W0-*** | SOT-25 | RT9169-12PB | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
W01 | SOT-23 | PDTA143ET | Philips (Now NXP) | Цифровой PNP транзистор | |
W02 | SOT-23 | PDTC143ET | Philips (Now NXP) | Цифровой NPN транзистор | |
W02 | SSOP8-P-0.50A | TC07W02FK | Toshiba | ИЛИ-НЕ элемент | |
W03 | SOT-23 | PDTA114ET | NXP | PNP транзистор | |
W03 | SOT-323 | PDTA114EU | NXP | PNP транзистор | |
W04 | SOT-23 | BZX84-A11 | NXP | Стабилитрон | |
W04 | SOT-343R | S504TRW | Vishay | MOSMIC для ТВ-тюнера | |
W05 | SOT-23 | PDTA124ET | NXP | Цифровой PNP транзистор | |
W05 | SOT-323 | PDTA124EU | NXP | Цифровой PNP транзистор | |
W06 | SOT-323 | PDTC124EU | NXP | Цифровой NPN транзистор | |
W08 | SOT-23 | PDTC144ET | Philips (Now NXP) | Цифровой NPN транзистор | |
W08 | SSOP8-P-0. 50A | TC7W08FK | Toshiba | И элемент | |
W08* | SOT-26 | APW7208C | Anpec | Драйвер светодиода | |
SOT-26 | APW7209C | Anpec | Драйвер светодиода | ||
W0=*** | SOT-25 | RT9169-12GB | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
w04 | SOT-323 | PMSS3904 | NXP | NPN транзистор | |
w09 | SOT-323 | PDTC114EU | NXP | Цифровой NPN транзистор |
Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь | |||||
код | наименование | функция | корпус | производитель | примечания |
---|---|---|---|---|---|
W0 | BCR191L3 | «цифровой» pnp: 50В/100мА, 22кОм/22кОм | tslp3 | Infineon | |
W0 | BZX284-B2V4 | стабилитрон 400 мВт, 2,4 В, ±2% | sod110 | NXP | |
W0 | BZX84-C20 | стабилитрон 350 мВт: 20В | sot23 | MCC | |
W0## | R1210N301D | повышающий dc-dc: 3,0В 180кГц +LTD | sot23-5 | Ricoh | ## — lot-код |
W01 | PDTA143ET|EU | «цифровой» pnp: 50В/100мА, 4,7кОм/4,7кОм | sot23|sot323 | NXP | @China |
W02 | PDTC143ET|EU | «цифровой» npn: 50В/100мА, 4,7кОм/4,7кОм | sot23|sot323 | NXP | @China |
W04 | BZX84-A11 | стабилитрон 11В, 250мВт 1% | sot23 | NXP | @China |
W06 | PDTC124EU | «цифровой» npn: 50В/100мА, 22кОм/22кОм | sc70 | NXP | @China |
W08 | PDTC144ET/EU | «цифровой» npn: 50В/100мА, 47кОм/47кОм | sot23/sc70 | NXP | @China |
W0s | BCR191/F/U | «цифровой» pnp: 50В/100мА, 22кОм/22кОм | sot23/tsfp3/sc74 | Infineon | |
W0s | BCR191S | 2х «цифровых» pnp: 50В/100мА, 22кОм/22кОм | sot363 | Infineon |
Для правильной расшифровки чип-деталей с первыми символами кода W0, подготовлена краткая таблицей функций и технических характеристик на различные датчики, инверторы, стабилитроны, микросхемы, транзисторы, диоды и другие SMD электронные детали.
При расшифровке маркировки учитывайте, что символы «О» и «0» (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми. По этой ссылке можно посмотреть все типы, фотографии и размеры корпусов радиокомпонентов SMD
|
w04 — 芯片 丝印 反 查 — 芯片 丝印 反 查 网
搜索 w04 共 找到 44 条 数据
丝印 代码 | 型号 | 家 | 脚 针 数 | 描述 | 资料 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
W04 | BZX84-A11 | PhC | СОТ-23 | – | 11 В ± 1%, 300 мВт | 加入 物料 单 | |
W04 | S504TRW | против | СОТ-343Р | – | UHF, 8 В, 30 мА, 200 мВт, Idss = 7. 0,14 мА | 加入 物料 单 | |
W04 | PMSS3904 | PhC | СОТ-323 | 3 | GP, 60 В, 100 мА, 200 мВт, B = 100..300,> 180 МГц | 加入 物料 单 | |
w04 | PMBS3904 | NXP / PHILIPS | СОТ-23 / СК-59 | – | 三极管 Транзисторы с биполярным переходом (BJT) NPN | 加入 物料 单 | |
W04 | SN74AHC2G04HDCTR | ТЕХАС | VFSOP8 / US8 | – | 集成电路 ICIntegrated Circuit (IC) 逻辑 电路 Логическая схема 逻辑 Gate | 加入 物料 单 | |
W04 | 登录 显示 | TOSHIBA | US8 | – | …… | 加入 物料 单 | |
W04 | 登录 显示 | ТЕХАС | SSOP8 / SM8 | – | …… | 加入 物料 单 | |
W04 | 登录 显示 | ТЕХАС | SSOP8 / SM8 | – | …… | 加入 物料 单 | |
W04 | 登录 显示 | NXP / PHILIPS | SOP8 | – | …… | 加入 物料 单 | |
W04 | 登录 显示 | KEC | US8 | – | …… | 加入 物料 单 | |
W04 + 0xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 1xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 2xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 3xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 4xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 5xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 6xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 7xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 8xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 | ||
W04 + 9xx | 登录 显示 | СОТ-89-5 | – | …… | 加入 物料 单 |
使用 说明 :
· TLV3201AIDBVR RAI, 输入 RAI , 即可 筛选 出 原来 的 型号 TLV3201AIDBVR。
· MMBD7000LT1G M5C3 , 中 丝印 M5C , 而 3 是 标示 批号 13 的 意思。 以 丝印 的 时候 M5C M5C. 出来 丝印 是 M5C。 丝印 搜索 可以 尝试 多个 组合 一下。
· PIC10F200-E / OT 丝印 是 00AB (AB 表示 年份) SOT-23-6 应该 查询 丝印 是 00xx。
, 丝印 反 查 , 如果 丝印 反 可以 把 最后 面 表示 年份 的 1 到 2 位 字母 减掉 , 或者 换成 * 号 尝试。
每个 丝印 搜索 显示 20 匹配 结果 , 超过 20 条 的 不 显示。 注册 会员 可以 显示 30 条 结果。 注册 完全 免费 , 所有 内容 完全 免费。
不了解 的 事情 , 可以 联系 右侧 QQ , 或 发 support @ smdmark.com!
专业 PCB , 芯片 程序 破解 , PCB 抄 板 PCB 改 板 , BOM , 原理 图 推 ; SMT 焊接 调试 一条龙 服务 通过 的 QQ , 或者 本人 手机 (微 信 同) 180 * 2535 * 9515 , 随时 与 我 联系
[PDF] W04 Транзисторы и их применение. Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Скачать Транзисторы W04 и приложения. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен …
W04 Транзисторы и приложенияW04 Транзисторы и приложения Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
ELK 2018 — Содержание W01 Основные понятия в электронике W02 Преобразование переменного тока в постоянный W03 Анализ цепей постоянного тока (собственные и конденсаторные) W04 Транзисторы и их применение (H-мост) W05 Операционные усилители и их применение W06 Датчики и измерения (1 / 2) W07 Датчики и измерения (2/2) W08 Среднесрочный период W09 Основные понятия в цифровой электронике (логическая алгебра, десятичное в двоичное, вентили) W10 Цифровые логические схемы (вентили и триггеры) W11 ПЛК W12 Микропроцессоры W13 Сбор данных, D / Преобразователи A и A / D. 2 Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
ELK 2018 — W04 Содержание 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.
Что такое транзистор? Биполярные транзисторы. NPN-транзистор. tran_1.html
•
3 Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзисторы… Диоды состоят из двух частей полупроводникового материала, кремния или германия, которые образуют простой PN переход.Если мы соединим вместе два отдельных сигнальных диода встречно, это даст нам два соединенных последовательно PN перехода, которые имеют общий вывод P или N. Объединение этих двух диодов дает трехслойное, двухпереходное, трехконтактное устройство, образующее основу биполярного переходного транзистора, или сокращенно BJT.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Транзисторы… Транзисторы — это три оконечных активных устройства, изготовленных из различных полупроводниковых материалов, которые могут действовать как изолятор или проводник за счет приложения небольшого напряжения сигнала.Способность транзистора переключаться между этими двумя состояниями позволяет ему выполнять две основные функции: «переключение» (цифровая электроника) или «усиление» (аналоговая электроника). Тогда биполярные транзисторы могут работать в трех различных областях: 1. Активная область — транзистор работает как усилитель и Ic = β.Ib 2. Насыщение — транзистор «полностью включен», работает как переключатель и Ic = I (насыщение) 3. Отсечка — транзистор полностью выключен, работает как переключатель и Ic = 0 Yrd.Doç. Д-р Айтач Гёрен
Биполярный транзистор Существует два основных типа конструкции биполярного транзистора, PNP и NPN, которые в основном описывают физическое устройство полупроводниковых материалов P-типа и N-типа, из которых они сделаны. Базовая конструкция биполярного транзистора состоит из двух PN-переходов, образующих три соединительных вывода, причем каждому выводу присвоено имя, чтобы отличить его от двух других. Эти три терминала известны и обозначены как эмиттер (E), база (B) и коллектор (C) соответственно.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Биполярный транзистор Конструкция и обозначения схем для биполярных транзисторов PNP и NPN даны выше со стрелкой в обозначении схемы, всегда показывающей направление «обычного протекания тока» между выводом базы и выводом эмиттера. Направление стрелки всегда указывает от положительной области P-типа к отрицательной области N-типа для обоих типов транзисторов, точно так же, как для стандартного символа диода.
Yrd.Doç. Д-р Айтач Гёрен
Биполярный транзистор Конфигурация биполярного транзистора Поскольку биполярный транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, в основном существует три возможных способа подключения его к электронной схеме, при этом одна клемма является общей для входа и выхода. Каждый метод подключения по-разному реагирует на входной сигнал внутри схемы, поскольку статические характеристики транзистора меняются в зависимости от расположения схемы. 1. Общая базовая конфигурация — имеет усиление по напряжению, но без усиления по току.2. Конфигурация с общим эмиттером — имеет коэффициент усиления по току и напряжению. 3. Конфигурация с общим коллектором — имеет усиление по току, но без усиления по напряжению.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Схема транзистора с общей базой В конфигурации с общей базой или заземленной базой соединение BASE является общим как для входного сигнала, так и для выходного сигнала, причем входной сигнал применяется между клеммами базы и эмиттера. входной сигнал. Соответствующий выходной сигнал снимается с между базой и коллектором терминалов, как показано с базовым терминалом заземленной или подключенного к фиксированной точке опорного напряжения.Входной ток, протекающий в эмиттер, довольно велик, так как он представляет собой сумму как базового тока, так и тока коллектора соответственно, поэтому выходной ток коллектора меньше, чем входной ток эмиттера, что дает коэффициент усиления по току для этого типа схемы «1» (единица) или меньше, другими словами, общая базовая конфигурация «ослабляет» входной сигнал. Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Схема транзистора с общей базой Этот тип конфигурации усилителя представляет собой схему неинвертирующего усилителя напряжения, в которой напряжения сигналов Vin и Vout синфазны.Этот тип транзисторов не очень распространен из-за его необычно высоких характеристик усиления по напряжению. Его выходные характеристики соответствуют характеристикам диода с прямым смещением, в то время как входные характеристики соответствуют характеристикам освещенного фотодиода. Также этот тип конфигурации биполярного транзистора имеет высокое отношение выходного сопротивления к входному или, что более важно, «нагрузочное» сопротивление (RL) к «входному» сопротивлению (Rin), что дает ему значение «Resistance Gain». Тогда коэффициент усиления по напряжению (Av) для общей базовой конфигурации определяется как:
Где: Ic / Ie — коэффициент усиления по току, альфа (α) и RL / Rin — коэффициент усиления по сопротивлению.Схема с общей базой обычно используется только в схемах одноступенчатых усилителей, таких как микрофонный предусилитель или усилители радиочастоты (Rf), из-за ее очень хорошей высокочастотной характеристики.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация с общим эмиттером (CE) В конфигурации с общим эмиттером или заземленным эмиттером входной сигнал подается между базой, а выходной сигнал берется между коллектором и эмиттером, как показано. Этот тип конфигурации является наиболее часто используемой схемой для усилителей на базе транзисторов и представляет собой «нормальный» метод подключения биполярных транзисторов. Конфигурация усилителя с общим эмиттером обеспечивает самый высокий коэффициент усиления по току и мощности из всех трех конфигураций биполярных транзисторов. Это в основном связано с тем, что входной импеданс НИЗКИЙ, поскольку он подключен к PN-переходу со смещением в прямом направлении, а выходное сопротивление ВЫСОКОЕ, поскольку оно снимается с PN-переходом с обратным смещением.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Конфигурация с общим эмиттером (CE) В этом типе конфигурации ток, текущий из транзистора, должен быть равен токам, текущим в транзистор, поскольку ток эмиттера задается как Ie = Ic + Ib.Кроме того, поскольку сопротивление нагрузки (RL) соединено последовательно с коллектором, коэффициент усиления по току в конфигурации транзистора с общим эмиттером довольно велик, так как он представляет собой отношение Ic / Ib и обозначается греческим символом Beta (β). . Поскольку ток эмиттера для общей конфигурации эмиттера определяется как Ie = Ic + Ib, отношение Ic / Ie называется Alpha, учитывая греческий символ α. Примечание: значение альфа всегда будет меньше единицы. Поскольку электрическая взаимосвязь между этими тремя токами Ib, Ic и Ie определяется физической конструкцией самого транзистора, любое небольшое изменение тока базы (Ib) приведет к гораздо большему изменению тока коллектора (Ic). .Таким образом, небольшие изменения тока, протекающего в базе, будут управлять током в цепи эмиттер-коллектор. Как правило, для большинства транзисторов общего назначения Beta имеет значение от 20 до 200.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Конфигурация общего эмиттера (CE) Комбинируя выражения для Alpha, α и Beta, β, математическая взаимосвязь между этими параметрами и, следовательно, текущее усиление транзистора может быть задано как:
Где: » Ic — это ток, протекающий через вывод коллектора, Ib — ток, протекающий через вывод базы, а Ie — ток, текущий из вывода эмиттера.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего коллектора (CC) В конфигурации с общим или заземленным коллектором коллектор теперь является общим через источник питания. Входной сигнал подключается непосредственно к базе, а выходной сигнал берется с эмиттерной нагрузки, как показано. Этот тип конфигурации обычно известен как цепь повторителя напряжения или повторителя эмиттера. Конфигурация эмиттерного повторителя очень полезна для приложений согласования импеданса из-за очень высокого входного импеданса, порядка сотен тысяч Ом, при относительно низком выходном сопротивлении.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Конфигурация с общим коллектором (CC) Конфигурация с общим эмиттером имеет коэффициент усиления по току, приблизительно равный значению β самого транзистора. В конфигурации с общим коллектором сопротивление нагрузки расположено последовательно с эмиттером, поэтому его ток равен току эмиттера. Поскольку ток эмиттера представляет собой комбинацию тока коллектора и базы, сопротивление нагрузки в этом типе конфигурации транзистора также имеет как ток коллектора, так и входной ток базы, протекающий через него.Тогда текущий коэффициент усиления схемы определяется как:
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Характеристики биполярного транзистораВходные характеристики: —
Эмиттер с общей базой —
ΔVEB / ΔIE ΔVBE / ΔIB
Выходные характеристики: —
Эмиттер с общей базой
ΔICΔVC /ΔVC
Передаточные характеристики: —
Общий эмиттер с общей базой —
ΔIC / ΔIE ΔIC / ΔIB
Характеристика
Общая база
Общий эмиттер
Общий коллектор
Входное сопротивление
Низкое
Выходное сопротивление
Очень высокий
Высокий
Низкий
Фазовый угол
0o
180o
0o
Усиление напряжения
Высокое
Среднее
Низкое
Среднее
Высокий
Коэффициент усиления
Низкий
Очень высокий
Средний 900 03
Yrd.Doç. Д-р Айтач Гёрен
NPN-транзистор Стандартный биполярный транзистор, или BJT, бывает двух основных форм. Типы NPN (отрицательные-положительные-отрицательные) и PNP (положительные-отрицательные-положительные), причем наиболее часто используемым типом транзисторов является транзистор NPN. NPN-транзистор вместе с характеристиками тока транзистора представлен ниже.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен
NPN-транзистор Напряжение между базой и эмиттером (VBE) положительное на базе и отрицательное на эмиттере, потому что для NPN-транзистора клемма базы всегда положительна по отношению к эмиттеру.Также напряжение питания коллектора является положительным по отношению к эмиттеру (VCE). Таким образом, для NPN-транзистора проводимость коллектора всегда более положительна как по отношению к базе, так и по отношению к эмиттеру. Подключения транзистора NPN
Затем источники напряжения подключаются к транзистору NPN, как показано. Коллектор подключается к источнику питания VCC через нагрузочный резистор RL, который также ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство. Напряжение питания базы VB подключается к резистору базы RB, который снова используется для ограничения максимального тока базы.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
NPN-транзистор Транзистор — это устройство, управляемое током (бета-модель), и большой ток (Ic) свободно течет через устройство между коллектором и выводами эмиттера, когда транзистор переключается «полностью». НА». Однако это происходит только тогда, когда небольшой ток смещения (Ib) протекает в выводе базы транзистора одновременно, что позволяет базе действовать как своего рода вход управления током. Ток транзистора в NPN-транзисторе — это отношение этих двух токов (Ic / Ib), которое называется коэффициентом усиления постоянного тока устройства и обозначается символом hfe или в настоящее время Beta, (β).Значение β может быть большим до 200 для стандартных транзисторов, и именно это большое соотношение между Ic и Ib делает NPN-транзистор полезным усилительным устройством при использовании в его активной области, поскольку Ib обеспечивает вход, а Ic обеспечивает выход. Обратите внимание, что в бета-версии нет единиц измерения, так как это соотношение.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзистор NPN Кроме того, коэффициент усиления по току транзистора от вывода коллектора до вывода эмиттера, Ic / Ie, называется альфа, (α) и является функцией самого транзистора (электроны диффундируют через соединение). Поскольку ток эмиттера Ie является произведением очень малого тока базы и очень большого тока коллектора, значение альфа α очень близко к единице, а для типичного сигнального транзистора малой мощности это значение находится в диапазоне от 0,950 до 0,999.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
NPN-транзистор — пример NPN-транзистор имеет коэффициент усиления по постоянному току (бета), равный 200. Вычислите базовый ток Ib, необходимый для переключения резистивной нагрузки 4 мА.
Следовательно, β = 200, Ic = 4 мА и Ib = 20 мкА.Напряжение коллектора (Vc) должно быть больше и положительно по отношению к напряжению эмиттера (Ve), чтобы ток мог течь через транзистор между переходами коллектор-эмиттер. Кроме того, существует падение напряжения между базой и выводом эмиттера около 0,7 В (падение напряжения на один диод) для кремниевых устройств, поскольку входные характеристики NPN-транзистора относятся к прямому смещенному диоду. Тогда базовое напряжение (Vbe) NPN-транзистора должно быть больше, чем это 0,7 В, иначе транзистор не будет проводить с током базы, заданным как. Ib — ток базы, Vb — напряжение смещения базы, Vbe — падение напряжения база-эмиттер (0,7 [В]), а Rb — входной резистор базы. Увеличивая Ib, Vbe медленно увеличивается до 0,7 В, но Ic возрастает экспоненциально.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего эмиттера. Помимо использования в качестве полупроводникового переключателя для включения или выключения токов нагрузки путем управления базовым сигналом транзистора в его областях насыщения или отсечки, транзисторы NPN также могут использоваться в его активной области для получения схема, которая будет усиливать любой слабый сигнал переменного тока, подаваемый на ее базовый терминал с заземленным эмиттером.Если подходящее «смещающее» напряжение постоянного тока сначала подается на базовый вывод транзистора, что позволяет ему всегда работать в пределах своей линейной активной области, получается схема инвертирующего усилителя, называемая одноступенчатым усилителем с общим эмиттером.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего эмиттера.
Операция «Усилитель класса A» — это операция, при которой клемма базы транзистора смещена таким образом, чтобы смещать в прямом направлении переход база-эмиттер. В результате транзистор всегда работает на полпути между областями отсечки и насыщения, что позволяет транзисторному усилителю точно воспроизводить положительную и отрицательную половины любого входного сигнала переменного тока, наложенного на это напряжение смещения постоянного тока.Без этого «напряжения смещения» усилилась бы только половина входного сигнала. Эта конфигурация усилителя с общим эмиттером, использующая транзистор NPN, имеет множество применений, но обычно используется в аудиосхемах, таких как каскады предварительного усилителя и усилителя мощности. Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего эмиттера. Кривые выходных характеристик соотносят выходной ток коллектора (Ic) с напряжением коллектора (Vce), когда на транзистор подаются разные значения тока базы (Ib) для транзисторов с одинаковым значением β.
A «Линия нагрузки» постоянного тока также может быть нанесена на кривые выходных характеристик, чтобы показать все возможные рабочие точки, когда применяются различные значения базового тока. Необходимо правильно установить начальное значение Vce, чтобы выходное напряжение изменялось как вверх, так и вниз при усилении входных сигналов переменного тока, и это называется установкой рабочей точки или точки покоя, для краткости точки Q.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего эмиттера. Наиболее важный фактор, на который следует обратить внимание, — это влияние Vce на ток коллектора Ic, когда Vce больше 1.0 вольт. Мы можем видеть, что Ic в значительной степени не зависит от изменений Vce выше этого значения, и вместо этого он почти полностью контролируется базовым током Ib. Когда это происходит, мы можем сказать, что выходная цепь представляет собой «источник постоянного тока». Из схемы общего эмиттера также можно увидеть, что ток эмиттера Ie представляет собой сумму тока коллектора Ic и тока базы Ib, сложенных вместе, поэтому мы также можем сказать, что Ie = Ic + Ib для общего эмиттера (CE ) конфигурация.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего эмиттера. Используя кривые выходных характеристик в нашем примере выше, а также закон Ома, ток, протекающий через нагрузочный резистор (RL), равен току коллектора, Ic, входящему в транзистор, который, в свою очередь, соответствует напряжению питания (Vcc ) за вычетом падения напряжения между коллектором и выводами эмиттера (Vce) и определяется как:
Кроме того, прямую линию, представляющую динамическую линию нагрузки транзистора, можно провести непосредственно на графике кривых выше с точки «Насыщение» (A), когда Vce = 0, до точки «отсечки» (B), когда Ic = 0, что дает нам «рабочую» или Q-точку транзистора.Эти две точки соединены прямой линией, и любое положение на этой прямой представляет «активную область» транзистора.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Конфигурация общего эмиттера. Фактическое положение линии нагрузки на характеристических кривых можно рассчитать следующим образом:
Затем кривые коллекторных или выходных характеристик для NPN-транзисторов с общим эмиттером можно использовать для прогнозирования тока коллектора, Ic, если заданы Vce и базовый ток. , Ib.Линия нагрузки также может быть построена на кривых для определения подходящей рабочей или Q-точки, которая может быть установлена путем регулировки базового тока. Наклон этой линии нагрузки равен обратной величине сопротивления нагрузки, которая задается как: -1 / RL. Затем мы можем определить NPN-транзистор как обычно «ВЫКЛ.», Но с небольшим входным током и небольшим положительным напряжением на его базе. (B) относительно его эмиттера (E) включит его, позволяя протекать очень большому току коллектор-эмиттер. Транзисторы NPN проводят, когда Vc намного больше Ve.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзистор PNP Транзистор PNP является полной противоположностью транзистора NPN. По сути, в этом типе конструкции транзистора два диода перевернуты по отношению к типу NPN, что дает положительно-отрицательно-положительную конфигурацию, при этом стрелка, которая также определяет клемму эмиттера, на этот раз указывает внутрь в символе транзистора. Кроме того, все полярности для транзистора PNP меняются местами, что означает, что он «втягивает» ток в свою базу, в отличие от транзистора NPN, который «передает» ток через свою базу. Основное различие между двумя типами транзисторов заключается в том, что дырки являются более важными носителями для транзисторов PNP, тогда как электроны являются важными носителями для транзисторов NPN. Затем транзисторы PNP используют небольшой базовый ток и отрицательное базовое напряжение для управления гораздо большим током эмиттер-коллектор. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер более положительный по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
PNP-транзистор
Напряжение между базой и эмиттером (VBE) теперь отрицательное на базе и положительное на эмиттере, потому что для транзистора PNP клемма базы всегда смещена отрицательно по отношению к Эмиттер.Также напряжение питания эмиттера является положительным по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, для PNP-транзистора эмиттер всегда более положительный по отношению как к базе, так и к коллектору.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзистор PNP На этот раз эмиттер подключен к напряжению питания VCC с нагрузочным резистором RL, который ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, подключенное к клемме коллектора. Базовое напряжение VB, которое смещено отрицательно по отношению к эмиттеру и подключается к базовому резистору RB, который снова используется для ограничения максимального базового тока.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
PNP-транзистор Чтобы ток базы протекал через PNP-транзистор, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен выходить из базы) примерно на 0,7 В для кремниевого устройства или на 0,3 В для германиевое устройство с формулами, используемыми для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора, такие же, как и для эквивалентного NPN-транзистора, и обозначаются как.
Как правило, транзисторы PNP могут заменять транзисторы NPN в большинстве электронных схем, единственная разница заключается в полярностях напряжений и направлениях тока.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Транзисторы PNP Транзисторы PNP также могут использоваться в качестве переключающих устройств, и пример транзисторного переключателя PNP показан ниже.
Кривые выходных характеристик для транзистора PNP очень похожи на кривые для эквивалентного транзистора NPN, за исключением того, что они повернуты на 180 °, чтобы учесть напряжения и токи обратной полярности (токи, текущие из базы и коллектора в PNP-транзистор отрицательный). Та же самая линия динамической нагрузки может быть нанесена на ВАХ, чтобы найти рабочие точки PNP-транзисторов.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен
Согласование транзисторов Пара соответствующих транзисторов NPN и PNP с почти идентичными характеристиками друг другу называются дополнительными транзисторами, например, TIP3055 (транзистор NPN) и TIP2955 (транзистор PNP) являются хорошими примерами дополнительных или согласованных пара кремниевых силовых транзисторов. Оба они имеют коэффициент усиления постоянного тока, бета, (Ic / Ib), согласованный с точностью до 10%, и высокий ток коллектора около 15 А, что делает их идеальными для общего управления двигателем или роботизированных приложений.
Усилителикласса B используют дополнительные NPN и PNP в конструкции выходного каскада мощности. Транзистор NPN проводит только положительную половину сигнала, тогда как транзистор PNP проводит отрицательную половину сигнала. Это позволяет усилителю передавать требуемую мощность через громкоговоритель нагрузки в обоих направлениях с заявленным номинальным сопротивлением и мощностью, что приводит к выходному току, который, вероятно, будет порядка нескольких ампер, равномерно распределенных между двумя комплементарными транзисторами. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзистор в качестве переключателя При использовании в качестве усилителя сигнала переменного тока к транзисторам прикладывается напряжение смещения базы таким образом, что оно всегда работает в своей «активной» области, то есть линейной части выходных характеристик кривые. Однако биполярные транзисторы типа NPN и PNP можно заставить работать как твердотельные переключатели типа «ВКЛ / ВЫКЛ», смещая базу транзисторов иначе, чем у усилителя сигнала. Твердотельные переключатели являются одним из основных приложений для использования транзисторов, а транзисторные переключатели могут использоваться для управления устройствами большой мощности, такими как двигатели, соленоиды или лампы, но они также могут использоваться в цифровой электронике и схемах логических вентилей.Если в схеме используется биполярный транзистор в качестве переключателя, то смещение транзистора, NPN или PNP, настраивается для управления транзистором по обе стороны кривых ВАХ, которые мы видели ранее. Области работы транзисторного ключа известны как область насыщения и область отсечки. Это означает, что мы можем игнорировать рабочую схему смещения точки Q и схему делителя напряжения, необходимую для усиления, и использовать транзистор в качестве переключателя, перемещая его вперед и назад между его положениями «полностью выключено» (отсечка) и «полностью включено». (насыщенность) регионов.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзистор как переключатель
Розовая заштрихованная область в нижней части кривых представляет область «отсечки», а синяя область слева представляет область «насыщения» транзистора.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Транзистор как переключатель 1. Область отсечки Здесь условиями работы транзистора являются нулевой входной базовый ток (IB), нулевой выходной ток коллектора (IC) и максимальное напряжение коллектора (VCE), что приводит к большой обедненный слой и отсутствие тока через устройство.Поэтому транзистор полностью выключен. • Вход и база заземлены (0 В) • Напряжение база-эмиттер VBE
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзистор как переключатель 2. Область насыщения Транзистор будет смещен таким образом, что будет приложен максимальный ток базы, что приведет к максимальному току коллектора, что приведет к минимальному падению напряжения на эмиттере коллектора, что приведет к обеднению слоя минимально возможный и максимальный ток, протекающий через транзистор.Поэтому транзистор включен «Полностью ВКЛ». • Вход и база подключены к VCC • Напряжение база-эмиттер VBE> 0,7 В • Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении • Переход база-коллектор смещен в прямом направлении • Транзистор полностью включен (область насыщения) • Максимальный ток коллектора потоки (IC = Vcc / RL) • VCE = 0 (идеальное насыщение) • VOUT = VCE = «0» • Транзистор работает как «замкнутый переключатель». Мы можем определить «область насыщения» или «режим включения» при использовании биполярного транзистор как переключатель, оба перехода смещены в прямом направлении, IB> 0.7V и IC = Максимум. Для транзистора PNP потенциал эмиттера должен быть положительным по отношению к базе.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Транзистор в качестве переключателя Основная схема переключения транзистора NPN Пример транзистора NPN в качестве переключателя, используемого для управления реле. При индуктивных нагрузках, таких как реле или соленоиды, диод маховика размещается поперек нагрузки для рассеивания обратной ЭДС, генерируемой индуктивной нагрузкой, когда транзистор переключается в положение «ВЫКЛ», и таким образом защищает транзистор от повреждения.Если нагрузка имеет очень высокий ток или напряжение, например двигатели, нагреватели и т. Д., То ток нагрузки можно контролировать с помощью подходящего реле, как показано.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Транзистор как переключатель Схема переключения базового NPN-транзистора
Для того, чтобы ток базы протекал, входная клемма базы должна быть более положительной, чем эмиттер, увеличив ее выше 0,7 В, необходимых для кремния. устройство. Изменяя это напряжение VBE база-эмиттер, также изменяется базовый ток, который, в свою очередь, регулирует величину тока коллектора, протекающего через транзистор, как обсуждалось ранее. Когда протекает максимальный ток коллектора, транзистор считается насыщенным. Величина базового резистора определяет, какое входное напряжение требуется и соответствующий базовый ток для полного включения транзистора.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Пример базовой схемы переключения транзисторов NPN
?
Используя значения транзистора: β = 200, Ic = 4 мА и Ib = 20 мкА, найдите значение базового резистора (Rb), необходимое для включения нагрузки, когда напряжение на входных клеммах превышает 2.5 [В]
Следующее наименьшее предпочтительное значение: 82 кОм, это гарантирует, что транзисторный ключ всегда находится в состоянии насыщения.
?
Найдите минимальный базовый ток, необходимый для включения транзистора «полностью» (насыщения) для нагрузки, требующей тока 200 мА при увеличении входного напряжения до 5,0 [В]. Также рассчитайте новое значение Rb.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Цифровой логический транзисторный переключатель
Базовый резистор Rb необходим для ограничения выходного тока логического элемента.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен
Транзисторный переключатель PNP Мы также можем использовать транзисторы PNP в качестве переключателей, разница в том, что на этот раз нагрузка подключена к земле (0 [В]), и транзистор PNP переключает питание на нее. Чтобы включить транзистор PNP в качестве переключателя, клемма базы подключается к земле или к нулевому напряжению (LOW), как показано. Разница на этот раз в том, что мы переключаем мощность с помощью транзистора PNP (ток источника) вместо переключения заземления с помощью транзистора NPN (ток стока).
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзисторный переключатель Дарлингтона Иногда коэффициент усиления постоянного тока биполярного транзистора слишком мал для прямого переключения тока или напряжения нагрузки, поэтому используются несколько переключающих транзисторов. Здесь один небольшой входной транзистор используется для включения или выключения гораздо большего выходного транзистора управления током. Чтобы максимизировать усиление сигнала, два транзистора соединены в «Конфигурации комплементарного усиления» или в том, что чаще называют «конфигурацией Дарлингтона», где коэффициент усиления является произведением двух отдельных транзисторов. Транзисторы Дарлингтона просто содержат два отдельных биполярных транзистора типа NPN или PNP, соединенных вместе, так что коэффициент усиления по току первого транзистора умножается на коэффициент усиления по току второго транзистора, чтобы создать устройство, которое действует как один транзистор с очень высоким током. усиление для гораздо меньшего тока базы. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзисторный переключатель Дарлингтона Общий коэффициент усиления по току Beta (β) или Hfe устройства Дарлингтона является произведением двух отдельных коэффициентов усиления транзисторов.Таким образом, транзисторы Дарлингтона с очень высокими значениями β и большими токами коллектора возможны по сравнению с одним транзисторным переключателем. Например, если первый входной транзистор имеет коэффициент усиления по току 100, а второй переключающий транзистор имеет коэффициент усиления по току 50, то общий коэффициент усиления по току будет 100 x 50 = 5000. Приведены примеры двух основных типов транзисторов Дарлингтона. ниже.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Транзисторный переключатель Дарлингтона Конфигурация транзисторного переключателя Дарлингтона NPN показывает, что коллекторы двух транзисторов соединены вместе с эмиттером первого транзистора, подключенным к базе второго транзистора, поэтому ток эмиттера первого транзистора становится равным Базовый ток второго транзистора.Первый или «входной» транзистор принимает входной сигнал, усиливает его и использует его для управления вторыми или «выходными» транзисторами, которые снова усиливают его, что приводит к очень высокому коэффициенту усиления по току. Помимо повышенных возможностей переключения тока и напряжения, еще одним преимуществом транзисторного переключателя Дарлингтона является его высокая скорость переключения, что делает его идеальным для использования в схемах инвертора и в системах управления двигателями постоянного или шагового тока. Одно отличие, которое следует учитывать при использовании транзисторов Дарлингтона по сравнению с обычными одинарными биполярными типами при использовании транзистора в качестве переключателя, заключается в том, что входное напряжение база-эмиттер (VBE) должно быть выше примерно на 1. 4 В для кремниевых устройств из-за последовательного соединения двух PN-переходов.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Полевой транзистор Для биполярного переходного транзистора выходной ток коллектора транзистора пропорционален входному току, протекающему на клемме базы устройства, что делает биполярный транзистор устройством, управляемым ТОКОМ (бета-модель ). Однако полевой транзистор, или просто полевой транзистор, использует напряжение, которое прикладывается к их входной клемме, называемой затвором, для управления током, протекающим через них, в результате чего выходной ток пропорционален входному напряжению.Поскольку их работа основана на электрическом поле (отсюда и название «эффект поля»), генерируемом входным напряжением затвора, это делает полевой транзистор устройством, управляемым «НАПРЯЖЕНИЕМ».
Полевой транзистор — это трехконтактный униполярный полупроводниковый прибор, который имеет характеристики, очень похожие на характеристики их аналогов на биполярных транзисторах, то есть высокую эффективность, мгновенную работу, надежность и дешевизну, и может использоваться в большинстве электронных схем для замены их эквивалентных биполярных схем. двоюродные братья переходные транзисторы (BJT).
Биполярный транзисторный эмиттер — (E) База — (B) Коллектор — (C)
Источник полевого транзистора — (S) Затвор — (G) Сток — (D)
Ярд. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Полевой транзистор Полевой транзистор представляет собой трехконтактное устройство, которое сконструировано без PN-переходов в пределах основного пути прохождения тока между клеммами стока и истока, которые по своим функциям соответствуют коллектору и эмиттеру соответственно биполярного транзистора.Токовый путь между этими двумя выводами называется «каналом», который может быть выполнен из полупроводникового материала P-типа или N-типа. Управление током, протекающим в этом канале, достигается путем изменения напряжения, подаваемого на шлюз. Как следует из их названия, биполярные транзисторы являются «биполярными» устройствами, потому что они работают с обоими типами носителей заряда, дырками и электронами. С другой стороны, полевой транзистор — это «униполярное» устройство, которое зависит только от проводимости электронов (N-канал) или дырок (P-канал). Полевой транзистор имеет одно важное преимущество перед своими стандартными собратьями-биполярными транзисторами в том, что их входное сопротивление (Rin) очень высокое (тысячи Ом), в то время как BJT сравнительно низкое. Этот очень высокий входной импеданс делает их очень чувствительными к сигналам входного напряжения, но цена такой высокой чувствительности также означает, что они могут быть легко повреждены статическим электричеством. Существует два основных типа полевых транзисторов: Junction Field Effect Transistor или JFET и полевой транзистор с изолированным затвором или IGFET), который более широко известен как стандартный полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником или MOSFET для краткости.Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Полевой транзистор Переходный полевой транзистор (JUGFET или JFET) не имеет PN-переходов, но вместо этого имеет узкий кусок полупроводникового материала с высоким сопротивлением, образующий «канал» кремния N-типа или P-типа для протекания большинства носителей с двумя омическими электрическими соединениями на обоих концах, обычно называемыми стоком и источником соответственно.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Полевой транзистор
Схема смещения для N-канального JFET и соответствующие символы схемы.На приведенной выше диаграмме поперечного сечения показан полупроводниковый канал N-типа с областью P-типа, называемой затвором, рассеянной в канал N-типа, образуя PN-переход с обратным смещением, и именно этот переход формирует область обеднения вокруг области затвора, когда внешние напряжения не применяются.
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Полевой транзистор Выходная характеристика V-I кривых типичного полевого транзистора. Напряжение VGS, приложенное к затвору, управляет током, протекающим между клеммами стока и истока.VGS относится к напряжению, приложенному между затвором и источником, в то время как VDS относится к напряжению, приложенному между стоком и источником. Поскольку полевой транзистор с переходным эффектом является устройством, управляемым напряжением, «ток в затвор НЕ течет!» тогда ток источника (IS), вытекающий из устройства, равен току стока, текущему в него и, следовательно, (ID = IS).
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Полевой транзистор Четыре различных рабочих региона для полевого транзистора, описанные как: Омическая область — при VGS = 0 обедненный слой канала очень мал, и полевой транзистор действует как резистор, управляемый напряжением. .
Область отсечки — это также известная как область отсечки, где напряжение затвора, VGS достаточно, чтобы заставить JFET действовать как разомкнутая цепь, поскольку сопротивление канала максимальное. Насыщение или активная область — JFET становится хорошим проводником и управляется напряжением затвор-исток (VGS), в то время как напряжение сток-исток (VDS) практически не влияет. Область пробоя — напряжение между стоком и истоком (VDS) достаточно высокое, чтобы вызвать пробой резистивного канала полевого транзистора и прохождение неконтролируемого максимального тока.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен
Полевой транзистор Кривые характеристик полевого транзистора с P-каналом такие же, как и приведенные выше, за исключением того, что ID тока стока уменьшается с увеличением положительного напряжения затвор-исток, VGS. Ток стока равен нулю, когда VGS = VP. Для нормальной работы VGS находится где-то между VP и 0. Затем мы можем вычислить ток стока, ID для любой заданной точки смещения в насыщенной или активной области следующим образом: Ток стока в активной области.
Обратите внимание, что значение тока стока будет между нулем (отсечка) и IDSS (максимальный ток). Зная ID тока стока и напряжение VDS источника стока, сопротивление канала (ID) определяется как: Сопротивление канала истока-источника.
Где: gm — «усиление крутизны», поскольку JFET — это устройство, управляемое напряжением, и которое представляет скорость изменения тока стока относительно изменения напряжения затвор-исток. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Смещение полевого транзистора усилителя JFET
Yrd.Doç. Доктор Айтач Гёрен
МОП-транзистор Наряду с полевым транзистором (JFET), существует еще один тип полевого транзистора, вход затвора которого электрически изолирован от основного токоведущего канала и поэтому называется полевым эффектом с изолированным затвором. Транзистор или IGFET. Наиболее распространенный тип полевого транзистора с изолированным затвором, который используется во многих различных типах электронных схем, называется полевым транзистором на основе оксида металла и полупроводника, или сокращенно MOSFET.Как и в предыдущем руководстве по JFET, полевые МОП-транзисторы представляют собой три оконечных устройства с затвором, стоком и истоком, и доступны полевые МОП-транзисторы с P-каналом (PMOS) и N-каналом (NMOS). Основное отличие на этот раз состоит в том, что полевые МОП-транзисторы доступны в двух основных формах: 1. Тип истощения — транзистору требуется напряжение затвор-исток (VGS), чтобы выключить устройство. MOSFET в режиме истощения эквивалентен «нормально замкнутому» переключателю.
2. Тип расширения — транзистору требуется напряжение затвор-исток (VGS) для включения устройства.MOSFET в режиме улучшения эквивалентен переключателю «Нормально открытый».
Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен
MOSFET
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Драйвер двигателя простого полевого МОП-транзистора
Поскольку нагрузка двигателя является индуктивной, к индуктивной нагрузке подключается простой диод маховика, который рассеивает любую обратную ЭДС, генерируемую двигателем, когда полевой МОП-транзистор выключает его. Фиксирующая цепь, образованная стабилитроном, включенным последовательно с диодом, также может использоваться для обеспечения более быстрого переключения и лучшего контроля пикового обратного напряжения и времени падения.Дополнительный кремниевый или стабилитрон D1 можно также разместить через канал переключателя MOSFET при использовании индуктивных нагрузок, таких как двигатели, соленоиды и т. Д., Для подавления переходных процессов переключения напряжения и шума, обеспечивая дополнительную защиту переключателя MOSFET, если это необходимо. Резистор R2 используется в качестве понижающего резистора, помогающего снизить выходное напряжение TTL до 0 В, когда MOSFET выключен. Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
Дополнительный драйвер двигателя полевого МОП-транзистора Два полевых МОП-транзистора сконфигурированы для создания двунаправленного переключателя от двойного источника питания с двигателем, подключенным между общим соединением стока и заземлением. Когда вход LOW, P-канальный MOSFET включается, так как его переход затвор-исток имеет отрицательное смещение, поэтому двигатель вращается в одном направлении. Только положительная шина питания + VDD используется для привода двигателя.
Когда на входе ВЫСОКИЙ уровень, P-канальное устройство отключается, а N-канальное устройство включается, так как его переход затвор-исток имеет положительное смещение. Теперь двигатель вращается в противоположном направлении, поскольку напряжение на клеммах двигателя было изменено на противоположное, поскольку теперь оно подается от отрицательной шины питания -VDD.Затем P-канальный MOSFET используется для переключения положительного источника питания на двигатель для прямого направления (переключение на стороне высокого напряжения), в то время как N-канальный MOSFET используется для переключения отрицательного источника питания на двигатель для обратного направления (переключение на стороне низкого уровня) .
Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен
H Контроллер мостового двигателя Хотя управление скоростью двигателя постоянного тока с помощью одного транзистора имеет много преимуществ, оно также имеет один главный недостаток: направление вращения всегда одно и то же, это «однонаправленная» схема. Во многих случаях нам необходимо вращать двигатель в обоих направлениях — вперед и назад. Один очень хороший способ добиться этого — подключить двигатель к схеме транзисторного Н-моста, и этот тип схемы даст нам «двунаправленное» управление двигателем постоянного тока, как показано ниже.
Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен
Контроллер двигателя моста H
Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен
Контроллер двигателя моста H
Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен
Семейное древо полевых транзисторов
Тип смещения N-канальный P-канал
Режим истощения полевого транзистора на переходе ВКЛ. ВЫКЛ. ВЫКЛ. 0v -ve + ve 0v 0v + ve -ve 0v
Yrd.Doç. Д-р Айтач Герен
•
Yrd. Doç. Доктор Aytaç63Gören
W + 00 | TC7W00FK | & nbsp | SSOP8-P-0.65, SSOP8-P-0.50A | Dual 2-input NAND Gate | ||||||
W +00 | TC7W00FU | & nbsp | SSOP8-P-0. 50A, SSOP8-P-0.65 | Двойной шлюз NAND с 2 входами | ||||||
W + 02 | TC7W02FK | & nbsp | SSOP8-P-0 .50A | Двойной вентиль NOR с 2 входами | ||||||
W + 04 | TC7W04FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | 3 инвертора | ||||||
W + 08 | TC7W08FK | & nbsp8 900 -P-0.50A | Двойной вентиль И с 2 входами | |||||||
Вт + 14 | TC7W14FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | Инвертор Шмитта | ||||||
Вт + 32 | TC7W32FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | Двойной вентиль OR с 2 входами | ||||||
W + 34 | TC7W34FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | Тройной неинвертирующий буфер | ||||||
W + 53 | TC7W53FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | 2-канальный мультиплексор / демультиплексор | ||||||
Вт + 66 | TC7W66FK | & nbsp | SSOP8-P-0. 50A | Двойной двусторонний коммутатор | ||||||
Вт + 74 | TC7W74FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | Триггер типа D со сбросом и сбросом | ||||||
W + U04 | TC7WU04FK | & nbsp | SSOP8-P-0.50A | 3 инвертора | ||||||
W + xxx | VS-FCSP07h50 | FCSP07h50 | FlipKY-0,75 | Пакет шкалы микросхемы выпрямителя с барьером Шоттки, 0,75 A | ||||||
Вт. | FP6121-VWDG | FP6121 | TDFN-1.6×1.6-6 | PSRR 300mA, High Стабилизатор с малым падением напряжения с двумя выходами|||||||
W0- | RT9169-12PB | RT9169 | SOT-23-5 | 100 мА, 4 мкА CMOS LDO стабилизатор | ||||||
W0 + xx | RP152L049CL | DFN1212-6 | 150 мА 1.Сдвоенный LDO-регулятор 5 В + 2,85 В с последовательным управлением | |||||||
W00 + 1xx | R5328K001B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00 + 2xx | R5328K002B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00 + 3xx | R5328K003B | R5328K | DFN (PLP24) 2020-8 | Трехрежимный двойной LDO 150 мА|||||||
W00 + 4xx | R5328K004B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный трехрежимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00 + 5xx | R5328K24005B R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | |||||||
W00 + 6xx | R5328K006B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00 + 7xx | R5328K007B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00 + 8xx | R5328K008B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00 + 9xx | R5328K009B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W00xx | R1155N | R1155N | СОТ-23-5 | 10. 0 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W01 + 0xx | R5328K010B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W01 + 1xx | R5328K011B | R5328K | DFN (PLP) 2020-8 | Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO | ||||||
W01 | SMTHDT58 | & nbsp | SMC | 58V W TRINSIL | QS5W1 | TSMT5 | Комплексный транзистор (BIP + BIP) | |||
W01xx | R1155N101B | R1155N | SOT-23-5 | 10.1 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W02 + 0xx | R1190H020B | R1190H | SOT-89-5 | 2,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W02 + 1xx | R112525H021 | SOT-89-5 | 2,1 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W02 + 2xx | R1190H022B | R1190H | SOT-89-5 | 2,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
R1190H | СОТ-89-5 | 2. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A | ||||||||
W02 + 4xx | R1190H024B | R1190H | SOT-89-5 | 2,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W02 + 5xx | 24 ROT112590H 900 52,5 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W02 + 6xx | R1190H026B | R1190H | SOT-89-5 | 2,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W02 | R119024 СОТ-89-52.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7V 1A | |||||||||
W02 + 8xx | R1190H028B | R1190H | SOT-89-5 | 2,8V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W02 + 9xx | ROT112590H 900-H 900 5 | 2,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||||
W02 | QS5W2TR | QS5W2 | TSMT5 | Транзистор средней мощности (50 В / 3 А) | ||||||
W02xx | R115525 9002 | R115525 9002 | 10.2 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | |||||||
W03 + 0xx | R1190H030B | R1190H | SOT-89-5 | 3,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W03 + 1xx | R119025H031 | SOT-89-5 | 3,1 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W03 + 2xx | R1190H032B | R1190H | SOT-89-5 | 3,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ33 | ||||||
R1190H | СОТ-89-5 | 3. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A | ||||||||
W03 + 4xx | R1190H034B | R1190H | SOT-89-5 | 3,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W03 + 5xx | ROT112590H 900-H 900 53,5 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W03 + 6xx | R1190H036B | R1190H | SOT-89-5 | 3,6 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W03 | R СОТ-89-53.7V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W03 + 8xx | R1190H038B | R1190H | SOT-89-5 | 3.8V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W03 + 9xx | ROT1190H | ROT1190H 900 5 | 3,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W03 | S503TRW | & nbsp | SOT-343R | МОСМИКА для предварительной установки ТВ-тюнера с напряжением питания 5 В | ||||||
W03 | SMD | |||||||||
W03 | SMC | 80V TRINSIL | ||||||||
W03xx | R1155N103B | R1155N | SOT-23-5 | 10. 3 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W04 + 0xx | R1190H040B | R1190H | SOT-89-5 | 4,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W04 + 1xx | R112525H090 | SOT-89-5 | 4,1 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W04 + 2xx | R1190H042B | R1190H | SOT-89-5 | 4,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3,2 В 1A 3 | ||||||
R1190H | СОТ-89-5 | 4.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A | ||||||||
W04 + 4xx | R1190H044B | R1190H | SOT-89-5 | 4.4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W04 + 5xx | ROT112590H 900 5 | 4,5 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||||
W04 + 6xx | R1190H046B | R1190H | SOT-89-5 | 4,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W04 | R СОТ-89-54.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7В 1А | |||||||||
W04 + 8xx | R1190H048B | R1190H | SOT-89-5 | 4,8 В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1А | ||||||
W04 + 9xx | ROT112590H 900 54,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W04 | S504TRW | & nbsp | SOT-343R | МОСМИКА для предварительной установки ТВ-тюнера с напряжением питания 5 В | ||||||
W04xx | RR | |||||||||
W04xx | R СОТ-23-5 | 10. 4 В, 150 мА, 24 В, регулятор высокого напряжения на входе | ||||||||
W05 + 0xx | R1190H050B | R1190H | SOT-89-5 | 5,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W05 + 1xx | R11252524 | SOT-89-5 | 5,1 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W05 + 2xx | R1190H052B | R1190H | SOT-89-5 | 5,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3,2 В 1 A 3 | ||||||
W2505 900xx | R1190H | СОТ-89-5 | 5.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A | |||||||
W05 + 4xx | R1190H054B | R1190H | SOT-89-5 | 5,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W05 + 5xx | ROT112590H 900 5 | 5,5 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||||
W05 + 6xx | R1190H056B | R1190H | SOT-89-5 | 5,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W05 + 7xx25 | СОТ-89-55. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7V 1A | |||||||||
W05 + 8xx | R1190H058B | R1190H | SOT-89-5 | 5,8V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W05 + 9xx | R112590H 900 5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,9 В, 1 А | ||||||||
W05 | S505TRW | & nbsp | SOT-343R | МОСМИКА для предварительной установки ТВ-тюнера с напряжением питания 5 В | ||||||
W05 | nbsp SMC | 120V TRINSIL | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W05xx | R1155N105B | R1155N | SOT-23-5 | 10.5 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения | ||||||
W06 + 0xx | R1190H060B | R1190H | SOT-89-5 | 6,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W06 + 1xx | R112525H090 | SOT-89-5 | 6,1V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W06 + 2xx | R1190H062B | R1190H | SOT-89-5 | 6. 2V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3 | ||||||
R1190H | СОТ-89-5 | 6.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A | ||||||||
W06 + 4xx | R1190H064B | R1190H | SOT-89-5 | 6,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W06 + 5xx | ROT11259025 900-H 900 56,5 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W06 + 6xx | R1190H066B | R1190H | SOT-89-5 | 6,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W06 + 7259025 | СОТ-89-56.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7В 1А | |||||||||
W06 + 8xx | R1190H068B | R1190H | SOT-89-5 | 6,8В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W06 + 9xx | 0H | ROT1190H 5 | 6,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W06 | CBTD3306GM | CBTD3306 | XQFN1.6×1.6-8 | Двойной шинный переключатель с переключением уровня | ||||||
W06 | 6CBTD | |||||||||
W06 | 6CBTD -8 | Переключатель двойной шины со сдвигом уровня | ||||||||
W06xx | R1155N106B | R1155N | SOT-23-5 | 10. 6 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения | ||||||
W07 + 0xx | R1190H070B | R1190H | SOT-89-5 | 7,0 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W07 + 1xx | R1125 | 00SOT-89-5 | 7,1 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W07 + 2xx | R1190H072B | R1190H | SOT-89-5 | 7,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3,2 В 1A | ||||||
W2507 | R1190H | СОТ-89-5 | 7.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A | |||||||
W07 + 4xx | R1190H074B | R1190H | SOT-89-5 | 7,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W07 + 5xx | 24 ROT112590H 900-H 900 57,5 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W07 + 6xx | R1190H076B | R1190H | SOT-89-5 | 7,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W07 | ||||||||||
W07 + 7259025 СОТ-89-5 | 7. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7В 1А | |||||||||
W07 + 8xx | R1190H078B | R1190H | SOT-89-5 | 7,8В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W07 + 9xx | R1190B | R1190B | 57,9 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W07xx | R1155N107B | R1155N | SOT-23-5 | 10,7 В 150 мА Регулятор напряжения 24 В на входе | ||||||
W08 + 0xx90H | R R1190H | СОТ-89-5 | 8.0V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W08 + 1xx | R1190H081B | R1190H | SOT-89-5 | 8,1V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W08 + 2xx | 24 ROT11259025 900-H 900 -25 5 | 8,2 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||||
W08 + 3xx | R1190H083B | R1190H | SOT-89-5 | 8,3 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W08 + 49024 | СОТ-89-5 | 8.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4V 1A | ||||||||
W08 + 5xx | R1190H085B | R1190H | SOT-89-5 | 8,5V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W08 + 6xx | 24 R11259025 900-H 900 -25 5РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 8,6 В, 1 А | |||||||||
W08 + 7xx | R1190H087B | R1190H | SOT-89-5 | 8,7 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W0824 | СОТ-89-58. РЕГУЛЯТОР НАПР. | 10,8 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения | ||||||||
W09 + 0xx | R1190H090B | R1190H | SOT-89-5 | 9,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ R1190H | СОТ-89-5 | 9.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1V 1A | ||||
W09 + 2xx | R1190H092B | R1190H | SOT-89-5 | 9.2V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W09 + 3xx | ROT1190H | ROT1190H | 5РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 9,3 В, 1 А | |||||||
W09 + 4xx | R1190H094B | R1190H | SOT-89-5 | 9,4 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W09524 | СОТ-89-59.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5V 1A | |||||||||
W09 + 6xx | R1190H096B | R1190H | SOT-89-5 | 9.6V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W09 + 7xx | R1190H | ROT1190H | 5РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, 9,7 В, 1 А | |||||||
W09 + 8xx | R1190H098B | R1190H | SOT-89-5 | 9,8 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W0924 | R900 СОТ-89-59. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 9 В, 1 А | |||||||||
W09xx | R1155N109B | R1155N | SOT-23-5 | 10,9 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W0 | RN4981FS | & nbsp | Кремниевый эпитаксиальный транзистор NPN и PNP с резисторами | |||||||
W0 | BD46245G-TR | BD46245G | SOT23-5 | Детектор напряжения с фиксированным временем задержки | ||||||
w0 | FP6142-335 | SOT-23-5 | LDO с низким уровнем шума, 500 мА с плавным пуском и функцией разряда на выходе | |||||||
W0 | MC33461SQ-30CTR | MC33461 | SC-82AB | 3.Детектор пониженного напряжения 0 В (выход CMOS) | ||||||
W0 | R3111Q301C | R3111Q | SC-82AB | Детектор низкого напряжения 3,0 В CMOS выход | ||||||
w0 = | FP6142-33S5G | FP6142-33S5G | FP6142 -23-5 | 500 мА малошумящий LDO-стабилизатор с плавным пуском и функцией разряда на выходе | ||||||
W0 = | RT9169-12GB | RT9169 | SOT-23-5 | 100 мА, 4 мкА CMOS LDO-стабилизатор | ||||||
W0Axx | R3119N046A | R3119N | SOT-23-5 | 4. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6 В, ВХОД 36 В | ||||||
W0Bxx | R3119N047A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,7 В ВХОД 36 В | ||||||
W0Cxx | R3 | |||||||||
W0Cxx | R900 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,8 В, ВХОД, 36 В | ||||||||
W0Dxx | R3119N049A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,9 В, ВХОД 36 В | ||||||
W0Exx11 | ||||||||||
W0Exx11 | 55.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 0 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W0F | TSDF1205RW | & nbsp | SOT343R | 12 ГГц npn 5 мА 4V | ||||||
W0Fxx | R3119N0255 | W0Fxx | R3119N0255 | W0Fxx | R3119N2451A 900 ВХОД | |||||
W0Gxx | R3119N052A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,2 В, ВХОД 36 В | ||||||
W0Hxx | R3119N05311 | R3119N05311 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3 В, ВХОД 36 В | |||||||
W0Jxx | R3119N054A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,4 В ВХОД 36 В | ||||||
W0Kxx9 | RR||||||||||
W0Kxx | R900ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,5 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W0Lxx | R3119N056A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,6 В, ВХОД 36 В | ||||||
W0311249 | ||||||||||
W0Mxx119249 | 55. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W0Nxx | R3119N058A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,8 В ВХОД 36 В | ||||||
W0Pxx | R3119 | |||||||||
W0Pxx | R3 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,9 В, ВХОД, 36 В | ||||||||
W0Rxx | R3119N060A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,0 В, ВХОД 36 В | ||||||
W0Sxx24 | 9||||||||||
W0Sxx24 | N 56.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W0Txx | R3119N062A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,2 В ВХОД 36 В | ||||||
W0Uxx | ROT | |||||||||
W0Uxx | R | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,3 В, ВХОД 36 В | ||||||||
W0Vxx | R3119N064A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,4 В ВХОД 36 В | ||||||
W0Wxx11 | ||||||||||
W0Wxx11 | 56. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5 В ВХОД 36 В | |||||||||
W0x | M74VHC1G125DFT1G | MC74VHC1G125 | SC-70-5 | Одиночный неинвертирующий буфер, 3 состояния | 1||||||
M12525D 900T1 | ||||||||||
W0x | C 900T1||||||||||
M0xT 900 -5 | Один неинвертирующий буфер, 3 состояния | |||||||||
W0xx | R1210N301D | R1210N | SOT-23-5 | 3,0 В 180 кГц повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный с ШИМ | ||||||
W0xxx | L74VHC1G125DTT1 | L74VHC1G125 | SOT23-5 | Неинвертирующий буфер с 3 состояниями | ||||||
W0Xxx | R3119N066A | R3119N | SOT-6 23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6 В, ВХОД 36 В|||||||
W0Yxx | R3119N067A | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,7 В ВХОД 36 В | ||||||
W0Zxx11 | 240025 RДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,8 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W1- | RT9706PB | RT9706 | SOT-23-5 | 80 мОм, 500 мА Переключатель питания на верхней стороне с флагом | ||||||
WFT92 | BFT92 | SOT-23 | PNP широкополосный транзистор 5 ГГц | |||||||
W1% | BFT92W | BFT92W | SOT-323 | PNP 4 ГГц широкополосный транзистор | ||||||
W1 + xx | NE55102425 & nbsp | NE55102425 & nbsp | 79А | 3. 6 В РАБОТА SILICON RF POWER LD-MOS FET | ||||||
W1 + xx | RP152L050C | RP152L | DFN1212-6 | 150 мА 2,4 В + 2,9 В Двойной стабилизатор LDO с контролем последовательности | W10 + 0 | R1190h200B | R1190H | SOT-89-5 | 10.0V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |
W10 + 1xx | R1190h201B | R1190H | SOT-89-5 | 10.1V REGIS 9.1V REG | W10 + 2xx | R1190h202B | R1190H | SOT-89-5 | 10.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 2В 1А | |
W10 + 3xx | R1190h203B | R1190H | SOT-89-5 | 10,3В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W10 + 4xx | R112590h20 900- 5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 10,4 В, 1 А | ||||||||
W10 + 5xx | R1190h205B | R1190H | SOT-89-5 | 10,5 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W10 + 6xx25 | СОТ-89-510. 6V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W10 + 7xx | R1190h207B | R1190H | SOT-89-5 | 10,7V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W10 + 8xx | R112590h20 900- 5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 10,8 В 1 А | ||||||||
W10 + 9xx | R1190h209B | R1190H | SOT-89-5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 10,9 В 1A | ||||||
W | 0A | 24LDPAK (L) | Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления | |||||||
W1002A | HRW1002AS | & nbsp | LDPAK (S) | Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления | ||||||
TO-220FM | Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления | |||||||||
W10 | CMPZDA27V | & nbsp | 9 0024 SOT-23DUAL ZENER DIODE | |||||||
W10 | FMW10 | & nbsp | SOT23-6 | Высокая частота перехода (сдвоенные транзисторы) | ||||||
W10 | UMW10N | 25 & nbsp | & nbsp | & nbsp | Высокая частота перехода (двойные транзисторы)||||||
W10N60 | AOW10N60 | & nbsp | TO262 | 600V, 10A N-Channel MOSFET | ||||||
W10N65 | AOW10N65 | & nbsp2 | TO26 | -Канальный MOSFET|||||||
W10NK60Z | STW10NK60Z | & nbsp | TO-247 | N-CHANNEL 600V — 0. 65 Ом — силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилизации 10 А | ||||||
W10NK80Z | STW10NK80Z | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 800 В — 0,7 Ом — 9 А с защитой от стабилитрона SuperMESH Power MOSFET | R1155N110BR1155N | SOT-23-5 | 11,0 В 150 мА Регулятор высокого напряжения на входе 24 В | |||
W11 + 0xx | R1190h210B | R1190H | SOT-89-5 | 11.0В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W11 + 1xx | R1190h211B | R1190H | SOT-89-5 | 11,1В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W11 + 2xx | 12R112524 900-H2 5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, 11,2 В, 1 А | ||||||||
W11 + 3xx | R1190h213B | R1190H | SOT-89-5 | 11,3 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W14 | R11 + 4xx24 СОТ-89-511. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4В 1А | |||||||||
W11 + 5xx | R1190h215B | R1190H | SOT-89-5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1А 11,5В | ||||||
W11 + 6xx | 24 R112524 900-H2 5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, 11,6 В, 1 А | ||||||||
W11 + 7xx | R1190h217B | R1190H | SOT-89-5 | 11,7 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W11 + 8xx9024 | R11 СОТ-89-5 | 11.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 8V 1A | ||||||||
W11 + 9xx | R1190h219B | R1190H | SOT-89-5 | 11.9V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W11 | CMPZDA3024 nbsp 900U | & Nbsp ZENER DIODE|||||||||
W11N60 | AOW11N60 | & nbsp | TO262 | 600V, 11A N-Channel MOSFET | ||||||
W11NK100Z | STW11NK100Z | и nbsp-1 | — 1 24 — 1 канал1 Ом — 8,3 А стабилитрон — Защищенный SuperMESH PowerMOSFET||||||||
W11NK90Z | STW11NK90Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 900 В — 0,82 — 9,2 А Защищенный стабилитрон SuperMESH Power MOSFET | 24 W2и nbsp | TO-247 | N-канал 800 В, 0,35 Ом, 11 A MDmesh Power MOSFET | |||
W11S60 | AOW11S60 | и nbsp | TO262 | 600V 11A AlphaMOS Power Transistor | WAOW11S65 | & nbsp | TO262 | 650V 11A AlphaMOS Power Transistor | ||
W11xx | R1155N111B | R1155N | SOT-23-5 | 11. 1 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W12 + 0xx | R1190h220B | R1190H | SOT-89-5 | 12,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W12 + 5xx | R1518S2425 R1518S251B | HSOP-6J | 2,5 В 1 A 36 В Входной низкий ток потребления LDO | |||||||
W120NF10 | STW120NF10 | & nbsp | TO-247 | N-канал 100 В — 0,009 Ом — 110A STripFET II Power MOSFET | W12 | CMPZDA33V | & nbsp | SOT-23 | ДВОЙНОЙ ЗЕНЕР-ДИОД | |
W12N50 | AOW12N50 | & nbsp | TO262 | 500V, 12A N-Channel | W12F | & nbsp | TO262 | 600V, 12A N-Channel MOSFET | ||
W12N65 | AOW12N65 | & nbsp | TO262 | 9 0024 650 В, 12 A N-канальный полевой МОП-транзистор|||||||
W12NK60Z | STW12NK60Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 650 В 0. 53, 10 A, защищенный стабилитроном SuperMESH Power MOSFET | ||||||
W12NK80Z | STW12NK80Z | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 800 В — 0,65 Ом — 10,5 A Защищенный стабилитроном SuperMESH Power MOSFET 9000K5 | STW12NK90Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 900 В — 0,72 Ом — 11 A Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона | ||
W12NK95Z | STW12NK95Z | —и nbsp | 924 В канал TO-247 0.69 — Стабилитрон 10 А — Защищенный полевой МОП-транзистор SuperMESH||||||||
W12NM60N | STW12NM60N | & nbsp | TO-247 | N-канал 600 В — 0,35 — 10 А MDmesh Power MOSFET второго поколения | ||||||
W12 | ||||||||||
W12 | SOT-23-5 | 11,2 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||||
W13 + 3xx | R1518S331B | R1518S | HSOP-6J | 3. 3 В, 1 А, 36 В, низкий входной ток питания LDO | ||||||
W13 + 4xx | R1518S341B | R1518S | HSOP-6J | 3,4 В 1 А Входной низкий ток потребления 36 В LDO | ||||||
W13009 | STW13009 nbs | TO-247 | Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN | |||||||
W130NS04ZB | STW130NS04ZB | & nbsp | TO-247 | N-канал с зажимом 7 м 80A Полностью защищенный сетчатый слой MOSFET25 | FW138 | & nbsp | SOIC-8 | Кремниевый полевой МОП-транзистор с P-каналом | ||
W13 | CMPZDA36V | & nbsp | SOT23 | стабилитрон с двойным общим анодом 350 мВт 36V | SOT-343R | МОСМИКА для предварительной настройки ТВ-тюнера с напряжением питания 9 В | ||||
W13NK100Z | 9 0024 STW13NK100Z& nbsp | TO-247 | N-канал 1000V — 0. 56 Ом — 13 A — TO-247 Zener — Protected SuperMESH PowerMOSFET | |||||||
W13NK50Z | STW13NK50Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 500 В, 0,40, 11 A SuperMESH Power MOSFET | W13NK60ZSTW13NK60Z | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 600 В — 0,48 Ом — 13A Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой стабилитроном | ||
W13NK80Z | STW13NK80Z nbsp- | 800В — 0.53 Ом — 12 А Силовой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона|||||||||
W13NM50N | STW13NM50N | & nbsp | TO-247 | N-канал 500 В — 0,250 — 12 А MDmesh II Power MOSFET | ||||||
4 W13xx | R1155N | SOT-23-5 | 11,3 В 150 мА Регулятор высокого напряжения на входе 24 В | |||||||
W14 | CMPZDA39V | & nbsp | SOT23 | Стабилитрон с двойным общим анодом 350 мВт 39V | ||||||
W14N50 AOW14N50 | & nbsp | TO262 | 500V, 14A N-Channel MOSFET | |||||||
W14NK50Z | STW14NK50Z | & nbsp | TO-247 | N-CHANNEL 500V — 0. 34 Ом — силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона, 14 А | ||||||
W14NK60Z | STW14NK60Z | и nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 600 В — 0,45 Ом — 12 А с защитой стабилитроном SuperMESH Power | W1424NM50 STW14NM50& nbsp | TO-247 | 500V 0.35Ohm 14A Power MOSFET | |||
W14NM50FD | STW14NM50FD | & nbsp | TO-247 | N-CHANNEL 500V — 0.32 Ом — 12A FDmesh Power MOSFET (с FAST DIODE) | ||||||
W14xx | R1155N114B | R1155N | SOT-23-5 | 11,4 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W15 + 0xx | R1518S501B | R1518S | HSOP-6J | 5,0 В 1 A 36 В Входной низкий ток потребления LDO | ||||||
W150NF55 | STW150NF55 | & nbsp | TO-247 | N-CHANNEL 55V — 0,005 Ом II POWER MOSFET | ||||||
W156 | FW156 | & nbsp | SOIC-8 | Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом | ||||||
W15 | CMPZDA43V | & nbsp | SOT23 | Dual 900 | ||||||
W15NK50Z | STW15NK50Z | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 500 В — 0. 30 Ом — силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона 14 А | ||||||
W15NK90Z | STW15NK90Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 900 В — 0,40 Ом — стабилитрон 15 А — защищенный SuperMESH PowerMOSFET | M24 | W15Nи nbsp | TO-247 | N-канал 600V — 0,270 — 14A MDmesh Power MOSFET второго поколения | ||
W15S60 | AOW15S60 | и nbsp | TO262 | 600V 15A AlphaMOS | WAOW15S65 | & nbsp | TO262 | 650V 15A Силовой транзистор AlphaMOS | ||
W15xx | R1155N115B | R1155N | SOT-23-5 | 11.Регулятор высокого напряжения на входе, 5 В, 150 мА, 24 В | ||||||
W15xx | R1163N151D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,5 В 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W16 + 0xx | R1518S601B | R1518S | HSOP-6J | 6. 0V 1 A 36V Низкий входной ток питания LDO | ||||||
W16 | CMPZDA47V | & nbsp | SOT23 | двойной общий анодный стабилизатор 350mW16 47V525 900 | KIC73B16M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||
W16 | KIC73B16T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка 9 | W16NK60ZSTW16NK60Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 600 В, 0.38 14 A силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона | ||
W16NM50N | STW16NM50N | & nbsp | TO-247 | N-канал 500 В — 0,21 — 15 A MDmesh II Power MOSFET | ||||||
W16xx | NR1155N | SOT-23-5 | 11,6 В 150 мА Регулятор высокого напряжения на входе 24 В | |||||||
W16xx | R1163N161D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,6 В, 150 мА с Защита от обратного тока | ||||||
W17 | KIC73B17M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
W17 | KIC73B17T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | TSOT-23 Сброс IC Встроенная задержка|||||||
W17xx | R1155N117B | R1155N | SOT-23-5 | 11. 7 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | ||||||
W17xx | R1163N171D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,7 В 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W18 + 5xx | R1518S851B | R1518S | HSOP-6J | 8,5 В 1 A 36 В Входной низкий ток потребления LDO | ||||||
W18 | BFP181TRW | & nbsp | npn RF fT 7,8 ГГц 10V 200005 | & nbsp | SOT-343 | Кремниевый NPN-планарный радиочастотный транзистор | ||||
W18 | KIC73B18M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC | K18 55 Встроенная задержка | K18 55 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | |
W18F | MIC3291-18YD6 | 9002 4 MIC3291TSOT23-6 | 1.Драйвер белого светодиода с ШИМ 2 МГц с внутренним диодом Шоттки и однопроводной линейной регулировкой яркости | |||||||
W18NK60Z | STW18NK60Z | & nbsp | TO-247 | N-CHANNEL 600 В — 0,27 Ом — 16 А, защищенный стабилитроном SuperMES25 MES25 | ||||||
W18NK80Z | STW18NK80Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 800 В — 0,34 Ом — 19 A Полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой стабилитрона | ||||||
W18xx | R1155N118B | R1155N118B | R11 | 11. 8 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения | ||||||
W18xx | R1163N181D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,8 В 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W19 | KIC73B19 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
W19 | KIC73B19T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | 05 | W19NC | STGW19NC60W | & nbsp | TO-247 | 19 А — 600 В — сверхбыстрый IGBT |
W19xx | GSM2519FF | GSM2519 | DFN2x2-6L | 20V N&P Режим расширения пары | M22 | R1155N119B | R1155N | СОТ-23-5 | 11.Регулятор высокого напряжения на входе 9 В, 150 мА, 24 В | |
W19xx | R1163N191D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,9 В 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W1 | 1N4148 | & nbsp | SOD-123 | 150mA 100V Высокоскоростной переключающий диод | ||||||
W1 | BF1102 | & nbsp | SOT-363 | Dual N-channel Dual Gate MOS-FET | ||||||
W1 | ||||||||||
W1 | RN4982FS& nbsp | 2-1F1D | Кремниевый эпитаксиальный транзистор PNP и NPN с резисторами | |||||||
W1 | TC7SG00AFS | & nbsp | SON5-P-0. 35 | NAND Gate с 2 входами | ||||||
W1 | TC7SG00FE | & nbsp | SON5-P-0.50 | NAND Gate с 2 входами | ||||||
W1 | TC7SG00FU | & SSOP5 | —0,65A | 2 входа NAND Gate | ||||||
W1 | TK16201U | & nbsp | SOT89-5 | 1 ГГц РЧ УСИЛИТЕЛЬ | ||||||
W1 | 2SC5618 | & nbsp | IC1005 NP | |||||||
W1 | NE687M13 | & nbsp | SOT-23 | КРЕМНИЙ NPN RF ТРАНЗИСТОР | ||||||
W1 | BD46235G-TR | BD46235G | SOT23-5 | Время задержки 9000 Детектор времени задержки 9000 | W1 | BFT92W | BFT92W | SOT-323 | PNP 4 ГГц широкополосный транзистор | |
W1 | B ZT52B2V4-V | BZT52 | SOD-123 | Стабилитрон малого сигнала | ||||||
W1 | BZT52C2V4-V | BZT52 | SOD-123 | Стабилитрон малого сигнала W7 | BZT52 | SOD323 | Стабилитрон малого сигнала | |||
W1 | BZX384B2V4-V | BZX384 | SOD-323 | Стабилитрон малого сигнала | ||||||
W1 | C B | |||||||||
W1 | C B SOD-323 | Диод стабилитрона малого сигнала | ||||||||
W1 | MIC | YCS | MIC | WLCSP0. 84×1.32-6 | Коммутатор 500 мА с технологией блокирования пульсаций | |||||
W1 | PESD3V3V4UW | PESDxV4UW | SOT665 | Однонаправленная четырехкратная защита от электростатических разрядов с очень низкой емкостью | 2 55 | 124SC-82AB | Выход КМОП детектора низкого напряжения 3,1 В | |||
W1 | SPX1432AM | SPX1432 | SOT-23 | 1.Прецизионный регулируемый шунтирующий регулятор на 24 В | ||||||
W1 = | RT9706GB | RT9706 | SOT-23-5 | 80 мОм, 500 мА переключатель питания с флажком | ||||||
W1Axx | R3119N046E | R3119N046E -23-5ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,6 В ВХОД 36 В | ||||||||
W1B | ADG3233BRJ | ADG3233 | SOT-23-8 | Низкое напряжение от 1,65 В до 3,6 В, (вверх / вниз) преобразование логического уровня, байпас Коммутатор | ||||||
W1B | ADG3233BRM | ADG3233 | MSOP-8 | Низкое напряжение 1. От 65 В до 3,6 В, (вверх / вниз) преобразование логического уровня, переключатель байпаса | ||||||
W1Bxx | R3119N047E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,7 В ВХОД 36 В | ||||||
W1Cxx | R3119N048ER3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,8 В, ВХОД 36 В | |||||||
W1Dxx | R3119N049E | R3119N | WOT-23-5 | DETECT VOLT-23-5 | R3119N050E | R3119N | СОТ-23-5 | 5.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 0 В, ВХОД 36 В | ||
W1Fxx | R3119N051E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,1 В ВХОД 36 В | ||||||
W1Gxx | -52 RE | |||||||||
W1Gxx9 | -5003 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,2 В, ВХОД 36 В | ||||||||
W1Hxx | R3119N053E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,3 В ВХОД 36 В | ||||||
W1Jxx11 | ||||||||||
W1Jxx11 | 55. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W1Kxx | R3119N055E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,5 В ВХОД 36 В | ||||||
W1Lxx9 | -500 RE | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,6 В, ВХОД, 36 В | ||||||||
W1Mxx | R3119N057E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,7 В, ВХОД 36 В | ||||||
W1Nxx24 | N||||||||||
W1Nxx24 | N 55.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 8 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W1p | BFT92 | BFT92 | SOT-23 | PNP Широкополосный транзистор 5 ГГц | ||||||
W1Pxx | R3119N059E | R324119N 900.9 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ, ВХОД 36 В | ||||||||
W1Rxx | R3119N060E | R3119N | SOT-23-5 | 6,0 В ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 36 В ВХОД | ||||||
W1s | 3 BCR2524 и npn0.1A 10k + 10k | |||||||||
W1s | BFT92 | & nbsp | SOT23 | PNP Кремниевый РЧ-транзистор | ||||||
W1s | BFT92 | & nbsp | SOT23 | PNP5 9000 широкополосный транзистор 5 ГГц | BFT92W | & nbsp | SOT-323 | Кремниевый ВЧ транзистор PNP | ||
W1Sxx | R3119N061E | R3119N | SOT-23-5 | 6. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1 В, ВХОД 36 В | ||||||
W1Txx | R3119N062E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,2 В ВХОД 36 В | ||||||
W1Uxx | -53 | R3119 R3ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,3 В, ВХОД, 36 В | ||||||||
W1Vxx | R3119N064E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,4 В, ВХОД 36 В | ||||||
W1Wxx11 | ||||||||||
W1Wxx11 | 56.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W1x | SDZ15VD | & nbsp | SOD-323 | Стабилитрон | ||||||
W1x | HD74LV1GW98ACME | HD74L05 | 924 HD74L Конфигурация 924 HD74LM74VHC1GT125DF1G | MC74VHC1GT125 | SC-70-5 | Одиночный неинвертирующий буфер, 3 состояния | ||||
W1x | M74VHC1GT -125DT | 5 | M74VHC1GT-125DT | 2474 MCOT-B 900 , С 3 состояниями|||||||
W1x | NLVVHC1GT125DF1G | MC74VHC1GT125 | SC-70-5 | Одиночный неинвертирующий буфер, с 3 состояниями | ||||||
W1x | NLVVVHC1 | |||||||||
W1x | NLVVHC1 5 | Один неинвертирующий буфер, 3 состояния | ||||||||
W1x | SLV74VHC1GT125DFT 2G | MC74VHC1GT125 | SC-70-5 | Один неинвертирующий буфер, 3 состояния | ||||||
W1xx | R1210N311D | R1210N | SOT-23-5 | 3. Повышающий DC / DC преобразователь 1 В 180 кГц ШИМ | ||||||
W1xx | R5325N001B | R5325N | SOT-23-6 | 150 мА 2-канальный LDO-РЕГУЛЯТОР | ||||||
W1xxx | APX823-46 | APX823-46 | ЦЕПЬ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССОРА | |||||||
W1Xxx | R3119N066E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,6 В ВХОД 36 В | ||||||
W1Yxx25 | ||||||||||
W1Yxx25 | ||||||||||
W1Yxx25 | 6.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7 В, ВХОД 36 В | |||||||||
W1Zxx | R3119N068E | R3119N | SOT-23-5 | ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,8 В ВХОД 36 В | ||||||
02 | nbs Двойной N-канальный двухзатворный МОП-транзистор | |||||||||
W2- | RT9818C-30PB | RT9818 | SOT-23-5 | Микро-детектор напряжения питания | ||||||
W2% | PRF957 | & nbsp | SOT-323 | NPN UHF широкополосный транзистор | ||||||
W2% | PBR951 | PBR951 | SOT-23 | NPN UHF широкополосный транзистор | ||||||
W2% | PBR951 / A2 | PBR951 / A2PBR951 / A2 | PBR951 / A2 -23 | NPN UHF широкополосный транзистор | ||||||
W2 + xx | RP152L051C | RP152L | DFN1212-6 | 150 мА 1. 0V + 1.8V Dual LDO Regulator с последовательным управлением | ||||||
W20 + 1xx | R1518S001C | R1518S | HSOP-6J | Adj. 1 A Вход 36 В, низкий ток питания LDO | ||||||
W2040 | STW2040 | & nbsp | TO-247 | Высоковольтный быстросменный силовой транзистор NPN | ||||||
W20 | KIC73B20M2 | KIC73xxx | SOT | ИС сброса системы КМОП Встроенная задержка | ||||||
W20 | KIC73B20T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | ИС сброса системы КМОП Встроенная задержка | ||||||
W20 | TK11120M | TK24111 -6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W20 | TK11120S | TK111xx | SOT23-5 | РЕГУЛЯТОР НАПР. | ||||||
W20NK50Z | STW20NK50Z | & nbsp | TO-247 | N-канал 500 В, 0.23 Ом, 17 A силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона | ||||||
W20NK70Z | STW20NK70Z | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 700 В — 0,25 Ом — 20 А с защитой от стабилитрона SuperMESH MOSFET | ||||||
& nbsp | TO-247 | N-CHANNEL 600V — 0,26 Ohm — 20A MDmesh Power MOSFET | ||||||||
W20NM60FD | STW20NM60FD | & nbsp | TO-247 | канал — 0-24726 Ом — 20A FDmesh Power MOSFET (с быстрым диодом)|||||||
W20S60 | AOW20S60 | & nbsp | TO262 | 600V 20A Транзистор питания AlphaMOS | ||||||
W20xx | R1155N24 R1155N120BOT12,0 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В | |||||||||
W20xx | R1163N201D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,0 В, 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W216 | FW216 | & nbsp | SOIC-8 | Кремниевый МОП-транзистор с N-каналом | ||||||
W21 | KIC73B21M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
KIC73B21T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | |||||||
W21 | TK111 21M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W21 | TK11121S | TK111xx | SOT23-5 | РЕГУЛЯТОР НАПР. | N-канал 500В — 0.15 — 18A MDmesh Power MOSFET второго поколения | |||||
W21NM60N | STW21NM60N | & nbsp | TO-247 | N-канал 600 В — 0,17 — 17 A MDmesh Power MOSFET второго поколения | ||||||
W21xx | NR1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2.1 В, 150 мА с защитой от обратного тока | |||||||
W225 | FW225 | & nbsp | SOIC-8 | N-Channel Silicon MOSFET | ||||||
W22 | S822TRW | & nbsp | SOT-343R | Кремниевый NPN-планарный радиочастотный транзистор | ||||||
W22 | S822TW | & nbsp | SOT-343 | Кремниевый NPN-плоский радиочастотный транзистор 4 | KIC73B22M2KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | |||
W22 | 9002 4 KIC73B22T2KIC73xxx | TSOT-23 | ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка | |||||||
W22 | TK11122M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | TK111xx | SOT23-5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||
W22NM60N | STW22NM60N | & nbsp | TO-247 | N-канал 600 В, 0. 2, 16 A MDMESH II Power MOSFET | ||||||
W22xx | R1163N221D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,2 В, 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W232A | AA& nbsp | SOIC-8 | N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор | |||||||
W23 | KIC73B23M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
W23 | KIC KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | |||||||
W23 | TK11123M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПР. -5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||
W23xx | R1163N231D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМ 2.LDO-РЕГУЛЯТОР 3 В, 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W241 | FW241 | & nbsp | SOIC-8 | N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор | ||||||
W245 | FW245 | & nbsp- | 8 SOIC- N-канальный кремниевый МОП-транзистор | |||||||
W24 | KIC73B24M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
W24 | KIC73B24T2 | KIC73xxx | CMOS TS Сброс системы IC Встроенная задержка||||||||
W24 | TK11124M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W24 | TK11124S | TK111xx | ROTEL REGW24xx | R1163N241D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМ 2. LDO-РЕГУЛЯТОР 4 В, 150 мА, с защитой от обратного тока | |||
W2502A | HRW2502A (L) | & nbsp | LDPAK (L) | Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления | Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления | |||||
W2502B | HRW2502B | и nbsp | TO-220FM | Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления2 | ||||||
W250 -8 | N-канальный кремниевый МОП-транзистор | |||||||||
W252 | SN74CB3T1G125DBVR | SN74CB3T1G125 | SOT-23-5 | Одиночный полевой транзистор 2.Коммутатор низковольтной шины 5 В / 3,3 В с переключателем уровня, допускающим 5 В | ||||||
W256 | FW256 | & nbsp | SOIC-8 | N-Channel Silicon MOSFET | ||||||
W257 | FW257 | & nbsp | SOIC-8 | N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор | ||||||
W25 | KIC73B25M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
KIC25 | W25KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | |||||||
W25 | TK11125M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W2524 T2524 900xx 900xx SOT23-5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||||
W25F | MIC3291-25YD6 | MIC3291 | TSOT23-6 | 1. Драйвер белого светодиода с ШИМ 2 МГц с внутренним диодом Шоттки и однопроводным линейным контролем яркости | ||||||
W25M1A | NV25M01DWUTG | NV25M01 | SOIC8 | 1 МБ SPI Последовательный CMOS EEPROM — автомобильный класс | STM WM WM WM WM WM& nbsp | TO-247 | N-канал 500 В, 0,11, 22 A MDmesh II Power MOSFET | |||
W25NM60N | STW25NM60N | & nbsp | TO-247 | N-канал 600 В, 0.130, 21 A, MDmesh II Power MOSFET | ||||||
W25R | SN74CB3T1G125DBVR | SN74CB3T1G125 | SOT-23-5 | Низковольтный шинный переключатель 2,5 В / 3,3 В с 5-вольтовым толерантным переключателем уровня | ||||||
W25S65 | AOW25S65 | & nbsp | TO262 | 650V 25A Силовой транзистор AlphaMOS | ||||||
W25xx | R1163N251D | R1163N | SOT-23-5 | 3LDO-РЕГУЛЯТОР, 5 В, 150 мА, с защитой от обратного тока | ||||||
W25_ | SN74CB3T1G125DBVR | SN74CB3T1G125 | SOT-23-5 | Низковольтный шинный переключатель 2,5 В / 3,3 В с переключателем уровня 5 В | ||||||
W262 | FW262 | & nbsp | SOIC-8 | Кремниевый МОП-транзистор с N-каналом | ||||||
W26 | KIC73B26M2 | KIC73xxx | Встроенная микросхема SOT-23 | Сброс системы задержки CMOS|||||||
W26 | KIC73B26T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка | ||||||
W26 | TK11126M | TK111xx | SOT23LOR | VEG26 | SOT23LOR | VEG | TK11126S | TK111xx | SOT23-5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ |
W26NM50 | STW26NM50 | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 500 В 0. 10 Ом, 26 A, защищенный стабилитроном, силовой полевой МОП-сетка MDmesh | ||||||
W26NM60 | STW26NM60 | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 600 В 0,125 Ом 26 A MDmesh Power MOSFET, защищенный стабилитроном | ||||||
R1163N261D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,6 В, 150 мА с защитой от обратного тока | |||||||
W27 | KIC73B27M2 | KIC73xxx | Встроенный SOT-23 | Сброс системы CMOS in Delay | ||||||
W27 | KIC73B27T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
W27 | TK11127M | TK111xx | SOTEGULATOR | SOTEGULAT-6 | ||||||
W27 | TK11127S | TK111xx | SOT23-5 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | ||||||
W27xx | R11 63N271D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМ 2.LDO-РЕГУЛЯТОР 7 В, 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
W2814 | CBTW28DD14ET | CBTW28DD14ET | TFBGA4. 5×4.5-48 | 14-битный шинный коммутатор / мультиплексор для приложений DDR2 / DDR3 / DDR4 | BFP280TRW | & nbsp | npn rf fT 7 ГГц 8V 10mA | |||
W28 | BFP280TW | & nbsp | npn rf fT 7 GHz 8V 10mA | ICИС сброса системы CMOS Встроенная задержка | ||||||
W28 | KIC73B28T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка | ||||||
W28 | MIC5255-2.8BML | MIC5255 | MLF2x2-6 | 150 мА с низким уровнем шума uCap CMOS LDO | ||||||
W28 | MIC5255-2.8YML | MIC5255 | MLF2x2-6 | 150 мА W с низким уровнем шума uCap CMOS | ||||||
TK11128M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W28 | TK11128S | TK111xx | SOT23-5 | REGULATOR НАПР. | N-КАНАЛ 600 В — 0.155 — 27A Полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона | |||||
W28xx | R1163N281D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,8 В, 150 мА с защитой от обратного тока | ||||||
A2918 | и nbsp | TO262 | 100 В полевой МОП-транзистор с N-каналом | |||||||
W298 | AOW298 | и nbsp | TO262 | 100 В с N-канальным полевым МОП-транзистором с N-каналом | ||||||
W29 | KIC73B2425 KIC25 | ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка | ||||||||
W29 | KIC73B29T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка | ||||||
W29 | TK11129M | TK24 SOTxx | 6РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W29 | TK11129S | TK111xx | SOT23-5 | 900 24 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ|||||||
W29NK50Z | STW29NK50Z | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 500 В — 0. 105 — 31A защищенный стабилитроном полевой МОП-транзистор SuperMESH | ||||||
W29NK50ZD | STW29NK50ZD | & nbsp | TO-247 | N-КАНАЛ 500 В — 0,095 Ом — 29A быстрый диод SuperMESH MOSFET | TO262 | 500V 29A AlphaMOS | ||||
W29xx | R1163N291D | R1163N | SOT-23-5 | 3-РЕЖИМНЫЙ 2,9 В 150 мА LDO РЕГУЛЯТОР с защитой от обратного тока | & nbsp | 1005 | КРЕМНИЙ NPN RF ТРАНЗИСТОР | |||
W2 | NE687M13 | & nbsp | SOT-23 | NPN Кремниевый RF транзистор | ||||||
W2 | 2425 1SS100 мА 90 В высокоскоростной переключающий диод | |||||||||
W2 | BCR189L3 | & nbsp | 9002 4 TSLP-3-4PNP Кремниевый цифровой транзистор | |||||||
W2 | NE5510279A | & nbsp | 79A | 4. 8 В РАБОТА С КРЕМНИЕМ RF POWER LD-MOS FET | ||||||
W2 | NE687M33 | & nbsp | M33 | NPN КРЕМНИЙ RF ТРАНЗИСТОР | ||||||
W2 | RN4983FS | & nbsp24 | и эпитаксиальный транзистор NPN с резисторами||||||||
W2 | TC7SG08AFS | & nbsp | SON5-P-0.35 | 2 входа И вентиль | ||||||
W2 | TC7SG08FE | & nbsp | P502 входа И вентиль | |||||||
W2 | TC7SG08FU | & nbsp | SSOP5-P-0.65A | 2 входа И вентиль | ||||||
W2 | TK16202U | & nbsp | ВЧ-УСИЛИТЕЛЬ, 250 МГц | |||||||
W2 | TSDF1220RW | & nbsp | SOT343R | Малошумящие ВЧ транзисторы 12 ГГц | ||||||
W2 | BD46481G-TR | 23 900G24 BD-50025 | 2 Детектор с фиксированным временем задержки||||||||
W2 | BZT52B2V7-V | BZT52 | SOD-123 | Стабилитрон малого сигнала | ||||||
W2 | BZT52C2V7-V | BZTOD52 | SOD52 | Диод стабилитрона сигнала|||||||
W2 | BZT52C3V0S | BZT52 | SOD323 | Диод стабилитрона малого сигнала | ||||||
W2 | BZX384B2V7-V | BZX384 | SOD-323 | Стабилитрон малого сигнала | ||||||
W2 | BZX384C2V7-V | BZX384 | WOD-323 | Зенер малый сигнал MC33461SQ-32CTRMC33461 | SC-82AB | 3. Детектор пониженного напряжения 2 В (КМОП-выход) | ||||
W2 | PBR951 | PBR951 | SOT-23 | NPN Широкополосный транзистор УВЧ | ||||||
W2 | PESD5V0V4UW | PESD25xV4UW Счетверенные диодные матрицы для защиты от электростатических разрядов | ||||||||
W2 | R3111Q321C | R3111Q | SC-82AB | Детектор низкого напряжения 3,2 В Выход CMOS | ||||||
W2 | TLVh531-ACPK | SOTh531A Регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор напряжения | ||||||||
W2B # | ADG3231BRJZ | ADG3231 | SOT-23-6 | Одноканальный преобразователь уровня с двунаправленным преобразователем 1.Сдвиг уровня от 65 В до 3,6 В | ||||||
W2B | ADG3231BRJ | ADG3231 | SOT-23-6 | Одноканальный преобразователь уровня с двунаправленным сдвигом уровня 1,65 В на 3,6 В | ||||||
W2F | TSDF1220RW | & nbsp | SOT343R | ВЧ-транзисторы с низким уровнем шума, 12 ГГц | ||||||
W2F | KIC73B263M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC | W | W Встроенная задержка 9F KIC73B263T2KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||
W2I | KIC73B293M2 | KIC73xxx | SOT-23 | CMOS System Reset IC | 5 | KIC73B293T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | |
W2J | MIC5255-2 . 85BML | MIC5255 | MLF2x2-6 | 150 мА с низким уровнем шума uCap CMOS LDO | ||||||
W2J | MIC5255-2.85YML | MIC5255 | MLF2x2-6 | 150 мА с низким уровнем шума | 24 с низким уровнем шума uCap CMOSSDP520WMF | & nbsp | SOT-23F | Диод-аттенюатор | ||
W2s | BCR189 | & nbsp | SOT23 | PNP Кремниевый цифровой транзистор | ||||||
BCR- | ||||||||||
BCR-W2s | ||||||||||
W2524 W2s Цифровой кремниевый транзистор | PNP | |||||||||
W2s | BCR189T | & nbsp | SC75 | Кремниевый цифровой транзистор PNP | ||||||
W2s | BCR19PN | & nbsp | SOT36324 PNP Цифровой транзистор | /SOT36324 NPB | ||||||
W2x | SDZ9V1D | & nbsp | SOD- 323 | Стабилитрон | ||||||
W2x | HD74LV1GW97ACME | HD74LV1GW97A | SC70-6 | Конфигурируемый многопозиционный вентиль | ||||||
W2x | M74VHC1G126 | M74VHC1G256 900 Буфер, с 3 состояниями | ||||||||
W2x | M74VHC1G126DTT1G | MC74VHC1G126 | SOT-23-5 | Одиночный неинвертирующий буфер, с 3 состояниями | ||||||
W2xx 9005 MPD Q1124 MP4389 9005 -10 | Сверхнизкое напряжение, 4А, 5. Синхронный понижающий импульсный регулятор 5 В | |||||||||
W2xx | R1210N321D | R1210N | SOT-23-5 | Повышающий DC / DC преобразователь 3,2 В 180 кГц ШИМ | ||||||
W2xx | R53225N24002B | SOT-23-6 | 150 мА 2-канальный LDO-РЕГУЛЯТОР | |||||||
W2xxx | APX823-44W5 | APX823 | SOT25 | ЦЕПЬ НАПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОРА | ||||||
W3- | RTRB | RTR | RTR -23-5 | 300 мА, малошумный сверхбыстрый CMOS-стабилизатор LDO | ||||||
W3% | PMBTA44 | PMBTA44 | SOT-23 | 400 В, 0.Высоковольтный низковольтный транзистор VCEsat (BISS) 3 A NPN | ||||||
W3 + xx | NE5510379A | & nbsp | 79A | 4,8 В ЭКСПЛУАТАЦИЯ SILICON RF POWER LD-MOS FET | ||||||
W3 + RP15L | 2RP152L | DFN1212-6 | 150 мА 1,8 В + 2,85 В двойной стабилизатор LDO с последовательным управлением | |||||||
W3040 | STW3040 | & nbsp | TO-247 | Высоковольтный быстросменный силовой транзистор NPN | ||||||
W307 | FW307 | & nbsp | SOP8 | Кремниевые МОП-транзисторы с N-каналом и P-каналом | ||||||
W30 | KIC73B30M2 | KIC73xxx | ICS-23 Сброс системы с задержкой | CMOS | ||||||
W30 | KIC73B30T2 | KIC73xxx | TSOT-23 | CMOS System Reset IC Встроенная задержка | ||||||
W30 | 9 0024 MIC5255-3.0BMLMIC5255 | MLF2x2-6 | 150 мА с низким уровнем шума uCap CMOS LDO | |||||||
W30 | MIC5255-3.0YML | MIC5255 | MLF2x2-6 | 150 мА W с низким уровнем шума uCap CMOS | ||||||
TK11130M | TK111xx | SOT23L-6 | РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | |||||||
W30 | TK11130S | TK111xx | SOT2324-5 | REGULATOR НАПР. | N-канал 600В — 0.125 Ом — 30 А Мощный МОП-транзистор с быстрым диодом MDmesh |
Mmbt3904lt1g Mmbt3904 Npn, 40 В 200 мА 0,2a W04 1 3904 Транзистор Smd
Uno-materiales de servicio
Описание продукта
(CHIPERA) MMBT3904LT1G mmbt3904 NPN, 40V 200mA 0.2A w04 1 3904 транзистор smd ru Наличие | Оригинал | Нуэво
Si necesita más información detallada del producto y (O tiene otros Requisitos para el producto, como la fecha de producción la cantidad necesaria lugar de origen, и т. Д.) que son bienvenidos a nosotros
Nuestra empresa
Póngase en contacto con nosotros
¿Cómo está Chip Era?
1, con más 30 millones de dólares Inventario a con una variedad de productos Diferentes que requirea
2, tenemos un excelente equipo de élite más 12 Años de Experiencia en el Sector de la Electrónica que una buena comprensión de las tendencias del mercado internacional que proporcionar Los servicios profesionales Competition.
3Chip EraEs un profesional de components electrónicos proofedor Gestión especializada IC; Placa de desarrollo, модуль WIFI, модуль датчика, модуль GPS, GSM, GPRS, модуль, модуль и т.д .; Электроэлементный прерыватель, светодиодный соединитель
4 tenemos algunos (1) Difícil de encontrar los components (2) Obsoleta / dejar de hacer en components electrónicos (3) Compra Regular con Precios Competitiveivos y fiable de
Nota: Si no pudo encontrar los components electrónicos que usted preguntó en nuestra tienda ¡Por Favor, póngase en contacto con nuestro Gerente de comercio que puede ayudar a encontrar de todos ellos! (Más cantidad puede confirmar para obtener el mejor Precio)
В пользу envíenos su Peticiones de oferta, ¡Profesional y en servicio de tiempo será proporcionada a servir!
Nuestra ventaja es que tenemos stock en la mano Porque Inventario de Liquidez es grande Por Favor confirmme el Precio con me Cuando haces el pedido
Справочная информация
1 апой-эль-метод на странице: Aceptar de Comercio de Alibaba / garantía de pago seguro de Alibaba / T / Western Union / ESCROW / Paypal / ¡Wechat Pay / Alipay!
¡2 Si prefiere otras condiciones de pago, por Favor póngase en contacto con nosotros!
3, todos los Precios son FOB Шэньчжэнь цена не включает стоимость окружающей среды и грузов
4, le enviaremos las partes dentro de3-5Días hábiles después de recibir su pago
5 una parte es Precio es inestable según el mercado.Por Favor no dude en ponerse en contacto con nosotros para el último y mejor Precio
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Q1.What es la cantidad mínima de pedido para sus productos?
A1.Minimum la cantidad de la Orden comienza a partir de una pieza
2 кв. ¿Cómo podemos obtener muestras de usted?
A2. Образцы являются доступными Нормальные номера 2 дней для организации последних событий Si no tenemos antecedentes de negocios con usted antes. A Cargo de las muestras y el costo de mensajería de carga
¿Q3.What es su política de muestra?
A3.We podemos suministrarle la muestra si tenemos listo piezas en stock ¿Pero los clientes tienen que pagar el costo de la muestra y el costo del servicio de mensajería?
Q4. ¿Prueba o comprobar todos sus bienes antes de la entrega?
¿A4: Sí, tenemos 100% de prueba y todos los productos antes de la entrega?
Q5.¿Cómo podemos obtener los productos?
A5: Podemos proporcionar nuestro modo de transporte de los recursos y el Precio para su referencia.Y la final el modo de transporte es de bajo nuestras Condiciones actuales
Q6.Какой сын Sus condiciones de pago? ¿Cuándo va a enviar las piezas a mí?
¡A6: el pago Complete! Productos serán enviados en 3-5 días de trabajo después de recibido el pago por fin depende de las cantidades
Q7.¿Qué tal un reembolso y reemplazo?
А7.
1. Apreciamos su negocio y ofrecer una Instantánea 15 días de devolución política (15 días después de recibir los artículos)
2 Si hay alguna calidad issuesas por Favor, asegúrese de que todos estos artículos deben ser devueltos en su estado original para calificar¿Para un reembolso o un reemplazo? (Cualquier utilizado o artículos dañados no puede ser reembolsado o sustituido)3 Si los artículos son defectuosos por Favor notificar a nosotros dentro de 3 días de entrega
4¿Los artículos deben ser devueltos en su estado reeo calificarso параграф реемплазо?
5 ¿El comprador esponsable de todo el costo de envío incurrido?
No sólo ventaja de Precio estamos más búsqueda de calidad para comprar original auténtico buscandoCHIPERA Somos Alibaba comercio garantía de provedor y proofedor de oro |
Embalaje y envío
Код | Устройство | Манф | База | Упаковка | Эквивалент с выводами / данные |
W0F | TSDF1205RW | Vis | WQ | SOT343R | 12 ГГц npn 5 мА 4 В |
W03 | S503TRW | Vis | UQ | SOT343R | dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры |
W04 | S504TRW | Vis | UQ | SOT343R | dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры |
W05 | S505TRW | Vis | UQ | SOT343R | dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры |
W1 | BZT52B2V4 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 2.4 В |
W1 | BZT52C2V4 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 2,4 В |
W1 | BZT52C2V7S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 2.7 В |
W1 | BZX384B2V4 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 2,4 В |
W1 | BZX384C2V4 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 2.4 В |
pW1 | BAT54C | Phi | B | СОТ23 | двойной куб 30В 0.2A schottky |
tW1 | BAT54C | Phi | B | СОТ23 | двойной куб.см 30 В 0.2А Шоттки |
wW1 | BAT54C | Phi | B | СОТ23 | двойной куб 30В 0.2A schottky |
W1s | BFT92 | Sie | N | СОТ23 | BFQ51 / BFQ76 |
W1s | BCR10PN | Sie | DP | СОТ363 | pnp / npn копать 0.1A 10k + 10k |
W2 | TSDF1220RW | Tfk | WQ | СОТ343 | 12 ГГц npn 6 В 20 мА |
W2 | BZT52B2V7 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 2.7 В |
W2 | BZT52C2V7 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 2,7 В |
W2 | BZT52C3V0S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 3.0V |
W2 | BZX384B2V7 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 2,7 В |
W2 | BZX384C2V7 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 2.7 В |
W2F | TSDF1220RW | Vis | WQ | SOT343R | 12 ГГц npn 40 мА 6 В |
W3 | BZX84-C2V4 | Phi | С | СОТ23 | 0.Стабилитрон 3 Вт 2,4 В ± 5% |
W3 | BZT52B3V0 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 3,0 В |
W3 | BZT52C3V0 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 3.0V |
W3 | BZT52C3V3S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 3,3 В |
W3 | BZX384B3V0 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 3.0V |
W3 | BZX384C3V0 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 3,0 В |
W4 | BZX84-C2V7 | Phi | С | СОТ23 | 0.Стабилитрон 3 Вт 2,7 В ± 5% |
W4 | BZT52B3V3 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 3,3 В |
W4 | BZT52C3V3 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 3.3В |
W4 | BZT52C3V6S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 3,6 В |
W4 | BZX384B3V3 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 3.3В |
W4 | BZX384C3V3 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 3,3 В |
W5 | BZX84-C3V0 | Phi | С | СОТ23 | 0.Стабилитрон 3 Вт 3,0 В ± 5% |
W5 | BZT52B3V6 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 3,6 В |
W5 | BZT52C3V6 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 3.6 В |
W5 | BZT52C3V9S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 3,9 В |
W5 | BZX384B3V6 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 3.6 В |
W5 | BZX384C3V6 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 3,6 В |
W5F | TSDF1250RW | Vis | WQ | SOT343R | 12 ГГц npn 60 мА 6 В |
W6 | BZX84-C3V3 | Phi | С | СОТ23 | 0.Стабилитрон 3 Вт 3,3 В ± 5% |
W6 | BZT52B3V9 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 3,9 В |
W6 | BZT52C3V9 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 3.9 В |
W6 | BZT52C4V3S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 4.3V |
W6 | BZX384B3V9 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 3.9 В |
W6 | BZX384C3V9 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 3,9 В |
W7 | BZX84-C3V6 | Phi | С | СОТ23 | 0.Стабилитрон 3 Вт 3,6 В ± 5% |
W7 | BZT52B4V3 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 4,3 В |
W7 | BZT52C4V3 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 4.3В |
W7 | BZT52C4V7S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 4,7 В |
W7 | BZX384B4V3 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 4.3В |
W7 | BZX384C4V3 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 4,3 В |
W8 | BZX84-C3V9 | Phi | С | СОТ23 | 0.Стабилитрон 3 Вт 3,9 В ± 5% |
W8 | BZV49C3V9 | Zet | O | СОТ89 | 1 Вт стабилитрон 3,9 В ± 5% |
W8 | BZT52B4V7 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 4.7 В |
W8 | BZT52C4V7 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 4,7 В |
W8 | BZT52C5V1S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 5.1В |
W8 | BZX384B4V7 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 4,7 В |
W8 | BZX384C4V7 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 4.7 В |
W9 | BZX84-C4V3 | Phi | С | СОТ23 | 0,3 Вт стабилитрон 4,3 В ± 5% |
W9 | BZV49C4V3 | Zet | O | СОТ89 | стабилитрон 1 Вт 4.3 В ± 5% |
W9 | BZT52B5V1 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 5,1 В |
W9 | BZT52C5V1 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 5.1В |
W9 | BZT52C5V6S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5,6 В |
W9 | BZX384B5V1 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 5.1В |
W9 | BZX384C5V1 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 5,1 В |
W10 | CMPZDA27V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 27В |
W11 | CMPZDA30V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 30 В |
W12 | CMPZDA33V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 33В |
W13 | CMPZDA36V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 36 В |
W13 | S913TWR | Vis | UQ | SOT343R | dg mosfet MOSIC 9V uhf тв-тюнеры |
W14 | CMPZDA39V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 39В |
W15 | CMPZDA43V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 43В |
W16 | CMPZDA47V | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 47В |
W18 | BFP181TW | Tfk | х | нпн РФ фт 7.8 ГГц 10 В 20 мА | |
W18 | BFP181TRW | Tfk | WQ | npn RF fT 7,8 ГГц 10 В 20 мА | |
W22 | S822TW | Tfk | х | нпн рф фт 5.2 ГГц 6 В 8 мА | |
W22 | S822TRW | Tfk | WQ | npn rf fT 5,2 ГГц 6 В 8 мА | |
W28 | BFP280TRW | Tfk | WQ | npn rf fT 7 ГГц 8 В 10 мА | |
W28 | BFP280TW | Tfk | х | npn rf fT 7 ГГц 8 В 10 мА | |
W52 | S852TW | Tfk | х | нпн рф фт 5.2 ГГц 6 В 8 мА | |
W59 | S595TRW | Vis | UQ | СОТ143Р | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
W67 | BFP67W | Tfk | х | нпн рф фт 7.5 ГГц 10 В 50 мА | |
W82 | BFP182TRW | Tfk | WQ | npn rf fT 7,5 ГГц 10 В 35 мА | |
W82 | BFP182TW | Tfk | х | нпн рф фт 7.5 ГГц 10 В 35 мА | |
W83 | BFP183TRW | Tfk | WQ | npn rf fT 7,4 ГГц 10 В 65 мА | |
W83 | BFP183T | Tfk | х | нпн рф фт 7.4 ГГц 10 В 65 мА | |
W92 | BFP92AW | Tfk | х | СОТ343 | npn rf fT 6 ГГц 15 В 30 мА |
W93 | S593TRW | Vis | UQ | SOT343R | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
W94 | S594TRW | Vis | UQ | SOT343R | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
W99 | S949TRW | Вид | UQ | SOT343R | смещенный dg uhf mosfet MOSIC для ТВ-тюнеров 9V |
WA | BZT52B5V6 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 5.6 В |
WA | BZT52C5V6 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 5,6 В |
WA | BZT52C6V2S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 6.2В |
WB | 2SD1383K | Roh | N | НПН Дарлингтон Комп 2SB852K | |
WB | BZT52B6V2 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 6.2В |
WB | BZT52C6V2 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 6,2 В |
WB | BZT52C6V8S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 6.8 В |
WC | BZT52B6V8 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 6,8 В |
WC | BZT52C6V8 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 6.8 В |
WC | BZT52C7V5S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 7,5 В |
туалеты | BCR133 | Sie | N | СОТ23 | нпн копать 50В 0.1A 10k + 10k |
туалеты | BCR133T | Sie | N | SC75 | npn dig 50V 0.1A 10k + 10k |
туалеты | BCR133U | Sie | N | СОТ457 | нпн копать 50В 0.1A 10k + 10k |
туалеты | BCR133W | Sie | N | СОТ323 | npn dig 50V 0.1A 10k + 10k |
туалеты | BCR133S | Sie | DN | СОТ363 | двойной BCR133 |
WD | BZT52B7V5 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 7.5 В |
WD | BZT52C7V5 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 7,5 В |
WD | BZT52C8V2S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 8.2В |
WD | BCR141 | Sie | N | СОТ23 | npn 50V 0.1A dig 22k + 22k |
WD | BCR141T | Sie | N | SC75 | npn 50V 0.1А копать 22к + 22к |
WD | BCR141W | Sie | N | СОТ323 | npn 50V 0.1A dig 22k + 22k |
WD | BCR141S | Sie | DN | СОТ363 | двойной BCR141 |
WE | BZT52B8V2 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 8.2В |
WE | BZT52C8V2 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 8,2 В |
WE | BZT52C9V1S | Dio | I | SOD323 | Стабилитрон 200 мВт 9.1В |
WEs | BCR148 | Sie | N | СОТ23 | npn 50V 0.1A dig 47k + 47k |
WEs | BCR148T | Sie | N | SC75 | npn 50V 0.1А копать 47к + 47к |
WEs | BCR148U | Sie | N | СОТ457 | npn 50V 0.1A dig 47k + 47k |
WEs | BCR148W | Sie | N | СОТ323 | npn 50V 0.1А копать 47к + 47к |
WEs | BCR148S | Sie | DN | СОТ363 | двойной BCR148 |
WE1 | BFS17W | Tfk | N | нпн рф фт 2.1 ГГц SOT-323 | |
WE2 | BFS17AW | Tfk | N | npn rf fT 3,2 ГГц SOT-323 | |
WF | BZT52B9V1 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 9.1В |
WF | BZT52C9V1 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 9,1 В |
WF | BZT52C10S | Dio | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 10 В |
WFs | BCR08PN | Sie | DP | СОТ363 | pnp / npn копать 0.1А 2к2 + 47к |
WFs | BCR112 | Sie | N | СОТ23 | npn dig 50V 0.1A 4k7 + 4k7 |
WF0 | TSDF1205W | Vis | х | СОТ343 | 12 ГГц npn 12 мА 4 В |
WF2 | TSDF1220W | Vis | х | СОТ343 | 12 ГГц npn 6 В 40 мА |
WF5 | TSDF1250W | Vis | х | СОТ343 | 12 ГГц npn 6 В 60 мА |
WFE | BFP93A | Tfk | х | СОТ343 | BFP93A (FE) в npn 6 ГГц |
WG | BZT52B10 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 10 В |
WG | BZT52C10 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 10 В |
WG | BZT52C11S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 11В |
WG | BZX384B10 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 10 В |
WG | BZX384C10 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 10 В |
РГ | BCR116 | Sie | N | СОТ23 | нпн копать 50В 0.1A 4k7 + 47k |
РГ | BCR116W | Sie | N | СОТ323 | npn dig 50V 0.1A 4k7 + 47k |
WH | BZT52B11 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 11В |
WH | BZT52C11 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 11В |
WH | BZX384B11 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 11В |
WH | BZX384C11 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 11В |
WG | BZT52C12S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 12В |
WH | BCR108 | Sie | N | СОТ23 | нпн копать 50В 0.1А 2к2 + 47к |
WH | BCR108T | Sie | N | SC75 | npn dig 50V 0.1A 2k2 + 47k |
WH | BCR108W | Sie | N | СОТ323 | нпн копать 50В 0.1А 2к2 + 47к |
WH | BCR108S | Sie | DN | СОТ363 | двойной BCR108 |
WI | BZT52B12 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 12В |
WI | BZT52C12 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 12В |
WI | BZT52C13S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 13 В |
WI | BZX384B12 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 12В |
WI | BZX384C12 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 12В |
WIs | BCR158 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1А 2к2 + 47к |
WIs | BCR158T | Sie | N | SC75 | pnp dig 50V 0.1A 2k2 + 47k |
WIs | BCR158W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1А 2к2 + 47к |
WJs | BCR135 | Sie | N | СОТ23 | npn dig 50V 0.1A 10k + 47k |
WJs | BCR135T | Sie | N | SC75 | нпн копать 50В 0.1А 10к + 47к |
WJs | BCR135W | Sie | N | СОТ323 | npn dig 50V 0.1A 10k + 47k |
WJs | BCR135S | Sie | DN | СОТ363 | двойной BCR135 |
WJ | BZT52C15S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 15 В |
WK | BZT52B13 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 13 В |
WK | BZT52C13 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 13 В |
WK | BZT52C16S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 16 В |
WK | BZX384B13 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 13 В |
WK | BZX384C13 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 13 В |
WKs | BCR119 | Sie | N | СОТ23 | нпн копать 50В 0.1А 4к7 |
WKs | BCR119S | Sie | DN | СОТ363 | npn dig 50V 0.1A 4k7 |
WKs | BCR119W | Sie | N | СОТ323 | нпн копать 50В 0.1А 4к7 |
WL | BZT52B15 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 15 В |
WL | BZT52C15 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 15 В |
WL | BZT52C18S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 18 В |
WL | BZX384B15 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 15 В |
WL | BZX384C15 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 15 В |
WLs | BCR146 | Sie | N | СОТ23 | двойной npn копать 50В 47к + 22к |
WLs | BCR146W | Sie | N | СОТ323 | двойной npn копать 50В 47к + 22к |
WM | BZT52B16 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 16 В |
WM | BZT52C16 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 16 В |
WG | BZT52C20S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 20В |
WM | BZX384B16 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 16 В |
WM | BZX384C16 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 16 В |
WMs | BCR183 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 10k + 10k |
WMs | BCR183W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 10k + 10k |
WMs | BCR183T | Sie | N | SC75 | pnp dig 50V 10k + 10k |
WMs | BCR183U | Sie | N | СОТ457 | pnp dig 50V 10k + 10k |
WMs | BCR183S | Sie | ДО | СОТ363 | двойной pnp dig 50V 10k + 10k |
ВМО | BF998RW | Tfk | UQ | SOT343R | VHF DG MOSFET BF988 |
WN | BZT52B18 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 18 В |
WN | BZT52C18 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 18 В |
WN | BZT52C22S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 22 В |
WN | BZX384B18 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 18 В |
WN | BZX384C18 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 18 В |
WNs | BCR185 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1А 10к + 47к |
WNs | BCR185U | Sie | N | СОТ457 | pnp dig 50V 0.1A 10k + 47k |
WNs | BCR185W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1А 10к + 47к |
WNs | BCR185S | Sie | ДО | СОТ363 | двойной BCR185 |
WO | BZT52B20 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 20 В |
WO | BZT52C20 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 20В |
WO | BZT52C24S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 24 В |
WO | BZX384B20 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 20 В |
WO | BZX384C20 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 20 В |
WOs | BCR191 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1A 22k + 22k |
WOs | BCR191W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1A 22k + 22k |
WOs | BCR191S | Sie | ДО | СОТ363 | двойной BCR191 |
WO | BZX284-B2V4 | Phi | I | SOD110 | 0.Стабилитрон 4Вт 2,4В E24 ± 2% |
WP | BZX284-B2V7 | Phi | I | SOD110 | 0,4 Вт стабилитрон 2,7 В E24 ± 2% |
WP | BZT52B22 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 22 В |
WP | BZT52C22 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 22 В |
WP | BZT52C27S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 27 В |
WP | BZX384B22 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 22 В |
WP | BZX384C22 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 22 В |
WP | BCR192 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1А 22к + 47к |
WP | BCR192T | Sie | N | SC75 | pnp dig 50V 0.1A 22k + 47k |
WP | BCR192W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1А 22к + 47к |
WP | BCR22PN | Sie | DP | СОТ363 | pnp / npn dig 0,1A 22k + 22k |
WP2 | BFR92A | Tfk | N | СОТ23 | BRF90A |
WQ | BZX284-B3V0 | Phi | I | SOD110 | 0.Стабилитрон 4Вт 3,0В E24 ± 2% |
WQ | BZT52C30S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 30 В |
WR | BZT52B24 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 24 В |
WR | BZT52C24 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 24 В |
WR | BZT52C33S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 33V |
WR | BZX384B24 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 24 В |
WR | BZX384C24 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 24 В |
WR | MSD602R | Mot | N | СОТ346 | npn gp 25 В 150 мА |
WR | BCR198 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1А 47к + 47к |
WR | BCR198W | Sie | NN | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1A 47k + 47k |
WR | BCR198S | Sie | D | СОТ363 | двойной BCR198 |
WR | BZX284-B3V3 | Phi | I | SOD110 | 0.Стабилитрон 4Вт 3,3В E24 ± 2% |
WR2 | BFR93AW | Tfk | N | BFR91A | |
WRE | BFR280TW | Tfk | N | нпн РФ фт 7.5 ГГц | |
WRF | BFR181TW | Tfk | N | npn RF fT 7,8 ГГц | |
WRG | BFR182TW | Tfk | N | npn RF fT 7 ГГц | |
WRH | BFR183TW | Tfk | N | нпн РФ фт 7.4 ГГц | |
WS | BCR169 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1A 4k7 |
WS | BCR169W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1А 4к7 |
WS | BCR169S | Sie | ДО | СОТ363 | двойной BC169 |
WS | BZT52B27 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 27 В |
WS | BZT52C27 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 27 В |
WS | BZT52C36S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 136 В |
WS | BZX384B27 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 27 В |
WS | BZX384C27 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 27 В |
WS | BZX284-B3V6 | Phi | I | SOD110 | 0.Стабилитрон 4Вт 3,6В E24 ± 2% |
WT | BCR166 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 47k |
WT | BCR166W | Sie | N | СОТ323 | pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 47k |
WT | BCR48PN | Sie | DP | СОТ363 | pnp / npn dig npn 2x47k pnp 2k2 + 47k |
WT | BZT52B30 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 30 В |
WT | BZT52C30 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 30 В |
WT | BZT52C39S | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 39 В |
WT | BZX384B30 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 30 В |
WT | BZX384C30 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 30 В |
WT | BZX284-B3V9 | Phi | I | SOD110 | 0.Стабилитрон 4Вт 3.9В E24 ± 2% |
WU | BCR162 | Sie | N | СОТ23 | pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 4k7 |
WU | BCR162T | Sie | N | SC75 | pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 4k7 |
WU | BCR35PN | Sie | DP | СОТ363 | pnp / npn dig 0,1A 10к + 47к |
WU | BZX284-B4V3 | Phi | I | SOD110 | 0.Стабилитрон 4Вт 4,3В E24 ± 2% |
WU | BZT52B33 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 33В |
WU | BZT52C33 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 33V |
WU | BZX384B33 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 33В |
WU | BZX384C33 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 33 В |
WU | MRF2947A | Mot | DG | СОТ363 | двойной MRF941 npn RF 9 ГГц |
WW | BZT52B36 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 36 В |
WW | BZT52C36 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 36 В |
WW | BZX384B36 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 36 В |
WW | BZX384C36 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 36 В |
WW3 | CMPZDA2V4 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 2.4 В |
WW4 | CMPZDA2V7 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 2,7 В |
WW5 | CMPZDA3V0 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 3.0V |
WW6 | CMPZDA3V3 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 3,3 В |
WW7 | CMPZDA3V6 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 3.6 В |
WW8 | CMPZDA3V9 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 3,9 В |
WW9 | CMPZDA4V3 | CSC | А | СОТ23 | двойной стабилитрон 350 мВт 4.3В |
WX | BZT52B39 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 39 В |
WX | BZT52C39 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 39 В |
WX | BZX384B39 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 39 В |
WX | BZX384C39 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 39 В |
WX3 | S593TXRW | Vis | UQ | СОТ143Р | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
WX4 | S594TXRW | Vis | UQ | СОТ143Р | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
WX5 | S595TXRW | Vis | UQ | СОТ143Р | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
WX6 | S504TXRW | Vis | UQ | SOT343R | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
WX7 | S505TXRW | Vis | UQ | SOT343R | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
WX8 | S503TXRW | Vis | UQ | SOT343R | смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В |
WY | BZT52B43 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 43В |
WY | BZT52C43 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 43В |
WY | BZX384B43 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 43В |
WY | BZX384C43 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 43В |
WY5 | S505TXRW | Vis | UQ | SOT343R | dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры |
WY6 | S506TXRW | Vis | UQ | SOT343R | dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры |
WZ | BZT52B47 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 2% 47 В |
WZ | BZT52C47 | Vis | I | SOD123 | 300 мВт стабилитрон 5% 47 В |
WZ | BZX384B47 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 2% 47 В |
WZ | BZX384C47 | Vis | I | SOD323 | 200 мВт стабилитрон 5% 47 В |
EN60252–1450 В SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.Промышленные конденсаторы 17.50hb для бизнеса и промышленности 32baar.com
- Домашняя страница
- Бизнес и промышленность
- Электрооборудование и принадлежности
- Электронные компоненты и полупроводники
- Конденсатор
- Промышленные конденсаторы
- EN60252-1,450V SKBAWA-b090
- EN60252-1,450V SKBAWA-b090 w04 / 141092bCAPI 4/14 1 DUCAPITU 4/14 1 DUCAPITU 4/141
EN60252–1450 В SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb
EN60252–1450 В SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb
1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ, 416.17.50hb, w04 / 14, EN60252-1,450V SKBAWA-b090. Один (НОВЫЙ) КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb, w04 / 14, EN60252-1, 450 В, 50-60 Гц. В наличии: 25 ..
EN60252-1,450V SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb
10 шт. FQP27N25 TO-220, комплект Авто Шлифовальный станок для кузова Новый Dura Block AF44A Набор шлифовальных блоков из 6 предметов, с водяным охлаждением и газовым адаптером Быстроразъемный соединитель для сварочной горелки TIG 8 мм.SHARS .125 «ВЫСОКОТОЧНЫЙ ИНДИКАТОР НАБОРНОГО ДИСКА .0005» AGD 1 TRAVEL LUG НАЗАД БЕЛЫЙ НОВЫЙ, корпус в сборе фон Дюприн 6121 / 621DS, двойная дверь с электрическим замком SKBAWA-B058. 20X SN74HC32N LOGIC GATE, QUAD 2-INPUT OR, HC-CMOS, DIP, 14PIN, TUL сумка для хранения для ноутбука младшего размера. 100 шт. 0805 КОНДЕНСАТОР 47NF 473M Y5V 50V 20% SMT SMD ЧИП КРЫШКА, 3M Super Grip 200 Нитриловые перчатки с покрытием ладони для сборки, рабочие защитные перчатки. НОВЫЙ JOHN DEERE STARTER 2280007010 228000701 RE500199 RE500345 SE501407 TY24444, DC 12 В 0,9 МПа 6 л / мин Мембрана высокого давления воды 70 Вт Самовсасывающий насос UBS.Подвеска для ожерелья, 2 шт., Подставка для дисплея, 29 крючков, черная вельветовая задняя крышка для мольберта, 100 шт. В упаковке, пакеты для термопечатающей машины из ПЭТ 4 «6» 8 «10» A4, 10 шт. 2SB595-Y B595-Y Кремниевые транзисторы питания PNP TO-220, Thales Мобильный картограф CE GPS, M3 A2 Набор самонарезающих винтов M3 A2 для панорамирования / плоской / ферменной головки с крестообразным шлицем 200 шт., Дискообразный диаметр 4,5 дюйма. 250 A36 Стальной круг, круглая стальная пластина 1/4 дюйма, ЧЕРНАЯ ПЕНОВАЯ ТРУБКА ХОЛОДИЛЬНАЯ ТРУБКА ПОЖАРНАЯ ИЗОЛЯЦИЯ ДЛИНА 2 М «ID X 3/8» WALL.NEW UF4006 Сверхбыстрые выпрямительные диоды, 800 В, 1 А, продавец из США, 100 шт., 2 шт. Тумблеров для тяжелых условий эксплуатации SPST ON / OFF 15A-125V Сделано в США компанией CARLING.UKSF 10 Пылезащитный колпачок 10 Набор GX16-3 3-контактный резьбовой разъем Авиационная силовая вилка, Libreta De Recibos Ventas Sin Carbón De 2 Partes Recibo De Efectivo O Alquiler, Клапан C&D CD2012 1/4 «муфта развальцовки в сборе, 1 шт. Держатель инструмента BT40-SLN20, 1 Резиновые втулки с внутренним диаметром 2 дюйма для отверстия в панели 1 дюйм Внешний диаметр 1 1/4 дюйма Подходит для черной панели 1/8 дюйма, S 15 шт. LIGHT DUTY из НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ СРЕДНИЕ КРЮЧКИ ДЛЯ МЯСА / ПТИЦЫ 3 «X 1/8». 150 штук, 15 значений Комплект коробки с переменным резистором 6 мм, расходомер кислорода 0-3 л / мин 0,1 МПа, расходомер с регулирующим клапаном для воздуха с кислородом.
EN60252-1,450V SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb
Jual HD-W04 Running Text Controller
Контроллер HD-W04 обеспечивает управление версией экономики HD-W62 с подключением WIFI (TANPA USB и вставка).
Dikarenakan tipe ekonomis, maka terdapat beberapa kekurangan pada kontroler ini yaitu:
— Опорный модуль Hanya LED 1 дан 2 warna saja
— Dikarenakan koneksi via WIFI saja, maka apabila terkendala di settingan wifi (misalnya di crack), maka back up USB tidak tersedia pada kontroler ini sehingga unit running text harus dibongkar untuk perbaikan / penggantian kontroler
Спецификация Teknis:
— Модель платы контроллера : HD-W04 — ввод Теганган : 5 В постоянного тока — Мощность : 0.5 Вт — Поддержка модуля Тип LED матрица : P10, P16, DSB. — Разрешение (диапазон пикселей) : Варна тунггал (одноцветный) -> 64 x 512 пикселей | 32 x 1024 пикселей | 16 x 1536 пикселей — Программное обеспечение / система контроллера : HD2018 — Режим сканирования : 1/16, 1/8, 1/4, 1/3, 1/2, статическое сканирование, dsb. — Программа Джумлах : программа 200, Wi-Fi зашифрованный, поддержка датчика opsi suhu, kelembaban, dan cahaya — ЦП : Контекст M4 — Внутренняя память : 2 МБ — порт Komunikasi (ввод данных) : ТОЛЬКО Wi-Fi — Интерфейсный порт : 4 ступицы 12 — Поддержка формата gambar : GIF, JPG, JPEG, PNG, BMP, TXT, RTF, dsb. Фитур-Фитур:
— Dapat mengontrol beberapa kartu wifi secara bersamaan menggunakan routerr
— Кара пемакайян ян муда:
Isi / edit program text menggunakan PC software HD2018 >> передача данных через WIFI DIRECT >> klik SEND di program untuk mengirim sinyal data ke controller
— Контроллерная карта menerima danmbaca data kiriman wifi secara automatis dan merubah tampilan text secara otomatis
— Fungsi tampilan teks, gambar, suhu, kelembaban dan tingkat terang cahaya menggunakan sensor tambahan yang disolder ke kontroler (Dijual terpisah), джем цифровой / аналоговый, дан анимаси
— Таймер Fungsi для автоматического включения / выключения secara
— Lebih dari 40 efek spesial tulisan: statik, gerak kiri / kanan / atas / bawah, крышка, ставень, дождь, разбивка на страницы, рулон, снегопад, dsb.