Электроника и наноэлектроника: Направления подготовки

Отзывы выпускников:

К списку направлений (прием 2021 года)

Специальность Электроника и наноэлектроника — Образование66.ру

Направление подготовки 11.

Квалификация выпускника: бакалавр
Выпускающая кафедра: Наноинженерии

Кафедра наноинженерии факультета электроники и приборостроения Самарского университета готовит бакалавров по направлению 11.03.04 “Электроника и наноэлектроника”, обладающих глубокими фундаментальными знаниями в области физики микро- и наноструктур, имеющих навыки работы с прикладными средствами проектирования и моделирования устройств наноэлектроники, нанофотоники и микросистемной техники, а также практические навыки работы с современным технологическим и аналитическим оборудованием.

На кафедре особое внимание уделяется:
-физике приборов наноэлектроники, нанофотоники и устройств микросистемной техники;
-методам проектирования устройств в интегральном исполнении;
-методам моделирования работы устройств нанофотоники и наноэлектроники;
-технологиям изготовления устройств наноэлектроники, нанофотоники и микросистемной техники;
-методам диагностики микро- и наноструктур и устройств.

По окончанию бакалавры могут работать в качестве:
— технологов по разработке и производству интегральных схем и устройств микросистемной техники;
— исследователей в организациях, занимающихся разработкой и изготовлением устройств и систем электроники, фотоники и микросистемной техники.

Преимущества образовательной программы
— Перспективное направление подготовки.
— Обширные связи с передовыми предприятиями ГК “Ростех”, ГК “Роскосмос” и предприятиями частного сектора, ведущими ВУЗами страны, институтами Российской академии наук, международными компаниями и исследовательскими центрами.
— Высокий профессионализм профессорско-преподавательского состава. Большинство преподавателей являются действующими учеными с международным опытом.
— Техническое оснащение, соответствующее мировому уровню (учебные лаборатории и компьютерные классы, оборудованные высокопроизводительными компьютерами и современным программным и методическим обеспечением, новейшим технологическим, измерительным и диагностическим оборудованием).
— Наличие учебного дизайн-центра по проектированию устройств интегральной электроники, оснащенного лицензионным программным обеспечением американской компании Cadence Design Systems, Inc, и научно-образовательного центра нанотехнологий, включающего в себя линейку прецизионного технологического и аналитического оборудования, в частности, полную технологическую цепочку литографического процесса по кремнию.
— Возможность участия в инновационных проектах, передовых научно-исследовательских разработках.

Места прохождения производственных практик и трудоустройства студентов
АО “НИИ “Экран” (г. Самара), АО «РКЦ «Прогресс» (г. Самара), АО “НИИМЭ” (г. Зеленоград), Самарский филиал ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” Российской академии наук (г. Самара), АО “НПП «Радар ммс» (г. Санкт-Петербург), ПАО “Сатурн” (г. Краснодар), АО «АвтоВА́З» (г. Тольятти), ООО «Роберт Бош Самара» (г. Самара), ООО “Аналит-Сервис” (г. Самара) и др.

Скачать — Кафедра наноинженерии

Курский государственный университет

Срок обучения: 4 года

Квалификация: Бакалавр

Краткое описание

Направление подготовки: 11.03.04 Электроника и наноэлектроника

Направленность/профиль: Технологии в наноэлектронике

Электроника и наноэлектроника – это область науки и техники, которая включает совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения. Наноэлектроника — это современный, четвертый этап развития электроники, уровень которой определяет облик современной цивилизации.

Программа бакалавриата по направлению подготовки 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике ориентирована на научно-исследовательский и проектно-конструкторский виды профессиональной деятельности.

Область профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу бакалавриата по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике, включает совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленных на теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.

Объектами профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу бакалавриата, являются материалы, компоненты, электронные приборы, устройства, установки, методы их исследования, проектирования и конструирования, технологические процессы производства, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели, алгоритмы решения типовых задач, современное программное и информационное обеспечение процессов моделирования и проектирования изделий электроники и наноэлектроники.

Выпускник, освоивший программу бакалавриата по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике, в соответствии с видами профессиональной деятельности должен быть готов решать следующие профессиональные задачи:

Научно-исследовательская деятельность:

• анализ научно-технической информации, отечественного и зарубежного опыта по тематике исследования;
• математическое моделирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения на базе стандартных пакетов автоматизированного проектирования;
• участие в планировании и проведении экспериментов по заданной методике, обработка результатов с применением современных информационных технологий и технических средств; подготовка и составление обзоров, рефератов, отчетов, научных публикаций и докладов на научных конференциях и семинарах;
• организация защиты объектов интеллектуальной собственности и результатов исследований и разработок как коммерческой тайны предприятия;

Проектно-конструкторская деятельность:

• проведение технико-экономического обоснования проектов; сбор и анализ исходных данных для расчета и проектирования электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения;
• расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования;
• разработка проектной и технической документации, оформление законченных проектно-конструкторских работ;
• контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам.

Целью образовательной программы по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике является подготовка будущего профессионального специалиста в области электроники и наноэлектроники как конкурентоспособного, мобильного, владеющего знаниями и умениями, готового к творческой самореализации, способного успешно осуществлять научно-исследовательский и проектно-конструкторский виды профессиональной деятельности.

В учебном процессе по данному направлению подготовки задействованы доктора и кандидаты наук Курского государственного университета. Особенностью учебного процесса по направлению 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике является то, что занятия проходят на базе Курского регионального междисциплинарного нанотехнологического центра и НИИЦ (г.Курск) ФГУП «18 ЦНИИ» Министерства обороны РФ. После окончания обучения выпускники могут работать в центрах по нанесению нанострук-турированных покрытий, в лабораториях и на производстве предприятий радиоэлектронной, биохимической, медицинской отраслях. В Курской области трудоустройство возможно в НИИЦ (г.Курск) ФГУП «18 ЦНИИ» МО РФ, АО «Авиаавтоматика», Курская биофабрика и других предприятиях.

Наноэлектроника — определение и применение

Термин наноэлектроника относится к использованию нанотехнологий в электронных компонентах. Эти компоненты часто имеют размер всего несколько нанометров. Однако чем меньше становятся электронные компоненты, тем сложнее их производить.

Наноэлектроника охватывает разнообразный набор устройств и материалов с общей характеристикой, заключающейся в том, что они настолько малы, что физические эффекты изменяют свойства материалов в наномасштабе — межатомные взаимодействия и квантово-механические свойства играют значительную роль в работе этих устройств. .На наномасштабе новые явления имеют приоритет над теми, что господствуют в макромире. Квантовые эффекты, такие как туннелирование и атомистический беспорядок, доминируют в характеристиках этих наноразмерных устройств

Первые транзисторы, построенные в 1947 году, имели размер более 1 сантиметра; Самый маленький рабочий транзистор сегодня имеет длину 7 нанометров, что более чем в 1,4 миллиона раз меньше (1 см равен 10 миллионам нанометров). Результатом этих усилий стали процессоры с миллиардом транзисторов, где, когда промышленность перешла на 7-нм технику производства, 20 миллиардов транзисторных схем интегрированы в один кристалл.

Наноэлектронные устройства

Spintronics

Иллюстрация электронного спина в решетке графена. (Изображение: Барт ван Вис)

Оптоэлектроника

Электронные устройства, которые генерируют, обнаруживают и управляют светом — i.е. оптоэлектронные устройства — бывают разных форм и форм. Высокоэффективная (с меньшим тепловыделением и потреблением энергии) оптическая связь приобретает все большее значение, поскольку она может решить одну из самых больших проблем нашего информационного века: потребление энергии.

Дисплеи

Носимая гибкая электроника

Эпоха носимой электроники приближается, о чем свидетельствует быстро растущий ассортимент умных часов, фитнес-браслетов и других передовых устройств для мониторинга здоровья следующего поколения, таких как электронные наклеиваемые татуировки.

Оптическое изображение графенового беспроводного сенсора, биотрансферное на поверхность зуба. (Изображение: McAlpine Group, Принстонский университет)

Наноэлектроника в энергетике

Молекулярная электроника

В отличие от наноэлектроники, где устройства уменьшаются до наноразмерных уровней, молекулярная электроника имеет дело с электронными процессами, которые происходят в молекулярных структурах, таких как те, что встречаются в природе, от фотосинтеза до передачи сигналов.

Наноэлектроника — обзор | Темы ScienceDirect

12.5.2 Матрицы из нанопроволоки — режим схемы

Так же, как разработка наноэлектронных устройств может быть отнесена к категории с точки зрения низкоразмерной функциональности, реализация схемы в наноразмерном масштабе следует аналогичным путем. Чтобы проиллюстрировать этот прогресс, мы продолжим обсуждение этой главы с точки зрения NW, но теперь с точки зрения схемной архитектуры. Интересный пример последнего можно найти в работе Либера и его сотрудников в следующем обсуждении.

Ключевые необходимые элементы для реализации схемы доступны через конфигурацию ядро-оболочка NW (Dong et al., 2008). Для начала, как описано в разделе 12.5.1, выбор материалов сердцевина-оболочка определяет электрические характеристики данных ННК. Используя синтез NW в качестве «строительных блоков», можно использовать перекрестную конфигурацию в качестве масштабируемой архитектуры, из которой можно построить более высокие функции логики и памяти в наноэлектронике. Рисунок 12.7 иллюстрирует использование конфигурации перемычки для демонстрации переключателя с истерическим сопротивлением, построенного с использованием Si NW ядро-оболочка, для реализации одномерного массива памяти.Подробности, касающиеся конструкции этого элемента схемы, можно найти в опубликованной работе Yu и Lieber и ссылках в ней (Yu and Lieber, 2010). Тем не менее, что касается разработки схем в нанометровом масштабе, стоит отметить, что этот переключатель продемонстрировал важные особенности бистабильного переключения, воспроизводимых пороговых напряжений переключения и выпрямления тока в состоянии включения — и все это при работе при комнатной температуре.

12.7. Схема конфигурации поперечины нанопроволоки (слева), скрещенная вставка сканирующего электронного микроскопа. Масштабная линейка NW составляет 1 мкм; СЭМ массива поперечных полос нанопроволоки (1 × 6) (справа), масштабная линейка 500 нм.

Переходя вышеупомянутое устройство с перекладиной NW к следующему этапу в схемном режиме, Либер и его сотрудники также изготовили (1 × 6) маломасштабные одномерные массивы (рис. 12.7 — справа). Эта структура nano circuit продемонстрировала возможность записи / стирания и считывания без перекрестных помех с шести переключателей.После этого, чтобы раздвинуть границы переключателя NW на перекладине до функциональности более высокой размерности, те же исследователи создали высокоинтегрированные двухмерные массивы (Yu and Lieber, 2010). Созданная впоследствии наносистема потребовала использования как нисходящей, так и восходящей технологий в форме электронно-лучевой литографии высокого разрешения и хорошо контролируемого синтеза двух наборов параллельных массивов ННК высокой плотности соответственно. Рабочая демонстрация того же была выполнена с использованием массива поперечных нанопроволок (6 × 6), который, как и в случае с одномерным массивом, успешно продемонстрировал возможности чтения / записи и памяти.

Наконец, настоящая наноэлектронная схема потребует реализации трехмерной интеграции на основе наноустройств. В достижении этой цели также был достигнут значительный прогресс (Stan et al., 2003; Zhang and Chou, 2003; McAlpine et al., 2007; Jo et al., 2009; Shiratori et al. , 2011; Вирер и др. , 2012). Следуя вышеупомянутой 1-D и 2-D работе, был обнаружен особенно интересный и успешный набег на 3-D реализацию, основанный на использовании наноимпринтинга (Bao et al., 2002; Го, 2007). Используя эту технику в сочетании с традиционным производством устройств, Либер и его сотрудники смогли добиться вертикального стека трехмерных устройств, имеющих до десяти адресуемых (вертикальных) слоев (Javey et al. , 2007). Сама схема была основана на структуре памяти инвертор / плавающий затвор с использованием NW ядра / оболочки Ge / Si (Xiang et al. , 2006a; Yu and Lieber, 2010).

В конечном счете, путь от «строительных блоков», будь то частицы, провода или устройства, к реальной интеграции схем, мягко говоря, нетривиальный.Остаются проблемы с синтезом, упорядочиванием и сборкой плотных конфигураций NW. Тем не менее, по-видимому, по мере того, как эти современные препятствия преодолены, использование наноустройств в схемах является ключом к новой эре высокой производительности, более высоких скоростей и более широкого разнообразия приложений для следующего поколения электронной промышленности.

Больше, чем просто меньше: наноэлектроника

Сфера бытовой электроники уже ощутила сильное влияние нанотехнологий.Меньшие и более быстрые устройства с наноразмерными функциями стали возможными благодаря достижениям в области материалов и технологий обработки. Супергидрофобные покрытия делают телефоны водонепроницаемыми. Электроника на основе углеродных нанотрубок, устойчивая к радиации, использовалась в космических полетах. Квантовые точки используются в телевизорах с плоским экраном. Тем не менее, самые впечатляющие достижения в области наноэлектроники все еще находятся в стадии разработки! Нанотехнологии откроют совершенно новые способы хранения информации и манипулирования ею, а гибкая электроника станет обычным явлением.

Содействие сотрудничеству в области развития науки и технологий в области полупроводников

Продолжение уменьшения размеров электронных устройств необходимо для дальнейшего увеличения скорости процессора, снижения энергии переключения устройств, увеличения функциональных возможностей системы и снижения стоимости производства в расчете на бит. Однако, поскольку размеры критических элементов устройств приближаются к размеру атома, квантовое туннелирование и другие квантовые эффекты ухудшаются и в конечном итоге запрещают работу обычных полупроводниковых устройств, и необходимы новые концептуальные решения. Признавая эти ограничения, Национальный научный фонд (NSF) и Корпорация полупроводниковых исследований (SRC) подписали давний Меморандум о взаимопонимании для содействия сотрудничеству в исследовательских и образовательных проектах, которые могут способствовать развитию знаний в области науки и технологий полупроводников и улучшить использование поля на благо промышленности, нации и общества. Например, в 2011 году NSF и Инициатива по исследованиям в области наноэлектроники (NRI) SRC сотрудничали в разработке заявки на участие в программе «Наноэлектроника на период до 2020 года и далее» (NEB).Целью NEB было изучение инновационных концепций исследований в области наноэлектроники. Это исследование включало различные направления изучения новых материалов, химии и логических устройств; схемам, системным архитектурам и алгоритмам; к новым парадигмам вычисления, восприятия и обработки информации. NSF и NRI совместно поддержали 12 четырехлетних грантов междисциплинарным группам исследователей на общую сумму 20 миллионов долларов.

Позволить закону Мура действовать еще много лет

Nantero, один из 10 лучших стартапов Electronic Engineering Times в 2013 году, разработал память на основе углеродных нанотрубок, NRAM.Частично финансируемая наградами Air Force Small Business Innovation Research и Small Business Technology Transfer, NRAM Nantero переключается за пикосекунды, является постоянно энергонезависимой, потребляет очень мало энергии и масштабируется до размера всего в несколько нанометров. Эта технология позволяет использовать компьютеры с мгновенным запуском, более быстрые серверы и центры обработки данных, которые потребляют гораздо меньше энергии. Например, мобильные устройства могут работать быстрее и дольше работать от батареи. Кроме того, тот же материал углеродных нанотрубок и производственные процессы, которые использовались для NRAM, могут быть использованы для транзисторов и межсоединений следующего поколения, что позволяет закону Мура действовать еще долгие годы.

Память NRAM нового поколения Nantero Фото любезно предоставлено Nantero, Inc.

Растяжение, складывание, скручивание и неповреждение электроники

Полупроводниковые наномембраны (НМ) представляют собой монокристаллические структуры с толщиной менее нескольких сотен нанометров и минимальными поперечными размерами, по крайней мере, на два порядка превышающими толщину. Кремниевые наномембраны (SiNM) обладают многими свойствами, которые отличаются от свойств объемного кремния.Они гибкие, конформные, прозрачные, деформируемые, переносимые, склеиваемые, штабелируемые и с возможностью нанесения рисунка. Сообщалось о продвинутых демонстрационных устройствах с использованием НМ, возможно, наиболее существенно в области гибкой и растягиваемой электроники. НМ кремния или германия, закрепленные на пластиковых или резиновых подложках, допускают изгиб, растяжение, складывание, скручивание и другие сложные режимы деформации, не вызывая повреждений или усталости материалов. Благодаря инвестициям в Междисциплинарную исследовательскую программу Министерства обороны США Университетской исследовательской инициативы U.S. Правительство значительно активизировало деятельность в этой области нанотехнологий материалов. Эта деятельность поддерживает ведущих исследователей, таких как Макс Лагалли и Джек Ма (Вашингтонский университет), Рэй Чен (Юта Остин), Хэнк Смит (Массачусетский технологический институт) и Джон Роджерс (UIUC).

Эффективные электронные сборки без использования опасных материалов

С момента появления современной электроники свинец стал основным припоем из-за его низкой температуры плавления. Однако из-за того, что во всем мире предпринимаются усилия по поэтапному отказу от опасных материалов в электронике, в настоящее время существует острая потребность в бессвинцовых припоях.Обычная бессвинцовая замена, представляющая собой комбинацию олова, серебра и меди, имеет несколько проблем. Для этого требуются высокие температуры обработки, которые увеличивают затраты, высокое содержание олова может привести к образованию усов, которые могут вызвать короткое замыкание, а трещины — обычное явление в сложных условиях. В результате, компания Defense Manufacturing Science & Technology инициировала программу в области «Электроника без пайки». Идея заключалась в разработке материала и / или сопутствующего процесса для изготовления электронных систем, которые устранят потребность в коммерческих бессвинцовых припоях и устранят связанные с ними проблемы.Металлы с наночастицами по своей природе имеют более низкую температуру плавления и плавления по сравнению с объемными материалами. Используя этот эффект, доктор Альфред Зинн из Центра передовых технологий Lockheed Martin смог разработать суспензию наночастиц меди CuantumFuse ™, которую можно использовать для замены пайки в стандартном процессе сборки электроники. Медь была выбрана потому, что она уже используется во всей электронной промышленности, она дешевая (1/4 стоимости олова; 1/100 стоимости серебра и 1/10 000 стоимости золота), в изобилии и в десять раз дороже. электрическая и теплопроводность коммерческого припоя на основе олова, что может привести к созданию более эффективных электронных сборок.

Технические науки Магистр: Наноэлектроника — Департамент электротехники

Наноразмерные устройства изготавливаются и изучаются их электрические свойства на нано-производственном предприятии мирового класса в UB.

Наноэлектроника ориентирована на разработку новых сверхмалых — или наноразмерных — полупроводниковых устройств, которые находят применение в современных микроэлектронных приложениях, таких как аналоговые и цифровые интегральные схемы, фотоэлектрические датчики и устройства сбора энергии, сверхвысокочастотные сети связи, и удаленные датчики для Интернета вещей.

Эта инновационная программа предназначена для предоставления студентам необходимых знаний и навыков для разработки конкретных приложений данных и электронных систем от базовых строительных блоков, реализованных в наноэлектронике, до сложных систем, состоящих из программного и аппаратного обеспечения для обработки сложных сигналов и управления. В частности, студентов будут развивать знания и понимание микротехнологических и нанотехнологических аспектов электронной техники и их применения в микро- и наноразмерных устройствах .

Возможная карьера в этой важной области связана с некоторыми из гигантов сектора высоких технологий США, включая Apple, IBM, Google, Intel, Microsoft, Qualcom, Micron и Analog Devices, Inc. Конкретные направления карьеры включают проектирование интегральных схем, инженерия процессов и устройств, а также исследования и разработки для будущих поколений технологий. Эта степень, кроме того, служит предпосылкой для поступления на соответствующие докторские программы как в области инженерии, так и в области естественных наук.

Степень может быть специализирована с использованием факультативов и портфельной оценки навыков, приобретенных в ходе курсовой работы.Классы будут небольшого размера, и в них будет делаться упор на передовые методы работы в классе, при этом будут задействованы онлайн-ресурсы для усиления опыта в классе.

Студенты пройдут 10 курсов, всего 30 кредитов. Большинство студентов заканчивают программу за три семестра.

По вопросам требований к ученой степени обращайтесь по адресу eegradapply@buffalo. edu

Основные курсы:

EE 518 КВАНТОВАЯ МЕХАНИКА ДЛЯ ИНЖЕНЕРОВ

EE 588 ОСНОВЫ СОВРЕМЕННЫХ УСТРОЙСТВ VLSI (или EE 530).

EE 563 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

EE 553: MICROELECTRONIC ИЗГОТОВЛЕНИЕ LAB

EE 555: PHOTONIC УСТРОЙСТВА

EE 524: ТРАНСПОРТ В наноструктурах

Дополнительные курсы:

EE 512 нанофотонике

EE 515 микроэлектромеханических систем

Е.Е. 520 QUANTUM COMPUTING & DEVICES

EE 522 НАНОСТРУКТУРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

EE 544: НАНОМАСШТАБНЫЕ КОММУНИКАЦИИ И СЕТИ

EE 640 МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ

ЭЛЕКТРОНИКА

СПЕЦИАЛЬНЫЕ ТЕМЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Энергия | Центр электронной визуализации

Мы — междисциплинарная исследовательская группа, изучающая наноэлектронные устройства, сделанные из коллоидных полупроводниковых квантовых точек (КТ).Коллоидные квантовые точки — это монокристаллы полупроводника нанометрового размера, подвешенные в растворе, которые открывают перед учеными и инженерами захватывающие возможности для разработки сверхдешевых, широко распространенных устройств для новой эпохи повсеместной электроники и окружающей среды. Наши исследовательские усилия сосредоточены на двух направлениях:

(1) Инфракрасные фотодетекторы QD с низким SWaP-C (размер, вес, потребляемая мощность и стоимость)

Фотодетекторы, работающие в окне пропускания атмосферы 8–12 мкм (длинноволновое инфракрасное излучение), имеют большое значение для гражданского и военного применения.Эти детекторы не требуют внешнего источника освещения для дневного / ночного изображения, имеют высокую устойчивость к воздушным заслонам (таким как туман, дым и пыль) и особенно эффективны при обнаружении человеческих тел. Современные технологии, основанные на HgCdTe, страдают от высокой стоимости изготовления (> 50 000 долларов США) и требуют криогенной системы охлаждения для достижения высокой обнаружительной способности, что значительно увеличивает размер, вес и потребляемую мощность детектора. Эти два фактора были постоянными проблемами, ограничивающими их широкое применение.Наша цель в этом проекте — разработать новые квантовые точки с инфракрасным зондированием, которые позволят значительно снизить стоимость изготовления (<10 долларов США), и реализовать новые конструкции устройств для высокочувствительного / высокотемпературного инфракрасного фотодетектирования.

(2) Сбор энергии окружающей среды с использованием термоэлектрических квантовых точек

Прорыв в области сбора энергии открывает перспективы для беспроводных сенсорных сетей типа «развернуть и забыть» и других распределенных или портативных приложений питания. В связи с этим долгосрочная цель — эффективное извлечение энергии из повсеместных перепадов температуры с помощью бесшумных, необслуживаемых термоэлектрических генераторов.Этот проект направлен на изготовление термоэлектрических генераторов на бумажной основе путем слияния широко распространенной целлюлозной бумаги с термоэлектрическими квантовыми точками. Благодаря высокой гибкости бумаги и низкой теплопроводности, эти недорогие бумажные устройства обладают потенциалом для эффективного использования тепла, доступного в естественной и искусственной среде, за счет максимального теплового контакта с источниками тепла, которые часто имеют произвольную геометрию (например, трубы и человеческие тела). тела).

11.03.04 Электроника и наноэлектроника (наноэлектроника: дизайн, технология и применение)

Специальность: Наноэлектроника: дизайн, технология и применение

Программный уровень: Бакалавриат

Продолжительность программы: 4 года

Свидетельство об образовании / Ученая степень: Диплом бакалавра

Форма обучения: Очная форма

Язык обучения: Русский

Программный менеджер: Владимир Березин, +7 (351) 267-93-27, bvm [at] susu [dot] ru

Описание программы

Студенты 11.03.04 получить знания в современных областях развития электроники — микро- и наноэлектроники, а также об использовании вычислительной и электронной техники в автоматизации производства и связи. Выпускники получают фундаментальные знания о современных материалах и компонентах электронного оборудования, физических принципах его работы. Особое внимание уделяется обучению в области цифровой и компьютерной техники, математического моделирования, программирования, проектирования и технологии производства электронного оборудования.Обучение включает обширную лабораторную подготовку. Студенты получают навыки работы с научным и производственным оборудованием.

Приобретенные знания и навыки позволяют выпускникам успешно заниматься разработкой, производством, обслуживанием и эксплуатацией электронных устройств любой сложности — интеллектуальных датчиков и расходомеров, современного медицинского оборудования, исследовательского оборудования и др. Полученная математическая и компьютерная подготовка позволяет заниматься разработкой, обслуживанием, эксплуатацией и проверкой компьютерных систем управления на промышленных предприятиях.Глубокое обучение выпускников иностранному языку — залог работы в международных компаниях; это позволяет досконально изучить техническую документацию.

Лаборатории кафедры оснащены современным оборудованием, необходимым для проведения семинаров, работы над курсовыми, написания дипломных и других научных работ. Дипломные работы написаны на темы разработки новых электронных устройств, автоматизации и компьютеризации производства и технологий, решения актуальных научных проблем.Их результаты часто интегрируются в производственные процессы и публикуются в серьезных научных журналах.

Будущие выпускные специальности: специалист по электронике, инженер-электроник, техник-электрик, инженер по микроэлектронике, схемотехник.

Коллоидные наноэлектронные конечные автоматы на основе 2D материалов для аэрозольной электроники

11.

Spellings, M. et al. Контроль формы и компартментализация активных коллоидных клеток. Proc. Natl Acad. Sci. США 112 , 4642 (2015).

Артикул Google ученый

27.

Salvatore, G.A. et al. Легкая и прозрачная электроника в масштабе пластины, которая обволакивает волоски. Nat. Commun. 5 , 2982 (2014).

Артикул Google ученый

31.

Ye, L., Li, H., Chen, Z. & Xu, J. Фотоприемник ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероперехода MoS ₂ / черный фосфор. САУ Фотон. 3 , 692–699 (2016).

Артикул Google ученый

39.

Брунете, А., Эрнандо, М., Торрес, Дж. Э. и Гамбао, Э. Гетерогенный мульти-конфигурируемый цепной микроробот для исследования небольших полостей. Автом. Констр. Magaz. 21 , 184–198 (2012).

Артикул Google ученый

43.

Курт, С. К., Гельхаузен, М. Г. и Кокманн, Н. Осевое диспергирование и теплопередача в милли / микроструктурированном инверторе спирального потока для узкого распределения времени пребывания при ламинарном потоке. Chem. Англ. Tech. 38 , 1122–1130 (2015).

Артикул Google ученый

51.

Cho, B. et al. Зондирование газа на основе переноса заряда с использованием атомного слоя MoS ₂ . Sci. Отчет 5 , 8052 (2015).

Артикул Google ученый