Драйвер на двух транзисторах для управления затвором полевого транзистора | Электронные схемы
драйвер для управления затвором полевого транзистора
драйвер для управления затвором полевого транзистора
У полевых MOSFET транзисторов между затвором и истоком есть паразитный конденсатор,его емкость в даташите указывают как Ciss.У транзистора IRFB5615 его емкость составляет 1750пФ,а сопротивление открытого канала 32 мОм при напряжении на затворе 10В. Эту паразитную емкость можно легко обнаружить,достаточно к стоку подключить лампу накаливания и к ней подать плюс питания,а к истоку подать минус питания.Если теперь дотронуться пальцем затвора и стока или истока,можно зарядить этот конденсатор и лампа будет светить до тех пор,пока этот конденсатор не разрядится.
Представим ситуацию,когда на выходе микроконтроллера есть ШИМ сигнал с высоким уровнем 5 Вольт. Подаем этот сигнал на затвор транзистора и паразитный конденсатор начинает заряжаться,но медленно,так как ток сигнала на выходе МК достигает примерно 20 мА.В итоге конденсатор полностью не зарядится или будет искажен сигнал и напряжение на затворе не будет 5 Вольт,хотя и этого мало для полного открытия транзистора.Транзистор начнет сильно нагреваться.Допустим,для заряда емкости в 1000пФ до 10 Вольт и время заряда 10 нС,требуется ток в 1 Ампер.
управление мосфет с помощью эмиттерного повторителя
управление мосфет с помощью эмиттерного повторителя
Конденсатор надо быстро заряжать и быстро разряжать,иначе транзистор нагревается или выйдет из строя.Чтобы это реализовать,требуется либо специальная микросхема-драйвер для управления полевыми транзисторами,или собрать простейший эмиттерный повторитель на комплементарных транзисторах.Такая схема производит усиление по току .
драйвер на двух биполярных транзисторах для управления полевым транзистором
драйвер на двух биполярных транзисторах для управления полевым транзистором
Когда сигнал будет высокого уровня,откроется транзистор Т1 и зарядит затвор полевого транзистора,паразитный конденсатор быстро зарядится. Когда сигнал будет низкого уровня,откроется Т2 и разрядит затвор мосфета. Проверял этот драйвер так: вместо мосфета поставил конденсатор 1000мкФ,питание на драйвер подал 9 Вольт.Теперь на базы транзисторов,через резистор 10 кОм подключал еще один источник питания и наблюдал по осциллографу заряд конденсатора.При плюсе на базах конденсатор заряжается,при минусе на базах конденсатор разряжается.
Драйвер для мощных транзисторов | VD MAIS
Компания IXYS (с 2017 года ставшая подразделением компании Littelfuse) начала серийное производство нового драйвера, предназначенного для управления SiC MOSFET и IGBT большой мощности.
Раздельные 9-амперные выходы истоков и стоков микросхемы драйвера IX4351NE позволяют настраивать времена включения и выключения, минимизируя потери переключения. Внутренний зарядовый насос обеспечивает регулируемое отрицательное напряжение смещения затвора для улучшения устойчивости к dV/dt и уменьшения времени выключения.
Схема детектора выхода из насыщения обнаруживает состояние токовой перегрузки внешнего SiC MOSFET и инициирует плавное отключение, предотвращая потенциальную опасность повреждения из-за высокой скорости изменения напряжения dV/dt. Логический вход IN, совместимый с ТТЛ и КМОП, не требует преобразования уровня даже при отрицательном напряжении смещения драйвера затвора. Безопасность работы обеспечивается цепями защиты от пониженного напряжения и перегрева кристалла. Выход «Неисправность» с открытым стоком сигнализирует микроконтроллеру об аварийном режиме.
Параметры IX4351NE гарантируются в диапазоне рабочих температур от -40 до +125 °C. Устройство выпускается в 16-выводном корпусе SOIC со сниженным тепловым сопротивлением. О наличии оценочной платы производитель позаботился.
Основные характеристики IX4351NE:
Отдельные выводы истоков и стоков с допустимыми пиковыми токами 9 А
Диапазон рабочих напряжений от –10 до +25 В
Внутренний регулятор на основе зарядового насоса для выбора отрицательного напряжения смещения затвора
Обнаружение выхода из насыщения с мягким отключением драйвера
Входы, совместимые с ТТЛ и КМОП
Защита от пониженного напряжения
Отключение при перегреве
Выход «Неисправность» с открытым стоком
Области применения IX4351NE:
Драйверы SiC MOSFET и IGBT
Бортовые зарядные устройства и зарядные станции
Промышленные инверторы
Корректоры коэффициента мощности, AC/DC и DC/DC преобразователи
100-вольтовые высокочастотные полумостовые драйверы затворов МОП-транзисторов от Renesas
HIP2210 и HIP2211 – полумостовые драйверы затворов мощных полевых транзисторов (MOSFET), обеспечивающие вытекающий ток до 3А и втекающий – до 4А.
HIP2211 имеет стандартные входы HI / LI и совместим по выводам с популярными драйверами Renesas , такими как HIP2101 и ISL2111, а также с аналогичными изделиями других производителей.
HIP2210 имеет трехуровневый ШИМ-вход и возможность программирования «мертвого» времени (паузы). Широкий диапазон напряжений питания — от 6 В до 18 В, и встроенный обратный диод обеспечивают управление верхним и нижним МОП-ключами в полумостовых приложениях с напряжением до 100В. Данные драйверы обеспечивают типовую задержку распространения 15 нс и типовое рассогласование времени задержки 2ns, что делает их оптимальными для высокочастотных коммутационных приложений. Имеется защита от превышения напряжения и пониженного напряжения питания.
Трехуровневый вход управления ШИМ микросхемы HIP2210 позволяет управлять ключами верхнего и нижнего плеча с помощью одного сигнала. Когда на вход ШИМ подан высокий логический уровень, верхний МОП-ключ включен, а МОП-ключ нижней стороны выключен. Когда на входе низкий логический уровень, МОП-ключ моста нижней стороны включен, а верхний ключ выключен. Когда же входное напряжение находится на среднем уровне, оба транзистора выключены. Пороговые уровни ШИМ пропорциональны напряжению на опорном входе — на выводе VREF, это позволяет разрешить работу ШИМ для любых логических уровней — от 2,7 до 5,5 В.
Основные преимущества:
Вытекающий/втекающий токи 3/4А
Коммутируемое напряжение полумоста до 100В
Обратный диод с допустимым напряжением 115В
Напряжение питания 6-18В
Типовая задержка 15 нс
Для HIP2210 – программируемое время паузы от 35 до 350 нс с помощью внешнего резистора.
Типовые схемы включения драйверов:
Микросхема HIP2210 выпускается в 10-выводном корпусе TDFN размером 4х4 мм, а HIP2211 – в 8-выводном корпусе SOIC-8, 8-выводном DFN и в 10-выводном TDFN корпусе.
Применение: DC/DC преобразователи, драйверы одно- и трехфазных электродвигателей, аудиоусилители класса D
Смотреть дополнительные материалы > 100-вольтовые высокочастотные полумостовые драйверы затворов МОП-транзисторов от Renesas. pdf
Информацию по доступности высокочастотных полумостовых драйверов затворов МОП-транзисторов, а также по образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. . Мы будем рады Вам помочь!
Самодельный драйвер для мощных моторов
2016-06-16
Всі статті →
Петр
Для управления мощными моторами через Ардуино нужно выбрать один из вариантов:
через готовый драйвер – шилд, например Монстр мото шилд
через свою схему управления на транзисторах, если нужно иметь реверс моторов, то нужно делать Н-мост с транзисторов.
через свою схему управления на транзисторах, если нужно иметь реверс моторов, то для этого с транзисторами можно использовать реле.
Для первого варианта нужно идеально подобрать драйвер по вашим запросам – вольтаж и ампераж моторов и обеспечить драйвер требуемым отводом тепла – поставить радиатор, а возможно и вентилятор для обдува.
Второй вариант запрашивает очень хорошее понимание электроники – нужно уметь рассчитать все элементы схемы: транзисторы n и p типа, резисторы, конденсаторы, диоды,… Кроме того при выходе из строя одного элемента вся система перестает работать и быстро заменить что то не так просто.
Третий вариант подразумевает получение ШИМ контроля оборотов мотора в одном направлении, а два реле обеспечат смену полярности питания мотора, что даст ему обратный ход. Большой плюс такого варианта в том, что можно иметь на борту несколько транзисторов (один не подключен – в запасе) и при перегрузке или сгорании основных можно на резервном транзисторе «доехать домой». И даже при поломке реле все равно можно иметь ход как минимум в одном направлении. Да и по затратам и надежности этот вариант был выбран как оптимальный.
Теперь по порядку:
Выбираем транзистор – берем полевой транзистор (мосфет). Тут есть два варианта по типу управляющего сигнала:
Логические транзисторы – управляются 5 вольтами – можно прямо с Ардуино.
Остальные транзисторы управляются напряжением от 10в (хотя практика показала что не логический полевик нормально работает и от 5 вольт). Для их использования нужно после Ардуино поднять напряжение, можно использовать готовый драйвер мосфета.
Итак, подсчитав более выгодный вариант (логические транзисторы значительно дороже) был выбран вариант с использованием драйвера мосфета в виде микросхемы ТС 4420. Она имеет 8 ножек:
1 и 5 питание +
4 и 8 питание –
2 вход (от Ардуино)
6 и 7 выход (на транзисторы)
Транзисторы нужно выбирать с запасом по напряжению и току, если углубляться в выбор сильнее, то нужно обратить внимание на сопротивление открытого транзистора, время открытия, закрытия,… В идеале транзистор должен открываться и закрываться очень быстро и тогда он не будет греться и КПД системы будет повыше.
В нашей схеме были использованы транзисторы IRF 2204, с током 210А, но поскольку были сомнения по поводу тонких ножек, то на каждый мотор стоит по 3 транзистора – в параллельном соединении (хотя 2 достаточно), один из них можно держать в запасе.
Подключаем транзистор так:
Левая ножка – управляющий сигнал с ШИМ (берем с выхода драйвера мосфета).
Средняя ножка – выход на мотор, но для удобства ее можно отломать (чтобы не мешала при пайке), а взять выход с корпуса транзистора (через отверстие корпус соединен с радиатором).
Важно не забыть на первую (левую) ножку припаять резистор примерно 10 кОм и пустить его на минус – так база транзистора всегда будет притянута к земле – чем она надежно закроет транзистор даже при обрыве управляющего провода.
Теперь выбираем по току и управляющему напряжению реле. В нашем случае реле управляется 12 вольтами – пришлось ставить еще по одному не очень мощному транзистору не логического уровня, который при сигнале с Ардуино (напрямую без драйвера) подает на реле 12 вольт и меняет положение его контактов.
Таким образом мы уже получили готовую схему для нашего силового драйвера:
Если интересно, то можно посмотреть схему в работе на большой робоплатформе с двумя моторами по примерно 700 Вт каждый и напряжением 12в:
Причитается поставщику M.A.P. политика, цена не может быть отображена. Рядом с ЦЕНАМИ нажмите «ТЕКУЩАЯ ЦЕНА» , чтобы получить Classic Hammonds по низкой цене по электронной почте.
Этот товар необходимо покупать по телефону. Свяжитесь с нами по телефону (913) 645-7473, понедельник-пятница, 10:00 — 18:00, CST / CDT.
Архивы микросхем транзисторов и драйверов
Все категорииВсе продуктыХлебные доски и аксессуарыКристаллические осцилляторыДатчики Медицинские датчикиUSB-хост и аксессуарыСветодиодные и лазерные источникиКабели и преобразователи данныхРоботики | Аксессуары для робототехникиОптопарыКоробки и корпусаБаззеры, пьезо и микрофоны Модули DC / DCИсточник питания-SMPSAudio | Звук | Камера Вентиляторы постоянного токаТеплоусадка и упаковкаПлаты и экраны ArduinoПлата Raspberry PiУправление по сети EthernetРегулируемый источник питания постоянного токаВинты и гайкиПродукты SparkFunКонтроль жидкостиИндуктор / КатушкиБрызги, очистители и клейЗащита | Стабилизатор | Стабилизатор инвертора Мощность Защита инвертора (напряжение и ток) Солнечная батарея Поворотный энкодер Инструменты для диагностики автомобиля Таймеры и реле температуры Таймеры Контроль температуры и влажностиБатареи и зарядные устройства Аккумуляторные батареи Разъемы и аксессуары для обычных аккумуляторов Брендовые устройства для зарядки литиевых батарей Плата защиты литиевых батарей (BMS) Зарядные устройства Разъемы Разъемы IDC (FC- Разъемы) Разъемы SMA и BNC Клеммы кабелей Общие разъемы Разъемы питания Контактные разъемы Клеммные колодки D-сверхминиатюрные разъемы RJ USB-разъемы RCA-разъемы Специальные разъемы Водонепроницаемые и пыленепроницаемые разъемы Банановые вилки и аудиоразъемы Электрические разъемы Конденсаторы Плата для разработчиков (с открытым исходным кодом) PIC Microchip Raspberry Pi Android ОС Arduino Процессор ARM Учебная плата RAM TEXAS INSTRUMENTS Комплекты FPGA Предохранители Стеклянные предохранители Керамические быстродействующие предохранители Карманы для предохранителей Программаторы и тестеры IC Гнезда для IC и адаптеры ICIntegrated Circuits (ICs) Microco ntrollers MCU IC, TTL и CMOS 74xx, 40xx и 45xx IC Датчик температуры IC Конвертеры АЦП и ЦАП IC Специальная функция IC Драйверы и контроллеры двигателей IC Протоколы USB, RS232 и RS485 IC Таймеры и часы реального времени (RTC) Источники напряжения IC Усилители ИС памяти IC | Операционные усилители | Матрица транзисторов ИС компаратора и драйверы ЖК-модули ИС Символьный ЖК-дисплей Графический ЖК-дисплей | OLED Uart Smart TFT LCD Модуль Измерительные приборы HDMI LCD Цифровой мультиметр Токоизмерительные клещи | Измерительные аксессуары для измерителей мощности Осциллографы и функциональный генератор Заземление | Тестеры сопротивления изоляции Кабельный тестер | Логический зонд Измерители окружающей среды и тестеры Продукция торговой марки UNI-T Дальномер Тахометр (измерение числа оборотов в минуту) Тепловизор Мультиметр с автоматическим диапазоном И подшипниковые шпиндели Зубчатая рейка Рельс и шестерни Кабельная цепь Драйвер двигателя постоянного тока Алюминиевые профили Маленькие роботизированные сервомоторы Шаговые двигатели с замкнутым контуром Концевые фрезы и цанги Промышленные серводвигатели переменного тока Инструменты для печатных плат Электродвигатели переменного тока Инструменты для печатных плат Фоторезистентные печатные платы Листы печатных плат (различных размеров) Отверстия печатная плата (прототип печатной платы & Veroboard) Распорки для печатных платРезисторы и потенциометры Резисторные сети (матрица) Фоторезистор на основе Cds (LDR) NTC | Резисторы RTD Силовые резисторы 5 Вт и 10 Вт Резисторы SMD Углеродный резистор 1/4 Вт Значения Ом 1/4 Вт Значения Кило Ом 1/4 Вт Значения Мега Ом Потенциометры Провода и крокодилы Кабели и разъемы типа «крокодил» Провода с предварительно обжатыми выводами Транзисторы Транзисторы MOSFET и JFET-транзисторы Затворные полевые МОП-транзисторы Биполярные транзисторы общего назначения IGBT-транзисторыИнструменты Обжимные инструменты Другие инструменты Инструмент для зачистки проводов и ниппели Пинцет Компоненты и ящики для инструментов Микроскоп и лупы Отвертки Набор инструментов Проводящая жидкость Шестигранный ключ | Звездный ключ | Гаечный ключ Измерительные и измерительные инструменты Сверлильные и шлифовальные инструменты Пайка и демонтаж ЯПОНИЯ Оригинальные инструменты goot Переключатели Переключатель прицела (кнопки) Микропереключатели Переключатели на печатной плате DIP-переключатели Переключатели включения / выключения Герконовый переключатель Термовыключатель Джойстик | Аркадные кнопки Тумблер Сенсорные переключатели Компоненты SMD Интегральные схемы SMD (ИС) SMD Регуляторы напряжения Транзисторы SMD Запчасти для 3D-принтеров и детали для 3D-принтеров с нитью
Высокопроизводительный драйвер активной матрицы на органических транзисторах, разработанный на бумажной основе
Ramuz, M., Ти, Б. К. К., Ток, Дж. Б. Х. и Бао, З. Н. Прозрачная, оптическая, чувствительная к давлению искусственная кожа для растягивающейся электроники большой площади. Adv. Матер. 24. С. 3223–3227 (2012).
CAS
Google ученый
Schwartz, G. et al. Гибкие полимерные транзисторы с высокой чувствительностью к давлению для применения в электронном мониторинге кожи и здоровья. Nat. Commun. 4, 1859 (2013).
ADS
Google ученый
Маннсфельд, С.C. B. et al. Высокочувствительные гибкие датчики давления с микроструктурированными резиновыми диэлектрическими слоями. Nat. Матер. 9. С. 859–864 (2010).
ADS
CAS
Google ученый
Набер, Р. К. Г., Асади, К., Блом, П. В. М., де Лиу, Д. М. и де Бур, Б. Органические энергонезависимые запоминающие устройства на основе сегнетоэлектричества. Adv. Матер. 22, 933–945 (2010).
CAS
PubMed
Google ученый
Zschieschang, U.и другие. Органическая электроника на банкнотах. Adv. Матер. 23. С. 654–658 (2011).
CAS
Google ученый
Eder, F. et al. Бумага, органическая электроника. Прил. Phys. Lett. 84, 2673–2675 (2004).
ADS
CAS
Google ученый
Martins, R. et al. Селективный транзистор энергонезависимой бумажной памяти с плавающим затвором. Физический статус Solidi-R 3, 308–310 (2009).
CAS
Google ученый
Хан, М.А., Бхансали, У. С. и Альшариф, Х. Н. Высокопроизводительная энергонезависимая органическая сегнетоэлектрическая память на банкнотах. Adv. Матер. 24. С. 2165–2170 (2012).
CAS
PubMed
Google ученый
Martins, R. et al. Дополнительная технология металлооксидных полупроводников с бумагой и на бумаге. Adv. Матер. 23. С. 4491–4496 (2011).
Li, Y. et al. Обработанные на растворе органические кристаллы для матриц полевых транзисторов с гладкой границей раздела полупроводник / диэлектрик на бумажных подложках. Орг. Электрон. 13, 815–819 (2012).
CAS
Google ученый
Секитани Т., Зшишанг У., Клаук Х.& Someya, T. Гибкие органические транзисторы и схемы с чрезвычайной устойчивостью к изгибу. Nat. Матер. 9. С. 1015–1022 (2010).
ADS
CAS
Google ученый
Zschieschang, U. et al. Гибкие низковольтные органические тонкопленочные транзисторы и схемы на основе С-10-ДНТТ. J. Mater. Chem. 22, 4273–4277 (2012).
CAS
Google ученый
Yokota, T. et al.Система усилителя с гибкой органической активной матрицей листового типа, использующая схемы псевдо-КМОП со структурой с плавающим затвором. IEEE Trans. Электрон. Устройства 59, 3434–3441 (2012).
ADS
Google ученый
Курибара, К. и др. Органические транзисторы с высокой термостойкостью для медицинского применения. Nat. Commun. 3, 723 (2012).
ADS
Google ученый
Кальтенбруннер, М.и другие. Ультратонкие и легкие органические солнечные элементы с высокой гибкостью. Nat. Commun. 3, 770 (2012).
ADS
PubMed
PubMed Central
Google ученый
Ante, F. et al. Контактное сопротивление и мегагерцовый режим работы органических транзисторов с агрессивным масштабированием. Small 8, 73–79 (2012).
CAS
Google ученый
Секитани Т. и Сомея Т. Растягиваемые органические интегральные схемы для электронных поверхностей кожи большой площади.МИССИС БЫК. 37, 236–245 (2012).
Google ученый
Yokota, T. et al. Низковольтный органический транзистор с субфемтолитровыми струйными контактами исток-сток. Mrs Communications 1, 3–6 (2011).
CAS
Google ученый
Секитани Т. и Сомея Т. Органические интегральные схемы, удобные для человека. Матер. Today 14, стр. 398–407 (2011).
CAS
Google ученый
Алам, М.W., Wang, Z.K., Naka, S. & Okada, H. Повышение подвижности органических тонкопленочных транзисторов на основе пентацена с верхним контактом и двухслойными электродами GeO / Au. Прил. Phys. Lett. 102 (2013).
Dell’Erba, G. et al. Органические интегральные схемы для хранения информации на основе амбиполярных полимеров и инжекции заряда. Прил. Phys. Lett. 104, 153303 (2014).
ADS
Google ученый
Абдур Р., Джеонг, К., Ли, М. Дж. И Ли, Дж. Высокие характеристики тонкопленочных транзисторов на основе пентаценовых органических соединений за счет легирования йодом областей истока / стока. Орг. Электрон. 14. С. 1142–1148 (2013).
CAS
Google ученый
Steudel, S. et al. Влияние шероховатости диэлектрика на работоспособность пентаценовых транзисторов. Прил. Phys. Lett. 85, 4400 (2004).
ADS
CAS
Google ученый
Ким, К., Факкетти, А. и Маркс, Т. Дж. Вязкоупругость поверхности диэлектрика затвора полимера модулирует характеристики пентаценового транзистора. Science 318, 76–80 (2007).
ADS
CAS
Google ученый
Фриц, С. Э., Келли, Т. В. и Фрисби, К. Д. Влияние шероховатости диэлектрика на характеристики пентаценовых тонкопленочных транзисторов и восстановление характеристик с помощью полимерного сглаживающего слоя. J. Phys. Chem. B 109, 10574–10577 (2005).
CAS
Google ученый
Ян Х.C. et al. Проведение АСМ и 2D GIXD исследований тонких пленок пентацена. J Am Chem Soc 127, 11542–11543 (2005).
CAS
Google ученый
Cosseddu, P., Lai, S., Barbaro, M. & Bonfiglio, A. Органические тонкопленочные транзисторы сверхнизкого напряжения, изготовленные на пластиковых подложках с помощью процесса с высокой воспроизводимостью. Прил. Phys. Lett. 100, 093305 (2012).
ADS
Google ученый
Грац, I.М. и Лакур, С. П. Гибкие органические тонкопленочные транзисторы на основе пентацена, изготовленные непосредственно на эластичных силиконовых мембранах. Прил. Phys. Lett. 95, 243305 (2009).
ADS
Google ученый
Джедаа, А. и Халик, М. К деформационно-стойким гибким органическим тонкопленочным транзисторам. Прил. Phys. Lett. 95, 103309 (2009).
ADS
Google ученый
Клаук, Х., Zschieschang, U., Pflaum, J. & Halik, M. Органические дополнительные цепи сверхмалой мощности. Nature 445, 745–748 (2007).
ADS
CAS
Google ученый
Ko, H. et al. Активные цифровые микрожидкостные бумажные чипы с нанесенными на струйную печать электродами. Adv. Матер. 26. С. 2335–2340 (2014).
CAS
Google ученый
Абадиан, А. и Джафарабади-Аштиани, С.Цифровая микрофлюидика на бумажной основе. Microfluid & Nanofluid 16, 989–995 (2014).
CAS
Google ученый
Фобел Р., Кирби А. Э., Нг, А. Х., Фарнуд Р. и Уиллер А. Р. Бумажная микрофлюидика становится цифровой. Adv. Матер. 26. С. 2838–2843 (2014).
CAS
Google ученый
Fan, K., Peng, T. Y., Chen, J. N., Zhang, X.H. & Li, R.J. Недорогие, квазитвердотельные и не содержащие TCO высокогибкие сенсибилизированные красителем клетки на бумажной основе.J. Mater. Chem. 22. С. 16121–16126 (2012).
CAS
Google ученый
Hubler, A. et al. Печатные бумажные фотоэлектрические элементы. Adv. Energy Mater. 2011. Т. 1. С. 1018–1022.
Google ученый
Barr, M.C. et al. Прямая монолитная интеграция органических фотоэлектрических цепей на немодифицированной бумаге. Adv. Матер. 23. С. 3500–3505 (2011).
CAS
Google ученый
Гильдер, М., Винтер-Йенсен, Б. и Кларк, Н. Б. Цинково-воздушная батарея с печатным рисунком. J Источники энергии 194, 1135–1141 (2009).
CAS
Google ученый
Пэн, Б. Ю. и Чан, П. К. Л. Гибкие органические транзисторы на стандартной печатной бумаге и свойства памяти, индуцированные электродом с плавающим затвором. Орг. Электрон. 15. С. 203–210 (2014).
CAS
Google ученый
Квак, С.Ю., Чой, К. Г. и Бэ, Б. С. Влияние поверхностной энергии на рост пентацена и характеристики органических тонкопленочных транзисторов. Электрохим. Solid St. 12, G37 – G39 (2009).
CAS
Google ученый
Chida, A. et al. Гибкий полноцветный светодиодный дисплей высокого разрешения с активной матрицей на органических светодиодах. J. Soc. Инф. Дисплей 21, 422–432 (2013).
CAS
Google ученый
Fujisaki, Y.и другие. Гибкий дисплей на органических светодиодах с активной матрицей, использующий стабильный в воздухе органический полупроводник динафто [2, 3-b: 2 ‘, 3’ -f] тиено [3, 2-b] -тиофен. IEEE Trans. Электрон. Устройства 59, 3442–3449 (2012).
ADS
CAS
Google ученый
Sekitani, T. et al. Органический светодиодный дисплей с растягивающейся активной матрицей и эластичными проводниками с возможностью печати. Nat. Матер. 8, 494–499 (2009).
ADS
CAS
Google ученый
Парк, С.H. K. et al. Прозрачные и фотостабильные тонкопленочные транзисторы ZnO для управления активной матричной панелью дисплея на органических светодиодах. Adv. Матер. 21. С. 678–682 (2009).
CAS
Google ученый
Zhou, L. S. et al. Полностью органический гибкий дисплей с активной матрицей. Прил. Phys. Lett. 88, 083502 (2006).