Подобрать транзистор по параметрам: Страница не найдена

Содержание

КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ | Дмитрий Компанец

Коэффициент усиления триода по мощности

Коэффициент усиления триода по мощности

Для простых каскадных усилителей очень важно подобрать транзисторы с максимальным коэффициентом усиления (КУ).

Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.
Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.
Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима.

Говоря о Коэффициенте Усиления надо оговориться , что у простого Биполярного транзистора их несколько — и по току и по напряжению и даже комплексный по мощности зависимый от ряда параметров схемы применения.

В частном случае
✅ Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.
✔️ Коэффициент усиления транзистора по току
Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hfБ или h31Б), с общим эмиттером буквой β (hfЭ или h31Э).
✔️ Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока эмиттера (Iэ) при неизменном напряжении в части коллектор-база: α = IК / IЭ, при UК-Б = const

Коэффициент усиления триода по мощности
Это величина отношения выходной мощности (P2) к мощности, подаваемой на вход триода (P1): КР = Р2 / Р1
Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (КI) и коэффициента усиления по напряжению (KU): КР = КI * KU

Для расчета этих параметров достаточно собрать простенькую схему и провести измерения величин тока в цепях базы и коллектора.

На кухонном столе такая установка выглядит вот так. ..

С помощью простого расчеты мы легко сможем определить самый подходящий для нашего усилителя транзистор из имеющихся в наличии.

Удивил меня факт того, что транзистор регулярно используемый в усилителях КТ803А оказался далеко не лидером по КУ среди транзисторов изъятых из блоков питания и лампочек экономок.Его КУ равный 10 никак не соперничает с КУ транзистора 13003 равным 20.

А вот германиевые транзисторы П210А меня порадовали Коэффициентом усиления переваливающим за 200.

#КУтранзистораКакОпределить

Измерение параметров полевых транзисторов — RadioRadar

   Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Крутизну транзисторов определяют простейшим расчетом.

   По роду своей деятельности мне часто приходится ремонтировать контрольно-измерительную аппаратуру с полевыми транзисторами. Они применяются в модуляторах, входных каскадах усилителей в осциллографах и цифровых вольтметрах, коммутационных устройствах и пр. Например, в вольтметре В7-38 установлено около 30 транзисторов серии КП301. Эти транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, и малейшее несоблюдение технологии монтажа приводит к выходу их из строя. Большинство неисправностей приборов, которые связаны с выходом из строя полевых транзисторов, удается устранить простой заменой, но если транзисторы используют в дифференциальных или «симметричных» каскадах, их необходимо подобрать по основным параметрам.


Рис. 1

   К основным параметрам полевых транзисторов относятся начальный ток стока, напряжение отсечки и крутизна характеристики. Определить их, а следовательно, и принять решение о пригодности полевого транзистора к использованию возможно с помощью устройства, схема которого изображена на рис. 1. Изменяя напряжение на затворе и контролируя ток стока, можно узнать все три основных параметра. Для транзисторов с затвором на основе р-n перехода или с изолированным затвором и встроенным каналом начальный ток стока IСнач — это ток стока при нулевом значении напряжения на затворе. Напряжение отсечки U3иотс — напряжение на затворе, при котором ток стока достигает близкого к нулю значения. Крутизна характеристики определяется как отношение изменения тока стока ΔIС (мА) к вызвавшему его изменению напряжения между затвором и истоком ΔUзи (В): S = ΔIС/Δ U3и- Применив в приборе цифровые измерители тока и напряжения, вычислить значение крутизны для транзисторов любой структуры будет несложно.

   Крутизна S полевого транзистора с управляющим р-n переходом зависит от напряжения затвор- исток U3и и имеет максимальное значение Smax при напряжении на затворе, равном нулю. Если измерены значения начального тока стока IСнач и напряжения отсечки U3иотс. крутизну можно приблизительно оценить по формулам:

   Smax = 2Iснач/Uзиотс

   S = √Iснач·Ic/Uзиотс

   где напряжение — в вольтах, ток — в миллиамперах, крутизна — в размерности мА/В [1].

   Для транзисторов с изолированным затвором крутизну при токе стока Ic и напряжении Uзи можно рассчитать по формуле

   S = 2Ic/|Uзи — Uзиотс|

   где UЗИотс — напряжение отсечки либо пороговое напряжение (для транзисторов с индуцированным затвором).

   На основе макета этого устройства изготовлен прибор для оперативного измерения основных параметров полевых транзисторов и контроля их работоспособности.

    Технические характеристики
Измеряемое напряжение на затворе, В …………..-12…+12
Разрешающая способность вольтметра, мВ…………….10
Измеряемый ток стока, мА . .-20… +20
Разрешающая способность миллиамперметра, мкА………10
Погрешность измерения IСнач и Uзи, %, не более . ……….1
Ток потребления прибора, мА, не более ………………60

  Рис. 2

 В приборе есть защита проверяемого транзистора от повреждения.

   Схема измерителя изображена на рис. 2. Для изменения напряжения на затворе транзистора используется переменный резистор R2, подключенный к двухполярному источнику питания 2×12 В, что позволяет получить характеристику крутизны любого полевого транзистора малой мощности как с n-каналом, так и с р-каналом. Резистор R3 необходим для ограничения тока затвора. Полярность напряжения на стоке изменяют переключателем SB1. Для исключения перегрузки миллиамперметра использован ограничитель тока на транзисторе VT1 и резисторе R1. Ограничение возникает при токе 25 мА, поскольку максимальный измеряемый ток выбран равным 20 мА. Диодный мост VD1 обеспечивает действие ограничителя при любом направлении тока стока. Реле К1 и К2 предотвращают выход из строя измеряемого полевого транзистора от статического электричества: пока не нажата кнопка «Измерение» SB2, обмотка реле отключена, а контакты для подключения транзистора замкнуты между собой и на общий провод. При измерении кнопка нажата и через контакты реле транзистор подключен к измерительным цепям. Светодиод HL1 сигнализирует о том, что происходит процесс измерения.

   Главная часть устройства — миллиамперметр РА1 и вольтметр PV1 — собрана из готовых узлов мультиметров M890D. Основа этих мультиметров — широко известная микросхема ICL7106. Эти приборы выбраны из-за удобного большого корпуса, чтобы снизить трудозатраты при изготовлении измерителя параметров. Питание аналого-цифрового преобразователя (АЦП) мульти-метра — от двухполярного источника питания +5/-5 В, необходимого для микросхем АЦП и остальных частей устройства. Микросхема АЦП имеет такую возможность, если мультиметр доработать так, как показано на фрагменте схемы на рис. 3 (нумерация элементов условная).


Рис. 3

   В основном включении, используемом при батарейном питании, выводы 30,32 и 35 соединены вместе. При двух-полярном питании вывод 30 (низкоуровневая цепь АЦП) отключают от этой точки. В этом случае микросхема измеряет разность потенциалов между выводами 30 и 31, при этом вход АЦП отвязан от цепей питания. Единственное условие — напряжение в любой из измерительных цепей не должно превышать напряжения питания АЦП относительно общего провода. Такая доработка описана в [2].

   При минимальных переделках микросхема обеспечивает измерение напряжения до 200 мВ без делителей. Для построения вольтметра с пределом 20 В, необходимого для измерения напряжения затвора, использован делитель 1:100, состоящий из резисторов R5 и R6. Для построения миллиамперметра с пределом измерения 20 мА служит резистор R7. При токе 20 мА на нем падает напряжение 200 мВ, которое и измеряет АЦП. Миллиамперметр установлен в цепь истока и измеряет ток транзистора. Такое решение продиктовано невозможностью измерять ток в цепи стока, потому что на измерительных выводах миллиамперметра может присутствовать напряжение, превышающее питающее для микросхемы АЦП. Вольтметр включен между затвором и истоком, поэтому через делитель R5R6 будет протекать ток с максимальным значением не более 12мкА, что будет вызывать ошибку в показаниях миллиамперметра в одну единицу младшего разряда, которая оказывается несущественной.

   Схема блока питания прибора изображена на рис. 4.

Рис. 4 

Для понижения сетевого напряжения до 12 В используется трансформатор Т1. Далее переменное напряжение выпрямляется диодным мостом VD1 и фильтруется конденсаторами С1, С2. Стабилизаторами двухполярного напряжения +12/-12В служат микросхемы DA1, DA2. Двухполярное напряжение +5/-5 В стабилизирует микросхемы DA3 и DA4. Стабилизаторы включены последовательно для уменьшения падения напряжения на стабилизаторах DA3 и DA4. Схема двухполярного источника питания может быть любой другой; возможно даже использовать автономное питание, например от батарей «Корунд». Для этого потребуется добавить преобразователь напряжения батареи в необходимое для питания остальных узлов измерителя.


Рис. 5

   Детали и конструкция. В приборе можно применить следующие детали. Резисторы R5-R7 — С2-29 или другие с допуском не более ±0,5 %, хотя номиналы могут отличаться от указанных на схеме; главное — стабильность сопротивления. Остальные резисторы — любые, например МЛТ0.125. Переменный резистор R2 — многооборотный, например, РП1-53 или предназначенный для прецизионной регулировки (по гру-боточной схеме) — СП5-35, СП5-40.

   Если найти такой не удастся, резисторы R2 и R3 можно заменить аналогом — узлом из двух переменных и двух постоянных резисторов, как это сделано в моей конструкции. Схема такого узла изображена на рис. 5. Резистором R1 напряжение устанавливают грубо, a R2 — точно.

   Светодиод можно заменить другими, например, из серий АЛ 102, АЛ307, КИПД, лучше красного цвета свечения. Диодные мосты — КЦ407 с любой буквой, вместо них можно применить отдельные кремниевые диоды с допустимым средним током не менее 200 мА в выпрямителе и 100 мА — в ограничителе тока. Для упрощения конструкции применены микросхемы интегральных стабилизаторов 7812, 7912, 7805 и 7905, отечественные аналоги которых — соответственно КР142ЕН8Б, КР1162ЕН12А, КР142ЕН5А и КР1162ЕН5А.

   Реле — РЭС60 (исполнение РС4.569. 435-07) или аналогичные с двумя контактными группами на переключение.

   Сетевой трансформатор Т1 -любой, обеспечивающий выходные напряжения 2х 15 В и ток не менее 100 мА, его можно взять из сетевого адаптера мощностью не менее 6 Вт. Вторичную обмотку такого трансформатора перематывают для получения нужного двухполярного напряжения. Трансформатор и выпрямитель размещены в корпусе адаптера, а элементы стабилизатора расположены в корпусе прибора. Прибор соединяется с адаптером трехпроводным кабелем.

   Весь измеритель сооран в корпусе одного из мультиметров. При изготовлении прибора мультиметры были вскрыты и после удаления ненужных частей плат объединены в одном корпусе, как показано на рис. 6.


Рис. 6

   Лишние детали — резисторы делителя, переключатель и прочее — удаляют (поэтому поводом для изготовления такого прибора может быть неустранимый дефект переключателя подобного мультиметра). Оставляют только часть платы с микросхемой ICL7106, индикатором, элементами «обвязки» микросхемы и индикатора и кнопками включения, которые выполнят роль переключателей SB1, SB2. Печатные проводники, идущие к этим переключателям, должны быть обрезаны.

   Нижнюю крышку мультиметра обработке не подвергают, а верхнюю придется доработать. У одного прибора крышку спиливают так, чтобы осталась только часть с индикатором и кнопкой. У второго вырезают середину там, где находится переключатель пределов, и на это место вклеивают вырезанную часть конструкции первого прибора. При вырезании частей от верхних крышек сохраняют стойки, в которые ввинчивают винты-саморезы, скрепляющие верхнюю и нижнюю крышки. Сверху, около кнопки, крепят резистор, регулирующий напряжение на затворе. Снизу устанавливают разъем для подключения полевых транзисторов. В качестве разъема использована цанговая панель для микросхем. Середину панели вырезают, и ряд контактов склеивают. Выбор цанговой панели обусловлен высокой износостойкостью.

   В моей конструкции применена небольшая плата из фольгированного текстолита, на которой устанавливают панель, светодиод и реле. В свою очередь, плату двумя винтами крепят к лицевой панели. Лишние отверстия на лицевой панели заклеивают вырезанной по размеру пластиной из пластмассы или электрокартона, на которую приклеивают отпечатанную на принтере накладку, ее вид показан на рис. 7.


Рис. 7

   Большинство транзисторов имеют цилиндрический корпус с меткой-ключом для определения выводов. Контакты разъема для подключения полевых транзисторов соединяются между собой согласно назначению таким образом, чтобы у каждого типа транзисторов было свое место без необходимости уточнять цоко-левку. В предлагаемом варианте транзисторы устанавливают ключом вверх. Соединения отдельного вывода корпуса транзисторов с истоком, а второго затвора транзисторов серий КП306, КП350 — со стоком обеспечивают через разъем перемычками между соответствующими гнездами. Внешний вид готового прибора показан на рис. 8.


Рис. 8

   Перед первым включением прибора необходимо проверить значения выходных напряжений стабилизатора. Налаживание прибора заключается в настройке ограничителя тока и установке образцовых напряжений миллиамперметра и вольтметра. Для настройки ограничителя надо подключить образцовый миллиамперметр между контактами «С» и «И» разъема для подключения измеряемого транзистора, нажать на кнопку «Измерение» и подобрать резистор R1, добиваясь показаний 25…30 мА. Можно заранее подобрать транзистор по параметру ограничения тока, тогда резистор R1 заменяют перемычкой. Далее образцовый миллиамперметр последовательно с переменным резистором подсоединяют к этим же контактам, устанавливают ток 10 мА и резистором настройки образцового напряжения добиваются тех же показаний миллиамперметра прибора. Для настройки вольтметра образцовый вольтметр подключают к выводам «3» и «И», резистором прибора устанавливают напряжение затвора 10 В и резистором регулировки вольтметра прибора устанавливают те же показания.

   Ввиду того что полевые транзисторы могут выйти из строя из-за статического электричества, может быть рекомендована следующая методика работы с прибором. Перед подключением все выводы полевого транзистора следует замкнуть проволочной перемычкой между собой. На приборе устанавливают тип проводимости канала (п- или р-канал), кнопка «Измерение» отжата. Полевой транзистор подключают к своему гнезду, перемычку с выводов снимают, нажимают на кнопку «Измерение» и контролируют его параметры. После измерения отжать кнопку, замкнуть выводы транзистора между собой и вынуть транзистор из панельки.

   С помощью прибора легко диагностировать любой вид неисправности полевых транзисторов. Как показала практика, большинство неисправностей транзисторов сводится к большому току утечки затвора, пробою или обрыву канала либо внутреннему разрыву одного из выводов. Если при нажатии на кнопку «Измерение» напряжение на затворе уменьшится по сравнению с установленным, то имеет место утечка тока с затвора. Показания миллиамперметра не будут нулевыми при любом напряжении на затворе. Во всех других случаях невозможность измерить начальный ток стока и напряжение отсечки говорит о неисправности измеряемого полупроводникового прибора.

   ЛИТЕРАТУРА

  1. Титце У. , Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. — М.: Мир, 1983.
  2. Садченков Д. А. Современные цифровые мультиметры. — М.: СОЛОН-Р, 2001.

   Автор: В. Андрюшкевич, г. Тула

Измерения параметров транзисторов — Документ

ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

А. СОБОЛЕВСКИЙ

Журнал Радио 12 номер 1971 год.

/literature/radio/197112/p43-45.html

Как оценить качество транзистора? Какие параметры транзистора надо знать, чтобы предугадать его работу в приемнике, усилителе? Как измерить эти параметры?

Транзистор является трехэлектродным полупроводниковым прибором. В нем два р-n перехода: эмиттерный — между эмиттером и базой, и коллекторный — между коллектором и базой. Упрощенная схема транзистора, структуры р-n-р изображена на рис. 1. Эмиттерный переход включен в прямом направлении — к эмиттеру подключен положительный, а к базе отрицательный полюса батареи Б1. Ток эмиттера Iэ, текущий через этот р-n переход, быстро растет с увеличением напряжения Uэб.

Напряжение Uэб для маломощного транзистора не должно превышать нескольких долей вольта, иначе эмиттерный переход, будет разрушен.

Коллекторный р-n переход включают, наоборот, в обратном направлении — к коллектору подключают минус, а к базе — плюс питающей батареи. Через переход идет небольшой обратный ток коллектора Iк0. У исправных маломощных транзисторов Iк0 не превышает нескольких микроампер, а у мощных транзисторов — сотен микроампер. Обратный ток коллектора практически не зависит от величины напряжения Uкб.

При одновременном включении обоих р-n переходов транзистора, как это показано на рис. 1, ток цепи коллектора Iк значительно возрастет и будет слагаться из двух его составляющих: обратного тока коллектора Iк0 и части тока эмиттера, проходящей через эмиттерный и коллекторный переходы. Из рис. 1 видно, что не весь ток эмиттера Iэ превращается в ток коллектора, а часть его ответвляется в базу. Таким образом ток базы Iб=Iэ- Iк.

Отношение величины тока коллектора к току эмиттера принято обозначать буквой α («альфа») и называть коэффициентом передачи тока:

Так как ток коллектора Iк меньше тока эмиттера Iэ, то коэффициент α всегда меньше единицы. У хороших транзисторов коэффициент α весьма близок к единице (0,95—0,99).

Вторая составляющая коллекторного тока равна αIэ, то есть ток коллектора Iк=αIэ+Iко.

Ток эмиттера Iэ можно легко менять в больших пределах, изменяя напряжение Uэб. При этом будет изменяться и ток коллектора, так как его составляющая αIэ зависит от тока эмиттера. Но изменение тока коллектора происходит в цепи с большим, чем в цепи эмиттер-база, напряжением, и если сопротивление его нагрузочного резистора Rн достаточно большое (килоомы и более), на нем возникает значительное по величине падение напряжения. Следовательно, если амплитуда изменения напряжения в цепи эмиттерного перехода измеряется сотыми долями вольта, то в цепи коллекторного перехода она будет измеряться уже десятыми долями вольта, то есть произойдет усиление сигнала по напряжению и мощности.

Поскольку коэффициент α всегда меньше единицы, поэтому транзистор, казалось бы, не дает усиления по току. Но это только в том случае, если общим электродом входной и выходной цепей транзистора является база, то есть транзистор включен по схеме с общей базой (см. рис. 1). Но транзистор можно включить по схеме с общим эмиттером (рис. 2), когда общим электродом входной и выходной цепей служит эмиттер. В этом случае входным током является ток базы Iб, и коэффициентом усиления транзистора, обозначаемым буквой β («бета»), будет отношением выходного тока коллектора Iк к току базы то есть

Если в эту формулу подставить выражения для Iк и Iб, уже приведенные здесь, и пренебречь током Iк0, поскольку он очень мал по сравнению с составляющей коллекторного тока αIэ, коэффициент β можно подсчитать по формуле:

Подставьте в эту формулу любое значение α, и вы убедитесь, что коэффициент β всегда больше единицы. Например, при α=0,9 коэффициент β=9. Таким образом, если при включении транзистора по схеме с общей базой происходит усиление по напряжению, то при включении его по схеме с общим эмиттером происходит усиление и по току, то есть входной ток базы Iб всегда меньше выходного тока коллектора Iк.

Чем больше коэффициент β, тем, естественно, больше усиление входного сигнала.

Итак, ток цепи коллектора слагается из составляющей αIэ, управляемой током базы Iб, и неуправляемой составляющей Iк0. Обратный ток коллектора Iк0 так мал, что говорить о том, что он снижает максимальную мощность транзистора и понапрасну растрачивает энергию, питания, можно лишь теоретически. Но беда в том, что ток Iк0 сильно зависит от температуры — такова его физическая природа. Этим он и наносит транзисторной аппаратуре большой вред.

Если базу транзистора соединить с эмиттером через резистор небольшого сопротивления (500—1000 ом для маломощных транзисторов), то в коллекторной цепи установится начальный ток коллектора Iкн=Iк0x(β + 1). Это неуправляемая составляющая коллекторного тока транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Ток Iкн, как видите, зависит от тока Iк0 германиевых транзисторов. Ток Iк0 примерно удваивается на каждые 10°С повышения температуры. И хотя сам ток Iк0 невелик, но при его изменении увеличивается начальный ток коллектора Iкн, который больше его в β + 1 раз.

Например, если ток Iк0 при температуре 20 °С составлял 5 мка, то при увеличении температуры транзистора до 40 °С ток Iк0 возрастет до 20 мка. Возрастание тока Iк0 на 15 мка — это еще не так много. Но если транзистор имеет коэффициент усиления β =25, то начальный ток коллектора изменится с Iкн1=5 (25+l) = 130 мка до Iкн2= 20 (25+1)=520 мка, то есть на 390 мка!

При нормальной работе транзистора к неуправляемой составляющей тока коллектора добавляется управляемая составляющая Iб•β, в связи с чем общая формула коллекторного тока принимает такой вид: IК=IКН+ Iб•β. Таким образом изменение тока Iкн почти на 0,4 ма при увеличении температуры на 20 °С вызовет такое же изменение тока коллектора, а значит и изменение режима работы транзистора и всех параметров транзисторного каскада.

Для борьбы с этим неприятным явлением в транзисторные каскады вводят специальные цепи, компенсирующие изменения токов, вызываемые колебаниями температуры окружающей среды и самого транзистора.

Тем не менее транзистор стараются подобрать с возможно малым обратным током коллектора Iко, чтобы возможно меньшими были температурные изменения коллекторного тока. Что же касается начального тока коллектора Iкн, то он зависит как от величины обратного тока Iк0, так и от коэффициента β. Чем больше Iк0 и β , тем больше ток Iкн.

Выбирая транзистор, надо особое внимание обратить на устойчивость токов Iк0 и IКн — они не должны изменяться самопроизвольно. Транзистор с нестабильными токами Iк0 и Iкн работает неустойчиво.

Как же измерить токи Iк0 и Iкн?

Схема для измерения тока Iк0 показана на рис. 3. На коллектор подается обратное напряжение UK= 2÷5 в. Резистор R0, ограничивающий ток, служит защитой измерительных приборов на случай, если транзистор окажется с пробитым коллекторным переходом. Сопротивление R0 выбирают из условия R0=0,1 Uкб/Iк0. Прибор mА должен показывать единицы микроампер.

Измеренный ток Iк0 позволяет оценить качество только коллекторного перехода транзистора.

А вот по начальному току коллектора Iкн, измеренному по схеме на рис. 4, можно судить о работоспособности уже всего транзистора, так как в этом случае включены оба его р-n перехода. Резистор Rб (для маломощных транзисторов — 500 — 1000 ом, для мощных — 1 — 2 ома) обязательно должен быть включен между базой и эмиттером, иначе результаты измерений будут искажены.

Такие измерения можно производить вольтметром с очень высоким входным сопротивлением.
Надо сказать, что в последнее время ведется работа по унификации обозначения параметров транзисторов. Ток Iк0 все чаще обозначают Iкбо к называют начальным током коллекторного перехода, а ток Iкн обозначают Iкзк и называют начальным током короткого замыкания.

С измерением коэффициента усиления транзистора дело обстоит сложнее. Объясняется это тем, что для более точного определения коэффициентов α и β надо измерять не постоянные токи, как говорилось ранее, Iб, Iэ и Iк, а очень малые приращения этих токов, то есть производить измерения на переменном токе и при малом сигнале:

при неизменном напряжении Uкб

неизменном напряжении U кэ

Эти коэффициенты зависят, кроме того, от тока эмиттера, поэтому для каждого типа транзистора рекомендуют определенный ток эмиттера, при котором значение коэффициента усиления близко к максимальному.

Правда, коэффициенты усиления зависят и от напряжения на коллекторе, но слабо. Эта зависимость сказывается только при очень малых коллекторных напряжениях, при которых транзистор обычно не эксплуатируют, либо при очень больших напряжениях, близких к максимально допустимым. И хотя при повышенных напряжениях коэффициенты усиления резко увеличиваются, такой режим работы транзистора практически не используется, так как очень возрастает опасность пробоя коллекторного перехода.

Итак, чтобы измерить коэффициент усиления транзистора, надо, во-первых, поставить транзистор в определенный режим работы по постоянному току, то есть установить необходимые UK3 и Iэ, а, во-вторых, вести измерение на переменном токе, измеряя малые приращения токов его электродов. Все это усложняет измерения и требует чувствительных и точных приборов, ибо измерять малые приращения токов не так-то просто.

Радиолюбители обычно пользуются более простыми методами измерения коэффициента усиления транзистора. Чаще всего этот параметр измеряют на постоянном токе, то есть измеряют не α или β , а статический коэффициент усиления ВСТ, представляющий собой отношение ВСТ = IК/Iб но при условии, что ток коллектора и ток базы много больше тока Iко.

Коэффициент Вст обычно не равен коэффициенту β при малых токах коллектора он меньше β при больших — больше. Ошибка не столь велика (не более 30—40%) и в любительской практике ею можно пренебречь.

Радиолюбители часто коэффициент Вст измеряют при фиксированном токе базы Iб (рис. 5). В этом случае электроизмерительный прибор, включенный в коллекторную цепь транзистора, показывает ток коллектора Iк, который в Вст раз больше тока Iб. Шкалу прибора можно проградуировать непосредственно в значениях Вст. Казалось бы, просто, но за эту простоту приходится расплачиваться погрешностями измерения.

Дело в том, что при таких измерениях не учитывается влияние начального тока коллектора Iкн=Iко (β+1), а ведь IH=IKH+Iбβ. Ток Iкн зависит от тока Iк0 и коэффициента β, следовательно, у разных транзисторов он будет неодинаков и внесет различную погрешность в измерения. Далее: предполагается, что ток базы всегда один и тот же, поскольку сопротивление Rб велико (ток базы определяют по формуле Iб= Uб/Rб и для маломощных транзисторов устанавливают равным 50—100 мка). Фактически же ток базы определяетЧтобы уменьшить искажения, надо измерять и ток базы, для чего прибор придется несколько усложнить (рис. 6). Пользуясь таким прибором, можно, во-первых, устанавливать два значения тока базы, например, 50 и 100 мка, а во-вторых, производить измерения таким образом, что будет уменьшена погрешность, связанная с влиянием тока Iко. Для этого сначала измеряют ток коллектора Iк1 при положении переключателя В на контакте -1 (ток базы Iб1), затем переключатель переводят в положение 2 и измеряют новые значения токов Iк2 и Iб2. Коэффициент Вст вычисляют по формуле:

Кстати, коэффициент Вст можно измерять при фиксированном токе коллектора, как это показано на рис. 7. Переменным резистором R1 устанавливают ток Iк, равным, например, 1 ма, а шкалу этого резистора градуируют непосредственно в значениях Вст (исходя из предположения, что Вст=Iк/Iб). Резистор R2 ограничивает ток базы.

Подобными простыми приборами вполне можно пользоваться, так как в подавляющем большинстве случаев радиолюбителя транзистор интересует прежде всего с точки зрения его работоспособности. Конечно, при их помощи нельзя определить, что транзистор, например, имеет коэффициент β именно 30, а не 25 и не 35. Но ведь такой точности радиолюбителю и не нужно, она необходима только для инженерных расчетов, когда сначала за письменным столом или на макете определяются допустимые отклонения коэффициентов усиления транзисторов для конкретного устройства, а затем в цехе проводится соответствующий подбор транзисторов. Радиолюбитель же обычно подбирает другие детали устройства под имеющиеся транзисторы, а не наоборот, как это бывает в промышленности.

В заключение скажем, что по новой терминологии коэффициент α, измеренный на переменном токе в схеме с общей базой, обозначают h41б и называют коэффициентом передачи тока; коэффициент β, измеренный на переменном токе в схеме с общим эмиттером, обозначают h41э и называют коэффициентом передачи тока на малом сигнале, а коэффициент Вст обозначают h41э — то же, что h41э, но на большом сигнале.

ЛИТЕРАТУРА

  1. В. П. Морозов. Радиолюбительские приборы дня проверки транзисторов. Изд-во ДОСААФ, 1965.

  2. В. А. Васильев. Радиолюбителю о транзисторах. Изд-во ДОСААФ, 1967.

  3. И. П. Жеребцов. Основы электроники. «Энергия», 1967.

  4. Транзисторы (справочник) под ред. И. Ф. Николаевского. «Связь», 1969.

  5. Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам под ред. Н. Н. Горюнова. «Энергия», 1968

Испытатель Транзисторов

/shemes/showpage/0/92/1.html

В испытателе всего два переключателя, которыми выключают питание и переключают его полярность в зависимости от структуры проверяемого транзистора. Кроме того, помимо определения статического коэффициента передачи h41э, обратного тока коллектора Iкбо, обратного тока эмиттера Iэбо транзистора, прибором можно проверять диоды и оксидные конденсаторы. При этом по стрелочному индикатору испытателя нетрудно определить обратный ток диода или ток утечки конденсатора.
   Для проверки транзистора его выводы вставляют в гнезда XS1-XS3 и нажимают кнопку SB1 или SB2 в зависимости от структуры транзистора. Батарея GB1 подключается к деталям испытателя в той или иной полярности. Вступает в действие стабилизатор напряжения, составленный из стабилитрона VD1 и одного из балластных резисторов — R1 или R2. На базе соответствующего транзистора относительно подвижного контакта переключателя SB2.1 появляется стабилизированное напряжение. Оно необходимо для получения стабильного тока эмиттера испытываемого транзистора, при котором измеряется коэффициент передачи. В данном приборе этот ток выбран равным 3 мА (он зависит от сопротивления резистора R3).
   В зависимости от коэффициента передачи тока испытываемого транзистора, в его базовой цепи, в значит, и через стрелочный индикатор РА1, будет протекать соответствующий ток. По отклонению стрелки индикатора и определяют коэффициент передачи.

 

Рис.1 Принципиальная схема


    Кроме указанных на схеме, в приборе можно использовать другие кремниевые транзисторы соответствующей структуры и со статическим коэффициентом передачи тока не менее 30, а также другие кремниевые диоды (например, Д104А серий Д223, Д220) с прямым напряжением около 1 В. Постоянные резисторы — МЛТ-0,125, подстроенный — любой конструкции. Источник питания — батарея «Крона», переключатели — П2К с самовозвратом. Стрелочный индикатор — типа М906 с током отклонения стрелки на конечное деление шкалы 100 мкА и сопротивлением рамки 850 Ом. Подойдет и другой микроамперметр с аналогичными или близкими (по сопротивлению) параметрами.
   Чтобы не заниматься градуировкой шкалы стрелочного индикатора (она сравнительно трудоемка), можно перенести на нее показания, приведенные на рис. 2, либо составить градуировочную таблицу, в которой каждому значению тока индикатора будет указано соответствующее значение коэффициента передачи. Если шкала используемого микроамперметра других размеров, можно перенести на нее приведенные на рисунке значения известными способами (например, с помощью транспортира). Градуировку шкалы лучше всего проверить, подключая к гнездам прибора транзисторы с известным коэффициентом передачи.
   После изготовления прибора соединяют проволочной перемычкой гнезда XS1 и XS2, а затем нажимают кнопку одного из переключателей. Подстроечным резистором R5 устанавливают стрелку индикатора на конечное деление шкалы — условный нуль отсчета коэффициента передачи. Если подстроечным резистором этого добиться не удается, подбирают резистор R4.
   Чтобы измерить обратный ток коллектора транзистора структуры p-n-p, к прибору подключают только выводы базы и коллектора: первый — и гнезду XS2, второй — к гнезду XS1. Нажимают кнопку переключателя SB1. Для определения же обратного тока эмиттера вывод базы оставляют подключенным к гнезду XS2, а к гнезду XS1 вместо вывода коллектора подключают вывод эмиттера. При этой проверке нажимают кнопку переключателя SB2. Если же будет нажата кнопка переключателя SB1, стрелка индикатора отклонится до конечного деления шкалы.
   Аналогично измеряют эти параметры у транзисторов структуры n-p-n, но нажимают в первом случае кнопку переключателя SB2, а во втором — SB1.
   Проверяя диоды, подключают их выводы к гнездам XS1 и XS2. Тогда при нажатии одной кнопки стрелка индикатора отклонится до конечной отметки шкалы, а другой кнопки — на какой-то угол, соответствующий обратному току диода.
   При проверке конденсаторов их выводы подключают к гнездам XS1 и XS2. Если плюсовой вывод конденсатора подключен к гнезду XS1, нажимают кнопку переключателя SB1. Ток утечки измеряют при установившемся положении стрелки индикатора.

 

Рис.2

Источник: Радио №5, 1987 г., стр.34
Автор: Н. Киверин, г. Яранск, Кировской обл.

Испытатель полевых транзисторов

/?area=news/1252

  В радиолюбительской практике не так уж часто возникает необходимость в применении полевых транзисторов, поэтому многие радиолюбители обычно не утруждают себя постройкой приборов для измерения их основных параметров. Между тем современные полевые транзисторы обладают рядом уникальных качеств, которые, при прочих равных условиях, недоступны их биполярным собратьям. Вспомним лишь некоторые из них: высокое входное сопротивление, большое усиление по мощности, низкий уровень собственных шумов, меньшие искажения формы входного сигнала, отсутствие вторичного теплового пробоя. Даже на заурядных полевых транзисторах серий КП103, КПЗОЗ, КП305 можно собрать всевозможные варианты схем маломощных усилителей, генераторов, детекторов, ключей, при этом созданные узлы могут получиться заметно проще, чем узлы с равноценными свойствами, выполненные исключительно с применением биполярных транзисторов.

   Чтобы эффективно применять усилительные полевые транзисторы в своих конструкциях, кроме максимально допустимых режимов работы, например, таких как максимальные ток стока, рассеиваемая мощность и напряжение сток-исток, желательно знать и другие их основные параметры. К их числу можно отнести начальный ток стока, напряжение отсечки, крутизну вольт-амперной характеристики. Эти параметры индивидуальны для каждого конкретного экземпляра транзистора и могут существенно различаться даже у однотипных транзисторов из одной партии. Для измерения этих параметров и предлагается собрать несложный прибор, схема которого изображена на рис. 5.33. Остальные важные статические и динамические параметры можно найти в справочниках.

   Предлагаемый для сборки прибор позволяет измерять начальный ток стока, напряжение отсечки, а при выполнении несложных вычислений и крутизну вольта-мперной характеристики (усилительные свойства полевого транзистора).

 

 

   Рис. 5.33

   Параметры измеряются с помощью стрелочного микроамперметра РА1, который в зависимости от положения переключателя SB2 измеряет ток стока или напряжение затвор-исток. Оба вида измерений имеют три поддиапазона — 1,5, 15, 30 миллиампер или вольт, которые выбираются трехпозиционным переключателем SB1. Если переключатель SB3 находится в верхнем по схеме положении — «р», то прибором можно проверять транзисторы с р-каналом — КП101, КП103. Если переключатель SB3 установить в положение «п», то тогда можно проверять транзисторы с п-каналом — КП302, КПЗОЗ, КП307 и другие аналогичные.

   Для проверки полевых транзисторов с каналом обедненного типа необходимо двуполярное напряжение питания. Для получения стабилизированного напряжения отрицательной полярности из однополярного прибор оснащен несложным однотактным преобразователем полярности напряжения, выполненным по знакомой многим схеме. На транзисторе VT1, трансформаторе Т1 и их внешних элементах выполнен высокочастотный преобразователь. Каскад на транзисторе VT2 выполняет функции параметрического стабилизатора напряжения -10 В. То, что для питания этого прибора достаточно одного напряжения, позволяет использовать для его питания практически любой источник энергии с одним выходным напряжением 9…12 В, например, батарею «Крона», «Ника» или 7Д-0,125Д. Стабилитрон VD6 — защитный на случай пробоя транзистора VT2. Резистор R15 предназначен для разрядки конденсатора СЗ при отключении питания. Сенсор Е1 предназначен для выравнивания потенциалов статического напряжения прибора и тела человека. Диоды VD1, VD2 защищают микроамперметр от повреждения при возможных перегрузках, например, из-за пробоя проверяемого транзистора. Светодиод HL1 светится при наличии напряжения питания.

   Детали и конструкция. В устройстве можно использовать постоянные резисторы С1-4, С2-23, МЯТ, ВС. Переменный резистор R9 может быть с выключателем питания типа СПЗ-4в, СПЗ-ЗЗ-20 сопротивлением 2,2…4,7 кОм. Конденсаторы С1, СЗ- К50-35, К50-16, К50-19. Остальные конденсаторы любые керамические или пленочные, например, КМ-5, К73-17, К73-39. Кремниевые диоды VD1, VD2 можно взять любые из серий КД521, КД522, КД105, Д223, 1 N4001-1 N4007. Диодный мост VD3 можно заменить на КЦ422 (А-Г), КД906 или четырьмя диодами КД521А. Стабилитроны: VD4 -КС533А, КС527А, 1N4752A, TZMC-33, BZX/BZV55C-33; VD5 -КС207Б, КС211Ж, 1 N4741 A, TZMC-11, BZX/BZV55C-11; VD6 -КС207В, КС212Ж, КС508А, КС512А, 1N4742A, TZMC-12, BZX/BZV55C-12. Светодиод HL1 использован красного цвета свечения, выполненный в прямоугольном корпусе 5и2,5 мм. Без каких-либо ограничений его можно заменить любым из серий L63, L1503, L1513, АЛ307, КИПД40. Транзистор VT1 может быть серий КТ602, КТ611, КТ630, 2SC2331, 2SC2316; VT2 заменяется на КТ502, КТ639, КТ644, 2SA642, 2SA916 с любым буквенным индексом. Трансформатор Т1 можно изготовить на чашечном ферритовом магнитопроводе диаметром 13 мм и высотой 8 мм от генератора тока стирания и подмагничивания отечественного носимого кассетного магнитофона, например, «Электроника-324». Обмотки 1 и 3 трансформатора содержат по 240 витков провода ПЭВ1-0.06, обмотка 2-35 витков провода ПЭВ1-0.06. Обмотки наматывают последовательно согласно нумерации. Между ними прокладывают

   по одному слою тонкой фторопластовой или полиэтилентерефта-латной пленки от конденсаторов. Трансформатор можно намотать и на кольцевом ферритовом магнитопроводе К16x13x4 из феррита М2000НМ1. Число витков обмоток и тип провода те же. РА1 — микроамперметр М4761 от индикатора уровня записи/воспроизведения катушечного магнитофона. Сопротивление рамки этого индикатора постоянному току — 1 кОм. Его можно заменить любым другим с током полного отклонения до 300 мкА, например, М4204, но в этом случае может потребоваться существенная коррекция сопротивлений резисторов R1-R6. Переключатели SB1-SB3 от импортной аудиотехники, при этом SB1 должен быть на три положения, а переключатели SB2, SB3 могут быть и типа ПД-2, 2П4Н от переключателя диапазонов карманного радиоприемника. Для подключения проверяемого транзистора удобно использовать какой-либо разъем с шагом гнезд 2,5 мм или один ряд доработанной 14-выводной DIP-панельки для микросхем [50]. Сенсор Е1 можно сделать из неисправного транзистора в металлостеклянном корпусе, например, МП39.

   На монтажной плате размещают только детали преобразователя. Диоды VD1, VD2 и резисторы R1-R8 припаиваются к контактам переключателей. В авторском варианте прибор собран в корпусе размерами 135x70x35 мм от радиоприемника «Невский».

   Налаживание. Подбором резисторов R1-R3 устанавливают границы диапазонов при измерении напряжения. Начинать следует с подбора резистора R1. Резисторами R4-R6 устанавливают границы диапазонов при измерении тока. Начинать следует с подбора резистора R6. Рамка М4761 обладает небольшой нелинейностью, поэтому наносить деления на новой шкале желательно во время градуировки, например, в положении «1,5 В». Эффектно будет смотреться шкала, нарисованная с помощью компьютера, например, программой «Corel DRAW 11.663» и распечатанная на цветном принтере. Естественно, в зависимости от вкусов, потребностей или наличия рамки с подходящей шкалой можно выбрать и другие пределы измерений. Если преобразователь полярности на транзисторе VT1 не возбуждается, то следует поменять местами выводы обмотки 2. При желании повысить КПД преобразователя, ток потребления которого при отсутствии проверяемого транзистора не должен превышать 20 мА, можно подобрать емкость конденсатора С2.

   Работа с прибором. Вставлять в разъем проверяемый транзистор можно только при выключенном питании, предварительно коснувшись сенсора Е1. При подключении маломощных полевых транзисторов с изолированным затвором, например, таких как КП305, их выводы желательно закорачивать проволочной перемычкой, например, временно обмотав их тонкой проволокой у основания корпуса транзистора. Напряжение отсечки — это напряжение между затвором и истоком, при котором ток стока уменьшается почти до нуля. Начальный ток стока — ток при нулевом напряжении затвор-исток. Крутизну характеристики можно вычислить по простой формуле вмд/в = Д1мА/Д11в, где ДІ, AU — приращение тока стока при соответствующем приращении напряжения затвор-исток.

   Об изменениях конструкции. Если имеется свободный двуполярный источник питания с выходными напряжениями ± 10 В, то можно отказаться от преобразователя полярности напряжения питания. Можно использовать и две батареи «Крона». Если ввести еще один переключатель на два положения, то можно переключать нижний по схеме вывод резистора R9 от общего провода к правому по схеме выводу резистора R6. Это позволит детально проверять полевые транзисторы обогащенного типа, например, такие как КП501, КП505, BUZ90. Измерение напряжения затвор-исток при этом удобнее проводить цифровым вольтметром, подключенным к общему проводу и среднему выводу резистора R9.

   Этим прибором не следует проверять чрезвычайно чувствительные к повреждениям арсенидгаллиевые полевые транзисторы -ЗП324, ЗП344 и другие аналогичные.

    Литература: А. П. Кашкаров, А. Л. Бутов — Радиолюбителям схемы, Москва 2008

Прибор для проверки полевых транзисторов

/referat-169053. html

Прибор позволяет проверять работоспособность полевых транзисторов с p-n-переходом, с изолированным затвором и встроенным каналом (обедненный тип), а также одно- и двухзатворных транзисторов с изолированными затворами и индуцированным каналом (обогащенный тип).

Переключателем S3 устанавливают, в зависимости от типа испытуемого транзистора, необходимую полярность напряжения на стоке. Для проверки транзисторов с затвором в виде p-n-перехода и транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом переключатель S1 устанавливают в положение Обеднение, a S2 — в положение Подложка.

Для проверки транзисторов с изолированными затворами и индуцированным каналом переключатель S1 переводят в положение Обогащение, a S2 — в положение Подложка для однозатворных и Затвор 2 для двухзатворных транзисторов.

После установки переключателей в нужные положения к гнездам разъема XI подключают проверяемый транзистор, включают питание и, регулируя переменными резисторами R1 и R2 напряжения на затворах, наблюдают за изменением тока стока.

Резисторы R3 и R4 ограничивают ток затвора в случае его пробоя или при ошибочной полярности напряжения на затворе (для транзисторов с затвором в виде p-n-перехода). Резисторы R5 и R6 исключают возможность накопления статических зарядов на гнездах разъема XI для подключения затворов. Резистор R8 ограничивает ток, протекающий через миллиамперметр P1. Мост (диоды VI-V4) обеспечивает требуемую полярность тока через измерительный прибор при любой полярности питающего напряжения.

Налаживание прибора сводится к подбору резистора R8*, обеспечивающего отклонение стрелки миллиамперметра на последнюю отметку шкалы при замкнутых гнездах Сток и Исток.

В приборе может быть использован миллиамперметр с током полного отклонения 10 мА или микроамперметр с соответствующим сопротивлением шунтирующего резистора R7*. Диоды V1-V4 — любые, маломощные, германиевые. Номинальное сопротивление резисторов R1 и R2 — в пределах 5,1…47 кОм.

Прибор питается от двух батарей «Крона» или от двух аккумуляторов 7Д-0,1.

Данным прибором можно измерять и напряжение отсечки (прибор Р1 должен быть на ток 100 мкА). Для этого параллельно гнездам Затвор 1 и Исток устанавливают дополнительные гнезда, к которым подключают вольтметр.

Последовательно с резистором R7* включают кнопку, при нажатии на которую шунтирующий резистор отключается. При нажатой кнопке устанавливают ток стока 10 мкА и по внешнему вольтметру определяют напряжение отсечки.

Измерение параметров полевых транзисторов

/izmeren/635-izmerenie-parametrov-polevyh-tranzistorov.html

Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Крутизну транзисторов определяют простейшим расчетом.

По роду своей деятельности мне часто приходится ремонтировать контрольно-измерительную аппаратуру с полевыми транзисторами. Они применяются в модуляторах, входных каскадах усилителей в осциллографах и цифровых вольтметрах, коммутационных устройствах и пр. Например, в вольтметре В7-38 установлено около 30 транзисторов серии КП301. Эти транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, и малейшее несоблюдение технологии монтажа приводит к выходу их из строя. Большинство неисправностей приборов, которые связаны с выходом из строя полевых транзисторов, удается устранить простой заменой, но если транзисторы используют в дифференциальных или «симметричных» каскадах, их необходимо подобрать по основным параметрам.


Рис. 1
К основным параметрам полевых транзисторов относятся начальный ток стока, напряжение отсечки и крутизна характеристики. Определить их, а следовательно, и принять решение о пригодности полевого транзистора к использованию возможно с помощью устройства, схема которого изображена на рис. 1. Изменяя напряжение на затворе и контролируя ток стока, можно узнать все три основных параметра. Для транзисторов с затвором на основе р-n перехода или с изолированным затвором и встроенным каналом начальный ток стока IСнач — это ток стока при нулевом значении напряжения на затворе. Напряжение отсечки U3иотс — напряжение на затворе, при котором ток стока достигает близкого к нулю значения. Крутизна характеристики определяется как отношение изменения тока стока ΔIС (мА) к вызвавшему его изменению напряжения между затвором и истоком ΔUзи (В): S = ΔIС/Δ U3и- Применив в приборе цифровые измерители тока и напряжения, вычислить значение крутизны для транзисторов любой структуры будет несложно.

Крутизна S полевого транзистора с управляющим р-n переходом зависит от напряжения затвор- исток U3и и имеет максимальное значение Smax при напряжении на затворе, равном нулю. Если измерены значения начального тока стока IСнач и напряжения отсечки U3иотс. крутизну можно приблизительно оценить по формулам:

Smax = 2Iснач/Uзиотс

S = √Iснач·Ic/Uзиотс

где напряжение — в вольтах, ток — в миллиамперах, крутизна — в размерности мА/В [1].

Для транзисторов с изолированным затвором крутизну при токе стока Ic и напряжении Uзи можно рассчитать по формуле

S = 2Ic/|Uзи — Uзиотс|

где UЗИотс — напряжение отсечки либо пороговое напряжение (для транзисторов с индуцированным затвором).

На основе макета этого устройства изготовлен прибор для оперативного измерения основных параметров полевых транзисторов и контроля их работоспособности.

Технические характеристики
Измеряемое напряжение на затворе, В …………..-12…+12
Разрешающая способность вольтметра, мВ…………….10
Измеряемый ток стока, мА . .-20… +20
Разрешающая способность миллиамперметра, мкА………10
Погрешность измерения IСнач и Uзи, %, не более ………..1
Ток потребления прибора, мА, не более ………………60


Рис. 2

В приборе есть защита проверяемого транзистора от повреждения.

Схема измерителя изображена на рис. 2. Для изменения напряжения на затворе транзистора используется переменный резистор R2, подключенный к двухполярному источнику питания 2×12 В, что позволяет получить характеристику крутизны любого полевого транзистора малой мощности как с n-каналом, так и с р-каналом. Резистор R3 необходим для ограничения тока затвора. Полярность напряжения на стоке изменяют переключателем SB1. Для исключения перегрузки миллиамперметра использован ограничитель тока на транзисторе VT1 и резисторе R1. Ограничение возникает при токе 25 мА, поскольку максимальный измеряемый ток выбран равным 20 мА. Диодный мост VD1 обеспечивает действие ограничителя при любом направлении тока стока. Реле К1 и К2 предотвращают выход из строя измеряемого полевого транзистора от статического электричества: пока не нажата кнопка «Измерение» SB2, обмотка реле отключена, а контакты для подключения транзистора замкнуты между собой и на общий провод. При измерении кнопка нажата и через контакты реле транзистор подключен к измерительным цепям. Светодиод HL1 сигнализирует о том, что происходит процесс измерения.

Главная часть устройства — миллиамперметр РА1 и вольтметр PV1 — собрана из готовых узлов мультиметров M890D. Основа этих мультиметров — широко известная микросхема ICL7106. Эти приборы выбраны из-за удобного большого корпуса, чтобы снизить трудозатраты при изготовлении измерителя параметров. Питание аналого-цифрового преобразователя (АЦП) мульти-метра — от двухполярного источника питания +5/-5 В, необходимого для микросхем АЦП и остальных частей устройства. Микросхема АЦП имеет такую возможность, если мультиметр доработать так, как показано на фрагменте схемы на рис. 3 (нумерация элементов условная).


Рис. 3
В основном включении, используемом при батарейном питании, выводы 30,32 и 35 соединены вместе. При двух-полярном питании вывод 30 (низкоуровневая цепь АЦП) отключают от этой точки. В этом случае микросхема измеряет разность потенциалов между выводами 30 и 31, при этом вход АЦП отвязан от цепей питания. Единственное условие — напряжение в любой из измерительных цепей не должно превышать напряжения питания АЦП относительно общего провода. Такая доработка описана в [2].

При минимальных переделках микросхема обеспечивает измерение напряжения до 200 мВ без делителей. Для построения вольтметра с пределом 20 В, необходимого для измерения напряжения затвора, использован делитель 1:100, состоящий из резисторов R5 и R6. Для построения миллиамперметра с пределом измерения 20 мА служит резистор R7. При токе 20 мА на нем падает напряжение 200 мВ, которое и измеряет АЦП. Миллиамперметр установлен в цепь истока и измеряет ток транзистора. Такое решение продиктовано невозможностью измерять ток в цепи стока, потому что на измерительных выводах миллиамперметра может присутствовать напряжение, превышающее питающее для микросхемы АЦП. Вольтметр включен между затвором и истоком, поэтому через делитель R5R6 будет протекать ток с максимальным значением не более 12мкА, что будет вызывать ошибку в показаниях миллиамперметра в одну единицу младшего разряда, которая оказывается несущественной.

Схема блока питания прибора изображена на рис. 4.


Рис. 4

Для понижения сетевого напряжения до 12 В используется трансформатор Т1. Далее переменное напряжение выпрямляется диодным мостом VD1 и фильтруется конденсаторами С1, С2. Стабилизаторами двухполярного напряжения +12/-12В служат микросхемы DA1, DA2. Двухполярное напряжение +5/-5 В стабилизирует микросхемы DA3 и DA4. Стабилизаторы включены последовательно для уменьшения падения напряжения на стабилизаторах DA3 и DA4. Схема двухполярного источника питания может быть любой другой; возможно даже использовать автономное питание, например от батарей «Корунд». Для этого потребуется добавить преобразователь напряжения батареи в необходимое для питания остальных узлов измерителя.


Рис. 5

Детали и конструкция. В приборе можно применить следующие детали. Резисторы R5-R7 — С2-29 или другие с допуском не более ±0,5 %, хотя номиналы могут отличаться от указанных на схеме; главное — стабильность сопротивления. Остальные резисторы — любые, например МЛТ0.125. Переменный резистор R2 — многооборотный, например, РП1-53 или предназначенный для прецизионной регулировки (по гру-боточной схеме) — СП5-35, СП5-40.

Если найти такой не удастся, резисторы R2 и R3 можно заменить аналогом — узлом из двух переменных и двух постоянных резисторов, как это сделано в моей конструкции. Схема такого узла изображена на рис. 5. Резистором R1 напряжение устанавливают грубо, a R2 — точно.

Светодиод можно заменить другими, например, из серий АЛ 102, АЛ307, КИПД, лучше красного цвета свечения. Диодные мосты — КЦ407 с любой буквой, вместо них можно применить отдельные кремниевые диоды с допустимым средним током не менее 200 мА в выпрямителе и 100 мА — в ограничителе тока. Для упрощения конструкции применены микросхемы интегральных стабилизаторов 7812, 7912, 7805 и 7905, отечественные аналоги которых — соответственно КР142ЕН8Б, КР1162ЕН12А, КР142ЕН5А и КР1162ЕН5А.

Реле — РЭС60 (исполнение РС4.569.435-07) или аналогичные с двумя контактными группами на переключение.

Сетевой трансформатор Т1 -любой, обеспечивающий выходные напряжения 2х 15 В и ток не менее 100 мА, его можно взять из сетевого адаптера мощностью не менее 6 Вт. Вторичную обмотку такого трансформатора перематывают для получения нужного двухполярного напряжения. Трансформатор и выпрямитель размещены в корпусе адаптера, а элементы стабилизатора расположены в корпусе прибора. Прибор соединяется с адаптером трехпроводным кабелем.

Весь измеритель сооран в корпусе одного из мультиметров. При изготовлении прибора мультиметры были вскрыты и после удаления ненужных частей плат объединены в одном корпусе, как показано на рис. 6.


Рис. 6

Лишние детали — резисторы делителя, переключатель и прочее — удаляют (поэтому поводом для изготовления такого прибора может быть неустранимый дефект переключателя подобного мультиметра). Оставляют только часть платы с микросхемой ICL7106, индикатором, элементами «обвязки» микросхемы и индикатора и кнопками включения, которые выполнят роль переключателей SB1, SB2. Печатные проводники, идущие к этим переключателям, должны быть обрезаны.

Нижнюю крышку мультиметра обработке не подвергают, а верхнюю придется доработать. У одного прибора крышку спиливают так, чтобы осталась только часть с индикатором и кнопкой. У второго вырезают середину там, где находится переключатель пределов, и на это место вклеивают вырезанную часть конструкции первого прибора. При вырезании частей от верхних крышек сохраняют стойки, в которые ввинчивают винты-саморезы, скрепляющие верхнюю и нижнюю крышки. Сверху, около кнопки, крепят резистор, регулирующий напряжение на затворе. Снизу устанавливают разъем для подключения полевых транзисторов. В качестве разъема использована цанговая панель для микросхем. Середину панели вырезают, и ряд контактов склеивают. Выбор цанговой панели обусловлен высокой износостойкостью.

В моей конструкции применена небольшая плата из фольгированного текстолита, на которой устанавливают панель, светодиод и реле. В свою очередь, плату двумя винтами крепят к лицевой панели. Лишние отверстия на лицевой панели заклеивают вырезанной по размеру пластиной из пластмассы или электрокартона, на которую приклеивают отпечатанную на принтере накладку, ее вид показан на рис. 7.


Рис. 7

Большинство транзисторов имеют цилиндрический корпус с меткой-ключом для определения выводов. Контакты разъема для подключения полевых транзисторов соединяются между собой согласно назначению таким образом, чтобы у каждого типа транзисторов было свое место без необходимости уточнять цоко-левку. В предлагаемом варианте транзисторы устанавливают ключом вверх. Соединения отдельного вывода корпуса транзисторов с истоком, а второго затвора транзисторов серий КП306, КП350 — со стоком обеспечивают через разъем перемычками между соответствующими гнездами. Внешний вид готового прибора показан на рис. 8.


Рис. 8

Перед первым включением прибора необходимо проверить значения выходных напряжений стабилизатора. Налаживание прибора заключается в настройке ограничителя тока и установке образцовых напряжений миллиамперметра и вольтметра. Для настройки ограничителя надо подключить образцовый миллиамперметр между контактами «С» и «И» разъема для подключения измеряемого транзистора, нажать на кнопку «Измерение» и подобрать резистор R1, добиваясь показаний 25…30 мА. Можно заранее подобрать транзистор по параметру ограничения тока, тогда резистор R1 заменяют перемычкой. Далее образцовый миллиамперметр последовательно с переменным резистором подсоединяют к этим же контактам, устанавливают ток 10 мА и резистором настройки образцового напряжения добиваются тех же показаний миллиамперметра прибора. Для настройки вольтметра образцовый вольтметр подключают к выводам «3» и «И», резистором прибора устанавливают напряжение затвора 10 В и резистором регулировки вольтметра прибора устанавливают те же показания.

Ввиду того что полевые транзисторы могут выйти из строя из-за статического электричества, может быть рекомендована следующая методика работы с прибором. Перед подключением все выводы полевого транзистора следует замкнуть проволочной перемычкой между собой. На приборе устанавливают тип проводимости канала (п- или р-канал), кнопка «Измерение» отжата. Полевой транзистор подключают к своему гнезду, перемычку с выводов снимают, нажимают на кнопку «Измерение» и контролируют его параметры. После измерения отжать кнопку, замкнуть выводы транзистора между собой и вынуть транзистор из панельки.

С помощью прибора легко диагностировать любой вид неисправности полевых транзисторов. Как показала практика, большинство неисправностей транзисторов сводится к большому току утечки затвора, пробою или обрыву канала либо внутреннему разрыву одного из выводов. Если при нажатии на кнопку «Измерение» напряжение на затворе уменьшится по сравнению с установленным, то имеет место утечка тока с затвора. Показания миллиамперметра не будут нулевыми при любом напряжении на затворе. Во всех других случаях невозможность измерить начальный ток стока и напряжение отсечки говорит о неисправности измеряемого полупроводникового прибора.

ЛИТЕРАТУРА

1.Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. — М.: Мир, 1983.
2.Садченков Д. А. Современные цифровые мультиметры. — М.: СОЛОН-Р, 2001.
Автор: В. Андрюшкевич, г. Тула

Два испытателя транзисторов.

/load/54-1-0-678

Испытатель маломощных транзисторов.

 

Его принципиальная схема приведена на рисунке.

Испытуемый транзистор подключается к зажимам ХТ1-ХТ5. Источник стабильного тока собран на VT1-VT2. SA2 — можно установить ток эмиттера 1мА или 5мА. SA1 — род работы измирения h41э или Iкэк.

SA3  — выбор  структуры транзистора  n-p-n или p-n-p.

Питание на прибор подается кнопочным переключателем только на время измерения параметров транзистора. 

 

В качестве индикатора используется микроамперметр на 50мкА, шкалу его необходимо немного переделать как показано на рисунке.

И
спытатель мощных транзисторов.

 

 Испытывают мощные транзисторы при больших токах, в данном приборе выбранны 0,1А и 1А.

 

Назначение переключателей показаны на схеме и в пояснении не нуждаются.

 

Детали

Т1 — любой со вторичной обмоткой расчитанной на 6,3В переменного напряжения и токе нагрузке более 1 А.

 

Так же как и в предыдущей схеме шкалу стрелочного индикатора необходимо немного переделат как как показано на рисунке.

«Бетник» для мощных транзисторов

/practice/diy-tech/959-betnik-dlja-moshhnykh-tranzistorov.html

Описана конструкция прибора для измерения кєффициента усиления мощных транзисторов.

Несмотря на то, что народ массово кинулся в ламповое и микросхемное усестроение, а на «рассыпухе» — на половые 😀 транзисторы, все еще значительную долю занимают «рассыпные» УМЗЧ на биполярных «выхлопниках». Тем более, подобные аппараты постоянно попадаются для ремонта. Не вызывает сомнений постулат, что для минимизации искажений требуется попарный подбор комплементарных транзисторов по крайней мере по коэффициенту их усиления. Особую важность это приобретает для мощных (сценических) УМЗЧ, в которых используется по несколько запараллеленных «выхлопников».

Если для подбора маломощных транзисторов достаточно «китайских» мультиметров с режимом «бетирования», то для мощных транзисторов (по крайней мере отечественных транзисторов старых разработок), проблема измерения коэффициента их усиления (h41e) осложняется еще и тем, что он существенно зависит от тока коллектора. Следовательно, измерять h41e приходится при по крайней мере двух значениях коллекторного тока.
Общий вид «бетника» показан на рис.5.

 

Как-то попались мне для ремонта несколько мощных УМЗЧ, на выходе которых в каждом плече стояло по 4…8 транзисторов КТ864/865. Покупать по несколько коробок с последующим отбором дома — выходило крайне накладно. Поэтому за день по-быстрому сваял «бетник» (конструкция которого и приводится), с помощью которого отобрал нужное количество согласованных транзисторов прямо на рынке.

Схемотехника «бетника» (рис.1), в принципе, известная.

Он представляет собой микросхемный стабилизатор тока с выходным регулирующим транзистором, коллекторный ток которого и стабилизируется. Его h41e измеряется по току, поступающему в базу транзистора стрелочным измерительным прибором PA1, включенным в диагональ диодного моста, что исключает необходимость коммутации при испытании транзисторов разной структуры. Дополнительный умощняющий каскад на транзисторах VT1-VT2 нужен чтобы не перегружать выход ОУ при тестировании транзисторов с малыми значениями h41e при большом коллекторном токе. На схеме не показана кнопка, кратковременно подающая питание на всю схему, что позволяет экономить автономные источники питания и защищает измерительный прибор при проверке пробитых транзисторов, при неправильном их подключении или при неправильном выборе проводимости. Двухцветный светодиод VD1 индицирует, кроме наличия питания, и полярность тестируемого транзистора (красный — n-p-n, зеленый — p-n-p).

Измерения проводятся при коллекторном токе 50 и 500 мА, выбираемых переключателем SA3. Измерения h41e проводятся в трех диапазонах, выбираемых переключателем SA2 с минимальными значениями 10, 30 и 100. Относительным недостатком является «обратная» и существенно неравномерная шкала измерительного прибора (рис.2).

Опорное напряжение для стабилизатора тока задается стабилитронами VD2-VD3, включенными встречно-последовательно. Их следует подобрать по одинаковому напряжению стабилизации. В принципе, оптимальным вариантом было бы использование двуханодного термокомпенсированного стабилитрона, но мне они на напряжение стабилизации менее 6,2 В как-то не попадались, а опорное напряжение желательно бы делать поменьше — тогда на испытуемом транзисторе падает бОльшая часть напряжения питания, что тоже важно для правильного измерения (например, h41e у КТ8101/8102 существенно падает при коллекторном напряжении мене 5 В). Переключение полярности напряжения, поступающего на формирователь опорного напряжения и испытуемый транзистор разных типов производится переключателем SA1.

Номинал эмиттерного резистора R11, задающего коллекторный ток 50 мА, приходится подбирать в зависимости от полученного опорного напряжения (рис.3).



При этом измерительный мост просто перемыкается накоротко. Номинал эмиттерного резистора R10, подключаемого параллельно R11 для задания тока 500 мА должен быть в 9 раз меньше, чем у R11.

Номиналы резисторов измерительной части (рис.4) расчитаны для головки на ток 100 мкА сопротивлением 550 Ом. Для других головок их придется пересчитать.

Настройка производится при отключенном от генератора тока диодном мосте. При невозможности точного подбора номиналов низкоомных резисторов ставится ближайшего бОльшего номинала, параллельно которому — более высокоомный, чтобы получить нужное сопротивление.

Питается он от любого сетевого адаптера на напряжение 12…15 В и ток до 500 мА, либо от комплекта батарей на то же напряжение. В оригинальном варианте сетевой трансформатор с выпрямителем и фильтрующим конденсатором встроен прямо в корпус прибора.

Пользуюсь этим прибором уже более 4-х лет. «Полет — нормальный» 😀 . В архиве — схемы в формате sPlan betnik.rar [66,22 Kb] (cкачиваний: 102)

Как подобрать транзистор 🚩 поиск транзистора по параметрам 🚩 Ремонт и сервис

Инструкция

Нагрузка транзистора включается между шиной питания и коллектором прибора. Если напряжение на этой шине положительное, используйте транзистор структуры n-p-n, а если отрицательное — структуры p-n-p. Учтите, что управляющий сигнал, подаваемый на базу, должен иметь ту же полярность, что и напряжение питания.

Если транзистор будет работать в аналоговом режиме, поделите напряжение питания пополам и умножьте на половину максимального тока нагрузки. Это и будет мощность, рассеиваемая на приборе в самых неблагоприятных условиях — когда он открыт ровно наполовину. Если же он работает в ключевом режиме, максимальная мощность, рассеиваемая на нем, будет значительно меньше. Чтобы ее узнать, умножьте падение напряжение на транзисторе в полностью открытом состоянии (обычно оно составляет лишь десятые доли вольта) на номинальный ток нагрузки. Руководствуясь максимальной рассеиваемой мощностью, примите решение о том, необходим ли прибору радиатор.

За максимальный ток в открытом состоянии примите максимальный ток, потребляемый нагрузкой, а за максимальное напряжение в закрытом состоянии — напряжение источника питания. Эти параметры транзистора должны превышать значения, имеющие место в схеме, хотя бы в полтора раза.

Коэффициент передачи тока выберите в зависимости от того, каким должно быть соотношение между током управления и током нагрузки. Например, если этот показатель равен 50, то ток нагрузки может превышать ток управления минимум в 50 раз. Исходя из этого, подберите номинал резистора в цепи базы.

Если нагрузка является индуктивной, параллельно ей включите диод в полярности, противоположной аналогичному показателю источника питания.

Найдите в справочнике транзистор, все характеристики которого с некоторым запасом превышают подобранные. Не допускайте работу прибора при двух и более предельных значениях параметров. Установив выбранный вами транзистор в устройство, дайте ему поработать в течение нескольких часов, затем выключите, разрядите в нем конденсаторы и измерьте температуру транзистора. Она не должны превышать 50 градусов.

Транзистор биполярный — определение цоколёвки и параметров — Транзисторы биполярные — РАДИОДЕТАЛИ — Каталог статей

 

  Много практически важного о биполярном транзисторе можно узнать не заглядывая в справочную литературу, а имея под рукой  цифровой мультиметр и изложенную ниже методику на вооружении. 

    В частности для правильного включения транзистора в схему важно как минимум точно знать его проводимость и расположение выводов (цоколёвку).

    Для этого включаем цифровой мультиметр в режим измерения сопротивления на предел, отмеченный значком (). Данный режим предназначен для тестирования P-N переходов. Его особенностью является то, что индицируемое значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на переходе в милливольтах. Далее поочередно подключать его щупы к парам выводов транзистора, передвигаясь по кругу (рис.1).

 

Рис.1

     Вывод, при подключении к которому прибор покажет малое значение сопротивления по отношению к двум другим и есть вывод базы.

     Полярность щупа мультиметра, подключённого при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора, укажет на тип транзистора: если это «+» — транзистор структуры n-р-n, если «—» — структуры р-n-p. Численные значения прямого напряжения на переходах равны:
                          • 500 – 800 мВ для кремниевых транзисторов;

                               • 200 – 400 мВ для германиевых транзисторов.

     Может случиться, что не удастся подобрать такой вывод транзистора, который был бы определен по указанной методике как вывод базы. Это будет означать, что транзистор, скорее всего, неисправен.

     Теперь осталось определить какой из оставшихся 2-х выводов является коллектором, а какой эмиттером. При определении выводов коллектора и эмиттера можно придерживаться простой закономерности — Прямое напряжение на переходе база-эмиттер (б-э) всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе база-коллектор (б-к). 

     Это правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод (Рис.2). 


Рис.2

Определение основных параметров транзистора

     Если вы обнаружили неисправный транзистор в схеме, его следует заменить. На корпусе неисправного биполярного транзистора необходимо считать его марку, и подобрать (купить или выковырять из нового папиного телевизора) точно такой же. Если вы не смогли найти для замены вышедшего из строя транзистора прибор такой же марки, можно подобрать его аналог — другой транзистор, по своим параметрам не хуже вышедшего из строя.

     Аналог естественно должен быть той же проводимости, что и заменяемый. Для принятия технически грамотного решения при подборе аналога необходимо воспользоваться справочной информацией (даташитом), который легко найти, вбив в любой поисковик марку транзистора. 

      На какие же параметры следует обратить внимание? А вот на такие:

• Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер – Uкэ.макс.;
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора – Iк.макс.;
• Статических коэффициент передачи тока h31э;
• Граничную частоту коэффициента передачи тока fгр.

    Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ.МАКС. отобранного транзистора должно быть как минимум в два раза больше рабочего питающего напряжения. 

    Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iк.макс. определит максимальный ток коллектора, который транзистор сможет выдержать без повреждения.

    Статический коэффициент передачи тока h31э характеризует способность транзистора усиливать слабый сигнал.

     Граничная частота коэффициента передачи тока fгр определяет диапазон рабочих частот транзистора (Если вы установите подходящий, НО низкочастотный транзистор в высокочастотные цепи он работать НЕ БУДЕТ).

     Вот все эти параметры подобранного аналога должны быть не меньше чем у сгоревшего.

    Возможно, однако ситуация (редко но бывает), при которой в схему производителем установлен транзистор с параметрами гораздо большими, чем этой самой схеме требуется. Если имеется понимание как работает схема и какие величины токов и напряжений в ней присутствуют, то можно и отклониться от данного указания.

Все своими руками Схема транзистора КТ827

Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013

Аналог КТ827А

     Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

     Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

     Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

     При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

     Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

     В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

     На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

     Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

     Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Просмотров:86 666


Радиоэлектроника для чайников. Страница 98

Радиоэлектроника для чайников. Страница 98 (Этот термин, как и предыдущий, касается биполярного транзистора. Для полевого транзистора терминология незначительно отличается. — Примеч. ред.) > Максимальный ток коллектора. > Максимальная рассеиваемая мощность. > Максимальная рабочая частота. Я не бездушная железяка, я — транзистор! На сегодняшний день можно перечислить несколько тысяч различных транзисторов, выпускаемых более чем двумя дестяками производителей. Как же можно их различить? Каждый тип транзистора характеризуется его кодом: как, например, 2N2222 или MPS6519. По этой причине, если вам необходимо переделать схему, взятую из книги или с веб-сайта, используйте код транзистора, чтобы найти соответствующую замену. Если замена отсутствует, то чаще всего можно найти близкий по характеристикам аналог. Производители транзисторов даже выпускают руководства и перечни замен, позволяющих подобрать близкий по параметрам аналог. Такое руководство есть, например, и у фирмы NTE, одного из основных реселлеров транзисторов, и использовать его можно, прямо находясь он-лайн по адресу www.nteinc.com. (В русскоязычном Интернете можно посетить сайт научно-технического портала (http://electroru.es/3na-log.shtml) или фирмы Платан (http://www.piatan.ru/crossref.html.-Примеч. ред.). Ни один из важнейших параметров транзистора вы не найдете прямо на корпусе — это было бы слишком просто, не правда ли? Чтобы определить характеристики, нужно тщательно изучить спецификацию элемента или обратиться к технической документации на веб-сайте фирмы-производителя. Однако для того, чтобы впаять транзистор в схему, совсем не обязательно в совершенстве владеть подобной информацией и даже понимать ее целиком; вероятно, вы без особых проблем подберете интересующий вас транзистор и успешно вставите в схему. Предыдущая страница      Следующая страница

Подборка документации

Паспорт на акустическую систему 35АС-015 с пассивным излучателем

Руководство по эксплуатации на электропроигрыватель Вега ЭП-122 С (со схемами)

Паспорт со схемой на немецкую магнитолу Intel, год выпуска 1970 +/- немного (никто точно не помнит)
из особенностей магнитолы можно указать часы/будильник с камертоновым тактированием и транзисторно-трансформаторный усилитель
звучала она по тем временам очень неплохо

Схема на Intel в jpg

Схема на магнитолу Sharp WF-T380H в jpg
магнитола ничем не примечательна, за исключением одного кассетоприемника на 2 кассеты.

Паспорт со схемой на магнитофон «Комета МГ-201м»
ламповый катушечный магнитофон, год выпуска 1972

Сигма-дельта АЦП и ЦАП


Очень рекомендую вместо задавания вопросов начального и среднего уровня в форумах скачать этот архив. Вы найдете ответы на многие вопросы, такие как апгрейд колонок и усилителей произведенных в СССР, поиск схем ламповых усилителей, параметров динамиков, рекомендации по выбору резисторов/конденсаторов/трансформаторов, усилители на микросхемах TDA, вопросы по УМЗЧ ВВ Н.Сухова, вопросы по проигрывателям виниловых дисков, кабелям в звукотехнике… И это я перечислил лишь малую часть того, что вы можете найти.
Используются технологии uCoz

Краткое и очень простое руководство по выбору транзистора

Вы изо всех сил пытаетесь выбрать транзистор для своего будущего проекта? Не заставляет ли вас нервничать мысль о выборе подходящего транзистора? Если да, то вы попали в нужное место!

В этом посте мы проведем вас через процесс выбора подходящего транзистора в соответствии с вашим приложением. Планируете ли вы использовать транзистор в качестве переключателя или усилителя, у нас есть все необходимое!

Прежде чем перейти к процессу выбора транзистора, давайте сначала разберемся, что такое транзистор.В основном существует два типа транзисторов — BJT (биполярные переходные транзисторы) и полевые транзисторы (полевые транзисторы). Транзисторы служат для усиления или переключения в большинстве электронных схем. Подаваемые на его выводы напряжения определяют режим работы транзистора.

Транзисторы состоят из двух типов областей — p-типа и n-типа. Эти области создаются путем добавления примесей в полупроводник (обычно кремний), и этот процесс называется легированием. Чтобы сформировать область p-типа, бор используется в качестве легирующего материала.Поскольку бор имеет три электрона на внешней оболочке, он соединяется с тремя электронами кремния, оставляя «дырку» на месте четвертого электрона. Так образуются дырки, и они производят положительный заряд, поэтому область называется областью «p-типа».

Аналогичным образом, чтобы сформировать область n-типа, используется фосфор (имеющий пять валентных электронов). Четыре его электрона соединяются с четырьмя электронами кремния, и один электрон остается свободным для перемещения. Это создает общий отрицательный заряд, и, следовательно, область называется областью «n-типа».

BJT — это полупроводниковое устройство, состоящее из двух p-n-переходов, соединенных взаимно встречно. Он может иметь два типа конфигурации — PNP или NPN, в зависимости от концентрации легирования. Обычно кремний используется в качестве подложки внутри BJT и легируется в соответствии с требованиями к напряжению и току. BJT имеет три вывода — базу, эмиттер и коллектор. Если это транзистор PNP, вывод базы подключается к области n-типа, а выводы коллектора и эмиттера подключаются к каждой из двух областей p-типа.

У полевых транзисторов

также есть три клеммы, как у BJT, но они сделаны с использованием только одного типа материала в качестве основной подложки, то есть либо p-типа, либо n-типа. Три терминала называются затвором, стоком и истоком. Затвор подключен к основной подложке, а исток и сток подключены к сильно легированным областям p-типа или n-типа.

При работе в качестве усилителя транзистор преобразует низкий входной ток в большой выходной ток, давая усиленный ток на выходе.При работе в качестве переключателя транзистор принимает небольшой ток в качестве входа и использует его для управления большим током в другом месте, следовательно, меньший входной ток включает больший ток.

Чтобы понять, как ток течет через транзистор, рассмотрим два p-n перехода, соединенных взаимно встречно. Основными носителями в области n-типа являются электроны, а в области p-типа — дырки. Учитывая, что у нас есть транзистор NPN, и мы прикладываем отрицательное напряжение к области n-типа (эмиттер), электроны уходят от отрицательного напряжения в область p-типа (базу).Мы понимаем, что область эмиттер-база смещена вперед.

Электроны, которые вошли в область p-типа, некоторые из них рекомбинируют с дырками, присутствующими в базе, в то время как другие продолжают течь к коллектору, составляя ток коллектора. Число электронов, поступающих в область коллектора, можно изменять, управляя базой. Переход коллектор-база имеет обратное смещение, поскольку на коллектор подается положительное напряжение.

Теперь мы знаем, что транзисторы работают, когда электроны текут от эмиттера к коллектору через базу, и, изменяя концентрацию легирования и приложенные напряжения на каждом из трех выводов, можно управлять режимом работы транзистора.

Перед тем, как подавать какое-либо напряжение на свой транзистор, обязательно обратитесь к его таблице данных и выясните, какая из его ножек является базой, какая — эмиттером, а какая — коллектором. Как только вы это поймете, вы можете подавать на него питание. Если вы подключите свой транзистор неправильно, велика вероятность, что вы получите решетчатый транзистор и запах гари!

Обычно при подключении транзистора в качестве усилителя переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, а область база-коллектор — в обратном направлении.Например, если вы используете транзистор NPN, то вы должны подключить положительный источник напряжения к области p-типа (базу), а отрицательный вывод — к эмиттеру, который состоит из материала n-типа. Это делает переход база-эмиттер смещенным вперед. Аналогичным образом, для обратного смещения перехода коллектор-база необходимо подать положительное напряжение на коллектор и отрицательное напряжение на базу. Вход в усилитель подается через переход эмиттер-база, а выход получается из коллектора.

При подключении транзистора в качестве переключателя обычно заземляют эмиттер и подают сигнал переключения в качестве входа на базу. Выходная нагрузка подключена к коллектору, который транзистор будет включать и выключать с помощью сигнала, подаваемого на базу. Транзистор работает в областях «насыщения» и «отсечки», когда он включен и выключен соответственно.

Вот некоторые из ключевых характеристик транзисторов, которые вы должны понять, прежде чем покупать транзистор для вашего будущего проекта.

Ток коллектора

Максимальный ток коллектора для обычных транзисторов измеряется в миллиамперах, а у силовых транзисторов — в амперах. Максимальное значение тока коллектора, указанное в паспорте транзистора, не должно превышаться.

Напряжение насыщения

Чтобы транзистор работал в режиме насыщения, между коллектором и эмиттером должно быть приложено определенное напряжение. Вы можете легко найти это напряжение, указанное как V CE в техническом описании транзистора.Это напряжение должно присутствовать между коллектором и эмиттером, чтобы транзистор мог войти в режим насыщения.

Напряжение пробоя

Два напряжения пробоя — напряжение пробоя коллектор-база и напряжение пробоя коллектор-эмиттер являются важными характеристиками транзисторов. Эти значения не должны превышаться во время работы, потому что повышенное напряжение может повредить ваш транзистор.

Текущее усиление

Другой важной характеристикой является коэффициент усиления транзистора по прямому току, обозначаемый как β.Небольшой входной ток на базе используется для увеличения тока на коллекторе. Ток в базе усиливается согласно значению β.

Эта характеристика используется в усилителях на основе транзисторов, которые обычно используются в схемах RF и других схемах усиления звука. Для разных приложений требуются разные коэффициенты усиления по току, поэтому важно проверять значение β при выборе транзистора.

Материал

Обычно транзисторы изготавливаются из кремния в качестве основной полупроводниковой подложки.Это связано с тем, что кремний обладает превосходными свойствами и предлагает напряжение перехода около 0,6 вольт. Для изготовления транзисторов также используются другие полупроводниковые материалы, но они обладают другими свойствами и имеют другое напряжение на переходе.

Полярность

Как объяснялось в предыдущих разделах, транзисторы могут быть PNP или NPN. Это влияет на полярность выходного напряжения. Обычно нам требуется положительное выходное напряжение, поэтому транзисторы NPN обычно используются во многих приложениях.

Выбирая транзистор для своего проекта, вы должны быть уверены в исходном напряжении, рассеиваемой мощности и рабочих токах, которые будут использоваться в проекте. Это позволит вам решить, какой транзистор выбрать, исходя из вышеперечисленных параметров — напряжения насыщения, напряжения пробоя, тока коллектора, усиления по току. Вы можете найти эти параметры в инструкции производителя, прилагаемой к транзистору. Более того, вам нужно увидеть, требуется ли вам положительная полярность на выходе или отрицательная, как описано выше.

Убедитесь, что значения тока и напряжения не превышают максимальные значения, указанные производителем, иначе вы можете разрушить свой транзистор.

CH02.dvi

% PDF-1.3 % 1 0 obj> эндобдж 2 0 obj> поток Acrobat Distiller 7.0 (Windows) 2014-09-03T18: 41: 51 + 05: 30Adobe Illustrator CS5.12014-09-03T18: 41: 51 + 05: 30

  • 208256JPEG / 9j / 4AAQSkZJRgABAgEASABIAAD / 7QAsUGhvdG9zaG4AAQAlAuAlasaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa AQBIAAAAAQAB / + 4ADkFkb2JlAGTAAAAAAf / bAIQABgQEBAUEBgUFBgkGBQYJCwgGBggLDAoKCwoK DBAMDAwMDAwQDA4PEA8ODBMTFBQTExwbGxscHx8fHx8fHx8fHwEHBwcNDA0YEBAYGhURFRofHx8f Hx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8fHx8f / 8AAEQgBAADQAwER AAIRAQMRAf / EAaIAAAAHAQEBAQEAAAAAAAAAAAAQFAwIGAQAHCAkKCwEAAgIDAQEBAQEAAAAAAAAA AQACAwQFBgcICQoLEAACAQMDAgQCBgcDBAIGAnMBAgMRBAAFIRIxQVEGE2EicYEUMpGhBxWxQiPB UtHhMxZi8CRygvElQzRTkqKyY3PCNUQnk6OzNhdUZHTD0uIIJoMJChgZhJRFRqS0VtNVKBry4 / PE 1OT0ZXWFlaW1xdXl9WZ2hpamtsbW5vY3R1dnd4eXp7fh2 + f3OEhYaHiImKi4yNjo + Ck5SVlpeYmZ qbnJ2en5KjpKWmp6ipqqusra6voRAAICAQIDBQUEBQYECAMDbQEAAhEDBCESMUEFURNhIgZxgZEy obHwFMHR4SNCFVJicvEzJDRDghaSUyWiY7LCB3PSNeJEgxdUkwgJChgZJjZFGidkdFU38qOzwygp 0 + PzhJSktMTU5PRldYWVpbXF1eX1RlZmdoaWprbG1ub2R1dnd4eXp7fh2 + f3OEhYaHiImKi4yNjo + DlJWWl5iZmpucnZ6fkqOkpaanqKmqq6ytrq + v / aAAwDAQACEQMRAD8A7PmzeedirsVdirsVdirs VdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVQ8zNzK9tskGuRWGQ8ePbDTG0y0Bm / Tdutfh 5Nt / sTlWb6C5OkP70KGSYOxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2K qM8tQY6fT + OSAa5S6LOY9PhT6fprhpF7UmXl + X / cxbx0 / bff / YnKcw9JcnSS / eAMl / w1pf8AK / 8A wWYvjydl + Txu / wANaX / K / wDwWPjyX8njd / hrS / 5X / wCCx8eS / k8bv8NaX / K // BY + PJfyeN3 + GtL / AJX / AOCx8eS / k8bv8NaX / K // AAWPjyX8njd / hrS / 5X / 4LHx5L + Txu / w1pf8AK / 8AwWPjyX8njd / h rS / 5X / 4LHx5L + Txu / wANaX / K / wDwWPjyX8njd / hrS / 5X / wCCx8eS / k8bv8NaX / K // BY + PJfyeN3 + GtL / AJX / AOCx8eS / k8bv8NaX / K // AAWPjyX8njd / hrS / 5X / 4LHx5L + Txu / w1pf8AK / 8AwWPjyX8n jd / hrS / 5X / 4LHx5L + Txu / wANaX / K / wDwWPjyX8njd / hrS / 5X / wCCx8eS / k8bv8NaX / K // BY + PJfy eN3 + GtL / AJX / AOCx8eS / k8bv8NaX / K // AAWPjyX8njd / hrS / 5X / 4LHx5L + TxoK60XS0doxESRT4i x + eWRyyaZ6bGDVKf6G0zgF9Lp35N / XD4smP5eFckXp + l2EV3HJFFRwWKvyJ6g ++ QnkkQ24cEBIEB Osx3OdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVQF1T126duw8Pc5bH k48 + ajt7fcv9cLBVtafWF6d / DwPhglyZw5phlTkOxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2Kux V2KuxV2KuxV2KuxV2Kpdd0 + sNt4fqGWx5ONk5qW3h + vCxVrSn1hNvHx8DglyZ4 + aYZU5DsVdirsV dirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdiqX3rReow / b2qffb + GWwtx8hFqQaH0 + / Ohrt37Yd2FilWyMfqrv8e / b2wTZ46tMMqch3KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2Kux V2KuxV2KuxV2KuxVL70Req38 + 337fwy2N04 + SrUQsXDf7dD9 / bDuwoUqWQT1l / n3 / VgnyZY6tMsq cl2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxVL7sD13qR2618PbLY8nG yc1IBadV / wCGwsVW0C + ulCO / Svh74JcmePmmGVOQ7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7 FXYq7FXYq7FXYq7FXYql92lZ2 + jx8PllsTs4 + QbqQjNP7D / TDbClW0QidPDfx8D7YJHZnjG6YZU5 DsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdiqX3yKJGblVjTbw2plsC42 UbqCovpci +++ 38MlbADZWsVHqKxbcVHH6MjNniG6Y5U5LsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirs VdirsVdirsVdirsVdirsVdiqW3I5XjLWg2 / 4jlseTjTFyUWUCXgDUbb5LowI3VrZeN4ig16 / qORl yZwFSTLKnJdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVSe + u4FvZYy5 DoAzAKTQcQa7DLojZxMkhxFDjULRiKSVr0 + Ft / wyfCWvxAr6dfWst5GkcnJjWgoR0B8RkZxIDPFM GQTnKHMdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVYrrDAardgsU + AA d61QbfTmVj + kOuzh2lLkPExnkVIauwJ49N8saAjNC5DWYQV4mrim5pRG2yGT6W3T / wB4GX5iOzdi rsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVYnrhA1Wc + IUdj1QDMrH9Lrd R9ZS81BUbbfI9RXLGhHaGjfpaBxyMfKQBj0rwY / fTIZPpbtOPWGXZiOzdirsVdirsVdirsVdirsV dirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVYnrrEanOOx4f8QGZWP6XW6j6yl7N + 8AC0Hw / CQd + l fDrljQTuj9FBOr27Egk8yaAdCr + Hv + GV5PpLfg + sfjvZbmK7J2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2K uxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxVi2uRsdSkbifiKAHsfhGw2zJxnZ12oHrS5yDQk7ihHXtt + rLG ko3Qj / uVgooQfHsK7 / C3iTkMn0tmn + sMtzFdm7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXY q7FXYq7FXYq7FXYqxjW1B1F / i6OhZd9hwX4uuZOPk6 / P9SAoxITYH6O5puTljSidCC / pS3oST8ZN f9Vshk + ktmn + sMtzFdk7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYqxX XC36UkAYD4kIBp1CLucysf0uu1h2oAAkMRuFBavhTJtKO0QMNUhUjdeW + 9aFCflTfIZPpbsh2hle YrsXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FWK64FOqSkoPh5VrX4v hGZWP6XXaj6ygRsjbmjCnFR79 + mTaUdogB1SFtwTyND2 + A1HT7vbIZPpbsh2hlWYrsXYq7FXYq7F XYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FUn1C1tnu5HdAXNKnfwGXQJpxMsQZKUe nWpYEoAoO5JNMkZFgMYVrKzt4r6NkUVAbcEnqDkZSJDPHACQTfKXLdirsVdirsVdirsVdirsVdir sVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVS67dxcOAxA22B9stiNnGyE2pAM7VJ2HUk5JjzVLYUvFA NRvv9ByMuTKA9SZZU5LsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdiqAu pWWdwO1O7eHsctiNnHnLdR5c2AbbsDU9 / nXCwu1S3XjeItajf9RwS5MoCpJjlTkuxV2KuxV2KuxV 2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KpbeH / SH + jt7ZbHk42T6lNQC3E7HxwsQq26 8btBWvXf6DglyZQFSTHKnJdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirs VS28 / wB6X / 2P6stjycXJ9SkoJag7nJMQrWwK3aL8 / wBRyMuTOAqSY5U5LsVdirsVdirsVdirsVdi rsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdiqW3YrcuK06bn5ZbHk42T6lNaluKDr374WI8lW3BW8 QHf7W / 0EYJcmUPqTHKnJdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVS 68I + sMDXanQ + 3yy2PJxsnNSDNWg27bbZJhatbKwul5 / aFf1HxyMuTZAerdMMqch3KuxV2KuxV2Ku xV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxVLbz / el / wDY / qy2PJxcn1KQ6nJMURa / 3ynr v / xq2QlybMfNH5W5DsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdiqW3n + 9L / 7H9WWx5OLk + pSWnLfpUV + WSYhEW / EzqUFBXf58WyEuTZDmj8rch3KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2K uxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxVLrxHNw5Ckjbt7ZbE7ONkBtSVfi + PYVFa9aZJiB3q1t / vSnH7Irv7kHIy5MofUmGVOS7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FXYq7FX Yqlt3y + sPQeH6stjycbJ9Smikt8Xwr3JwsQFW3I + toF + zvT7jglyZQ + pMcqcl2KuxV2KuxV2KuxV 2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxV2KuxVLrtyLhxt26gHt8stiNnGyHdTQsx / ZCjqSo / p hLEbqts3 + lKtAetCAB2PhglyZwPqTDKnIdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdirsVdir sVdirsVdirsVS28ZhcOASBt + rLY8nGyh2KahnalagePhhYjdUttrtAOm + / 0HBLkyh9T / AP / Z
  • 2014-09-03T18: 41: 51 + 05: 30приложение / приписка
  • CH02.dvi
  • Питер Гуд (Schlumberger) 4930 2002 12 июня, 15:43:16
  • TeX выход 2014.08.27: 1251
  • xmp.did: AD58740D4833E411A16AB53151DB11AAxmp.iid: AD58740D4833E411A16AB53151DB11AAuuid: d326518c-dd3e-4e22-A528-bd6cc5e44b53uuid: e97da2a7-ADCB-4616-a456-911ce23e9916uuid: d326518c-dd3e-4e22-A528-bd6cc5e44b53uuid: d326518c-dd3e-4e22-A528-bd6cc5e44b53
  • savexmp.iid: AD58740D4833E411A16AB53151DB11AA2014-09-03T18: 41: 51 + 05: 30 Adobe Illustrator CS5.1 /
  • 643.000000789.000000 Очки1FalseFalse
  • Голубой
  • Черный
  • Группа образцов по умолчанию 0
  • конечный поток эндобдж 3 0 obj> эндобдж 4 0 obj> эндобдж 5 0 obj> поток HWYs ܸ ~ _ G *% cSy% ّ Rš4k + / h

    jfet-test (приставка к вольтметру для измерения параметров jfet) — Поделиться проектом

    Крошечный 3.2 — отличная плата микроконтроллера и одна из самых популярных плат для разработки в мире Arduino. Вдохновленный проектом пользователя на форуме PJRC https://forum.pjrc.com/threads/33347-Tiniest-Teensy, я уменьшил доску Teensy 3.2. Плата Mini T3.2 — это небольшая совместимая с Teensy 3.2 плата, основанная на том же микроконтроллере MK20DX256VLH7, что и Teensy 3.2. Он будет работать с Teensyduino как с обычным Teensy 3.2. Примечание: плата Mini T3.2 включает встроенный загрузчик, который необходимо купить в PJRC.com. С помощью этого встроенного загрузчика мы сможем сделать этот проект OSH. Без установленного чипа загрузчика изготовление этой платы является незаконным, если вы не получите специального разрешения от PJRC.com. Меньший размер (30,48 мм x 12,98 мм) полезен для создания таких проектов, как Hula Hoops, переносные световые мечи и даже носимые приложения. когда обычный Teensy 3.2 слишком велик. Он удобен для макетной платы, а распиновка предназначена для TFT и OLED-дисплеев, на макетной плате не требуются перемычки, оставляя больше места для ваших схем.Инструкции по ручной пайке SMD-деталей: для домашних мастеров правильный метод выполнения SMD-сборки — это нанести паяльную пасту на плату с помощью трафарета, затем вручную разместить все SMD-детали и использовать печь для оплавления или термофен для их нагрева. На You Tube доступно множество демонстрационных видеороликов, но по какой-то причине: если вам нужно припаять его вручную, это немного сложнее, но все же выполнимо. Я надеюсь, что следующие шаги помогут вам немного легче достичь своей цели. Шелкография с номерами деталей: U2: MK20DX256VLH7 U3: Загрузчик производства PJRC.com 1. Пустая печатная плата Mini T3.2. 2. Перетащите припой U2. 3. Припаяйте в порядке D1, C1, U1, B1, C2, C3. Когда части расположены близко друг к другу, это не проблема для пикировщика. разместить машину, но это создает проблемы для ручной пайки, поэтому порядок пайки важен. Например, если вы припаяете C3 перед C2, будет сложнее припаять C2 вручную. Если вы припаяете U1 перед C1, будет труднее припаять C1 вручную. 4. Припаяйте R1, B2 и C6, затем R4 и R5, затем C5 и C4.5. Припаяйте C7, R3, C9 и C8. Залудите четыре контактных площадки Y1, нанесите больше припоя на контакт 1 и контакт 3, поэтому, когда припой расплавляется горячим воздухом, кристалл Y1 сначала соединяется с контактными площадками 1 и 3. 6. Равномерно залудите Y1 и U3 (загрузчик) и добавьте немного флюса на контактные площадки печатной платы для Y1 и U3, прежде чем поместить их на контактные площадки на печатной плате. Убедитесь, что ориентация U3 правильная. Если она распаяна с маленькой платы, а не с новой, вы можете использовать спирт, чтобы очистить верхнюю часть, чтобы увидеть крошечную точку на контакте 1. У меня плохое зрение, поэтому я использовал лупу, чтобы увидеть точку на булавке 1.7. Используйте термофен, чтобы нагреть Y1 и U3. 8. Визуально проверьте соединения U3. Если есть контакт, который не выглядит идеально припаянным, повторно припаяйте его флюсом. Необходимо проверить только контакты 1, 2, 4, 6, 7, 8, 9,10 и 13, остальные контакты не используются. 9. Залудите контактные площадки 5 разъемов USB на печатной плате, затем припаяйте все 5 контактов. С достаточным потоком это можно сделать проще, чем вы думаете. Припаяйте R2, LED1 и S1.Если вы используете неочищенный флюс, перед промывкой удалите остатки припоя спиртом.Тщательно промойте его небольшой щеткой или даже зубной щеткой. После стирки и чистки используйте грушу или фен, чтобы высушить его. Если у вас нет под рукой неочищенного флюса, вы можете заменить его 91% -ным изопропиловым спиртом от Wal-Mart, возможно, он не пригоден. как и флюс, результат может быть достаточно хорошим. Инструкции по сборке для пайки двух штыревых разъемов: Перед пайкой всех штыревых контактов убедитесь, что модуль может мигать светодиодом D13. Протестируйте его, как если бы вы тестировали Teensy 3.2. Если он не может, сначала устраните проблему, прежде чем идти дальше.1. Необходимые детали: Один из модуля Mini T3.2. Два 12-контактных, прямоугольных, вилочных разъема, шаг 0,1 дюйма. 2. Согните 6 внешних контактов вверх. 3. Надавите на средние 6 контактов, насколько это возможно. используя плоскую отвертку, по одному. 4. Все средние 6 контактов нажимаются вниз. 5. Если вы не нажимаете их вниз, окончательно собранный модуль будет таким. Большой зазор между модулем и разъемами 6. Обрежьте 6 средних контактов примерно на половину длины.Вы можете использовать печатную плату 1,2 мм в качестве эталона или просто прикинуть, сколько отрезать.Это не обязательно должно быть очень точным. ВНИМАНИЕ: обязательно наденьте защитные очки или используйте палец, чтобы отрезанный кусок не разлетелся. 7. После резки. 8. Средние 6 контактов короче. 9. Затем наденьте штыревые разъемы на модуль, вы увидите, что есть много места для добавления припоя. 10. Если их не обрезать, контакты будут слишком длинными и их сложнее припаять к контактным площадкам. 11. Вставьте два контактных разъема на макетную плату на расстоянии 0,4 дюйма друг от друга. Убедитесь, что расстояние между ними составляет 0,4 дюйма, а не 0,5 дюйма. 12. Установите Mini T3.2 через два штыревых разъема. Начните пайку 2 контактов, pin1 и pin13. Припаяйте штифты, прижимая плату. После того, как эти 2 контакта припаяны, убедитесь, что между модулем и штыревыми разъемами есть ровный зазор. Если нет, у вас еще есть шанс исправить это. См. Рисунок ниже. Затем припаяйте все остальные контакты. Будьте осторожны при пайке, так как некоторые контакты расположены близко к компонентам, не создавайте перемычки при пайке. 13. Вид сбоку на картинку выше. Между модулем и штыревыми разъемами должен быть очень маленький зазор.14. После пайки всех контактов на верхней стороне переверните модуль. 15. Припаяйте все 12 контактов с нижней стороны. 16. Это последний собранный модуль. Средние 6 контактов с каждой стороны немного длинноваты, но их все равно можно вставить в макетную плату. Так что обрезать их или нет — это ваш выбор. 17. Модуль небольшой, и нет места для размещения всех названий контактов вверху. Без имен контактов сложнее макетировать. Вы можете сделать печатную плату 0,8 мм в качестве этикеточного листа.

    Патент США на запоминающее устройство и способ его работы Патент (Патент № 10916277, выданный 9 февраля 2021 г.)

    ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННУЮ ЗАЯВКУ

    Настоящая заявка испрашивает приоритет согласно 35 U.S.C. § 119 (a) к заявке на патент Кореи номер 10-2018-0133599, поданной 2 ноября 2018 г., полное раскрытие которой включено в настоящий документ посредством ссылки во всей его полноте.

    УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ 1. Область изобретения

    Различные варианты осуществления в целом относятся к запоминающему устройству и способу его работы, и, в частности, к запоминающему устройству, допускающему установку оптимального параметра опции и способу его работы.

    2. Описание предшествующего уровня техники

    В последнее время парадигма компьютерной среды изменилась на повсеместные вычисления, которые делают компьютерную систему доступной в любое время из любого места.Поэтому использование портативных электронных устройств, таких как сотовые телефоны, цифровые фотоаппараты и портативные компьютеры, резко возросло. Портативное электронное устройство обычно использует систему памяти, в которой используется запоминающее устройство, то есть устройство хранения данных. Устройство хранения данных может служить в качестве основного запоминающего устройства или вспомогательного запоминающего устройства портативного электронного устройства.

    Устройство хранения данных, использующее запоминающее устройство, отличается превосходной стабильностью и долговечностью, поскольку не имеет механических приводных частей.Кроме того, устройство хранения данных также обеспечивает очень высокую скорость доступа к информации и низкое энергопотребление. Устройство хранения данных в качестве примера системы памяти, имеющей эти преимущества, может включать в себя универсальную последовательную шину (USB), карту памяти, имеющую различные интерфейсы, и твердотельный накопитель (SSD).

    СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

    Различные варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют запоминающее устройство, способное управлять настройками дополнительных параметров в соответствии со значением перекоса запоминающего устройства и способом его работы.

    В соответствии с вариантом осуществления, запоминающее устройство может включать в себя массив ячеек памяти, включающий в себя множество блоков памяти и блок хранения, хранящий множество частей информации о параметрах опций; схему определения параметров, выводящую сигнал информации о параметрах путем измерения перекоса запоминающего устройства; периферийная схема, выполняющая операцию чтения на блоке хранения; и управляющую логику, управляющую периферийной схемой для выполнения операции чтения выбранной части информации о параметрах опции, среди множества частей информации о параметрах опции, в ответ на сигнал информации о параметрах, и установки параметра опции в соответствии с выбранной частью информации о параметрах опции.

    В соответствии с вариантом осуществления, устройство памяти может включать в себя массив ячеек памяти, включающий в себя блок CAM (Content Addressable Memory), хранящий множество данных CAM; схему определения перекоса, выводящую сигнал значения перекоса путем измерения перекоса запоминающего устройства; периферийная схема, выполняющая операцию чтения данных САМ для блока САМ; и управляющую логику, управляющую периферийной схемой для выполнения операции чтения данных CAM для данных CAM, выбранных из множества данных CAM, в ответ на сигнал значения перекоса.

    В соответствии с вариантом осуществления, способ работы с запоминающим устройством может включать в себя сохранение множества данных CAM в блоке CAM, измерение перекоса запоминающего устройства во время операции включения, выполнение операции чтения данных CAM путем выбора одно из множества данных CAM в соответствии с перекосом, установка параметра опции в соответствии с данными CAM, считанными в результате операции чтения данных CAM, и выполнение различных операций в соответствии с параметром опции.

    КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

    РИС.1 — схема, иллюстрирующая систему памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС. 2 — схема, иллюстрирующая запоминающее устройство, показанное на фиг. 1;

    РИС. 3 — схема, иллюстрирующая блок памяти, показанный на фиг. 2;

    РИС. 4 — схема, иллюстрирующая пример блока памяти с трехмерной структурой;

    РИС. 5 — схема, иллюстрирующая другой пример блока памяти с трехмерной структурой;

    РИС.6 — блок-схема, иллюстрирующая логику управления в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС. 7 — блок-схема, иллюстрирующая работу программы данных САМ в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС. 8A и 8B — схемы, иллюстрирующие программный метод данных CAM в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС. 9 — блок-схема, иллюстрирующая работу запоминающего устройства в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС.10 — схема, иллюстрирующая систему памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС. 11 — схема, иллюстрирующая систему памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

    РИС. 12 — схема, иллюстрирующая систему памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия; и

    РИС. 13 — схема, иллюстрирующая систему памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

    В дальнейшем конкретные структурные или функциональные описания примеров вариантов осуществления в соответствии с концепциями, которые раскрыты в этом описании, проиллюстрированы только для описания примеров вариантов осуществления в соответствии с концепциями и примеров вариантов осуществления в соответствии с концепции могут быть реализованы в различных формах, но описания не ограничиваются примерами вариантов осуществления, описанными в этом описании.

    Различные модификации и изменения могут быть применены к примерам вариантов осуществления в соответствии с концепциями, так что примеры вариантов осуществления будут проиллюстрированы на чертежах и описаны в описании. Однако варианты осуществления в соответствии с концепцией настоящего раскрытия не истолковываются как ограниченные указанными раскрытиями и включают в себя все изменения, эквиваленты или заменители, которые не выходят за рамки сущности и технического объема настоящего раскрытия.

    Хотя такие термины, как «первый» и «второй» могут использоваться для описания различных компонентов, такие компоненты не следует понимать как ограниченные приведенными выше терминами. Вышеупомянутая терминология используется для отличия одного компонента от другого компонента, например, первый компонент может называться вторым компонентом без отклонения от концепции настоящего раскрытия, и аналогично, второй компонент может называться первым составная часть.

    Следует понимать, что, когда элемент упоминается как «связанный» или «связанный» с другим элементом, он может быть напрямую подключен или соединен с другим элементом, или также могут присутствовать промежуточные элементы.Напротив, когда элемент упоминается как «непосредственно связанный» или «непосредственно связанный» с другим элементом, никаких промежуточных элементов нет. Между тем, другие выражения, описывающие отношения между компонентами, такие как «˜ между», «непосредственно ˜ между» или «смежный с ˜» и «непосредственно смежный с ˜», могут быть истолкованы аналогичным образом.

    Термины, используемые в настоящей заявке, используются только для описания конкретных вариантов осуществления и не предназначены для ограничения настоящего раскрытия.Формы единственного числа в настоящем раскрытии предназначены также для включения форм множественного числа, если контекст явно не указывает иное. В настоящем описании следует понимать, что термины «включать» или «иметь» указывают на то, что присутствует функция, число, шаг, операция, компонент, часть или комбинация описанных в спецификации, но не исключают возможность наличия или добавления одной или нескольких других функций, номеров, шагов, операций, компонентов, частей или их комбинаций заранее.

    Если не указано иное, все используемые здесь термины, включая техническую или научную терминологию, имеют значения, которые обычно понимаются специалистами в данной области техники, к которой относится настоящее раскрытие. Термины, определенные в обычно используемых словарях, должны толковаться как имеющие те же значения, что и в контексте предшествующего уровня техники, и, если иное четко не определено в данном описании, не должны толковаться как имеющие идеалистические или чрезмерно формальные значения.

    В некоторых вариантах осуществления хорошо известные процессы, структуры устройств и технологии не будут описываться подробно, чтобы избежать неоднозначности настоящего изобретения. Намерение состоит в том, чтобы более ясно раскрыть суть настоящего раскрытия, опуская ненужное описание.

    В дальнейшем примерные варианты осуществления настоящего раскрытия будут подробно описаны со ссылкой на прилагаемые чертежи, чтобы специалисты в данной области техники могли легко реализовать технический дух настоящего раскрытия.

    РИС. 1 представляет собой схему, иллюстрирующую систему памяти , 1000, в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Как показано на фиг. 1, система памяти , 1000, может включать в себя запоминающее устройство , 1100, , хранящее данные, и контроллер памяти , 1200, , управляющий запоминающим устройством , 1100, в ответ на управление хостом 2000 .

    Хост 2000 может взаимодействовать с системой памяти 1000 , используя протокол интерфейса, такой как Peripheral Component Interconnect-Express (PCI-e или PCIe), Advanced Technology Attachment (ATA), Serial ATA (SATA), Parallel ATA (PATA) или последовательный SCSI (SAS).Кроме того, протоколы интерфейса, предусмотренные для передачи данных между хостом 2000 и системой памяти 1000 , могут не ограничиваться приведенными выше примерами и могут быть одним из протоколов интерфейса, таких как универсальная последовательная шина (USB). , мультимедийная карта (MMC), усовершенствованный интерфейс малых дисков (ESDI) и встроенная электроника привода (IDE).

    Контроллер памяти , 1200, может управлять различными операциями системы памяти 1000 и управлять обменом данными между хостом 2000 и устройством памяти 1100 .Например, контроллер памяти , 1200, может программировать или считывать данные или стирать запрограммированные данные, управляя запоминающим устройством 1100 в соответствии с командой программы, командой чтения или командой стирания, полученной от хоста 2000 . Например, когда контроллер памяти , 1200, принимает программную команду, команду чтения или команду стирания от хоста 2000 , контроллер памяти , 1200, может сгенерировать внутреннюю команду, соответствующую каждой команде, и вывести внутреннюю команду. в запоминающее устройство 1100 .

    Контроллер памяти , 1200, может управлять запоминающим устройством 1100 для выполнения операции программирования, чтения или стирания. В соответствии с вариантом осуществления, запоминающее устройство , 1100, может включать в себя синхронную динамическую память произвольного доступа с удвоенной скоростью передачи данных (DDR SDRAM), SDRAM с удвоенной скоростью передачи данных 4 (LPDDR4), SDRAM с удвоенной скоростью передачи графических данных (GDDR), память DDR с низким энергопотреблением ( LPDDR), динамической оперативной памяти Rambus (RDRAM) или флэш-памятью.

    Устройство памяти , 1100, может хранить множество данных CAM (Content Addressable Memory), соответствующих множеству частей информации о параметрах опции, соответственно.Кроме того, во время операции включения запоминающее устройство , 1100, может измерять значение перекоса запоминающего устройства , 1100, , считывать данные CAM, соответствующие измеренному значению перекоса, среди множества данных CAM и устанавливать параметр параметр для различных операций в соответствии с прочитанными данными CAM.

    В соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения описано и проиллюстрировано, что система памяти 1000 включает в себя одно устройство памяти 1100 .Однако система памяти , 1000, может включать в себя множество запоминающих устройств , 1100, . Множество запоминающих устройств , 1100, могут устанавливать одинаковые или разные параметры опции в соответствии с их значениями перекоса.

    РИС. 2 — схема, иллюстрирующая запоминающее устройство 1100 , показанное на фиг. 1.

    Ссылаясь на фиг. 2, запоминающее устройство , 1100, может включать в себя массив , 100, ячеек памяти, в котором хранятся данные. Устройство памяти , 1100, может включать в себя периферийную схему , 200, , сконфигурированную для выполнения программной операции для сохранения данных в массиве ячеек памяти , 100, , операции чтения для вывода сохраненных данных и операции стирания для стирания сохраненных данных. .Устройство памяти , 1100, может включать в себя управляющую логику , 300, , сконфигурированную для управления периферийной схемой 200 в ответ на управление контроллером (например, контроллером памяти , 1200, , показанным на фиг.1).

    Массив , 100, ячеек памяти может включать в себя множество блоков памяти от MB 1 до MBk, где k — положительное целое число, и по меньшей мере один блок CAM (CAM_B) 120 . Локальные линии LL и битовые линии BL 1, — BLn могут быть связаны с каждым из блоков памяти от MB 1 до MBk ( 110 ), где n — положительное целое число.Например, локальные строки LL могут включать в себя первую строку выбора, вторую строку выбора и множество строк слов, расположенных между первой и второй строками выбора. Кроме того, локальные строки LL могут включать в себя фиктивные строки, расположенные между первой строкой выбора и строками слов, а также между второй строкой выбора и строками слов. Первая линия выбора может быть линией выбора источника, а вторая линия выбора может быть линией выбора стока. Например, локальные линии LL могут включать в себя словесные линии, линии выбора стока и истока и линии истока.Кроме того, локальные линии LL могут дополнительно включать в себя фиктивные линии. Кроме того, местные линии LL могут дополнительно включать в себя трубопроводы. Локальные линии LL могут быть связаны с блоками памяти (от MB 1 до MBk) 110 , соответственно, а битовые линии BL 1 до BLn могут быть обычно связаны с блоками памяти (от MB 1 до MBk ) 110 . Блоки памяти (от MB 1 до MBk) 110 могут иметь двумерную или трехмерную структуру. В блоках , 110, памяти 2 D ячейки памяти могут быть расположены параллельно подложке.В блоках , 110, памяти 3 D ячейки памяти могут быть уложены стопкой в ​​вертикальном направлении к подложке. По меньшей мере, один блок , 120, CAM может быть спроектирован так, чтобы иметь ту же структуру, что и блоки памяти (от MB 1 до MBk) 110 . Кроме того, по меньшей мере, один из блоков памяти (от MB 1 до MBk) 110 может быть выбран в качестве блока 120 CAM. По меньшей мере, один блок , 120, CAM может хранить множество данных CAM, соответствующих множеству частей информации о параметрах опции, соответственно.Другими словами, один блок , 120, CAM может быть блоком хранения для хранения множества данных CAM.

    Периферийная схема , 200, может быть сконфигурирована для выполнения операций программирования, чтения и стирания в выбранном блоке памяти , 110, в ответ на управление управляющей логикой , 300, . Кроме того, управляющая логика , 300, может управлять периферийной схемой , 200, для чтения данных CAM, выбранных из множества данных CAM, хранящихся в блоке CAM , 120, , и выводить считанные данные CAM в логику управления 300 после операции сброса при включении.

    Например, периферийная схема , 200, может включать в себя схему генерирования напряжения , 210, , декодер строк , 220, , группу буферов страниц , 230, , декодер столбцов, , 240, , вход и выход (ввод / output), схема 250 , схема проверки типа «прошел / не прошел» (прошел / не прошел) 260 и драйвер линии истока 270 .

    Схема генерирования напряжения , 210, может генерировать различные рабочие напряжения Vop, используемые для выполнения операций программирования, чтения и стирания, в ответ на рабочий сигнал OP_CMD.Например, управляющая логика , 300, может управлять схемой , 210, генерирования напряжения для генерации программного напряжения, проверочного напряжения, проходных напряжений, считывающего напряжения и напряжения линии истока.

    Декодер , 220, строки может передавать рабочие напряжения Vop на локальные линии LL, подключенные к выбранному блоку , 110, памяти, в ответ на адрес строки RADD.

    Группа буферов страниц , 230, может включать в себя множество буферов страниц (PB 1 — PBn) 231 , связанных с битовыми линиями BL 1 — BLn.Страничные буферы (от PB 1 до PBn) 231 могут работать в ответ на управляющие сигналы страничного буфера PBSIGNALS. Например, страничные буферы (PB 1 — PBn) 231 могут временно хранить данные, полученные через линии данных DL, и уровни управляющего напряжения битовых линий BL 1 — BLn в ответ на временно сохраненные данные во время программы. или может определять напряжения или токи в битовых линиях с BL 1 до BLn во время операции чтения или проверки.

    Декодер 240 столбца может передавать данные между схемой 250 ввода / вывода и группой 230 буфера страниц в ответ на адрес столбца CADD. Например, декодер , 240, столбца может обмениваться данными с буферами страниц , 231, через строки данных DL или может обмениваться данными со схемой ввода / вывода , 250, через строки CL столбцов.

    Схема ввода / вывода , 250, может передавать внутреннюю команду CMD и адрес ADD из контроллера памяти , 1200, по фиг.1 к управляющей логике , 300, , или может обмениваться данными DATA с декодером столбца 240 . Кроме того, схема , 250, ввода / вывода может выводить данные CAM_DATA CAM_DATA, считанные во время операции чтения данных CAM, в логику , 300, управления.

    Схема проверки прохождения / отказа , 260, может генерировать опорный ток в ответ на допустимый бит VRY_BIT <#> и может сравнивать напряжение измерения VPB, полученное из группы буфера страниц , 230, , с опорным напряжением, генерируемым опорным сигналом. ток для вывода сигнала прохождения PASS или сигнала отказа FAIL во время операции чтения или операции проверки.

    Драйвер , 270, линии истока может быть связан с ячейками памяти, включенными в массив , 100, ячеек памяти, через линию SL истока и может управлять напряжением узла источника. Например, драйвер , 270, линии истока может электрически соединять узел источника ячейки памяти с узлом заземления во время операции чтения или проверки. Кроме того, драйвер , 270, линии истока может подавать напряжение заземления на узел источника ячейки памяти во время работы программы.Драйвер , 270, линии истока может подавать напряжение стирания на узел источника ячейки памяти во время операции стирания. Драйвер , 270, линии истока может принимать сигнал CTRL_SL управления линией истока от управляющей логики , 300, и управлять напряжением узла источника на основе сигнала CTRL_SL управления линией истока.

    Управляющая логика , 300, может управлять периферийной схемой 200 путем вывода рабочего сигнала OP_CMD, адреса строки RADD, адреса столбца CADD, сигналов управления буфером страницы PBSIGNALS и допустимого бита VRY_BIT <#> в ответ внутренней команде CMD и адресу ADD.Кроме того, управляющая логика , 300, может определять, прошла ли операция проверки или нет в ответ на сигнал прохождения или неудачи PASS или FAIL.

    Схема сброса при включении питания , 400, может генерировать и выводить сигнал POR сброса при включении питания путем обнаружения увеличения внешнего напряжения VCCE до более чем предварительно определенного уровня во время операции включения питания.

    Схема определения параметров , 500, может измерять значение параметра запоминающего устройства 1100 и может генерировать и выводить сигнал, соответствующий измеренному значению параметра, в ответ на сигнал POR сброса при включении питания.Например, схема определения параметра , 500, может быть схемой определения перекоса, которая сконфигурирована для измерения значения перекоса и генерации и вывода сигнала значения перекоса skew_value, соответствующего сигналу информации о параметрах, в ответ на сигнал POR сброса при включении питания. . Схема определения параметров , 500, может включать в себя схему , 510, кольцевого генератора и схему , 520, измерения перекоса тактовых импульсов. Схема , 510, кольцевого генератора может генерировать тактовый сигнал CLK, период которого изменяется путем отражения изменений процесса, напряжения и температуры (PVT) элементов.Схема , 520, измерения перекоса тактовых импульсов может подсчитывать количество переключений тактового сигнала CLK в течение заранее определенного времени и измерять значение перекоса запоминающего устройства , 1100, в соответствии с подсчетом переключений. Кроме того, схема , 520, измерения перекоса тактовых импульсов может измерять значение перекоса запоминающего устройства , 1100, путем сравнения опорных тактовых импульсов, имеющих заранее определенный период переключения, с тактовым сигналом CLK.

    Другими словами, схема , 500, определения параметров может генерировать и выводить сигнал значения перекоса skew_value, соответствующий значению перекоса, определенному в соответствии с периодом тактовых импульсов, генерируемых схемой 510 кольцевого генератора.

    Управляющая логика , 300, может выполнять операцию инициализации в ответ на сигнал POR сброса при включении питания. В ответ на сигнал значения перекоса skew_value управляющая логика , 300, может управлять периферийной схемой , 200, для выбора оптимальных данных CAM среди множества данных CAM, хранящихся в блоке CAM , 120, , и для выполнения данных CAM операция чтения для чтения выбранных данных CAM. Кроме того, управляющая логика , 300, может выполнять различные операции после установки дополнительных параметров запоминающего устройства , 1100, в соответствии с считанными данными CAM.

    РИС. 3 — схема, иллюстрирующая блок , 110, памяти, показанный на фиг. 2.

    Ссылаясь на ФИГ. 3, блок , 110, памяти может быть сконфигурирован так, что множество строк слов, которые расположены параллельно, могут быть связаны между первой строкой выбора и второй строкой выбора. Первая линия выбора может быть линией выбора источника SSL, а вторая линия выбора может быть линией выбора стока DSL. Более конкретно, блок , 110, памяти может включать в себя множество строк ST, связанных между битовыми шинами BL 1 — BLn и истоковой линией SL.Каждая из битовых шин BL 1 -BLn может быть связана с каждой из строк ST, а истоковая линия SL может быть обычно связана с строками ST. Поскольку строки ST могут иметь одинаковую конфигурацию, строка ST, связанная с первой битовой шиной BL 1 , будет подробно описана в качестве примера.

    Строка ST может включать в себя транзистор выбора истока SST, множество ячеек памяти F 1 — F 16 и транзистор выбора стока DST, подключенные последовательно между линией истока SL и первой шиной битов BL 1 .Каждая цепочка ST может включать в себя по меньшей мере один транзистор SST выбора истока, по меньшей мере один транзистор DST выбора стока и больше ячеек памяти, чем ячеек памяти F 1 — F 16 , как показано на фиг. 3.

    Исток транзистора выбора истока SST может быть соединен с линией SL истока, а сток транзистора выбора стока DST может быть соединен с первой битовой шиной BL 1 . Ячейки памяти F 1 — F 16 могут быть соединены последовательно между транзистором выбора истока SST и транзистором выбора стока DST.Затворы транзисторов выбора источника SST, включенных в различные цепочки ST, могут быть подключены к линии SSL выбора источника. Затворы транзисторов выбора стока DST могут быть соединены с линией выбора стока DSL. Затворы ячеек памяти F 1 — F 16 могут быть связаны с множеством числовых шин WL 1 — WL 16 . Группа ячеек памяти, связанных с одной и той же шиной слов, среди ячеек памяти, включенных в разные строки ST, может называться PPG физической страницы.Следовательно, блок , 110, памяти может включать в себя столько физических страниц PPG, сколько словарных строк от WL 1 до WL 16 .

    В одной ячейке памяти может храниться один бит данных. Эта ячейка памяти обычно называется одноуровневой ячейкой (SLC). PPG с одной физической страницей может хранить данные, соответствующие LPG с одной логической страницей. Данные, соответствующие LPG с одной логической страницей, могут включать в себя столько битов данных, сколько ячеек включено в PPG с одной физической страницей.Кроме того, одна ячейка памяти может хранить два или более бит данных. Эту ячейку обычно называют «многоуровневой ячейкой (MLC)». PPG с одной физической страницей может хранить данные, соответствующие двум или более логическим страницам LPG.

    Транзистор выбора истока SST и транзистор выбора стока DST могут быть запрограммированы так, чтобы иметь заранее определенные пороговые напряжения и включаться или выключаться рабочими напряжениями, подаваемыми через линию выбора источника SSL и линию выбора стока DSL во время различных операций, включая операцию программы. , операция чтения и операция стирания.

    РИС. 4 — схема, иллюстрирующая пример блока памяти, имеющего трехмерную структуру.

    Ссылаясь на фиг. 4, массив , 100, ячеек памяти может включать в себя множество блоков памяти (от MB 1 до MBk) 110 . Блок памяти , 110, может включать в себя множество строк от ST 11 до ST 1 m и от ST 21 до ST 2 m . В соответствии с вариантом осуществления каждая из множества струн от ST 11 до ST 1 m и от ST 21 до ST 2 m может иметь U-образную форму.В первом блоке памяти MB 1 строки «m» могут быть расположены в направлении строки (то есть в направлении X). Хотя фиг. 4 показаны две строки, расположенные в направлении столбца (то есть в направлении Y), три или более строк могут быть расположены в направлении столбца (то есть в направлении Y).

    Каждая из множества строк от ST 11 до ST 1 m и от ST 21 до ST 2 m может включать в себя по меньшей мере один транзистор выбора источника SST, ячейки памяти с первой по n-ю MC 1 — MCn, трубчатый транзистор PT и по меньшей мере один транзистор выбора стока DST.

    Транзисторы выбора истока и стока SST и DST и ячейки памяти MC 1, — MCn могут иметь аналогичную структуру. Например, каждый из транзисторов SST и DST выбора истока и стока и ячеек памяти MC 1, — MCn может включать в себя канальный слой, туннельный изолирующий слой, слой улавливания заряда и блокирующий изолирующий слой. Например, в каждой колонне может быть предусмотрена опора для формирования канального слоя. В качестве другого примера в каждой цепочке может быть предусмотрена опора для формирования, по меньшей мере, одного из канального слоя, туннельного изоляционного слоя, слоя улавливания заряда и блокирующего изолирующего слоя.

    Транзистор выбора источника SST каждой цепочки ST может быть подключен между линией SL истока и ячейками памяти MC 1, — MCp.

    В соответствии с вариантом осуществления, транзисторы выбора источника из цепочек, расположенных в одной строке, могут быть подключены к линии выбора источника, проходящей в направлении строки, а транзисторы выбора источника из цепочек, расположенных в разных строках, могут быть подключены к разным линиям выбора источника. . Как показано на фиг. 4, транзисторы выбора источника цепочек от ST 11 до ST 1 m в первой строке могут быть соединены с первой линией выбора источника SSL 1 , а транзисторы выбора источника цепочек ST 21 по ST 2 m во второй строке может быть соединен со второй линией выбора источника SSL 2 .

    В соответствии с другим вариантом осуществления, транзисторы выбора источника цепочек от ST 11 до ST 1 m и от ST 21 до ST 2 m обычно могут быть подключены к одной линии выбора источника.

    Ячейки памяти MC с первой по n-ю, 1, с по MCn каждой цепочки могут быть связаны между транзистором выбора истока SST и транзистором выбора стока DST.

    Ячейки памяти с первой по n-ю MC 1 с по MCn могут быть разделены на ячейки памяти с первой по p с MC с по 1 по MCp и (p + 1) -й по n-ю ячейки памяти с MCp + 1 по MCn.Ячейки памяти MC 1, -MCp с первой по p-ю могут быть последовательно расположены в вертикальном направлении (то есть в направлении Z) и подключаться последовательно между транзистором выбора источника SST и конвейерным транзистором PT. Ячейки памяти с (p + 1) -й по n-ю с MCp + 1 по MCn могут быть последовательно расположены в вертикальном направлении (то есть в направлении Z) и подключаться последовательно между трубчатым транзистором PT и транзистором выбора стока DST. Ячейки памяти с первой по p-ю, MC, , 1, — MCp, и с (p + 1) -й по n-ю ячейки памяти с MCp + 1 по MCn могут быть связаны друг с другом через конвейерный транзистор PT.Шлюзы ячеек памяти с первой по n-ю MC 1, — MCn каждой строки могут быть связаны с шинами слов с первой по n-ю WL 1 — WLn соответственно.

    В соответствии с вариантом осуществления, по меньшей мере, одна из ячеек памяти с первой по n-ю MC , 1, — MCn может служить в качестве фиктивной ячейки памяти. Когда предоставляется фиктивная ячейка памяти, можно стабильно управлять напряжением или током соответствующей цепочки. Затвор трубчатого транзистора PT каждой цепочки может быть соединен с конвейером PL.

    Транзистор DST выбора стока каждой цепочки может быть подключен между соответствующей битовой шиной и ячейками памяти MCp + 1 — MCn. Гирлянды, расположенные в направлении ряда, могут быть соединены с соответствующей линией выбора слива, проходящей в направлении ряда. Транзисторы выбора стока цепочек от ST 11 до ST 1 m в первой строке могут быть подключены к линии выбора стока DSL 1 . Транзисторы выбора стока цепочек от ST 21 до ST 2 m во втором ряду могут быть подключены ко второй линии выбора стока DSL 2 .

    Строки, расположенные в направлении столбца, могут быть связаны с битовыми линиями, проходящими в направлении столбца. Как показано на фиг. 4, строки ST 11 и ST 21 в первом столбце могут быть связаны с первой битовой шиной BL 1 . Строки ST 1 m и ST 2 m в m-м столбце могут быть связаны с m-й битовой строкой BLm.

    Ячейки памяти, подключенные к одной и той же словарной шине, среди строк, расположенных в направлении строки, могут образовывать единую страницу.Например, ячейки памяти, связанные с первой шиной слов WL 1 , среди строк от ST 11 до ST 1 m в первой строке могут составлять одну страницу. Ячейки памяти, связанные с первой шиной слов WL 1 в строках от ST 21 до ST 2 m во второй строке, могут составлять одну дополнительную страницу. Когда выбрана одна из линий выбора стока DSL 1 и DSL 2 , могут быть выбраны цепочки, расположенные в одном направлении строки.Одна страница из выбранных строк может быть выбрана, когда выбрана одна из строк слов WL 1 — WLn.

    РИС. 5 — схема, иллюстрирующая пример блока памяти, имеющего трехмерную структуру.

    Ссылаясь на фиг. 5, массив , 100, ячеек памяти может включать в себя множество блоков памяти (от MB 1 до MBk) 110 . Блок памяти , 110, может включать в себя множество строк от ST 11 ‘до ST 1 m ‘ и от ST 21 ‘до ST 2 m ‘.Каждая из множества строк от ST 11 ‘до ST 1 m ‘ и от ST 21 ‘до ST 2 m ‘ может проходить в вертикальном направлении (например, в направлении Z). В блоке памяти , 110, строки «m» могут быть расположены в направлении строки (например, в направлении X). Хотя фиг. 5 иллюстрирует две строки, расположенные в направлении столбца (например, направлении Y), три или более строк могут быть расположены в направлении столбца (например, направлении Y) в других вариантах осуществления.

    Каждая из множества цепочек от ST 11 ‘до ST 1 m ‘ и от ST 21 ‘до ST 2 m ‘ может включать в себя по меньшей мере один транзистор выбора источника SST, первый для n-е ячейки памяти MC , 1, — MCn, и по крайней мере один транзистор выбора стока DST.

    Транзистор SST выбора источника каждой цепочки может быть подключен между линией SL истока и ячейками памяти MC 1, — MCn. Транзисторы выбора источника, состоящие из цепочек, расположенных в одном ряду, могут быть подключены к одной и той же линии выбора источника.Транзисторы выбора источника цепочек от ST 11 ‘до ST 1 m ‘ в первой строке могут быть подключены к первой линии выбора источника SSL 1 . Транзисторы выбора источника цепочек от ST 21 ‘до ST 2 m ‘ во второй строке могут быть подключены ко второй линии выбора источника SSL 2 . В соответствии с другим вариантом осуществления, транзисторы выбора источника цепочек от ST 11 ‘до ST 1 m ‘ и от ST 21 ‘до ST 2 m ‘ могут быть обычно соединены с одним источником выбора. линия.

    Ячейки памяти MC с первой по n-ю, , с по MCn каждой цепочки могут быть соединены последовательно между транзистором выбора истока SST и транзистором выбора стока DST. Затворы ячеек памяти MC 1, -MCn с первой по n-ю могут быть связаны с шинами слов с первой по n-ю WL 1, -WLn соответственно.

    В соответствии с вариантом осуществления, по меньшей мере, одна из ячеек памяти с первой по n MC , 1, — MCn может служить в качестве фиктивной ячейки памяти. Когда предоставляется фиктивная ячейка памяти, можно стабильно управлять напряжением или током соответствующей цепочки.В результате надежность данных, хранящихся в блоке , 110, памяти, может быть повышена.

    Транзистор DST выбора стока каждой цепочки может быть подключен между соответствующей битовой шиной и ячейками памяти MC 1, — MCn. Транзисторы выбора стока DST цепочек, расположенных в направлении ряда, могут быть соединены с линией выбора стока, проходящей в направлении строки. Транзисторы выбора стока DST цепочек от ST 11 ‘до ST 1 m ‘ в первой строке могут быть подключены к первой линии выбора стока DSL 1 .Транзисторы выбора стока DST цепочек от ST 21 ‘до ST 2 m ‘ во втором ряду могут быть подключены ко второй линии выбора стока DSL 2 .

    По меньшей мере, один транзистор SST выбора истока, конвейерный транзистор PT и по меньшей мере один транзистор DST выбора стока, как показано на фиг. 4 и 5 могут быть запрограммированы так, чтобы иметь заранее определенные пороговые напряжения и включаться или выключаться с помощью рабочих напряжений, подаваемых через линию SSL выбора источника и линию DSL выбора стока во время различных операций, включая операцию программы, операцию чтения и операцию стирания.

    CAM-блок 120 на ФИГ. 2 может иметь такую ​​же структуру, что и блок , 110, памяти, как показано на фиг. С 3 по 5.

    РИС. 6 — блок-схема, иллюстрирующая логику управления в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия, например, логику управления , 300, на фиг. 2.

    Ссылаясь на ФИГ. 6, управляющая логика , 300, может включать в себя внутреннюю схему управления , 310, , схему управления драйвером линии истока , 320, , схему управления буфером страниц , 330, , схему управления генерацией напряжения , 340, , схему генерации адреса. 350 и схему выбора адреса данных CAM 360 .

    Внутренняя схема управления , 310, может включать в себя схему установки дополнительных параметров , 311, и постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) 312 . Схема , 311, установки параметров опции может устанавливать параметры опции для различных операций согласно данным CAM_DATA CAM, считанным во время операции чтения данных CAM. ПЗУ , 312, может хранить алгоритм для выполнения различных операций (например, программной операции, операции чтения, операции стирания и т. Д.) запоминающего устройства. Во время различных операций ПЗУ , 312, может генерировать и выводить внутренний управляющий сигнал int_cs в ответ на внутреннюю команду CMD и параметры опции. Внутренняя команда CMD может вводиться с внешнего устройства (например, контроллера памяти , 1200, на фиг.1). Параметры опции могут быть установлены схемой установки параметров опции 311 .

    Схема , 320, управления драйвером линии истока может генерировать и выводить сигнал CTRL_SL управления линией истока для управления драйвером , 270, линии истока по фиг.2 в ответ на сигнал внутреннего управления int_cs, выводимый из схемы внутреннего управления , 310, . Сигнал CTRL_SL управления линией истока может управлять драйвером , 270, линии истока по фиг. 2 для подачи напряжения линии истока на линию SL истока массива , 100, ячеек памяти.

    Схема управления буфером страниц , 330, может формировать и выводить сигналы управления буфером страниц PBSIGNALS для управления группой буферов страниц , 230, по фиг.2 в ответ на сигнал внутреннего управления int_cs, выводимый из схемы внутреннего управления , 310, .

    Схема управления генерированием напряжения , 340, может генерировать и выводить рабочий сигнал OP_CMD для управления схемой , 210, генерирования напряжения по фиг. 2 в ответ на сигнал внутреннего управления int_cs, выводимый из схемы внутреннего управления , 310, .

    Во время различных операций схема генерирования адреса , 350, может генерировать и выводить адрес строки RADD и адрес столбца CADD в ответ на внутренний управляющий сигнал int_cs и адрес ADD, принятый от схемы ввода / вывода 250 .Сигнал внутреннего управления int_cs может выводиться из схемы внутреннего управления , 310, . Адрес ADD может быть получен от схемы ввода / вывода , 250, . Во время операции чтения данных CAM схема , 350, генерирования адреса может генерировать и выводить адрес строки RADD и адрес столбца CADD, соответствующие данным CAM, выбранным из множества данных CAM, в ответ на сигнал внутреннего управления int_cs и адрес данных CAM CAM_ADDR. Соответствующие данные САМ могут быть выбраны из множества данных САМ, хранящихся в блоке , 120, САМ на фиг.2. Адрес данных CAM_ADDR может выводиться из схемы выбора адреса данных CAM , 360, во время операции чтения данных CAM.

    Схема выбора адреса данных САМ , 360, может выводить адрес данных САМ CAM_ADDR в ответ на сигнал значения перекоса skew_value. Сигнал значения перекоса skew_value может выводиться из схемы определения параметров , 500, на фиг. 2. Схема выбора адреса данных CAM , 360, может хранить множество адресов CAM_ADDR данных CAM, соответствующих множеству данных CAM, сохраненных в блоке , 120, CAM, соответственно.Кроме того, схема , 360, выбора адреса данных CAM может выбирать и выводить адрес данных CAM_ADDR данных CAM, в которых хранится информация о параметрах опции, оптимизированная для текущего значения перекоса, среди множества данных CAM, в ответ на перекос. значение сигнала skew_value. Например, схема , 360, выбора адреса данных CAM может хранить множество адресов данных CAM_ADDR, соответствующих множеству значений перекоса, и может выбирать и выводить один из множества адресов данных CAM_ADDR в ответ на полученное значение перекоса. сигнал skew_value.

    РИС. 7 — блок-схема, иллюстрирующая работу программы обработки данных САМ в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Операция программы обработки данных САМ по фиг. 7 будет описана ниже со ссылкой на фиг. С 1 по 6.

    Ссылаясь на фиг. 7, запоминающее устройство , 1100, может принимать множество данных CAM, сгенерированных контроллером памяти , 1200, (S , 710, ). Множество данных CAM может включать в себя множество частей информации о параметрах опции, соответствующих множеству значений перекоса, соответственно.Например, множество данных CAM включает в себя первые данные CAM, вторые данные CAM и третьи данные CAM. Первые данные CAM могут включать в себя информацию о параметрах опции, соответствующую относительно медленному значению перекоса. Вторые данные CAM могут включать в себя информацию о параметрах опции, соответствующую нормальному значению перекоса. Третьи данные CAM могут включать в себя информацию о параметрах опции, соответствующую относительно быстрому значению перекоса. В этом варианте осуществления три данных CAM описаны в качестве примера. Однако значения перекоса могут быть разделены на большее количество групп, и может быть сгенерировано множество соответствующих им данных САМ.

    Кроме того, как описано выше в этом варианте осуществления, контроллер , 1200, памяти может генерировать множество данных CAM. Однако множество данных CAM может быть принято от хоста 2000 .

    Устройство памяти , 1100, может программировать блок , 120, CAM с множеством данных CAM, полученных от контроллера памяти , 1200, (S 720 ).

    РИС. 8A и 8B — схемы, иллюстрирующие программный метод данных CAM в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Ссылаясь на ФИГ. 8A, CAM-блок , 120, может включать в себя множество страниц от Page 0 до Page n. Одна страница может быть выбрана из множества страниц с Page 0 до Page n блока CAM 120 . Одна выбранная страница может быть запрограммирована с каждым из множества данных CAM во время работы программы данных CAM (на этапе S 720 на фиг. 7). Другими словами, множество данных CAM может быть запрограммировано на разных страницах блока , 120, CAM, соответственно.Например, множество данных CAM включает в себя первые данные CAM_DATA 1 , соответствующие медленному перекосу, вторые данные CAM_DATA 2 , соответствующие нормальному перекосу, и третьи данные CAM_DATA 3 , соответствующие быстрому перекосу. Первые данные САМ CAM_DATA 1 (т.е. медленный перекос) могут быть сохранены на странице 0 блока САМ 120 . Вторые данные CAM_DATA 2 (т.е. нормальный перекос) могут быть сохранены на странице Page 1 блока CAM 120 .Третьи данные САМ CAM_DATA 3 (т. Е. Быстрый перекос) могут быть сохранены на странице 2 блока САМ 120 . С первого по третий данные CAM могут быть присвоены разные адреса строк с CAM_DATA 1 до CAM_DATA 3 . Адреса строк с первого по третий данные CAM CAM_DATA 1 — CAM_DATA 3 могут быть сохранены в схеме выбора адреса данных CAM 360 логики управления , 300, .

    Ссылаясь на фиг.8B, во время работы программы данных САМ (на этапе S 720 на фиг. 7) множество данных САМ может быть запрограммировано на одной странице (например, стр. 0 ) блока 120 САМ. То есть множество данных CAM может быть запрограммировано на одной и той же странице блока , 120, CAM. Например, первые данные CAM CAM_DATA 1 (т. Е. Медленный сдвиг), вторые данные CAM CAM_DATA 2 (т. Е. Нормальный сдвиг) и третьи данные CAM_DATA 3 (т.е.е., быстрый перекос) может быть сохранен на странице 0 блока CAM 120 . С первого по третий данные CAM могут быть назначены разные адреса столбцов, от CAM_DATA 1 до CAM_DATA 3 . Например, первые данные CAM CAM_DATA 1 (т.е. медленный перекос) могут быть сохранены в области первого столбца страницы, вторые данные CAM CAM_DATA 2 (т.е. нормальный перекос) могут быть сохранены в области второго столбца страницы Page 0 , а в третьих данных CAM CAM_DATA 3 (т.е.е., быстрый перекос) может храниться в области третьего столбца страницы. Адреса столбцов с первого по третий данные CAM CAM_DATA 1 — CAM_DATA 3 могут быть сохранены в схеме выбора адреса данных CAM 360 логики управления , 300, .

    Как показано на фиг. 8B, множество данных CAM (например, с первого по третий данные CAM_DATA 1 — CAM_DATA 3 ) могут храниться на одной странице Page 0 . Однако, как показано на фиг.8A, хотя множество данных CAM хранится на множестве страниц, по меньшей мере, одни данные CAM могут храниться на каждой из страниц.

    РИС. 9 является блок-схемой, иллюстрирующей работу запоминающего устройства (например, запоминающего устройства , 1100, ) в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    В этом варианте осуществления настоящего раскрытия случай, в котором множество данных САМ запрограммировано на множество страниц, соответственно, как показано на фиг. 8A будет описан в качестве примера.

    Способ работы запоминающего устройства 1100 на фиг. 9 описывается ниже со ссылкой на фиг. 1 по 8B.

    Ссылаясь на фиг. 9, когда запоминающее устройство 1100 включено, запоминающее устройство 1100 может выполнить операцию сброса при включении, если внешнее напряжение питания VCCE, приложенное извне запоминающего устройства 1100 , увеличивается до более чем заданный уровень (S 910 ). Схема , 400, сброса при включении питания может генерировать и выводить сигнал POR сброса при включении питания путем обнаружения увеличения внешнего напряжения VCCE питания до уровня, превышающего предварительно определенный.Управляющая логика , 300, может выполнять операцию инициализации в ответ на сигнал POR сброса при включении питания.

    Схема определения параметров , 500, может генерировать и выводить сигнал значения перекоса skew_value путем измерения значения перекоса запоминающего устройства 1100 в ответ на сигнал POR сброса при включении (S 920 ). Схема , 510, кольцевого генератора схемы , 500, определения параметров может определять значение перекоса запоминающего устройства , 1100, .Значение перекоса запоминающего устройства , 1100, может быть определено путем генерирования тактового сигнала CLK, период которого изменяется путем отражения изменений процесса, напряжения и температуры (PVT) элементов, и измерения периода тактового сигнала CLK. То есть схема , 500, определения параметров может генерировать и выводить сигнал значения перекоса skew_value, соответствующий значению перекоса, определенному согласно периоду тактовых импульсов, генерируемых схемой , 510, кольцевого генератора.

    Схема выбора адреса данных CAM , 360, может выбирать и выводить адрес данных CAM_ADDR в ответ на сигнал skew_value значения перекоса (S 930 ). Адрес данных CAM CAM_ADDR может соответствовать данным CAM, включенным в информацию о параметрах опции. Информация о дополнительных параметрах может соответствовать значению перекоса, измеренному схемой , 500, определения параметров. Сигнал значения перекоса skew_value может выводиться из схемы определения параметров , 500, на фиг.2. Например, когда измеренное значение перекоса соответствует первым данным САМ (то есть медленному перекосу), адрес строки первых данных САМ (т.е. медленный перекос) может быть выбран и выведен как адрес данных САМ CAM_ADDR. Когда измеренное значение перекоса соответствует третьим данным CAM_DATA 3 (т. Е. Быстрое смещение), адрес строки третьих данных CAM-данных CAM_DATA 3 (т. Е. Быстрый перекос) может быть выбран и выведен как адрес данных CAM CAM_ADDR.

    Управляющая логика , 300, может генерировать и выводить сигнал операции OP_CMD, адрес строки RADD, адрес столбца CADD и сигналы управления буфером страницы PBSIGNALS для выполнения операции чтения данных САМ.Периферийная схема , 200, может выполнять операцию чтения данных CAM на странице, выбранной из множества страниц с Page 0 до Page 2 блока CAM 120 в ответ на управляющую логику 300 (S 940 ).

    Схема генерирования напряжения , 210, может генерировать и выводить напряжение считывания и напряжение прохода в ответ на рабочий сигнал OP_CMD. Строчный декодер , 220, может подавать напряжение чтения к выбранной словарной шине, соответствующей выбранной странице, среди множества страниц, включенных в CAM-блок , 120, , в ответ на адрес строки RADD и может подавать напряжение пропускания для невыделенные словосочетания.Группа , 230, буфера страниц может воспринимать данные CAM_DATA CAM, хранящиеся на выбранной странице, путем измерения токов или напряжений в битовых линиях BL 1 — BLn в ответ на сигналы PBSIGNALS управления буфером страницы. Декодер , 240, столбца может передавать данные CAM_DATA CAM_DATA, считанные группой , 230, буфера страниц, в схему , 250, ввода / вывода в ответ на адрес столбца CADD. Схема , 250, ввода / вывода может передавать данные CAM_DATA CAM_DATA в управляющую логику , 300, .

    Внутренняя схема управления , 310, логики управления , 300, может устанавливать дополнительные параметры для различных операций запоминающего устройства 1100 на основе принятых данных CAM_DATA CAM (S 950 ). Например, параметры опции могут быть установлены на основе полученных данных CAM_DATA CAM. Параметры опции могут включать в себя потенциальные уровни рабочих напряжений, используемых в различных операциях, включая операцию программы, операцию чтения и операцию стирания.Кроме того, дополнительные параметры могут включать в себя время подачи рабочих напряжений, а также начальное напряжение и конечное напряжение программы пошаговых импульсов с приращением (ISPP) и стирания импульсов с приращениями (ISPE).

    После установки параметров опции управляющая логика , 300, может выполнять различные операции в ответ на внутреннюю команду CMD и адрес ADD от контроллера памяти 1200 (S 960 ).

    В соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия, как описано выше, запоминающее устройство 1100 может измерять значение перекоса запоминающего устройства 1100 во время операции включения, считывать данные CAM, соответствующие измеренному значению перекоса, среди множества данных CAM и установить параметр опции для различных операций в соответствии с считанными данными CAM.Соответственно, оптимальный параметр опции может быть установлен в зависимости от характеристик запоминающего устройства.

    Кроме того, когда система памяти , 1000, включает в себя множество запоминающих устройств , 1100, , одинаковые или разные параметры опции могут быть установлены согласно значениям перекоса множества запоминающих устройств 1100 . Поскольку оптимальные параметры опции устанавливаются согласно значениям перекоса соответствующих запоминающих устройств , 1100, , точность различных операций запоминающих устройств , 1100, может быть улучшена.

    РИС. 10 — схема, иллюстрирующая систему 30000 памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Ссылаясь на фиг. 10, система памяти , 30000, может быть воплощена в сотовом телефоне, смартфоне, планшетном персональном компьютере (ПК), персональном цифровом помощнике (КПК) или устройстве беспроводной связи. Система памяти , 30000, может включать в себя запоминающее устройство , 1100, и контроллер памяти , 1200, , управляющий операциями запоминающего устройства , 1100, .Контроллер , 1200, памяти может управлять операцией доступа к данным запоминающего устройства , 1100, , например, программной операцией, операцией стирания или операцией чтения в ответ на управление процессором , 3100, .

    Контроллер памяти , 1200, может управлять данными, запрограммированными в запоминающем устройстве 1100 для вывода через дисплей 3200 в ответ на управление контроллером памяти 1200 .

    Радиоприемопередатчик 3300 может обмениваться радиосигналом через антенну ANT.Например, радиоприемопередатчик , 3300, может преобразовать радиосигнал, принимаемый через антенну ANT, в сигнал, который может быть обработан процессором , 3100, . Следовательно, процессор , 3100, может обрабатывать выходной сигнал радиоприемопередатчика 3300 и передавать обработанный сигнал в контроллер памяти , 1200, или дисплей 3200 . Контроллер , 1200, памяти может запрограммировать сигнал, обработанный процессором , 3100, , в устройство памяти , 1100, .Кроме того, радиоприемопередатчик , 3300, может преобразовывать выходной сигнал процессора , 3100, в радиосигнал и выводить радиосигнал на внешнее устройство через антенну ANT. Управляющий сигнал для управления операциями процессора 3100 или данные, которые должны обрабатываться процессором 3100 , могут вводиться устройством ввода 3400 , а устройство ввода 3400 может включать указательное устройство, такое как сенсорная панель, компьютерная мышь, клавиатура или клавиатура.Процессор , 3100, может управлять операциями дисплея 3200 , так что данные, выводимые из контроллера памяти 1200 , данные, выводимые из радиоприемопередатчика 3300 , или данные, выводимые из устройства ввода 3400 , могут выводиться через дисплей 3200 .

    В соответствии с вариантом осуществления, контроллер памяти , 1200, , управляющий операциями запоминающего устройства , 1100, , может составлять часть процессора 3100 или может быть сформирован как отдельная микросхема от процессора 3100 .Кроме того, контроллер , 1200, памяти может быть сформирован как пример контроллера памяти на фиг. 1, и запоминающее устройство , 1100, может быть сформировано как пример запоминающего устройства по фиг. 2.

    РИС. 11 — схема, иллюстрирующая систему 40000 памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Ссылаясь на фиг. 11, система памяти , 40000, может быть воплощена в персональном компьютере (ПК), планшетном ПК, нетбуке, устройстве для чтения электронных книг, персональном цифровом помощнике (КПК), портативном мультимедийном плеере (PMP), MP3-плеер или MP4-плеер.

    Система памяти , 40000, может включать в себя запоминающее устройство , 1100, и контроллер памяти , 1200, , управляющий операцией обработки данных запоминающего устройства 1100 .

    Процессор 4100 может выводить данные, хранящиеся в запоминающем устройстве 1100 , через дисплей 4300 в соответствии с данными, вводимыми через устройство ввода 4200 . Примеры устройства ввода , 4200, могут включать в себя указывающее устройство, такое как сенсорная панель, компьютерная мышь, клавиатура или клавиатура.

    Процессор 4100 может управлять различными операциями системы памяти 40000 и управлять операциями контроллера памяти 1200 . В соответствии с вариантом осуществления контроллер памяти , 1200, , управляющий операциями запоминающего устройства , 1100, , может быть частью процессора , 4100, или быть сформирован как отдельная микросхема от процессора , 4100, . Кроме того, контроллер памяти , 1200, может быть сформирован посредством примера контроллера памяти на фиг.1, и запоминающее устройство , 1100, может быть сформировано посредством примера запоминающего устройства , 1100, на фиг. 2.

    РИС. 12 — схема, иллюстрирующая систему 50000 памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Ссылаясь на фиг. 12, система памяти 50000 может быть воплощена в процессоре изображения, например, в цифровой камере, сотовом телефоне с прикрепленной к нему цифровой камерой, смартфоне с прикрепленной к нему цифровой камерой или настольном ПК с цифровым камера прикреплена к нему.

    Система памяти 50000 может включать в себя запоминающее устройство 1100 и контроллер памяти 1200 , управляющий операцией обработки данных запоминающего устройства 1100 , например, программной операцией, операцией стирания или операцией чтения .

    Датчик изображения 5200 системы памяти 50000 может преобразовывать оптическое изображение в цифровые сигналы, и цифровые сигналы могут быть переданы в процессор 5100 или контроллер памяти 1200 .В ответ на управление процессором 5100 цифровые сигналы могут выводиться через дисплей 5300 или сохраняться в запоминающем устройстве , 1100, через контроллер памяти , 1200, . Кроме того, данные, хранящиеся в запоминающем устройстве , 1100, , могут выводиться через дисплей 5300 в соответствии с управлением процессора 5100 или контроллера памяти , 1200, .

    В соответствии с вариантом осуществления, контроллер памяти , 1200, , управляющий операциями запоминающего устройства , 1100, , может быть частью процессора 5100 или быть сформирован как отдельная микросхема от процессора 5100 .Кроме того, контроллер , 1200, памяти может быть сформирован как пример контроллера памяти на фиг. 1, и запоминающее устройство , 1100, может быть сформировано как пример запоминающего устройства по фиг. 2.

    РИС. 13 — схема, иллюстрирующая систему , 70000, памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

    Как показано на фиг. 13, система памяти , 70000, может включать в себя карту памяти или смарт-карту. Система памяти , 70000, может включать в себя запоминающее устройство , 1100, , контроллер памяти , 1200, и интерфейс карты , 7100, .

    Контроллер памяти , 1200, может управлять обменом данными между запоминающим устройством 1100 и интерфейсом карты 7100 . В соответствии с вариантом осуществления интерфейс карты , 7100, может быть, но не ограничиваясь этим, интерфейсом защищенной цифровой (SD) карты или интерфейсом мультимедийной карты (MMC).

    Интерфейс карты 7100 может сопрягать обмен данными между хостом 60000 и контроллером памяти 1200 в соответствии с протоколом хоста 60000 .В соответствии с вариантом осуществления интерфейс карты , 7100, может поддерживать протокол универсальной последовательной шины (USB) и протокол InterChip (IC) -USB. Интерфейс карты , 7100, может относиться к аппаратному обеспечению, способному поддерживать протокол, который используется хостом 60000 , программное обеспечение, установленное в аппаратном обеспечении, или способ передачи сигнала.

    Когда система памяти 70000 подключена к главному интерфейсу 6200 хоста 60000 , такому как персональный компьютер (ПК), планшетный ПК, цифровая камера, цифровой аудиоплеер, сотовый телефон, аппаратное обеспечение видеоигры консоли или цифровая приставка pox, интерфейс хоста 6200 может осуществлять обмен данными с устройством памяти 1100 через интерфейс карты 7100 и контроллер памяти 1200 в ответ на управление микропроцессор 6100 .Кроме того, контроллер , 1200, памяти может быть сформирован как пример контроллера памяти на фиг. 1, и запоминающее устройство , 1100, может быть сформировано как пример запоминающего устройства по фиг. 2.

    В соответствии с настоящим раскрытием, блок CAM устройства памяти может быть запрограммирован данными CAM, соответствующими множеству настроек параметра опции, и параметр опции может быть установлен путем чтения данных CAM, выбранных из числа CAM данные в соответствии со значением перекоса запоминающего устройства, так что может быть установлен параметр опции, оптимизированный для запоминающего устройства.

    Специалистам в данной области техники будет очевидно, что в вышеописанные примерные варианты осуществления настоящего изобретения могут быть внесены различные модификации без отклонения от сущности или объема изобретения. Таким образом, предполагается, что настоящее изобретение охватывает все такие модификации при условии, что модификации входят в объем прилагаемой формулы изобретения и ее эквивалентов.

    Следует понимать, что многие вариации и модификации основной идеи изобретения, описанные в данном документе, по-прежнему будут находиться в пределах сущности и объема настоящего раскрытия, как определено в прилагаемой формуле изобретения и ее эквивалентах.

    В обсужденных выше вариантах осуществления все этапы могут быть выборочно выполнены или пропущены. Кроме того, этапы в каждом варианте осуществления не всегда могут выполняться в обычном порядке. Кроме того, варианты осуществления, раскрытые в настоящем описании и на чертежах, нацелены на то, чтобы помочь обычным специалистам в данной области техники более четко понять настоящее раскрытие, а не на ограничение рамок настоящего раскрытия. То есть специалист в области техники, к которой принадлежит настоящее раскрытие, сможет легко понять, что возможны различные модификации, основанные на техническом объеме настоящего раскрытия.

    Варианты осуществления настоящего раскрытия были описаны со ссылкой на прилагаемые чертежи, и конкретные термины или слова, используемые в описании, должны толковаться в соответствии с духом настоящего раскрытия без ограничения его предмета. Следует понимать, что многие вариации и модификации основной идеи изобретения, описанные в данном документе, по-прежнему будут находиться в пределах сущности и объема настоящего раскрытия, как определено в прилагаемой формуле изобретения и ее эквивалентах.

    Комплектация транзисторов для FF Clones

    Авторские права 2000 R.G. Увлеченный. Все права защищены. Нет разрешения на локальные копии или обслуживание со страниц, отличных от http://www.geofex.com.


    Вы решили создать лучший в мире клон Fuzz Face. У тебя есть собранные части, в том числе некоторые германиевые транзисторы dyn-o-mite PNP, и просто чешется достать пайку. Но — из этой партии германиевых транзисторов, как узнать, какие из них звучать хорошо, а что не будет? Для первого заказа вы можете просто выбрать их в цифровом мультиметре с диапазоном проверки транзисторов.Однако все современные цифровые мультиметры Предположим, что тестируемый транзистор вообще не имеет утечки. Они просто поставили Измерьте величину базового тока и посмотрите, сколько тока поступает на коллектор из. Из-за более высокой утечки германия это просто делает устройство негерметичным. выглядят как устройство с более высоким коэффициентом усиления. Вот как отделить пшеницу от плевел.

    Это — один из способов отделить утечку от истинного выигрыша. Вы подключаете пару резисторов и цифровой мультиметр к устройству, а резисторы устанавливают условия, которые вы можете контролировать, чтобы посмотреть, что к чему.Если вы действительно хотите это сделать, возьмите резистор 2,2 МОм и резистор 2,4 кОм. ; лучше возьмите по одной металлической пленке 2.2M и 2.49K 1% резисторы. Это обойдется вам примерно в 0,30 доллара США, если вы получите их от Mouser, и немного больше или меньше, чем из других источников. Если ты собираешься много делать этого, установите транзисторный разъем, чтобы вы могли легко протестировать большое количество устройств.

    Если вы удовлетворены показателем прибыли, но готовы согласиться на более низкая точность, вы можете использовать углеродную пленку на 5%, но знайте, что точность будет быть меньше.Если можешь, получи несколько резисторов 2,4 кОм и измерьте их. Вы можете найти тот, который ближе к 2,472 Ом, что было бы идеально. я придирчиво к омам, потому что если вы получите ровно 2,2 МОм и 2472 Ом, и используйте батарею 9,0 В, вы обнаружите, что напряжение на резисторе будет быть численно равным указанному усилению! Вот почему несколько странный резистор ценности и обсуждение ценностей. Это делает окончательные цифры на вашем цифровом мультиметре. выходи о праве.

    Для проверки вставьте транзистор в гнездо и считайте напряжение постоянного тока. через резистор 2,4 кОм. Резистор преобразует любой ток утечки из транзистор в напряжение, которое вы затем можете прочитать на своем счетчике. 2472 Ом сопротивление резистора составляет 2,472 вольт на миллиампер, поэтому утечка в миллиамперах приведет к отображению 2,472 вольт. Это невероятно большая утечка, поэтому любой транзистор, который это не будет полезно для FF. Фактически, хотя он будет немного отличаться, любой транзистор, который показывает утечку более нескольких микроампер.Из-за резистора масштабирования, показанное на вашем счетчике значение является «усилением ложной утечки» и нужно будет вычесть из общего чтения, которое вы сделаете в следующий раз.

    Чтобы проверить общее усиление, нажмите переключатель, который соединяет резистор 2,2 МОм с база. Это приводит к тому, что ток базы протекает более чем на 4 мкА. база. Транзистор умножает это на свое внутреннее усиление, и сумма утечка (которая не меняется с током базы) и усиленная база Текущий.Если транзистор имеет усиление 100 и нет утечки, напряжение на тогда резистор 2,4 кОм равен (4 мкА) * (100) * (2472) = 0,9888 В — что почти ровно 1/100 фактический выигрыш. Довольно аккуратно, да?

    Но мы знаем, что у германия действительно есть утечка — вот почему этот маленький танец в первую очередь. Итак, предположим, что устройство протекает 100uA на начнем с. Вставляем устройство в розетку и считываем напряжение перед тем, как нажмите переключатель. Он читает (100E-6) * (2472) = 247 мВ.Таким образом, утечка делает метр считают, что есть «усиление» почти 25 без тока в база у всех.

    Насколько велика утечка? 100uA обычное дело, 200 бывает довольно часто. Более 300 мкА означает, что устройство подозрительно, а более чем 500уА я бы сказал плохо.

    Допустим, у устройства действительно утечка 93uA, и у него усиление 110 — первоклассный экземпляр. Что происходит при тестировании? Мы забиваем вещь сокету и прочтите (93uA) * (2472) =.229V. Затем нажимаем переключатель и читаем 1,330 В. Чтобы получить реальное усиление, мы вычитаем 0,229 В из 1,330 В и получаем 1,101 В. В истинное усиление всего в 100 раз превышает показание.

    Эй! Почему это 110.1, а не 110? Ну, это из-за того, что несовершенный мир, и из этого тестера строится с некоторыми приближениями. В точный базовый ток составляет 4,046 … мкА, если предположить, что база транзистора проводит это много с прямым напряжением 0,1 В (разумно с германием на этих токи) и что батарея * ровно * 9.0000V, а резисторы 2.20000M, и … ну, вы поняли. Точность 0,5% неуместна отлично подходит для работы с такими тупыми инструментами и намного лучше, чем вам на самом деле нужно сделайте хорошо звучащий FF. Кроме того, если вы умны, вы щелкнете выключателем и Следите за напряжением, пока кладете палец на транзистор. Простой тепло пальцами приведет к быстрому увеличению прироста. Какая реальная выгода? Все они являются — при температуре и условиях на данный момент.

    Не зацикливайтесь на точных цифрах — они изменятся через секунду в любом случае.Ищите небольшую утечку и приблизительно правильный коэффициент усиления.

    Правый * реальный * прирост составляет от 70 до примерно 130. В этом диапазоне люди сообщают о лучших звуки. Некоторые люди предпочитают равный выигрыш, другие предпочитают меньший выигрыш. 70-100 для первого транзистора и от 90 до 130 для второго. К счастью, ты Теперь у вас есть информация, чтобы выяснить, какую выгоду ВЫ предпочитаете.

    Возможно, вы слышали что на самом деле существует NPN-германий. В то время как большинство германиевых транзисторов PNP, есть несколько NPN, и из них действительно получаются хорошие клоны Fuzz Face.Чтобы проверить их, просто поменяйте полярность батареи и провода измерителя на схеме тестера.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.