Драйвер для транзистора: MOSFET ( ) » — , , ,

Содержание

Драйвер на двух транзисторах для управления затвором полевого транзистора | Электронные схемы

драйвер для управления затвором полевого транзистора

драйвер для управления затвором полевого транзистора

У полевых MOSFET транзисторов между затвором и истоком есть паразитный конденсатор,его емкость в даташите указывают как Ciss.У транзистора IRFB5615 его емкость составляет 1750пФ,а сопротивление открытого канала 32 мОм при напряжении на затворе 10В. Эту паразитную емкость можно легко обнаружить,достаточно к стоку подключить лампу накаливания и к ней подать плюс питания,а к истоку подать минус питания.Если теперь дотронуться пальцем затвора и стока или истока,можно зарядить этот конденсатор и лампа будет светить до тех пор,пока этот конденсатор не разрядится.

паразитный конденсатор затвор-исток полевого транзистора

паразитный конденсатор затвор-исток полевого транзистора

Представим ситуацию,когда на выходе микроконтроллера есть ШИМ сигнал с высоким уровнем 5 Вольт. Подаем этот сигнал на затвор транзистора и паразитный конденсатор начинает заряжаться,но медленно,так как ток сигнала на выходе МК достигает примерно 20 мА.В итоге конденсатор полностью не зарядится или будет искажен сигнал и напряжение на затворе не будет 5 Вольт,хотя и этого мало для полного открытия транзистора.Транзистор начнет сильно нагреваться.Допустим,для заряда емкости в 1000пФ до 10 Вольт и время заряда 10 нС,требуется ток в 1 Ампер.

управление мосфет с помощью эмиттерного повторителя

управление мосфет с помощью эмиттерного повторителя

Конденсатор надо быстро заряжать и быстро разряжать,иначе транзистор нагревается или выйдет из строя.Чтобы это реализовать,требуется либо специальная микросхема-драйвер для управления полевыми транзисторами,или собрать простейший эмиттерный повторитель на комплементарных транзисторах.Такая схема производит усиление по току .

драйвер на двух биполярных транзисторах для управления полевым транзистором

драйвер на двух биполярных транзисторах для управления полевым транзистором

Когда сигнал будет высокого уровня,откроется транзистор Т1 и зарядит затвор полевого транзистора,паразитный конденсатор быстро зарядится. Когда сигнал будет низкого уровня,откроется Т2 и разрядит затвор мосфета. Проверял этот драйвер так: вместо мосфета поставил конденсатор 1000мкФ,питание на драйвер подал 9 Вольт.Теперь на базы транзисторов,через резистор 10 кОм подключал еще один источник питания и наблюдал по осциллографу заряд конденсатора.При плюсе на базах конденсатор заряжается,при минусе на базах конденсатор разряжается.

Драйвер для мощных транзисторов | VD MAIS

Компания IXYS (с 2017 года ставшая подразделением компании Littelfuse) начала серийное производство нового драйвера, предназначенного для управления SiC MOSFET и IGBT большой мощности.

Раздельные 9-амперные выходы истоков и стоков микросхемы драйвера IX4351NE позволяют настраивать времена включения и выключения, минимизируя потери переключения. Внутренний зарядовый насос обеспечивает регулируемое отрицательное напряжение смещения затвора для улучшения устойчивости к dV/dt и уменьшения времени выключения.

Схема детектора выхода из насыщения обнаруживает состояние токовой перегрузки внешнего SiC MOSFET и инициирует плавное отключение, предотвращая потенциальную опасность повреждения из-за высокой скорости изменения напряжения dV/dt. Логический вход IN, совместимый с ТТЛ и КМОП, не требует преобразования уровня даже при отрицательном напряжении смещения драйвера затвора. Безопасность работы обеспечивается цепями защиты от пониженного напряжения и перегрева кристалла. Выход «Неисправность» с открытым стоком сигнализирует микроконтроллеру об аварийном режиме.

Параметры IX4351NE гарантируются в диапазоне рабочих температур от -40 до +125 °C. Устройство выпускается в 16-выводном корпусе SOIC со сниженным тепловым сопротивлением. О наличии оценочной платы производитель позаботился.

Основные характеристики IX4351NE:

  • Отдельные выводы истоков и стоков с допустимыми пиковыми токами 9 А
  • Диапазон рабочих напряжений от –10 до +25 В
  • Внутренний регулятор на основе зарядового насоса для выбора отрицательного напряжения смещения затвора
  • Обнаружение выхода из насыщения с мягким отключением драйвера
  • Входы, совместимые с ТТЛ и КМОП
  • Защита от пониженного напряжения
  • Отключение при перегреве
  • Выход «Неисправность» с открытым стоком

Области применения IX4351NE:

  • Драйверы SiC MOSFET и IGBT
  • Бортовые зарядные устройства и зарядные станции
  • Промышленные инверторы
  • Корректоры коэффициента мощности, AC/DC и DC/DC преобразователи

100-вольтовые высокочастотные полумостовые драйверы затворов МОП-транзисторов от Renesas

HIP2210 и HIP2211 – полумостовые драйверы затворов мощных полевых транзисторов (MOSFET), обеспечивающие вытекающий ток до 3А и втекающий – до 4А.

HIP2211 имеет стандартные входы HI / LI и совместим по выводам с популярными драйверами Renesas , такими как HIP2101 и ISL2111, а также с аналогичными изделиями других производителей.

HIP2210 имеет трехуровневый ШИМ-вход и возможность программирования «мертвого» времени (паузы). Широкий диапазон напряжений питания — от 6 В до 18 В, и встроенный обратный диод обеспечивают управление верхним и нижним МОП-ключами в полумостовых приложениях с напряжением до 100В. Данные драйверы обеспечивают типовую задержку распространения 15 нс и типовое рассогласование времени задержки 2ns, что делает их оптимальными для высокочастотных коммутационных приложений. Имеется защита от превышения напряжения и пониженного напряжения питания.

Трехуровневый вход управления ШИМ микросхемы HIP2210 позволяет управлять ключами верхнего и нижнего плеча с помощью одного сигнала. Когда на вход ШИМ подан высокий логический уровень, верхний МОП-ключ включен, а МОП-ключ нижней стороны выключен. Когда на входе низкий логический уровень, МОП-ключ моста нижней стороны включен, а верхний ключ выключен. Когда же входное напряжение находится на среднем уровне, оба транзистора выключены. Пороговые уровни ШИМ пропорциональны напряжению на опорном входе — на выводе VREF, это позволяет разрешить работу ШИМ для любых логических уровней — от 2,7 до 5,5 В.

Основные преимущества:

  • Вытекающий/втекающий токи 3/4А
  • Коммутируемое напряжение полумоста до 100В
  • Обратный диод с допустимым напряжением 115В
  • Напряжение питания 6-18В
  • Типовая задержка 15 нс
  • Для HIP2210 – программируемое время паузы от 35 до 350 нс с помощью внешнего резистора.

Типовые схемы включения драйверов:

 

Микросхема HIP2210 выпускается в 10-выводном корпусе TDFN размером 4х4 мм, а HIP2211 – в 8-выводном корпусе SOIC-8, 8-выводном DFN и в 10-выводном TDFN корпусе.

Применение: DC/DC преобразователи, драйверы одно- и трехфазных электродвигателей, аудиоусилители класса D

Смотреть дополнительные материалы > 100-вольтовые высокочастотные полумостовые драйверы затворов МОП-транзисторов от Renesas. pdf

Информацию по доступности высокочастотных полумостовых драйверов затворов МОП-транзисторов, а также по образцам и коммерческим условиям можно получить по телефонам или почте Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. . Мы будем рады Вам помочь!

Самодельный драйвер для мощных моторов

2016-06-16

Всі статті →

Петр

Для управления мощными моторами через Ардуино нужно выбрать один из вариантов:

  • через готовый драйвер – шилд, например Монстр мото шилд
  • через свою схему управления на транзисторах, если нужно иметь реверс моторов, то нужно делать Н-мост с транзисторов.
  • через свою схему управления на транзисторах, если нужно иметь реверс моторов, то для этого с транзисторами можно использовать реле.

Для первого варианта нужно идеально подобрать драйвер по вашим запросам – вольтаж и ампераж моторов и обеспечить драйвер требуемым отводом тепла – поставить радиатор, а возможно и вентилятор для обдува.

Второй вариант запрашивает очень хорошее понимание электроники – нужно уметь рассчитать все элементы схемы: транзисторы n и p типа, резисторы, конденсаторы, диоды,… Кроме того при выходе из строя одного элемента вся система перестает работать и быстро заменить что то не так просто.

Третий вариант подразумевает получение ШИМ контроля оборотов мотора в одном направлении, а два реле обеспечат смену полярности питания мотора, что даст ему обратный ход. Большой плюс такого варианта в том, что можно иметь на борту несколько транзисторов (один не подключен – в запасе) и при перегрузке или сгорании основных можно на резервном транзисторе «доехать домой». И даже при поломке реле все равно можно иметь ход как минимум в одном направлении. Да и по затратам и надежности этот вариант был выбран как оптимальный.

Теперь по порядку:

Выбираем транзистор – берем полевой транзистор (мосфет). Тут есть два варианта по типу управляющего сигнала:

Логические транзисторы – управляются 5 вольтами – можно прямо с Ардуино.

Остальные транзисторы управляются напряжением от 10в (хотя практика показала что не логический полевик нормально работает и от 5 вольт). Для их использования нужно после Ардуино поднять напряжение, можно использовать готовый драйвер мосфета.

Итак, подсчитав более выгодный вариант (логические транзисторы значительно дороже) был выбран вариант с использованием драйвера мосфета в виде микросхемы ТС 4420. Она имеет 8 ножек:

1 и 5 питание +

4 и 8 питание –

2 вход (от Ардуино)

6 и 7 выход (на транзисторы)

Транзисторы нужно выбирать с запасом по напряжению и току, если углубляться в выбор сильнее, то нужно обратить внимание на сопротивление открытого транзистора, время открытия, закрытия,… В идеале транзистор должен открываться и закрываться очень быстро и тогда он не будет греться и КПД системы будет повыше.

В нашей схеме были использованы транзисторы IRF 2204, с током 210А, но поскольку были сомнения по поводу тонких ножек, то на каждый мотор стоит по 3 транзистора – в параллельном соединении (хотя 2 достаточно), один из них можно держать в запасе.

Подключаем транзистор так:

Левая ножка – управляющий сигнал с ШИМ (берем с выхода драйвера мосфета).

Средняя ножка – выход на мотор, но для удобства ее можно отломать (чтобы не мешала при пайке), а взять выход с корпуса транзистора (через отверстие корпус соединен с радиатором).

Важно не забыть на первую (левую) ножку припаять резистор примерно 10 кОм и пустить его на минус – так база транзистора всегда будет притянута к земле – чем она надежно закроет транзистор даже при обрыве управляющего провода.

Теперь выбираем по току и управляющему напряжению реле. В нашем случае реле управляется 12 вольтами – пришлось ставить еще по одному не очень мощному транзистору не логического уровня, который при сигнале с Ардуино (напрямую без драйвера) подает на реле 12 вольт и меняет положение его контактов.

Таким образом мы уже получили готовую схему для нашего силового драйвера:

 

Если интересно, то можно посмотреть схему в работе на большой робоплатформе с двумя моторами по примерно 700 Вт каждый и напряжением 12в:

Так же смотрите другие видео по созданию этого робота на канале автора: https://www.youtube.com/user/petromeb/videos

Обсудить робота и понаблюдать за прогрессом работы можно на форуме.

Дякуємо Вам за звернення! Ваш відгук з’явиться після модерації адміністратором.

Поки немає відгуків на цю статтю.

LM5113 — высокоскоростной драйвер полевых транзисторов

Автор: admin

10 Июл

5 А, 100 В полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов, работающих в режиме обогащения

LM5113 — это высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора, позволяющий увеличить плотность мощности и эффективность высоковольтных приложений.

LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе нитрида галлия (GaN FET), работающих в режиме насыщения, верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. «Плавающий» драйвер верхнего ключа способен управлять GaN FET транзисторами с режимом насыщения с рабочим напряжением до 100 В. Напряжение смещения верхнего ключа генерируется методом подпитки (bootstrap) и внутренне ограничено уровнем 5 В, не позволяя напряжению затвора превысить максимально допустимое напряжение затвор-исток GaN FET транзистора с режимом насыщения. Входы LM5113 совместимы с логическим TTL уровнем и способны выдерживать напряжение вплоть до 14 В, не зависимо от напряжения питания VDD. LM5113 имеет независимые выходы затворов, что обеспечивает высокую гибкость регулирования интенсивности включения и выключения.

Типовая схема включения

Отличительные особенности:

  • Независимые, TTL-совместимые выходы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
  • Пиковый ток: сток — 1.2 А; исток — 5 А
  • «Плавающая» шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В (постоянного тока)
  • Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
  • Стягивающее / подтягивающее сопротивление: 0. 5 Ом / 2 Ом
  • Малое время задержки распространения сигнала: 30 нс (тип.)
  • Высокий уровень согласования времени задержки: 2 нс (тип.)
  • Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
  • Малый ток потребления
  • Температура перехода: -40…+125°C
  • 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на LM5113 (англ.)

  • Рубрика: National Semiconductor, Texas Instruments
  • Радиационно-стойкий драйвер с двумя выходами для транзисторов MOSFET

    Компания International Rectifier, HiRel Products, An Infineon Technologies Company (США), специализирующаяся в производстве компонентов для авиационно-космических и других ответственных применений, объявила о начале выпуска радиационно-стойкой быстродействующей микросхемы драйвера RIC74424H для транзисторов MOSFET предназначенной для применения в бортовом оборудовании космических аппаратов и транспортных космических кораблей. Этот промежуточный токовый драйвер разработан специально для управления всеми транзисторами MOSFET компании International Rectifier, где крайне важным является сверхбыстрая скорость переключения и быстрая передача времени отклика для повышения эффективности схемы.

    Драйвер совместим с большей частью логических устройств и может управляться непосредственно стандартными широтно-импульсными модуляторами, такими как стандартными в промышленности сериями 1825, 1844 и 1856. Микросхема драйвера RIC74424H доступна в корпусе с 8 выводами для поверхностного монтажа Flatpack и в виде кристалла в бескорпусном исполнении.

    Драйвер разработан, чтобы отвечать требованиям к радиационной стойкости без каких-либо отклонений от номинальных значений параметров. Микросхемы доступны в исполнении Class S по техническим условиям MIL-PRF-38535: задают требования к отбраковке для высоконадёжных космических применений, как это задано в стандарте MIL-STD-883 и предназначены для применений в космической аппаратуре.

    Основные характеристики драйвера транзисторов MOSFET:

    • пиковый ток управления 3 А;
    • широкий диапазон напряжения питания от 5 до 20 В;
    • управляющее напряжение совместимо с MOSFET с логическим управлением и традиционным управлением;
    • низкое значение потребляемой мощности;
    • время задержки прохождения сигнала от входа к выходу ton/toff: 110/90 нс
    • суммарное значение поглощённой дозы 100 крад;
    • стойкость к воздействиям тяжёлых заряженных частиц по эффектам одиночных сбоев и тиристорных эффектов при пороговом значении (ЛПЭ) иона 60 МэВ×см2 /мг;
    • невосприимчивость к длительному воздействию низкой мощности дозы (Enhanced Low Dose Radiation Sensitivity – ELDRS) до предельной накопленной дозы 50 крад.

    Основные применения:

    • источники питания с коммутацией силовых ключей;
    • DC/DC-преобразователи;
    • устройства управления электромоторами.

    www.irf.com

    Драйвер силовых транзисторов с гальванической развязкой

    STGAP2S — это новый одноканальный драйвер для силовых транзисторов ST Microelectronics MOSET и IGBT, обеспечивающий требуемые уровни напряжения как для кремниевых, так и для карбидокремниевых компонентов. Основной областью его применения является работа в эффективных мостовых системах, где он может выступать в качестве элемента управления для верхних и нижних транзисторов, входящих в его состав.

    Рис. 1. Блок-схема контроллера STGAP2S

    STGAP2S обеспечивает высокую функциональность и безопасность для силовых элементов и доступна в нескольких версиях с различными функциями. Итак, в структуру версии STGAP2SCM была встроена активная система, исключающая влияние эффекта Миллера на процесс переключения силового транзистора, предотвращая неконтролируемое переключение транзистора из-за наличия паразитной емкости сток-затвор.

    Система работает, замыкая затвор транзистора на землю все время, когда транзистор должен быть выключен. Благодаря этому правильная работа контроллера была обеспечена даже при быстрых изменениях напряжения (dV / dt до ± 50 … ± 100 В / нс) в мостовой системе, без случайного включения транзисторов, вызванного, например, колебаниями высокой энергии, генерируемыми паразитными реактивными сопротивлениями.

    В свою очередь, версия STGAP2SM имеет отдельные цепи драйвера, отвечающие за переключение транзистора и его отключение, что позволяет оптимизировать время переключения и максимальные значения выходного тока драйвера с помощью двух последовательных резисторов. Такая опция также требуется при управлении SiC-транзисторами, где нет симметрии управляющих напряжений.

    Для всех версий максимальное выходное напряжение управляющего затвора драйвера, включенного в него, составляет 26 В , управляющий вход гальванически изолирован от драйвера . Максимальный выходной ток драйвера (тип «железная дорога») достигает 4-5 А (приемник / источник) в зависимости от версии, что обеспечивает быструю перегрузку емкости затвор-источник даже для транзисторов большой мощности и, следовательно, со значительной емкостью CGS. Другим преимуществом является короткое время распространения сигнала — всего 80-100 нс — что позволяет осуществлять коммутацию на высокой скорости и полностью использовать возможности, скрытые в SiC.

    Рис. 2. Оценочный набор

    Гальваническая развязка между управляющей частью и драйвером транзистора выдерживает напряжение 1700 В, что открывает возможность использования контроллера не только в приложениях, питаемых от электросети, но также в устройствах, питаемых напряжением от 600 до 1200 В, например, в промышленных инверторах или на железнодорожных транспортных устройствах, зарядных устройствах, источниках бесперебойного питания, сварочные аппараты и тому подобное.

    Применение облегчается встроенной защитой от UVLO, блокирующей работу при слишком низком напряжении питания, также имеется термоблок и аппаратная система, блокирующая возможность одновременного переключения верхнего и нижнего мостовых транзисторов, что приведет к высокому току и разрушению силовых транзисторов.

    Стоит также упомянуть, что существует даже режим ожидания, который ограничивает энергопотребление контроллера в состоянии бездействия, в то же время поддерживая транзисторы в безопасном состоянии отключения. Список схем защиты длиннее и включает в себя защиту от перенапряжения OVLO, обнаружение неполного насыщения транзистора, двухуровневую схему переключения транзисторов, контроль тока через мостовые транзисторы, обнаружение перегрузки IGBT-транзисторов и другие.

    Состояние защиты может быть считано с уровня хоста с помощью интерфейса SPI, а также таким образом можно запрограммировать выбранные системные параметры, например, фильтр помех, время задержки между переходными процессами.

    Рис. 3. Пример схемы приложения

    Со стороны входа контроллер принимает сигналы управления TTL / CMOS 3,3 / 5 В и имеет гистерезис во входных буферах. Входные цепи гальванически изолированы от возбудителя, соединенного с транзисторами посредством двух связанных катушек, разделенных слоем изоляции из оксида кремния.

    Источник питания драйвера может быть реализован с помощью загрузочного или маломощного DC-DC преобразователя. Последнее решение использовалось в наборе оценки, показанном на рисунке 2.

    Доступность
    STGAP2S — это новая разработка STMicroelectronics. Версия STGAP2SCM уже выпущена (в корпусе SO-8 она стоит $ 1,49 для заказов на 1000), а STGAP2SM будет доступен в конце 2018 года.

    Для конструкторов производитель подготовил комплект для проектирования EVALSTGAP2SCM, который позволяет быстро опробовать систему в действии. Наконец, стоит добавить, что система соответствует автомобильным требованиям, определенным стандартом AEC-Q100, а гальваническая развязка обеспечивает безопасность, требуемую UL 1577.

    Драйвер биполярного MOSFET-транзистора UPc Interfacing

    by Lewis Loflin

    Выходной сигнал большинства цифровых схем и микропроцессоров составляет всего пять вольт, самое большее несколько миллиампер. Большинству электрических и электронных устройств требуются напряжения и токи, которые разрушают цифровые схемы, поэтому мы должны полагаться на то, что я в целом называю схемами драйверов. Выше показан цифровой выход, управляющий типичными маломощными светоизлучающими диодами.

    На этой странице мы рассмотрим схемы драйверов транзисторов, в которых используются как биполярные транзисторы, так и силовые полевые МОП-транзисторы, и будем использовать их в качестве электрических переключателей.Также обратите внимание на концепцию приемника / источника по мере продвижения. Когда «переключатель» подает напряжение (на «горячей» стороне), например, выключатель домашнего освещения, мы говорим, что переключатель «источник» напряжения. Если мы помещаем переключатель на нейтральную сторону нагрузки, мы говорим, что «опускаем» напряжение. Все приведенные ниже примеры предполагают отрицательное общее общее.

    Выше показана наиболее распространенная схема драйвера транзистора. Он состоит из биполярного транзистора NPN, управляющего мощным светоизлучающим диодом, подключенным к 12-вольтовой батарее.У нас есть отрицательное заземление аккумулятора, связанное с цифровым заземлением. Обратите внимание, что цифровое «ВЫСОКОЕ» — это 5 вольт, а цифровое «НИЗКОЕ» — это ноль вольт. «HIGH» переключается на 5 вольт внутри «микросхемы» микроконтроллера, в то время как «LOW» переключается на землю внутри «микросхемы». Другое цифровое состояние, известное как плавающее, как следует из названия, ни к чему не привязано.

    В этом примере цифровой «ВЫСОКИЙ» на входе «источник» тока в базе / эмиттере Q1 (ограничен R1), который вызывает больший ток в цепи коллектор / эмиттер и через светодиод-резистор.Если Q1 имеет коэффициент усиления 50, а базовый ток через R1 равен 5 мА, то ток коллектора будет 250 мА. В данном случае он ограничен светодиодом всего на 100 мА. Во многих из этих транзисторных схем R1 составляет от 1000 до 2200 Ом на 5 вольт.

    В этом примере мы используем транзистор Дарлингтона NPN. У них очень высокий коэффициент усиления и небольшой базовый ток. На самом деле это два транзистора с общими коллекторами и эмиттером, один из которых подключен к базе другого. Если бы каждый транзистор имел коэффициент усиления 100, то общий коэффициент усиления был бы 100 X 100 = 10 000.

    Здесь мы бы сказали, что транзистор «втягивает» ток. В случае использования TIP120 R2 должно быть 1000 Ом.

    В этом примере мы используем PNP Darlington. (TIP125) Когда Q2 включается, ток течет через Rc, включая Q2. Здесь Q2 будет «источником» нагрузки. В случае использования 12 вольт Rc и Rb должны быть 2200 Ом.

    Внутренние цепи двух вышеуказанных Дарлингтонов имеют противоположные электрические полярности. Диоды используются для защиты транзисторов от скачков напряжения, возникающих при переключении магнитных нагрузок.


    Включение полевого МОП-транзистора

    Вот базовый драйвер, использующий N-канальный MOSFET. В отличие от биполярных транзисторов, полевые МОП-транзисторы — это устройства, работающие от напряжения, а не от тока. Электрический заряд (напряжение) на затворе (G) относительно источника (S) включит устройство. Единственная цель Rg (10K) — сбросить оставшийся заряд на клеммах затвора, чтобы закрыть транзистор. В этом случае мы «топим» груз.

    В этом примере мы используем силовой МОП-транзистор с P-каналом.Клемма источника (S) подключена к плюсу источника питания, и пока Q1 выключен (нет 5 вольт), у нас есть 12 вольт на коллекторе (C) Q1. При подаче 5 вольт Q1 включается, понижая напряжение коллектора до нуля. Q2 включится и станет источником нагрузки. Rg должно быть 10 000 Ом.

    Вкратце мы рассмотрели ряд схем драйверов на биполярных транзисторах и полевых МОП-транзисторах. У всех них есть недостаток в том, что они должны быть электрически подключены к цифровым схемам низкого напряжения. С помощью оптоизоляторов мы можем при желании полностью отключить это соединение высоковольтных источников питания от низковольтных цифровых схем.Фактически, мы даже можем изменить полярность источников более высокого напряжения без учета общего отрицательного заземления цифровой схемы.

    См. Часть 2: Драйверы оптоизолированных транзисторов для микроконтроллеров.

    Схема драйвера транзисторного реле

    с формулой и расчетами

    В этой статье мы подробно изучим схему драйвера транзисторного реле и узнаем, как спроектировать ее конфигурацию, вычисляя параметры по формулам.

    Важность реле

    Реле — один из самых важных компонентов в электронных схемах.Реле играют основную роль в выполнении операций, особенно в цепях, где задействована передача большой мощности или переключение сетевой нагрузки переменного тока.

    Здесь мы узнаем, как правильно управлять реле с использованием транзистора, и применить конструкцию в электронной системе для переключения подключенной нагрузки без проблем.


    Для более подробного изучения того, как работает реле , прочтите эту статью


    Реле, как мы все знаем, представляет собой электромеханическое устройство, которое используется в форме переключателя.

    Он отвечает за переключение внешней нагрузки, подключенной к его контактам, в ответ на относительно меньшую электрическую мощность, подаваемую на соответствующую катушку.

    Обычно катушка наматывается на железный сердечник, когда к катушке прикладывается небольшой постоянный ток, она возбуждает и ведет себя как электромагнит.

    Подпружиненный контактный механизм, расположенный в непосредственной близости от катушки, немедленно реагирует и притягивается к силе электромагнита катушки, находящейся под напряжением. В процессе контакт соединяет одну из своих пар вместе и разъединяет дополнительную пару, связанную с ним.

    Обратное происходит, когда на катушку отключается постоянный ток, и контакты возвращаются в исходное положение, соединяя предыдущий набор дополнительных контактов, и цикл может повторяться столько раз, сколько возможно.

    Электронной схеме обычно требуется драйвер реле, использующий каскад транзисторной схемы, чтобы преобразовать ее коммутационный выход постоянного тока малой мощности в коммутационный выход переменного тока большой мощности.

    Однако сигналы низкого уровня от электроники, которые могут быть получены из каскада IC или каскада слаботочного транзистора, могут быть неспособны напрямую управлять реле.Поскольку для реле требуются относительно более высокие токи, которые обычно могут быть недоступны от источника IC или низкотокового транзисторного каскада.

    Для решения вышеупомянутой проблемы ступень релейного управления становится обязательной для всех электронных схем, которые нуждаются в этой услуге.

    Драйвер реле — это не что иное, как дополнительный транзисторный каскад, присоединенный к реле, которое необходимо задействовать. Транзистор обычно и исключительно используется для управления реле в ответ на команды, полученные от предыдущего каскада управления.

    Принципиальная схема

    Ссылаясь на приведенную выше принципиальную схему, мы видим, что конфигурация включает только транзистор, базовый резистор и реле с обратным диодом.

    Однако есть несколько сложностей, которые необходимо решить, прежде чем проект можно будет использовать для требуемых функций:

    Поскольку базовое напряжение возбуждения на транзисторе является основным источником для управления работой реле, его необходимо точно рассчитать для оптимальные результаты.

    Значение базового резистора id прямо пропорционально току на выводах коллектор / эмиттер транзистора, или, другими словами, ток катушки реле, который является нагрузкой коллектора транзистора, становится одним из основных факторов и напрямую влияет на него. номинал базового резистора транзистора.

    Расчетная формула

    Основная формула для расчета базового резистора транзистора определяется выражением:

    R = (Us — 0,6) hFE / ток катушки реле,

    • Где R = базовый резистор транзистор,
    • Us = Источник или напряжение запуска на базовом резисторе,
    • hFE = Коэффициент усиления транзистора по прямому току,

    Последнее выражение, которое является «током реле», можно найти, решив следующий закон Ома :

    I = Us / R, где I — требуемый ток реле, Us — напряжение питания реле.

    Практическое применение

    Сопротивление катушки реле можно легко определить с помощью мультиметра.

    Us также будет известным параметром.

    Допустим, напряжение питания Us = 12 В, сопротивление катушки 400 Ом, тогда

    Ток реле I = 12/400 = 0,03 или 30 мА.

    Также можно предположить, что Hfe любого стандартного низкосигнального транзистора составляет около 150.

    Применяя вышеуказанные значения в фактическом уравнении, мы получаем

    R = (Ub — 0.6) × Hfe ÷ Ток реле

    R = (12 — 0,6) 150 / 0,03

    = 57000 Ом или 57 К, ближайшее значение 56 К.

    Диод, подключенный к катушке реле, никак не связан с приведенный выше расчет, его все же нельзя игнорировать.

    Диод следит за тем, чтобы обратная ЭДС, генерируемая катушкой реле, была закорочена через него, а не попала в транзистор. Без этого диода обратная ЭДС попыталась бы найти путь через коллектор-эмиттер транзистора и в течение нескольких секунд навсегда повредила бы транзистор.

    Драйвер реле Схема с использованием PNP BJT

    Транзистор лучше всего работает в качестве переключателя, когда он подключен к общей конфигурации эмиттера, то есть эмиттер BJT всегда должен быть подключен напрямую к линии «земли». Здесь «земля» относится к отрицательной линии для NPN и положительной линии для PNP BJT.

    Если в цепи используется NPN, нагрузка должна быть соединена с коллектором, что позволит включать / выключать ее путем включения / выключения отрицательной линии.Это уже объяснялось в вышеупомянутых обсуждениях.

    Если вы хотите включить / выключить положительную линию, в этом случае вам придется использовать PNP BJT для управления реле. Здесь реле может быть подключено через отрицательную линию питания и коллектор PNP. Точную конфигурацию см. На рисунке ниже.

    Однако для запуска PNP потребуется отрицательный триггер в его основе, поэтому, если вы хотите реализовать систему с положительным триггером, вам, возможно, придется использовать комбинацию как NPN, так и PNP BJT, как показано на следующем рисунке. :

    Если у вас есть какие-либо конкретные вопросы относительно вышеупомянутой концепции, пожалуйста, не стесняйтесь выражать их в комментариях для получения быстрых ответов.

    Драйвер реле энергосбережения

    Обычно напряжение питания для срабатывания реле рассчитывается таким образом, чтобы обеспечить оптимальное втягивание реле. Однако требуемое удерживающее напряжение обычно намного ниже.

    Обычно это даже не половина напряжения втягивания. В результате большинство реле могут работать без проблем даже при этом пониженном напряжении, но только тогда, когда гарантируется, что при начальном напряжении активации достаточно высокое для втягивания.

    Схема, представленная ниже, может быть идеальной для реле, рассчитанных на работу с током 100 мА или ниже и при напряжении питания ниже 25 В.Использование этой схемы обеспечивает два преимущества: во-первых, реле функционирует при существенно низком токе; на 50% ниже номинального напряжения питания, а ток снижен примерно до 1/4 от фактического номинального значения реле! Во-вторых, реле с более высоким номинальным напряжением можно использовать с более низкими диапазонами питания. (Например, реле на 9 В, которое требуется для работы с напряжением 5 В от источника TTL).

    Видно, что цепь подключена к источнику питания, способному надежно удерживать реле. Пока S1 открыт, C1 заряжается через R2 до напряжения питания.R1 подключен к клемме +, а T1 остается выключенным. В момент, когда S1 задан, база T1 подключается к общей цепи питания через R1, так что она включается и приводит в действие реле.

    Положительный вывод C1 подключается к общей земле через переключатель S1. Учитывая, что этот конденсатор изначально был заряжен до напряжения питания, его клемма в этой точке становится отрицательной. Таким образом, напряжение на катушке реле в два раза превышает напряжение питания, и это втягивает реле.Разумеется, переключатель S1 можно заменить любым транзистором общего назначения, который можно включать и выключать по мере необходимости.

    Качественный транзистор драйвера тока для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

    О продуктах и ​​поставщиках:
     Alibaba.com предлагает большой выбор. Транзистор драйвера тока   на выбор в соответствии с вашими конкретными потребностями. Транзистор драйвера тока   являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов.Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. , транзистор драйвера тока , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. 

    транзистор драйвера тока изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи.Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор драйвера тока охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Транзистор драйвера тока скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

    Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор драйвера тока для определения опор базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения.Файл. В транзисторе-драйвере тока на Alibaba.com в качестве первичной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Транзистор драйвера тока для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

    Откройте для себя удивительно доступный. Транзистор с драйвером тока на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации.Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

    Базовая схема драйвера двигателя с H-мостом на биполярном транзисторе

    Контроллер двигателя постоянного тока имеет множество форм. Я собираюсь предложить вам изучить схему драйвера мотора с Н-мостом.

    И что? Это легко сделать с помощью драйверов на транзисторах или полевых МОП-транзисторах. И они тоже обладают высокой производительностью.

    Я знаю, что вам больше нравится строить схемотехнический проект, чем сложные принципы.
    Впрочем, если вы новичок.Изучение работы мотора H-Bridge. Это определенно стоит вашего времени.

    Я пытаюсь нарисовать принципиальную схему, чтобы было легко увидеть.

    Часто мы можем видеть этот драйвер двигателя H-Bridge на многих схемах контроллера перемещения робота.

    Как это работает

    Мы можем разработать схему с полевым МОП-транзистором или транзистором для управления вращением двигателя.

    H-мостовые переключатели

    Я предлагаю их в качестве примера в качестве переключателей, которые легко понять, увидев его работу как Рисунок 1 .


    Рис. 1: Все переключатели выключены, двигатель не вращается.

    Внутри схемы мы видим, что все переключатели находятся в разомкнутом состоянии. Нет тока, протекающего в цепи, потому что двигатель постоянного тока не может работать.

    Режим пересылки

    Затем посмотрите на Рисунок 2 . При наличии переключателя S1 (замкнут) и S3 (замкнут).

    Рисунок 2: выключатели S1 и S3 замкнуты, поэтому двигатель вращается.

    Заставляет двигатель получать ток.Как мы замечаем, что ток течет по плюсовой клемме мотора.

    Приведение во вращение двигателя постоянного тока в особенностях форвардной формы. Или поверните по часовой стрелке.

    Обратный режим

    И, если оба S4 и S2 замкнуты вместе. Мотор также получает ток, протекающий через них. Но это будет не та первая форма. Как Рисунок 3

    Рисунок 3: Оба переключателя S2 и S4 замкнуты, что приводит к обратному вращению двигателя постоянного тока против часовой стрелки.

    Поскольку этот ток будет протекать через отрицательную часть двигателя, ток будет реверсирован или повернут в обратном направлении против часовой стрелки.

    Начать применять транзисторы

    Постараемся использовать все транзисторы в качестве переключателя. Вы видите в Рисунок 4 .


    Рис. 4 Использование транзистора в качестве переключателя.

    Когда на базу транзисторов попадает ток электричества. Это приводит к включению транзистора и вращению двигателя постоянного тока.

    Читайте также: Многие о схеме драйвера транзистора s

    Мостовой транзистор Драйвер двигателя

    Как показано на рисунке 5, мы используем четыре транзистора для подключения в Н-мостовую схему.

    Рисунок 5: мы используем четыре транзистора в качестве контроллера переключения.

    И добавьте диод для защиты от электрического тока, который может течь в обратном направлении от двигателя. Повреждение транзистора.

    Также ознакомьтесь с этими связанными статьями:

    Прямое вращение с использованием транзисторов

    На рисунке 6 схема, если мы подаем питание на точку A. Сделаем так, чтобы Q1 и Q3-транзисторы работали. Потому что они получают IB-ток в базу.

    Рисунок 6: подайте питание на работу точки A, Q1 и Q3.Двигатель вращается в прямом направлении.

    Итак, мотор будет вращаться в прямом направлении. Потому что электрический ток течет от Q1 к плюсу двигателя. и успешно пройти через Q3 на землю.

    Рекомендуется: 555 Схема регулятора яркости светодиода с ШИМ

    Управление поворотом в обратном направлении с использованием транзистора

    Затем, позже, как Рисунок 7 , мы меняем точку источника питания-V1 на точку B. Q4 и Q2 также работают, получая ток от базы.

    Рисунок 7: Двигатель получает ток через Q4 и Q2. Он вращается в обратном направлении.

    Он заставляет их пропускать ток через Q4 на минус двигателя и через транзисторы Q2 на землю. Прохождение тока в этой форме заставляет двигатель вращаться в обратном направлении.

    Дополнительные схемы драйвера двигателя H-Bridge

    Вы можете увидеть реальное применение здесь 2-канальный драйвер двигателя постоянного тока при сохранении модели

    ПОЛУЧИТЬ ОБНОВЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ЭЛЕКТРОННУЮ ПОЧТУ

    Я всегда стараюсь упростить обучение электронике .

    Классический транзистор Hammonds Leslie с твердотельным драйвером — Электронные компоненты — Транзисторы — Транзистор (драйвер) — Твердотельные динамики Leslie

    Расположение: ►Электронные детали ►Транзисторы ►Транзистор (драйвер) — твердотельные динамики Leslie

    Транзистор (драйвер) — твердотельные динамики Leslie

    ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА:

    Управляющий транзистор NPN, используемый во многих твердотельных усилителях Leslie ® его транзистор установлен на плате усилителя и служит для увеличения уровня сигнала от органа для облегчения управления силовыми транзисторами 2N3055.

    ГОД: Разное

    МОДЕЛЬ: 700/710/760/770/900/910/925 / Другое

    ПРОДАНО: Индивидуально

    РОЗНИЧНАЯ ЦЕНА: 12 $.70
    ЦЕНА ДЛЯ ВАС: $ 9.96
    ЗАПАС № EP-10310-01
    ►► В НАЛИЧИИ

    Если не указано иное, этот товар отправляется в тот же день при заказе в рабочее время.
    Если отображается кнопка «Добавить в корзину» или «Информация о покупке» , щелкните ее, чтобы рассчитать стоимость упаковки / доставки.

    M.A.P. Политика (минимальная объявленная цена) — это соглашение между производителями, дистрибьюторами и дилерами, направленное на регулирование ценообразования. Дилер соглашается не рекламировать цены на указанные товары ниже M.A.P.

    Если дилер нарушит это соглашение, он может потерять возможность продавать товары производителя. Однако это не мешает дилеру продавать товар по любой цене, которую он выберет.

    Classic Hammonds приложит все усилия, чтобы предложить вам более низкую цену, чем любой другой авторизованный дилер Hammond на выбранные продукты Hammond ProLine . И вы можете мгновенно получить наши цены по электронной почте.

    Причитается поставщику M.A.P. политика, цена не может быть отображена.
    Рядом с ЦЕНАМИ нажмите «ТЕКУЩАЯ ЦЕНА» , чтобы получить
    Classic Hammonds
    по низкой цене по электронной почте.

    Этот товар необходимо покупать по телефону. Свяжитесь с нами
    по телефону (913) 645-7473, понедельник-пятница, 10:00 — 18:00,
    CST / CDT.

    Архивы микросхем транзисторов и драйверов

    Все категорииВсе продуктыХлебные доски и аксессуарыКристаллические осцилляторыДатчики Медицинские датчикиUSB-хост и аксессуарыСветодиодные и лазерные источникиКабели и преобразователи данныхРоботики | Аксессуары для робототехникиОптопарыКоробки и корпусаБаззеры, пьезо и микрофоны Модули DC / DCИсточник питания-SMPSAudio | Звук | Камера Вентиляторы постоянного токаТеплоусадка и упаковкаПлаты и экраны ArduinoПлата Raspberry PiУправление по сети EthernetРегулируемый источник питания постоянного токаВинты и гайкиПродукты SparkFunКонтроль жидкостиИндуктор / КатушкиБрызги, очистители и клейЗащита | Стабилизатор | Стабилизатор инвертора Мощность Защита инвертора (напряжение и ток) Солнечная батарея Поворотный энкодер Инструменты для диагностики автомобиля Таймеры и реле температуры Таймеры Контроль температуры и влажностиБатареи и зарядные устройства Аккумуляторные батареи Разъемы и аксессуары для обычных аккумуляторов Брендовые устройства для зарядки литиевых батарей Плата защиты литиевых батарей (BMS) Зарядные устройства Разъемы Разъемы IDC (FC- Разъемы) Разъемы SMA и BNC Клеммы кабелей Общие разъемы Разъемы питания Контактные разъемы Клеммные колодки D-сверхминиатюрные разъемы RJ USB-разъемы RCA-разъемы Специальные разъемы Водонепроницаемые и пыленепроницаемые разъемы Банановые вилки и аудиоразъемы Электрические разъемы Конденсаторы Плата для разработчиков (с открытым исходным кодом) PIC Microchip Raspberry Pi Android ОС Arduino Процессор ARM Учебная плата RAM TEXAS INSTRUMENTS Комплекты FPGA Предохранители Стеклянные предохранители Керамические быстродействующие предохранители Карманы для предохранителей Программаторы и тестеры IC Гнезда для IC и адаптеры ICIntegrated Circuits (ICs) Microco ntrollers MCU IC, TTL и CMOS 74xx, 40xx и 45xx IC Датчик температуры IC Конвертеры АЦП и ЦАП IC Специальная функция IC Драйверы и контроллеры двигателей IC Протоколы USB, RS232 и RS485 IC Таймеры и часы реального времени (RTC) Источники напряжения IC Усилители ИС памяти IC | Операционные усилители | Матрица транзисторов ИС компаратора и драйверы ЖК-модули ИС Символьный ЖК-дисплей Графический ЖК-дисплей | OLED Uart Smart TFT LCD Модуль Измерительные приборы HDMI LCD Цифровой мультиметр Токоизмерительные клещи | Измерительные аксессуары для измерителей мощности Осциллографы и функциональный генератор Заземление | Тестеры сопротивления изоляции Кабельный тестер | Логический зонд Измерители окружающей среды и тестеры Продукция торговой марки UNI-T Дальномер Тахометр (измерение числа оборотов в минуту) Тепловизор Мультиметр с автоматическим диапазоном И подшипниковые шпиндели Зубчатая рейка Рельс и шестерни Кабельная цепь Драйвер двигателя постоянного тока Алюминиевые профили Маленькие роботизированные сервомоторы Шаговые двигатели с замкнутым контуром Концевые фрезы и цанги Промышленные серводвигатели переменного тока Инструменты для печатных плат Электродвигатели переменного тока Инструменты для печатных плат Фоторезистентные печатные платы Листы печатных плат (различных размеров) Отверстия печатная плата (прототип печатной платы & Veroboard) Распорки для печатных платРезисторы и потенциометры Резисторные сети (матрица) Фоторезистор на основе Cds (LDR) NTC | Резисторы RTD Силовые резисторы 5 Вт и 10 Вт Резисторы SMD Углеродный резистор 1/4 Вт Значения Ом 1/4 Вт Значения Кило Ом 1/4 Вт Значения Мега Ом Потенциометры Провода и крокодилы Кабели и разъемы типа «крокодил» Провода с предварительно обжатыми выводами Транзисторы Транзисторы MOSFET и JFET-транзисторы Затворные полевые МОП-транзисторы Биполярные транзисторы общего назначения IGBT-транзисторыИнструменты Обжимные инструменты Другие инструменты Инструмент для зачистки проводов и ниппели Пинцет Компоненты и ящики для инструментов Микроскоп и лупы Отвертки Набор инструментов Проводящая жидкость Шестигранный ключ | Звездный ключ | Гаечный ключ Измерительные и измерительные инструменты Сверлильные и шлифовальные инструменты Пайка и демонтаж ЯПОНИЯ Оригинальные инструменты goot Переключатели Переключатель прицела (кнопки) Микропереключатели Переключатели на печатной плате DIP-переключатели Переключатели включения / выключения Герконовый переключатель Термовыключатель Джойстик | Аркадные кнопки Тумблер Сенсорные переключатели Компоненты SMD Интегральные схемы SMD (ИС) SMD Регуляторы напряжения Транзисторы SMD Запчасти для 3D-принтеров и детали для 3D-принтеров с нитью

    Высокопроизводительный драйвер активной матрицы на органических транзисторах, разработанный на бумажной основе

  • Ramuz, M., Ти, Б. К. К., Ток, Дж. Б. Х. и Бао, З. Н. Прозрачная, оптическая, чувствительная к давлению искусственная кожа для растягивающейся электроники большой площади. Adv. Матер. 24. С. 3223–3227 (2012).

    CAS Google ученый

  • Schwartz, G. et al. Гибкие полимерные транзисторы с высокой чувствительностью к давлению для применения в электронном мониторинге кожи и здоровья. Nat. Commun. 4, 1859 (2013).

    ADS Google ученый

  • Маннсфельд, С.C. B. et al. Высокочувствительные гибкие датчики давления с микроструктурированными резиновыми диэлектрическими слоями. Nat. Матер. 9. С. 859–864 (2010).

    ADS CAS Google ученый

  • Набер, Р. К. Г., Асади, К., Блом, П. В. М., де Лиу, Д. М. и де Бур, Б. Органические энергонезависимые запоминающие устройства на основе сегнетоэлектричества. Adv. Матер. 22, 933–945 (2010).

    CAS PubMed Google ученый

  • Zschieschang, U.и другие. Органическая электроника на банкнотах. Adv. Матер. 23. С. 654–658 (2011).

    CAS Google ученый

  • Eder, F. et al. Бумага, органическая электроника. Прил. Phys. Lett. 84, 2673–2675 (2004).

    ADS CAS Google ученый

  • Martins, R. et al. Селективный транзистор энергонезависимой бумажной памяти с плавающим затвором. Физический статус Solidi-R 3, 308–310 (2009).

    CAS Google ученый

  • Хан, М.А., Бхансали, У. С. и Альшариф, Х. Н. Высокопроизводительная энергонезависимая органическая сегнетоэлектрическая память на банкнотах. Adv. Матер. 24. С. 2165–2170 (2012).

    CAS PubMed Google ученый

  • Martins, R. et al. Дополнительная технология металлооксидных полупроводников с бумагой и на бумаге. Adv. Матер. 23. С. 4491–4496 (2011).

    CAS Google ученый

  • Тобьорк, Д.& Остербака, Р. Бумажная электроника. Adv. Матер. 23, 1935–1961 (2011).

    Google ученый

  • Li, Y. et al. Обработанные на растворе органические кристаллы для матриц полевых транзисторов с гладкой границей раздела полупроводник / диэлектрик на бумажных подложках. Орг. Электрон. 13, 815–819 (2012).

    CAS Google ученый

  • Секитани Т., Зшишанг У., Клаук Х.& Someya, T. Гибкие органические транзисторы и схемы с чрезвычайной устойчивостью к изгибу. Nat. Матер. 9. С. 1015–1022 (2010).

    ADS CAS Google ученый

  • Zschieschang, U. et al. Гибкие низковольтные органические тонкопленочные транзисторы и схемы на основе С-10-ДНТТ. J. Mater. Chem. 22, 4273–4277 (2012).

    CAS Google ученый

  • Yokota, T. et al.Система усилителя с гибкой органической активной матрицей листового типа, использующая схемы псевдо-КМОП со структурой с плавающим затвором. IEEE Trans. Электрон. Устройства 59, 3434–3441 (2012).

    ADS Google ученый

  • Курибара, К. и др. Органические транзисторы с высокой термостойкостью для медицинского применения. Nat. Commun. 3, 723 (2012).

    ADS Google ученый

  • Кальтенбруннер, М.и другие. Ультратонкие и легкие органические солнечные элементы с высокой гибкостью. Nat. Commun. 3, 770 (2012).

    ADS PubMed PubMed Central Google ученый

  • Ante, F. et al. Контактное сопротивление и мегагерцовый режим работы органических транзисторов с агрессивным масштабированием. Small 8, 73–79 (2012).

    CAS Google ученый

  • Секитани Т. и Сомея Т. Растягиваемые органические интегральные схемы для электронных поверхностей кожи большой площади.МИССИС БЫК. 37, 236–245 (2012).

    Google ученый

  • Yokota, T. et al. Низковольтный органический транзистор с субфемтолитровыми струйными контактами исток-сток. Mrs Communications 1, 3–6 (2011).

    CAS Google ученый

  • Секитани Т. и Сомея Т. Органические интегральные схемы, удобные для человека. Матер. Today 14, стр. 398–407 (2011).

    CAS Google ученый

  • Алам, М.W., Wang, Z.K., Naka, S. & Okada, H. Повышение подвижности органических тонкопленочных транзисторов на основе пентацена с верхним контактом и двухслойными электродами GeO / Au. Прил. Phys. Lett. 102 (2013).

  • Dell’Erba, G. et al. Органические интегральные схемы для хранения информации на основе амбиполярных полимеров и инжекции заряда. Прил. Phys. Lett. 104, 153303 (2014).

    ADS Google ученый

  • Абдур Р., Джеонг, К., Ли, М. Дж. И Ли, Дж. Высокие характеристики тонкопленочных транзисторов на основе пентаценовых органических соединений за счет легирования йодом областей истока / стока. Орг. Электрон. 14. С. 1142–1148 (2013).

    CAS Google ученый

  • Steudel, S. et al. Влияние шероховатости диэлектрика на работоспособность пентаценовых транзисторов. Прил. Phys. Lett. 85, 4400 (2004).

    ADS CAS Google ученый

  • Ким, К., Факкетти, А. и Маркс, Т. Дж. Вязкоупругость поверхности диэлектрика затвора полимера модулирует характеристики пентаценового транзистора. Science 318, 76–80 (2007).

    ADS CAS Google ученый

  • Фриц, С. Э., Келли, Т. В. и Фрисби, К. Д. Влияние шероховатости диэлектрика на характеристики пентаценовых тонкопленочных транзисторов и восстановление характеристик с помощью полимерного сглаживающего слоя. J. Phys. Chem. B 109, 10574–10577 (2005).

    CAS Google ученый

  • Ян Х.C. et al. Проведение АСМ и 2D GIXD исследований тонких пленок пентацена. J Am Chem Soc 127, 11542–11543 (2005).

    CAS Google ученый

  • Cosseddu, P., Lai, S., Barbaro, M. & Bonfiglio, A. Органические тонкопленочные транзисторы сверхнизкого напряжения, изготовленные на пластиковых подложках с помощью процесса с высокой воспроизводимостью. Прил. Phys. Lett. 100, 093305 (2012).

    ADS Google ученый

  • Грац, I.М. и Лакур, С. П. Гибкие органические тонкопленочные транзисторы на основе пентацена, изготовленные непосредственно на эластичных силиконовых мембранах. Прил. Phys. Lett. 95, 243305 (2009).

    ADS Google ученый

  • Джедаа, А. и Халик, М. К деформационно-стойким гибким органическим тонкопленочным транзисторам. Прил. Phys. Lett. 95, 103309 (2009).

    ADS Google ученый

  • Клаук, Х., Zschieschang, U., Pflaum, J. & Halik, M. Органические дополнительные цепи сверхмалой мощности. Nature 445, 745–748 (2007).

    ADS CAS Google ученый

  • Ko, H. et al. Активные цифровые микрожидкостные бумажные чипы с нанесенными на струйную печать электродами. Adv. Матер. 26. С. 2335–2340 (2014).

    CAS Google ученый

  • Абадиан, А. и Джафарабади-Аштиани, С.Цифровая микрофлюидика на бумажной основе. Microfluid & Nanofluid 16, 989–995 (2014).

    CAS Google ученый

  • Фобел Р., Кирби А. Э., Нг, А. Х., Фарнуд Р. и Уиллер А. Р. Бумажная микрофлюидика становится цифровой. Adv. Матер. 26. С. 2838–2843 (2014).

    CAS Google ученый

  • Fan, K., Peng, T. Y., Chen, J. N., Zhang, X.H. & Li, R.J. Недорогие, квазитвердотельные и не содержащие TCO высокогибкие сенсибилизированные красителем клетки на бумажной основе.J. Mater. Chem. 22. С. 16121–16126 (2012).

    CAS Google ученый

  • Hubler, A. et al. Печатные бумажные фотоэлектрические элементы. Adv. Energy Mater. 2011. Т. 1. С. 1018–1022.

    Google ученый

  • Barr, M.C. et al. Прямая монолитная интеграция органических фотоэлектрических цепей на немодифицированной бумаге. Adv. Матер. 23. С. 3500–3505 (2011).

    CAS Google ученый

  • Гильдер, М., Винтер-Йенсен, Б. и Кларк, Н. Б. Цинково-воздушная батарея с печатным рисунком. J Источники энергии 194, 1135–1141 (2009).

    CAS Google ученый

  • Пэн, Б. Ю. и Чан, П. К. Л. Гибкие органические транзисторы на стандартной печатной бумаге и свойства памяти, индуцированные электродом с плавающим затвором. Орг. Электрон. 15. С. 203–210 (2014).

    CAS Google ученый

  • Квак, С.Ю., Чой, К. Г. и Бэ, Б. С. Влияние поверхностной энергии на рост пентацена и характеристики органических тонкопленочных транзисторов. Электрохим. Solid St. 12, G37 – G39 (2009).

    CAS Google ученый

  • Chida, A. et al. Гибкий полноцветный светодиодный дисплей высокого разрешения с активной матрицей на органических светодиодах. J. Soc. Инф. Дисплей 21, 422–432 (2013).

    CAS Google ученый

  • Fujisaki, Y.и другие. Гибкий дисплей на органических светодиодах с активной матрицей, использующий стабильный в воздухе органический полупроводник динафто [2, 3-b: 2 ‘, 3’ -f] тиено [3, 2-b] -тиофен. IEEE Trans. Электрон. Устройства 59, 3442–3449 (2012).

    ADS CAS Google ученый

  • Sekitani, T. et al. Органический светодиодный дисплей с растягивающейся активной матрицей и эластичными проводниками с возможностью печати. Nat. Матер. 8, 494–499 (2009).

    ADS CAS Google ученый

  • Парк, С.H. K. et al. Прозрачные и фотостабильные тонкопленочные транзисторы ZnO для управления активной матричной панелью дисплея на органических светодиодах. Adv. Матер. 21. С. 678–682 (2009).

    CAS Google ученый

  • Zhou, L. S. et al. Полностью органический гибкий дисплей с активной матрицей. Прил. Phys. Lett. 88, 083502 (2006).

  • Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *