюдается этот рост. К сожалению, построить характеристики U_d=f (I_d) для тонких электродов во всем диапазоне применяемых токов не удается: при плотности тока j ≥ 6000 а/см² уже во время подъема электрода 6 прибором (рис.4) он начинает заметно оплавляться, поэтому длина дуги в момент регистрации установившегося U_d не может быть установлена с необходимой точностью.

Рис. 2. Вольт-амперные характеристики открытой сварочной дуги.

Однако и полученные данные позволяют утверждать, что причиной увеличения U_d с ростом I_d является малый диаметр катода. По-видимому, после перекрытия катодным пятном всего торца электрода дальнейшее расширение пятна в пространстве становится невозможным и дуга переходит в режим «сжатой дуги» у катода с возрастающей вольт-амперной характеристикой. Изменение длины дуги приводит к изменению абсолютных значений U_d, но его зависимость от тока остается прежней.воль

В исследованном диапазоне токов и диаметров электродов не обнаружено принципиальных изменений вольт-амперных характеристик дуг под флюсом за исключением абсолютных значений U_k + U_a и Е (см. табл. 1). По-видимому, образующаяся под флюсом газовая полость достаточна по размеру, чтобы не ограничивать свободное развитие дуги, а ее сжатие происходит только в связи с недостатком места для развития пятна на тонком электроде.

Copyright. При любом цитировании материалов Cайта, включая сообщения из форумов, прямая активная ссылка на портал weldzone.info обязательна.

Построение вольтамперной характеристики диода и измерения его параметров

Лабораторная работа №1

Вольт-амперная характеристика и параметры вакуумного диода

Цель работы: Получить навыки построения вольтамперной характеристики диода и измерения его параметров.

1. Теоретическая часть

1.1. Эмиссия электронов с поверхности катода электровакуумной лампы

Разогретый катод обеспечивает возможность эмиссии электронов со своей поверхности в вакуумное пространство. Если на анод диода подать положительное напряжение по отношению к катоду, то под действием сил электрического поля электроны, эмитируемые катодом, будут перемещаться по направлению к аноду. Однако благодаря своему отрицательному заряду электроны, находящиеся в пространстве между катодом и анодом, создают поле, препятствующее движению электронов к аноду. На рис.1 показаны графики распределения потенциала и градиента потенциала для диода с плоскими параллельными электродами.

Рис. 1. Распределение потенциала U и градиента потенциала для диода с плоскими параллельными электродами, когда ток диода ограничен пространственным зарядом

Для заданного напряжения анод — катод пространственный ток между катодом и анодом увеличивается только до тех пор, пока тормозящее поле не превышает ускоряющее поле анода. Ток анода определяется как температурой катода, так и напряжением анода (рис. 2, 3).

Рис. 2. Зависимость анодного тока лампового диода от напряжения на аноде при различных значениях температуры (Т) катода

Рис. 3. Зависимость анодного тока диода от температуры катода при различных значениях напряжения на аноде Е

Максимальная мощность, которая может быть рассеяна анодом лампы, определяется скоростью отвода тепла от анода и максимально допустимой температурой анода. Максимальная температура анода ограничивается тремя факторами: количеством газа, выделяющегося из материала анода при высоких температурах, допустимой максимальной температурой стеклянного баллона и температурой плавления материала анода. Анод отдает тепло излучением и теплоотводом по крепящим анод деталям.

1.2. Характеристика вакуумного диода

Свойства вакуумного диода полностью характеризуются графиком зависимости анодного тока от напряжения на аноде. Этот график называется вольт-амперной характеристикой диода. На рис. 4 изображена вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода, используемого в качестве детектора сигнала и выпрямителя напряжения.

Рис. 4. Вольт-амперная характеристика типового диода

Различают статические и рабочие характеристики диодов. Наиболее просто снять статические характеристики лампы в режиме постоянного тока. Под рабочей характеристикой диода понимают зависимость анодного тока I_а от напряжения источника питания в анодной цепи Е_aпри наличии в ней сопротивления нагрузки R_а(рис. 5). Так как U_aи Е_ав рабочем режиме друг другу не равны, то рабочая характеристика должна отличаться от статической. Построение рабочей характеристики осуществляют экспериментально, либо путём графического построения, если известна статическая характеристика и величина сопротивления нагрузки.

Рис. 5. Вакуумный диод с нагрузкой в анодной цепи

Рис. 6. Статическая и рабочая характеристики диода

1.3. Параметры диода

Для того чтобы иметь возможность сравнивать свойства различных ламп между собой и характеризовать лампу как элемент электрической схемы, пользуются величинами, называемыми параметрами лампы. В зависимости от того, какие свойства лампы нужно охарактеризовать, различают электрические параметры, параметры механического, климатического, теплового режимов и т. д. Электрические параметры в свою очередь можно подразделить на параметры, характеризующие:

— условия токопрохождения через лампу, например, крутизну характеристики,

— рекомендуемый режим работы лампы в схеме, например, напряжение накала, анодное напряжение,

— предельно допустимый электрический режим, например, предельно допустимую мощность, рассеиваемую анодом и т. п.

Основными параметрами лампы являются параметры, характеризующие условия токопрохождения. Для характеристики этих условий используются величины, представляющие собой отношение изменений токов в цепях электродов к изменениям потенциалов электродов. При этом могут сопоставляться изменения тока и потенциала как одного и того же, так и разных электродов.

Кроме этих основных величин в случае ламп с сетками в качестве параметров широко используются еще величины, сравнивающие действие изменения потенциале двух каких-либо электродов на значение тока в цепи того или иного электрода. У ламп, где имеется только два электрода параметры этого вида отсутствуют. Следует обратить внимание на то, что параметры, характеризующие условия токопрохождения через лампу, в отличие от параметров других видов являются величинами дифференциальными и поэтому обычно называются дифференциальными параметрами ламп.

К основным электрическим параметрам вакуумного диода относятся:статическое внутреннее сопротивление, динамическое внутреннее сопротивление, крутизна характеристики диода.

Анодное напряжение U_а— это напряжение между анодом и катодом.

Анодный ток I_а— это ток, протекающий в цепи анода.

Напряжение накала U_н – лежит в пределах нескольких вольт, а для наиболее распространенных вакуумных диодов равен 6,3 В.

Допустимая мощность рассеяния на аноде Р_а_доп выделяется при бомбардировке его электронами и при разогревании анода до некоторой допустимой температуры. Превышение Р_а_доп может привести к расплавлению анода. Для современных анодов Р_а_доп колеблется в пределах от долей ватт до десятков ватт.

Максимальный анодный ток I_a_{_maxограничен током эмиссии катода, а также перегревом катода
и анода. Значения I_a_{_maxобычно лежат в пределах от 0,01 до 1 А.}}

Максимальное обратное напряжение U _обр_max_{— это
такое максимальное анодное напряжение обратной полярности, при котором еще не
наступает пробой промежутка между анодом и катодом. Оно зависит от
электрической прочности диода и лежит в пределах от десятков вольт до десятков
киловольт.}

Статическое внутреннее сопротивление диода R_i определяется как

[Ом] , (1.1)

где U_a – напряжение на аноде, В; I_а – анодный ток, A.

Динамическое внутреннее сопротивление диода r_i определяется как величина, обратная крутизне вольт-амперной характеристики в любой точке, или отношение приращения анодного напряжения к приращению анодного тока на рабочем участке характеристики

[Ом] при Т = const, (1.2)

где Т – температура катода.

Для выпрямительных ламп (кенотронов) его значения достигают порядка нескольких сотен Ом.

Крутизна характеристики диода. Крутизна характеристики Sопределяется, используя рис. 4 и в соответствие с выражением (1.2), как

. (1.3)

1.4. Построение нагрузочной прямой вакуумного диода

В реальных электрических схемах кроме диода имеется активная и реактивная нагрузка. Пример упрощенной электрической схемы включения вакуумного диода с активной нагрузкой в цепи анода представлена на рис. 5.

Уравнение, выражающее зависимость между напряжением и током представлено ниже:

, (1.4)

где U_a — падение напряжения на диоде; I_a×R_a— падения напряжения на сопротивлении R_а ; E_а— напряжение источника питания.

Значения U_aи I_а можно определить, если написать уравнение вольт-амперной характеристики и одновременно решить совместно уравнения (1.1) и (1.4).

Однако графическое решение этих двух уравнений проще. На рис. 7 изображена зависимость анодного тока от напряжения на аноде диода. Это график уравнения вольт-амперной характеристики диода.

Рис.7. Построение нагрузочной прямой на характеристике диода

Роль тока и напряжения в полуавтоматической сварке. Динамические характеристики сварочной дуги. — Вопросы новичков о сварке

1. Вольт-Амперная-Характеристика базовое понятие, угол печки от которой идет вся пляска. Очень простая вещь — показывает как ведет себя система из двух составляющих — источника и подключеной к нему нагрузки (например сопротивления вроде баластника с «лопатами» или дуги) при изменении ее (нагрузки) параметров, а конкретно — сопротивления. Некоторым больше нравится оперировать понятием проводимость — велечине обратной сопротивлению, Но это одна фигня под двумя терминами-антогонистами суть которой для сварки одна, а именно — электрод прилип сопротивление цепи минимально (проводимость максимальна) коротыш одним словом — это одна крайность. Источник включен — сварщик курит, это другая крайность — холостой ход, сопротивление нагрузки максимально (проводимость минимальна). Замерив напряжение и ток цепи в крайних случаях (точках), а также в нескольких промежуточных, например подключив к источнику баластник и подергав на нем «лопатами», можно построить график зависимости напряжения и тока в цепи при изменении нагрузки т.е как-бы вольт-амперную характеристику (ВАХ). Путаница в мозгу не привыкшего к этим делам индивидуума происходит от буквального понимания терминов (опять они). Если не понимать физической сути происходящего, и принимать все за чистую монету, можно всерьез думать и затем упорствовать в своих последующих заблуждениях и суждениях, что ВАХ это зависимост напряжения от тока. Нет — это просто термин произошедший от вида графика описывающего поведение системы источник- нагрузка при ее изменении. Ну вот, самое длинное и нудное позади! Дальше будет повеселее, но это уже в следующий раз. По крайней мере сегодня одно полезное дело сделали -подергали лопатами баластника и постоили статическую вольт-амперную характеристику (СВАХ) системы источник-нагрузка, которую для краткости называют ВАХ источника. из разряда «веселые картинки» СВАХ «источника» может быть для ряда специальных случаев весьма замысловатой, например как эта снятая на реальной дуге ММА — сварки.

250+ TOP MCQ по вольт-амперным характеристикам и ответам

Электронные устройства и схемы Вопросы с множественным выбором «Вольт-амперные характеристики».

1. Напряжение, эквивалентное температуре (Vt) в P-N переходах, определяется как.
A. T / 1000 вольт
B. T / 300 вольт
C. T / 1600 вольт
D. T / 11600 вольт
Ответ: D
Уточнение: мы знаем, что PN-переход зависит от температуры, он меняется с изменением в температуре мера изменения, которая является эквивалентом температуры по напряжению, определяется как Vt = T / 11600 вольт.

2. При комнатной температуре какое напряжение будет эквивалентом температуры.
A. 10 мВ
B. 4.576 мВ
C. 26 мВ
D. 98 V
Ответ: C
Уточнение: Комнатная температура составляет 27 ^o C = 300 К. Мы знаем, что V _t = T / 11600 вольт, подставив значение T, мы получим 300/11600 = 26 мВ.

3. В P-N переходе положительное напряжение, при котором диод начинает проводить, следовательно, называется C.
А. Напряжение отключения
В. Напряжение насыщения
С.Напряжение в коленях
D. Напряжение пробоя
Ответ: C
Уточнение: при определенном критическом напряжении протекает большой обратный ток, и говорят, что диод находится в области пробоя, в этой области диод будет смещен в прямом направлении и, следовательно, начнет проводить .

4. В вольт-амперных характеристиках ток увеличивается с увеличением напряжения _________
A. Экспоненциально
B. Равно
C. Синусоидальный
D. Неравно
Ответ: A
Уточнение: Ток в вольт-амперной характеристике увеличивается экспоненциально по отношению к напряжению I (t) = эВ (t).

5. Напряжение отсечки для диода из полупроводника кремния и полупроводника германия составляет ____ вольт.
A. 0,5 и 0,1
B. 0,7 и 0,3
C. 1 и 0,5
D. 0,5 и 1
Ответ: B
Уточнение: напряжение отключения — это напряжение, только после которого полупроводники проводят, напряжение отключения для Кремний составляет 0,7 В в том смысле, что кремниевый диод будет проводить только при напряжении более 0,7 В и 0,3 для германия.

6. Каковы будут ток и напряжение, если на диод не подается внешнее напряжение?
А.0
B. 0,7
C. 0,3
D. 1
Ответ: A
Уточнение: когда на цепь не подается внешнее напряжение, она действует как разомкнутая цепь, и не будет потока зарядов, следовательно, ток и напряжение будут быть нулевым.

7. В характеристиках V-I P-N перехода при прямом смещении, в какой области увеличение тока очень мало.
A. Насыщение
B. Истощение
C. Отсечка
D. Пробой
Ответ: B
Уточнение: В характеристиках VI изменение тока по отношению к напряжению очень меньше в области истощения из-за большого сопротивления в Когда сопротивление уменьшается на определенное значение, ток экспоненциально увеличивается с увеличением напряжения.

8. В диоде с прямым смещением во время прямого смещения ток вырастет больше номинального значения, это приведет к разрушению диода.
A. Верно
B. Неверно
Ответ: A
Уточнение: если ток в диоде PN-перехода во время прямого смещения превышает номинальное значение, это приведет к разрушению диода, потому что напряжение прямо пропорционально току, поэтому экстремальное напряжение сожжет диод вниз.

9. Когда диод P-N с прямым смещением, ток в цепи контролируется.
A. Внешнее напряжение
B. Емкость
C. Сопротивление
D. Внутреннее напряжение
Ответ: C
Уточнение: когда PN-переход находится в прямом смещении, то есть сторона p, подключенная к положительной клемме источника напряжения, ток в Схема может быть изменена путем изменения сопротивления, ток уменьшается с увеличением сопротивления и наоборот.

10. Диод P-N перехода проводит в каком направлении.
A. Обратное направление
B. Прямое направление
C.Как в прямом, так и в обратном направлении
D. Ни в прямом, ни в обратном направлении
Ответ: B
Уточнение: диод PN-перехода проводит только в прямом направлении, он не будет проводить в обратном направлении, поэтому был введен только стабилитрон, поскольку он проводит как в прямом, так и в обратном направлении. обратное направление.

(PDF) Экспериментальная проверка вольт-амперной характеристики для хаотической схемы на основе мемристора

затухающая память ”, IEEE Transactions on Circuits and Systems

II: Express Briefs, Vol.63 No. 12, pp. 1091-1095.

Асколи, А. Тецлафф, Р. Чуа, Л.О. Страчан, Дж. П. и Уильямс,

Р.С. (2016), «Поведение нелетучих мемристоров на постоянном токе:

часть I», Proc. CNNA, Дрезден, стр. 55-56.

Бао, Б.С., Лю, З. и Сюй, Дж. П. (2010), «Стационарный периодический мемристорный генератор

с переходным хаотическим поведением»,

Electronics Letters, Vol. 46 No. 3, pp. 237-238.

Bao, BC, Yu, JJ, Hu, FW и Liu, Z. (2014), «Обобщенный мемристор

, состоящий из диодного моста с параллельным первым порядком

RC-фильтр», International Journal of Bifurcation and Chaos,

Vol.24 № 11, с. 1450143.

Bao, B.C., Hu, W., Xu, J.P., Liu, Z. and Zou, L. (2011),

«Анализ и реализация мемристорной хаотической схемы»,

Chinese Physics B, Vol. 60 № 12, с. 120502.

Bao, BC, Ma, ZH, Xu, JP, Liu, Z. and Xu, Q. (2011),

«Простая мемристорная хаотическая схема со сложной динамикой

», International Journal of Bifurcation and Chaos

в прикладных науках и технике, Vol. 2л № 9,

с.2395-2425.

Бао, Х., Ван, Н., Ву, Х.Г., Сун, З. и Бао, Б.С. (2018),

«Би-стабильность в улучшенном мемристорном генераторе третьего порядка

на основе моста Вина», Технический обзор IETE, Vol. 36

№ 2, с. 109-116.

Bao, BCJY, Luo, H., Bao, Q., Xu, YH, Hu, M. и

Chen, (2018), «Динамическое поведение, связанное с начальными условиями.

поведения в мемристорном эмуляторе типа PI. canonical

Схема Чуа ”, Circuit World, Vol.44 No. 4,

pp. 178-186.

Бускарино, А., Фортуна, Л. и Фраска, М. (2012), «Хаотическая схема

, основанная на мемристоре Hewlett-Packard», Хаос: Междисциплинарный журнал нелинейной науки

, Том 22 № 2 ,

с. 23136.

Бускарино А., Фортуна Л., Фраска М. и Гамбуцца Л.В.

(2013), «Галерея хаотических осцилляторов на основе мемристора HP

», International Journal of Bifurcation and Chaos,

Vol. 23 Нет.5, стр. 1330015.

Чуа, Л.О. (2014), «Если защемить, то пизастор»,

Semiconductor Science and Technology, Vol. 29 № 10,

с. 1-42.

Chua, L.O. (2013), «Мемристор, Ходжкина-Хаксли и край хаоса

», Нанотехнологии, Vol. 24 No. 38, pp. 1-14.

Chua, L.O. (1971), «Мемристор — недостающий элемент схемы»,

IEEE Transactions on Circuit Theory, Vol.18No.5,

pp. 507-519.

Chua, L.O. и Канг, С.М. (1976), «Мемристивные устройства и системы

», Труды IEEE, Vol. 64 No. 2,

pp. 209-223.

Коринто Ф. и Форти М. (2017), «Мемристорные схемы:

бифуркаций без параметров», IEEE Transactions on

Circuits and Systems I: Regular Papers, Vol. 64 No. 6,

pp. 1540-1551.

Hong, Q.H., Zeng, Y.C. и Ли, З.Дж. (2013), «Проектирование и моделирование хаотической схемы

для мемристора

с управляемым потоком и мемристора с регулируемым зарядом», Acta Physica Sinica,

Vol.62 № 23, с. 230502.

Ито, М. и Чуа, Л.О. (2008), «Мемристорные генераторы»,

International Journal of Bifurcation and Chaos, Vol. 18 No. 11,

pp. 3183-3206.

Цзян П., Цзэн З.Г. и Чен, Дж. Дж. (2017), «О периодической динамике

нейронных сетей на основе мемристора с утечкой

и нестационарными задержками», Нейрокомпьютинг, Том. 21 No. 9,

pp. 163-173.

Цзинь П.П., Ван Г.Ю. и Iu, H.H.C. (2018), «Локально активный мемристор

и его применение в хаотической схеме», IEEE

Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol.65

№ 2, с. 246-250.

Li, Q.D., Zeng, H.Z. и Ли, Дж. (2015), «Гиперхаос в мемристивной схеме

4D с бесконечным множеством стабильных

равновесий», Нелинейная динамика, Том 79 № 4,

стр. 2295-2308.

Ма, Дж., Ву, F.Q., Рен, Г.Д. и Танг, Дж. (2017), «Класс

начально-зависимых динамических систем», Прикладная математика

и вычисления, Vol. 29 №8, стр. 65-76.

Muthuswamy, B. (2010), «Реализация мемристорных хаотических схем на основе

», International Journal of Bifurcation и

Chaos, Vol.20 No. 5, pp. 1335-1350.

Мутхусвами, Б. и Кокате, П.П. (2009), «Хаотические схемы на основе мемристоров

», Технический обзор IETE, Том 26 № 6,

, стр. 415-426.

Мутусвами Б. и Леон О. (2010), «Простейшая хаотическая цепь

», Международный журнал бифуркаций и хаоса,

Vol. 20 No. 5, pp. 1567-1580.

Петрас, И. (2010), «Мемристор дробного порядка мемристора — схема Чуа на основе

», IEEE Transactions on Circuits и

Systems II: Express Briefs, Vol.57 No. 12, pp. 975-979.

Rakkiyappan, R., Sivasamy, R. и Li, X.D. (2015),

«Синхронизация идентичных и неидентичных мемристорных систем на основе

с помощью активного обратного управления методом

», Схемы, системы и обработка сигналов, Том. 34

№ 3, с. 763-778.

Руан, Дж.Й., Сун, К.Х. and Mou, J. (2016), «Гиперхаотическая система

Лоренца на основе мемристора и ее реализация в схеме

», Acta Physica Sinica, Vol.65 №19,

стр. 1_.

Струков Д.Б., Снайдер Г.С., Стюарт Г. и Уильямс, Р.

(2008), «Пропавший мемристор найден», Nature, Vol. 453

№ 7191, стр. 80-83.

Teng, L., Iu, H.C. и Ван, X. (2014), «Хаотическое поведение в

простейших хаотических схемах на основе мемристоров дробного порядка

с использованием полинома четвертой степени», Нелинейная динамика,

Vol. 77 № 1/2, стр. 231–241.

Тур, Дж. М. и Хе, Т. (2008), «Четвертый элемент», Nature,

Vol.453 No. 7191, pp. 42-43.

Ван, Г.Ю. и Сюй Б. (2017), «Meminductive Wein-

мостовой хаотический осциллятор», Acta Physica Sinica, Vol.66No.2,

p. 20502.

Ван, С.Ф. и Сюй Д.З. (2016), «Улучшенная схема для модулятора

на основе наноструктурированного мемристора», Схема

World, Vol. 42 No. 4, стр. 178–182.

Ву, А.Л. и Цзэн, З.Г. (2017), «Глобальная стабилизация Mittag-Lefer

мемристивных нейронных сетей дробного порядка

», IEEE Transactions on Neural Networks and

Learning Systems, Vol.28 No. 1, pp. 206-217.

Xiong, L., Liu, ZLandZhang, XG (2017), «Анализ, реализация схемы

и приложения новой хаотической системы

», Circuit World, Vol.43No.3,

pp. 118- 130.

Проверка вольт-амперной характеристики

Li Xiong, Xinguo Zhang and Yan Chen

Circuit World

Том 46 · Номер 1 · 2020 · 13–24

Вольт-амперные характеристики Вопросы и ответы

Этот набор вопросов и ответов для электронных устройств и схем с множественным выбором (MCQ) посвящен «Вольт-амперным характеристикам».

1. В вольт-амперной характеристике ток увеличивается с увеличением напряжения _________
a) Экспоненциально
b) Равно
c) Синусоидальный
d) Неравно

2. Напряжение отключения для диода из полупроводника кремния и полупроводника германия составляет ____ вольт.
а) 0,5 и 0,1
б) 0,7 и 0,3
в) 1 и 0,5
г) 0,5 и 1

3. Какими будут ток и напряжение, если на диод не подается внешнее напряжение?
а) 0
б) 0.7
в) 0,3
г) 1

4. В характеристиках V-I P-N перехода при прямом смещении, в какой области увеличение тока очень мало.
a) Насыщение
b) Истощение
c) Отсечка
d) Разбивка

5. В диоде с P-N переходом во время прямого смещения, если ток увеличится больше, чем номинальное значение, диод выйдет из строя.
a) Верно
b) Неверно

6.Когда диод P-N с прямым смещением, ток в цепи контролируется.
a) Внешнее напряжение
b) Емкость
c) Сопротивление
d) Внутреннее напряжение

7. Диод P-N перехода проводит в каком направлении.
a) Обратное направление
b) Прямое направление
c) Как прямое, так и обратное направление
d) Ни вперед, ни назад

8. Напряжение, эквивалентное температуре (Vt) в P-N переходах, определяется как.
a) T / 1000 В
b) T / 300 В
c) T / 1600 В
d) T / 11600 В

9. Каким будет напряжение, эквивалентное температуре при комнатной температуре.
а) 10 мВ
б) 4,576 мВ
в) 26 мВ
г) 98 В

10. В P-N переходе вызывается положительное напряжение, при котором диод начинает проводить соответственно.
a) Напряжение отключения
b) Напряжение насыщения
c) Напряжение колена
d) Напряжение пробоя

Кривая между напряжением над переходом и током цепи является вольт-амперной характеристикой диода с PN переходом.Архитектура схемы кривой изображена на диаграмме ниже. Электрический ток или поток электронов измеряется напряжением и силой тока. Давление, которое позволяет электронам течь, измеряется напряжением, тогда как объем электронов измеряется силой тока. Обычно вольт-амперы используются для анализа цепей переменного тока. Вольт-ампер является размерным эквивалентом ватта (1 ВА = 1 Вт в единицах СИ). Номинальная мощность в ВА особенно полезна для линий индуктивной нагрузки и переключателей (а также другого силового оборудования).

Условия работы и вольт-амперные характеристики тиристоров

(1) Условия работы SCR. Поскольку SCR имеет только два рабочих состояния: включено и выключено, он имеет характеристики переключения. Эта характеристика требует преобразования определенных условий. Такие условия показаны в таблице 1.

① Когда на тиристор подается обратное анодное напряжение, независимо от напряжения затвора, тиристор находится в выключенном состоянии.
② Когда на тиристор подается положительное анодное напряжение, тиристор может быть включен только тогда, когда на затвор действует положительное напряжение.
③ Когда тиристор включен, пока существует определенное положительное анодное напряжение, тиристор остается включенным независимо от напряжения затвора. То есть после включения SCR вентиль теряет свою функцию.
④ Когда тиристор включен, когда напряжение (или ток) основной цепи снижается до близкого к нулю, тиристор выключается.

(2) Вольт-амперные характеристики тринистора. Взаимосвязь между напряжением между анодом A и катодом K SCR и анодным током SCR называется вольт-амперной характеристикой SCR, как показано на рисунке 1.Прямая характеристика расположена в первом квадранте, а обратная характеристика расположена в третьем квадранте.

Рисунок 1 Принципиальная схема вольт-амперной характеристики тринистора.

① Обратные характеристики: когда затвор G открыт и на анод A подается обратное напряжение (как показано на Рисунке 2 (a)), переход J ₂ смещен в прямом направлении, но J ₁ и J _{3 перехода} имеют обратное смещение. В это время может протекать только небольшой обратный ток насыщения.Когда напряжение увеличивается до напряжения лавинного пробоя перехода J ₁, ток пробоя перехода J ₃ также быстро увеличивается. Участок OR характеристической кривой на Рисунке 1 начинает изгибаться, и напряжение URO на изгибе называется обратным изгибающим напряжением. После этого SCR подвергнется постоянной обратной пробое.

Рисунок 2 Обратные характеристики, прямые характеристики и проводимость триггера

② Характеристики в прямом направлении: когда затвор G открыт и на анод A подается положительное напряжение (как показано на рисунке 2 (b)), переходы J ₁ и J ₃ смещены в прямом направлении, но J _{2 перехода} имеют обратное смещение, что противоположно обычным PN-переходам.Характеристики аналогичны, может течь только небольшой ток. Это называется состоянием прямой блокировки. Когда напряжение увеличивается, участок OA характеристической кривой на рисунке 1 начинает изгибаться, и напряжение UBO на изгибе называется напряжением прямого поворота.

После повышения напряжения до напряжения лавинного пробоя перехода J ₂ переход J ₂ будет иметь эффект лавинного размножения, и в области перехода будет образовываться большое количество электронов и дырок.Электроны попадают в область N ₁, а дырки входят в область P ₂. Электроны, попадающие в область N ₁, рекомбинируют с дырками, инжектированными в область N ₁ из области P ₁ через переход J ₁. Точно так же дырки, входящие в область P ₂, рекомбинируют с электронами, инжектированными в область P ₂ из области N ₂ через переход J ₃. После лавинного пробоя электроны, попадающие в область N ₁, и дырки, входящие в область P ₂, не могут полностью рекомбинировать.Таким образом, электроны накапливаются в области N ₁, а дырки накапливаются в области P ₂. В результате потенциал в области P ₂ повышается, потенциал в области N ₁ падает, и переход J ₂ становится смещенным в прямом направлении. Пока ток немного увеличивается, напряжение будет быстрым. При уменьшении появляется так называемая характеристика отрицательного сопротивления, как показано пунктирной линией AB на рисунке 1. В это время все три перехода J ₁, J ₂ и J ₃ находятся впереди. состояние смещения, и SCR переходит в состояние прямой проводимости — во включенное состояние.В настоящее время его характеристики аналогичны нормальным прямым характеристикам PN-перехода, как показано в разделе BC на рисунке 1.

③ Запуск: Когда прямое напряжение добавляется к затвору G (как показано на рисунке 2 (c)), отверстия в области P ₂ входят в область N ₂ из-за положительного смещения J ₃, и электроны в области N ₂ входят в область P ₂, чтобы сформировать ток запуска IGT. На основе эффекта внутренней положительной обратной связи SCR (как показано на рисунке 1) в сочетании с эффектом IGT, SCR включается заранее, в результате чего сегмент OA вольт-амперной характеристики на рисунке 1 смещается на левый.Чем больше IGT, тем характеристика смещается влево. Быстрее.
Рисунок 2 Прямые характеристики, прямые характеристики и проводимость триггера

Характеристики диода

вольт-ампер ~ ваш дом с электричеством

Ток диода зависит от приложенного к нему напряжения. Отношение между приложенным напряжением V и током диода I экспоненциально и равно математически задается уравнением, называемым уравнением тока диода. Это выражается как,

где I ₀ = обратный ток насыщения в амперах

V = приложенное напряжение

η = 1 для германиевого диода

= 2 для кремниевого диода

V _T = Напряжение эквивалент температуры в вольтах

Эквивалент напряжения температуры указывает на зависимость диода ток от температуры.Напряжение, эквивалентное температуре V _T для данного диода при температуре T, рассчитывается как,

В _Т = КТ вольт

где K = постоянная Больцмана = 8,62 x 10 ^-5 эВ / ^o K

T = температура ^o K

Таким образом, при комнатной температуре 27 ^o C, т.е. T = 27 + 273 = 300 ^o K, значение V _T равно

В _Т = 8.62 x 10 ^-5 x 300 = 0,02586 В 26 мВ

Значение V _T также может быть выражено как
. Таким образом, при комнатной температуре T = 300 ^o K получаем = 26 мВ.

Уравнение тока диода применимо для всех условий диод, т.е. несмещенный, смещенный в прямом и обратном направлении.

при несмещении V = 0, следовательно, получаем

I = I ₀ {e ⁰ — 1} = 0 A

Таким образом, в несмещенном состоянии через диод не проходит ток.

Для прямого смещения V необходимо принять положительным, и мы получим ток I положительный, который является прямым током. Для обратного смещения необходимо взять V отрицательный, и мы получаем отрицательный ток I, который указывает, что это обратный ток.

1.1 Характер ВАХ по уравнению диода

Рассмотрим уравнение тока диода как,

Вышеприведенное уравнение показывает, что в условиях обратного смещения ток — это обратный ток насыщения, который отрицателен, что указывает на то, что он течет в направлении, противоположном прямому току, и почти постоянный.Такой характер характеристик диодов уже обсуждался. и это показано на рис.1. Пунктирная часть представляет собой разбивку. область.

Рис.1 ВАХ p-n переходного диода

Примечание : Полная ВАХ диода с p-n переходом зависит от температуры, так как обратный ток и V _T зависят от температуры.
Посмотреть решенные примеры

Рекламные ссылки:

Принцип и вольт-амперные характеристики тиристора

Поскольку в проекте необходимо использовать MOC3201 для управления симистором для управления нагрузкой 12 В переменного тока, но роль конденсатора уровня резистора в периферийной цепи симистора очень затруднена, мы начнем с анализа принципа обычного тиристора. (тиристор).Ниже приведены соответствующие знания, обобщенные при чтении нескольких книг по технологии силовой электроники.

Принцип работы обыкновенного тиристора

Полное название тиристора — тиристор, также называемый тиристором. Его внутренняя структура и эквивалентная схема показаны на рисунке

Внутренняя структура тиристора может быть эквивалентна двум комплементарно соединенным триодам. Когда полюс g имеет достаточное напряжение затвора и анод тиристора также имеет прямое напряжение, тогда транзистор T1 будет смещен в прямом направлении, и напряжение затвора будет генерировать базовый ток Ig, а затем ток коллектора T1 Ic1 = β1 Ig.И Ic1 — это базовый ток T2, затем ток коллектора T2 Ic2 = Ic1 β2 = β1 β2 Ic2, а затем повторите этот цикл, чтобы сформировать положительную обратную связь, чтобы транзистор достиг насыщения и проводимости. Следовательно, после включения тиристора, даже если напряжение затвора исчезнет, его внутренняя часть будет продолжать включаться из-за наличия положительной обратной связи по току. Таким образом, роль управляющего полюса состоит только в том, чтобы запускать тиристор.
Таким образом, условия включения и выключения тиристора можно суммировать:

Условия проводимости:
Положительное напряжение подается на анод и катод тиристора; прямое напряжение также приложено между затвором и катодом.
Trigger on:
После включения тиристора затвор теряет управление, поэтому напряжение, приложенное к затвору, обычно является импульсным.
Условия отключения:
Сделайте анодный ток, протекающий через тиристор, меньше, чем поддерживающий ток.

Вольт-амперные характеристики и основные параметры тиристоров обыкновенных

Прямая характеристика тиристора разделена на секцию OA в состоянии блокировки и секцию BC в проводящем состоянии.Когда IG = 0, если Uak не увеличивается до положительного напряжения поворота Ubo, устройство находится в прямом выключенном состоянии, и есть только небольшой положительный сигнал. Если ток утечки больше, чем прямое напряжение поворота, ток утечки увеличивается. резко и прибор включается. Характеристика участка BC после включения аналогична прямой характеристике диода. Этот метод называется «жесткое включение», но тиристор легко повредить. Как правило, метод увеличения IG используется для уменьшения прямого вращающего напряжения и управления проводимостью тиристора.
Его обратная характеристика аналогична прямой, когда IG = 0, достигая обратного напряжения пробоя, но его обратная характеристика пробоя тиристора не имеет ничего общего с размером IG.
Основные параметры тиристора:

Повторяющееся пиковое напряжение в прямом направлении Udrm: положительное пиковое напряжение, которое может быть приложено к обоим концам тиристора, когда тиристор заблокирован в прямом направлении, обычно 80% от напряжения прямого поворота Ubo
Обратное повторяющееся пиковое напряжение Urrm: обратное пиковое напряжение, разрешенное для приложения к обоим концам тиристора, когда тиристор заблокирован в обратном направлении, обычно 80% от обратного напряжения поворота Ubr
Прямой средний ток Если: Среднее значение синусоидального полуволны промышленной частоты, которое может проходить непрерывно при определенных условиях.Если максимальное значение тока синусоидальной полуволны Im, то If = Im / π
Поддерживающий ток Ih: минимальный ток, при котором тиристор поддерживает непрерывную работу при определенных условиях

Smart-UPS On-line от APC предлагает инновационные функции

Между все более хрупкой электросетью, растущим потреблением энергии ИТ-оборудованием и постоянно растущим значением нашей сети нетрудно увидеть ценность ИБП (источника бесперебойного питания) не только для бизнеса, но и для дома.Итак, вы когда-нибудь решали исследовать некоторые ИБП, чтобы увидеть, какой из них вам подходит, только для того, чтобы спрашивать себя: «Ватты? ВА? А?»

Большинство из нас слышали о ваттах раньше — и имеют некоторое представление о том, что каждая единица оборудования потребляет определенное количество ватт для работы, но как именно это связано с ИБП? А что такое VA?

Электроника имеет как максимальную мощность, так и максимальную мощность в ВА (вольт-ампер); и ни мощность, ни номинальная мощность ИБП не могут быть превышены подключенным оборудованием (нагрузкой).Ватты — это реальная мощность, потребляемая оборудованием, в то время как вольт-амперы называются «кажущейся мощностью» и представляют собой произведение напряжения, приложенного к оборудованию, на ток, потребляемый оборудованием. Рейтинг ватт определяет фактическую мощность, приобретаемую у коммунальной компании, и тепловую нагрузку, создаваемую оборудованием; а номинальная мощность в ВА используется для определения размеров проводки и автоматических выключателей. Есть яснее? Наверное, немного.

Что вам действительно нужно знать, так это то, что для электроники, такой как компьютеры и ИБП, номиналы в ваттах и ВА могут значительно отличаться; при этом номинальная мощность в ВА всегда равна или превышает номинальную мощность в ваттах.Отношение ватт к ВА называется «коэффициентом мощности» и выражается в виде числа (т. Е. — 0,8) или процента (т. Е. 80%). Этот коэффициент мощности действительно важен при выборе ИБП в соответствии с вашими конкретными требованиями.

APC ™ от Schneider Electric ™ последнего поколения Smart-UPS ™ On-Line теперь предлагает инновационные функции, которые помогут вам максимально использовать свою энергию ™. Модели 6 кВА (6000 ВА) и выше имеют единичный коэффициент мощности, что означает, что ВА соответствует равной величине ватт (т.е.е. 6000 ВА = 6000 Вт). Меньшие модели следующего поколения Smart-UPS On-Line имеют коэффициент мощности 0,9 или выше, и все они соответствуют требованиям Energy Star ™ независимо от ВА.