Smd w04: Маркировка радиодеталей, Коды SMD W0-***, W01, W02, W03, W04, W05, W06, W08, W08*, W09*, W0=***, w04, w09. Даташиты APW7208C, APW7209C, BZX84-A11, PDTA114ET, PDTA114EU, PDTA124ET, PDTA124EU, PDTA143ET, PDTC114EU, PDTC124EU, PDTC143ET, PDTC144ET, PMSS3904, RT9169-12GB, RT9169-12PB, S504TRW, TC07W02FK, TC7W08FK.

Маркировка радиодеталей, Коды SMD W0-***, W01, W02, W03, W04, W05, W06, W08, W08*, W09*, W0=***, w04, w09. Даташиты APW7208C, APW7209C, BZX84-A11, PDTA114ET, PDTA114EU, PDTA124ET, PDTA124EU, PDTA143ET, PDTC114EU, PDTC124EU, PDTC143ET, PDTC144ET, PMSS3904, RT9169-12GB, RT9169-12PB, S504TRW, TC07W02FK, TC7W08FK.

W0-*** SOT-25 RT9169-12PBRichtekСтабилизатор напряжения
W01 SOT-23 PDTA143ETPhilips (Now NXP)Цифровой PNP транзистор
W02 SOT-23 PDTC143ETPhilips (Now NXP)Цифровой NPN транзистор
W02 SSOP8-P-0.50A TC07W02FKToshibaИЛИ-НЕ элемент
W03 SOT-23 PDTA114ETNXPPNP транзистор
W03 SOT-323 PDTA114EUNXPPNP транзистор
W04 SOT-23 BZX84-A11NXPСтабилитрон
W04 SOT-343R S504TRWVishayMOSMIC для ТВ-тюнера
W05 SOT-23 PDTA124ETNXPЦифровой PNP транзистор
W05 SOT-323 PDTA124EUNXPЦифровой PNP транзистор
W06 SOT-323 PDTC124EUNXPЦифровой NPN транзистор
W08 SOT-23 PDTC144ETPhilips (Now NXP)Цифровой NPN транзистор
W08 SSOP8-P-0. 50A TC7W08FKToshibaИ элемент
W08* SOT-26 APW7208CAnpecДрайвер светодиода
W09* SOT-26 APW7209CAnpecДрайвер светодиода
W0=*** SOT-25 RT9169-12GBRichtekСтабилизатор напряжения
w04 SOT-323 PMSS3904NXPNPN транзистор
w09 SOT-323 PDTC114EUNXPЦифровой NPN транзистор

smd-код w0

Подробная информация о производителях — в GUIDE’е, о типах корпусов — здесь
код наименование функция корпус производитель примечания
W0 BCR191L3 «цифровой» pnp: 50В/100мА, 22кОм/22кОм tslp3 Infineon  
W0 BZX284-B2V4 стабилитрон 400 мВт, 2,4 В, ±2% sod110 NXP  
W0
BZX84-C20 стабилитрон 350 мВт: 20В sot23 MCC  
W0## R1210N301D повышающий dc-dc: 3,0В 180кГц +LTD sot23-5 Ricoh ## — lot-код
W01 PDTA143ET|EU «цифровой» pnp: 50В/100мА, 4,7кОм/4,7кОм sot23|sot323 NXP @China
W02 PDTC143ET|EU «цифровой» npn: 50В/100мА, 4,7кОм/4,7кОм sot23|sot323 NXP @China
W04 BZX84-A11 стабилитрон 11В, 250мВт 1% sot23 NXP @China
W06 PDTC124EU «цифровой» npn: 50В/100мА, 22кОм/22кОм
sc70
NXP @China
W08 PDTC144ET/EU «цифровой» npn: 50В/100мА, 47кОм/47кОм sot23/sc70 NXP @China
W0s BCR191/F/U «цифровой» pnp: 50В/100мА, 22кОм/22кОм sot23/tsfp3/sc74 Infineon  
W0s BCR191S 2х «цифровых» pnp: 50В/100мА, 22кОм/22кОм sot363 Infineon  

W0 SMD МАРКИРОВКА

Для правильной расшифровки чип-деталей с первыми символами кода W0, подготовлена краткая таблицей функций и технических характеристик на различные датчики, инверторы, стабилитроны, микросхемы, транзисторы, диоды и другие SMD электронные детали.

Более подробно ищите их параметры и описание в даташитах через поиск. Если встречаются одинаковые по коду радиокомпоненты, но разные по функциям, нужно смотреть на вид корпуса и выбирать по подходящему (ссылка под таблицей). Появляются и новые радиоэлементы, так что справочник будет пополняться. Тут есть общая таблица кодов

код

наименование

функция

корпус

производитель

W0

BCR191L3

«цифровой» pnp: 50В/100 мА, 22 кОм/22 кОм

tslp3

Infineon

W0

BZX284-B2V4

стабилитрон 400 мВт, 2,4 В, ±2%

sod110

NXP

W0

BZX84-C20

стабилитрон 350 мВт: 20 В

sot23

MCC

W0##

R1210N301D

повышающий dc-dc: 3,0 В 180 кГц +LTD

sot23-5

Ricoh

W01

PDTA143ET|EU

«цифровой» pnp: 50В/100 мА, 4,7 кОм/4,7 кОм

sot23|sot323

NXP

W02

PDTC143ET|EU

«цифровой» npn: 50В/100 мА, 4,7 кОм/4,7 кОм

sot23|sot323

NXP

W04

BZX84-A11

стабилитрон 11В, 250 мВт 1%

sot23

NXP

W06

PDTC124EU

«цифровой» npn: 50В/100 мА, 22 кОм/22 кОм

sc70

NXP

W08

PDTC144ET/EU

«цифровой» npn: 50В/100 мА, 47 кОм/47 кОм

sot23/sc70

NXP

W0s

BCR191/F/U

«цифровой» pnp: 50В/100 мА, 22 кОм/22 кОм

sot23/tsfp3/sc74

Infineon

W0s

BCR191S

2х pnp: 50 В/100 мА, 22 кОм/22 кОм

sot363

Infineon

 

При расшифровке маркировки учитывайте, что символы «О» и «0» (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми. По этой ссылке можно посмотреть все типы, фотографии и размеры корпусов радиокомпонентов SMD



MITSUBISHI DIAMANTE СХЕМА

          Принципиальная электрическая схема проводки, основных узлов, соединений MITSUBISHI DIAMANTE. Обслуживание и ремонт.


СВЕТОДИОДНАЯ ПРОДУКЦИЯ

     Пару слов про светодиодную продукцию одной фирмы реклама которой пришла на мою почту, или за что я уважаю китайцев.


СХЕМА ВАЗ-2115

     Схема и описание электропроводки автомобилей ВАЗ-2115.


СХЕМА ГАЗ-3110

        Схема и описание электропроводки автомобилей АЗЛК ГАЗ-3110.



w04 — 芯片 丝印 反 查 — 芯片 丝印 反 查 网

搜索 w04 共 找到 44 条 数据

丝印 代码 型号 封装 脚 针 数 描述 资料 操作
W04 BZX84-A11 PhC СОТ-23

11 В ± 1%, 300 мВт


加入 物料 单
W04 S504TRW против СОТ-343Р

UHF, 8 В, 30 мА, 200 мВт, Idss = 7. 0,14 мА


加入 物料 单
W04 PMSS3904 PhC СОТ-323 3

GP, 60 В, 100 мА, 200 мВт, B = 100..300,> 180 МГц


加入 物料 单
w04 PMBS3904 NXP / PHILIPS
СОТ-23 / СК-59

三极管 Транзисторы с биполярным переходом (BJT) NPN


加入 物料 单
W04 SN74AHC2G04HDCTR ТЕХАС VFSOP8 / US8

集成电路 ICIntegrated Circuit (IC) 逻辑 电路 Логическая схема 逻辑 Gate


加入 物料 单
W04 登录 显示 TOSHIBA US8 ……
加入 物料 单
W04 登录 显示 ТЕХАС SSOP8 / SM8 ……
加入 物料 单
W04 登录 显示 ТЕХАС SSOP8 / SM8 ……
加入 物料 单
W04 登录 显示 NXP / PHILIPS SOP8 ……
加入 物料 单
W04 登录 显示 KEC US8 ……
加入 物料 单
W04 + 0xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 1xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 2xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 3xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 4xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 5xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 6xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 7xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 8xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单
W04 + 9xx 登录 显示 СОТ-89-5 ……
加入 物料 单

使用 说明 :

· TLV3201AIDBVR RAI, 输入 RAI , 即可 筛选 出 原来 的 型号 TLV3201AIDBVR。

· MMBD7000LT1G M5C3 , 中 丝印 M5C , 而 3 是 标示 批号 13 的 意思。 以 丝印 的 时候 M5C M5C. 出来 丝印 是 M5C。 丝印 搜索 可以 尝试 多个 组合 一下。

· PIC10F200-E / OT 丝印 是 00AB (AB 表示 年份) SOT-23-6 应该 查询 丝印 是 00xx。

, 丝印 反 查 , 如果 丝印 反 可以 把 最后 面 表示 年份 的 1 到 2 位 字母 减掉 , 或者 换成 * 号 尝试。

每个 丝印 搜索 显示 20 匹配 结果 , 超过 20 条 的 不 显示。 注册 会员 可以 显示 30 条 结果。 注册 完全 免费 , 所有 内容 完全 免费。

不了解 的 事情 , 可以 联系 右侧 QQ , 或 发 support @ smdmark.com!

专业 PCB , 芯片 程序 破解 , PCB 抄 板 PCB 改 板 , BOM , 原理 图 推 ; SMT 焊接 调试 一条龙 服务 通过 的 QQ , 或者 本人 手机 (微 信 同) 180 * 2535 * 9515 , 随时 与 我 联系

[PDF] W04 Транзисторы и их применение. Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Скачать Транзисторы W04 и приложения. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен …

W04 Транзисторы и приложения

W04 Транзисторы и приложения Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

ELK 2018 — Содержание W01 Основные понятия в электронике W02 Преобразование переменного тока в постоянный W03 Анализ цепей постоянного тока (собственные и конденсаторные) W04 Транзисторы и их применение (H-мост) W05 Операционные усилители и их применение W06 Датчики и измерения (1 / 2) W07 Датчики и измерения (2/2) W08 Среднесрочный период W09 Основные понятия в цифровой электронике (логическая алгебра, десятичное в двоичное, вентили) W10 Цифровые логические схемы (вентили и триггеры) W11 ПЛК W12 Микропроцессоры W13 Сбор данных, D / Преобразователи A и A / D. 2 Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

ELK 2018 — W04 Содержание 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

Что такое транзистор? Биполярные транзисторы. NPN-транзистор. tran_1.html

3 Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзисторы… Диоды состоят из двух частей полупроводникового материала, кремния или германия, которые образуют простой PN переход.Если мы соединим вместе два отдельных сигнальных диода встречно, это даст нам два соединенных последовательно PN перехода, которые имеют общий вывод P или N. Объединение этих двух диодов дает трехслойное, двухпереходное, трехконтактное устройство, образующее основу биполярного переходного транзистора, или сокращенно BJT.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Транзисторы… Транзисторы — это три оконечных активных устройства, изготовленных из различных полупроводниковых материалов, которые могут действовать как изолятор или проводник за счет приложения небольшого напряжения сигнала.Способность транзистора переключаться между этими двумя состояниями позволяет ему выполнять две основные функции: «переключение» (цифровая электроника) или «усиление» (аналоговая электроника). Тогда биполярные транзисторы могут работать в трех различных областях: 1. Активная область — транзистор работает как усилитель и Ic = β.Ib 2. Насыщение — транзистор «полностью включен», работает как переключатель и Ic = I (насыщение) 3. Отсечка — транзистор полностью выключен, работает как переключатель и Ic = 0 Yrd.Doç. Д-р Айтач Гёрен

Биполярный транзистор Существует два основных типа конструкции биполярного транзистора, PNP и NPN, которые в основном описывают физическое устройство полупроводниковых материалов P-типа и N-типа, из которых они сделаны. Базовая конструкция биполярного транзистора состоит из двух PN-переходов, образующих три соединительных вывода, причем каждому выводу присвоено имя, чтобы отличить его от двух других. Эти три терминала известны и обозначены как эмиттер (E), база (B) и коллектор (C) соответственно.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Биполярный транзистор Конструкция и обозначения схем для биполярных транзисторов PNP и NPN даны выше со стрелкой в ​​обозначении схемы, всегда показывающей направление «обычного протекания тока» между выводом базы и выводом эмиттера. Направление стрелки всегда указывает от положительной области P-типа к отрицательной области N-типа для обоих типов транзисторов, точно так же, как для стандартного символа диода.

Yrd.Doç. Д-р Айтач Гёрен

Биполярный транзистор Конфигурация биполярного транзистора Поскольку биполярный транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, в основном существует три возможных способа подключения его к электронной схеме, при этом одна клемма является общей для входа и выхода. Каждый метод подключения по-разному реагирует на входной сигнал внутри схемы, поскольку статические характеристики транзистора меняются в зависимости от расположения схемы. 1. Общая базовая конфигурация — имеет усиление по напряжению, но без усиления по току.2. Конфигурация с общим эмиттером — имеет коэффициент усиления по току и напряжению. 3. Конфигурация с общим коллектором — имеет усиление по току, но без усиления по напряжению.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Схема транзистора с общей базой В конфигурации с общей базой или заземленной базой соединение BASE является общим как для входного сигнала, так и для выходного сигнала, причем входной сигнал применяется между клеммами базы и эмиттера. входной сигнал. Соответствующий выходной сигнал снимается с между базой и коллектором терминалов, как показано с базовым терминалом заземленной или подключенного к фиксированной точке опорного напряжения.Входной ток, протекающий в эмиттер, довольно велик, так как он представляет собой сумму как базового тока, так и тока коллектора соответственно, поэтому выходной ток коллектора меньше, чем входной ток эмиттера, что дает коэффициент усиления по току для этого типа схемы «1» (единица) или меньше, другими словами, общая базовая конфигурация «ослабляет» входной сигнал. Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Схема транзистора с общей базой Этот тип конфигурации усилителя представляет собой схему неинвертирующего усилителя напряжения, в которой напряжения сигналов Vin и Vout синфазны.Этот тип транзисторов не очень распространен из-за его необычно высоких характеристик усиления по напряжению. Его выходные характеристики соответствуют характеристикам диода с прямым смещением, в то время как входные характеристики соответствуют характеристикам освещенного фотодиода. Также этот тип конфигурации биполярного транзистора имеет высокое отношение выходного сопротивления к входному или, что более важно, «нагрузочное» сопротивление (RL) к «входному» сопротивлению (Rin), что дает ему значение «Resistance Gain». Тогда коэффициент усиления по напряжению (Av) для общей базовой конфигурации определяется как:

Где: Ic / Ie — коэффициент усиления по току, альфа (α) и RL / Rin — коэффициент усиления по сопротивлению.Схема с общей базой обычно используется только в схемах одноступенчатых усилителей, таких как микрофонный предусилитель или усилители радиочастоты (Rf), из-за ее очень хорошей высокочастотной характеристики.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация с общим эмиттером (CE) В конфигурации с общим эмиттером или заземленным эмиттером входной сигнал подается между базой, а выходной сигнал берется между коллектором и эмиттером, как показано. Этот тип конфигурации является наиболее часто используемой схемой для усилителей на базе транзисторов и представляет собой «нормальный» метод подключения биполярных транзисторов. Конфигурация усилителя с общим эмиттером обеспечивает самый высокий коэффициент усиления по току и мощности из всех трех конфигураций биполярных транзисторов. Это в основном связано с тем, что входной импеданс НИЗКИЙ, поскольку он подключен к PN-переходу со смещением в прямом направлении, а выходное сопротивление ВЫСОКОЕ, поскольку оно снимается с PN-переходом с обратным смещением.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Конфигурация с общим эмиттером (CE) В этом типе конфигурации ток, текущий из транзистора, должен быть равен токам, текущим в транзистор, поскольку ток эмиттера задается как Ie = Ic + Ib.Кроме того, поскольку сопротивление нагрузки (RL) соединено последовательно с коллектором, коэффициент усиления по току в конфигурации транзистора с общим эмиттером довольно велик, так как он представляет собой отношение Ic / Ib и обозначается греческим символом Beta (β). . Поскольку ток эмиттера для общей конфигурации эмиттера определяется как Ie = Ic + Ib, отношение Ic / Ie называется Alpha, учитывая греческий символ α. Примечание: значение альфа всегда будет меньше единицы. Поскольку электрическая взаимосвязь между этими тремя токами Ib, Ic и Ie определяется физической конструкцией самого транзистора, любое небольшое изменение тока базы (Ib) приведет к гораздо большему изменению тока коллектора (Ic). .Таким образом, небольшие изменения тока, протекающего в базе, будут управлять током в цепи эмиттер-коллектор. Как правило, для большинства транзисторов общего назначения Beta имеет значение от 20 до 200.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Конфигурация общего эмиттера (CE) Комбинируя выражения для Alpha, α и Beta, β, математическая взаимосвязь между этими параметрами и, следовательно, текущее усиление транзистора может быть задано как:

Где: » Ic — это ток, протекающий через вывод коллектора, Ib — ток, протекающий через вывод базы, а Ie — ток, текущий из вывода эмиттера.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего коллектора (CC) В конфигурации с общим или заземленным коллектором коллектор теперь является общим через источник питания. Входной сигнал подключается непосредственно к базе, а выходной сигнал берется с эмиттерной нагрузки, как показано. Этот тип конфигурации обычно известен как цепь повторителя напряжения или повторителя эмиттера. Конфигурация эмиттерного повторителя очень полезна для приложений согласования импеданса из-за очень высокого входного импеданса, порядка сотен тысяч Ом, при относительно низком выходном сопротивлении.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Конфигурация с общим коллектором (CC) Конфигурация с общим эмиттером имеет коэффициент усиления по току, приблизительно равный значению β самого транзистора. В конфигурации с общим коллектором сопротивление нагрузки расположено последовательно с эмиттером, поэтому его ток равен току эмиттера. Поскольку ток эмиттера представляет собой комбинацию тока коллектора и базы, сопротивление нагрузки в этом типе конфигурации транзистора также имеет как ток коллектора, так и входной ток базы, протекающий через него.Тогда текущий коэффициент усиления схемы определяется как:

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Характеристики биполярного транзистора

Входные характеристики: —

Эмиттер с общей базой —

ΔVEB / ΔIE ΔVBE / ΔIB

Выходные характеристики: —

Эмиттер с общей базой

ΔICΔVC /

ΔVC

Передаточные характеристики: —

Общий эмиттер с общей базой —

ΔIC / ΔIE ΔIC / ΔIB

Характеристика

Общая база

Общий эмиттер

Общий коллектор

Входное сопротивление

Низкое

Выходное сопротивление

Очень высокий

Высокий

Низкий

Фазовый угол

0o

180o

0o

Усиление напряжения

Высокое

Среднее

Низкое

Среднее

Высокий

Коэффициент усиления

Низкий

Очень высокий

Средний 900 03

Yrd.Doç. Д-р Айтач Гёрен

NPN-транзистор Стандартный биполярный транзистор, или BJT, бывает двух основных форм. Типы NPN (отрицательные-положительные-отрицательные) и PNP (положительные-отрицательные-положительные), причем наиболее часто используемым типом транзисторов является транзистор NPN. NPN-транзистор вместе с характеристиками тока транзистора представлен ниже.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен

NPN-транзистор Напряжение между базой и эмиттером (VBE) положительное на базе и отрицательное на эмиттере, потому что для NPN-транзистора клемма базы всегда положительна по отношению к эмиттеру.Также напряжение питания коллектора является положительным по отношению к эмиттеру (VCE). Таким образом, для NPN-транзистора проводимость коллектора всегда более положительна как по отношению к базе, так и по отношению к эмиттеру. Подключения транзистора NPN

Затем источники напряжения подключаются к транзистору NPN, как показано. Коллектор подключается к источнику питания VCC через нагрузочный резистор RL, который также ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство. Напряжение питания базы VB подключается к резистору базы RB, который снова используется для ограничения максимального тока базы.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

NPN-транзистор Транзистор — это устройство, управляемое током (бета-модель), и большой ток (Ic) свободно течет через устройство между коллектором и выводами эмиттера, когда транзистор переключается «полностью». НА». Однако это происходит только тогда, когда небольшой ток смещения (Ib) протекает в выводе базы транзистора одновременно, что позволяет базе действовать как своего рода вход управления током. Ток транзистора в NPN-транзисторе — это отношение этих двух токов (Ic / Ib), которое называется коэффициентом усиления постоянного тока устройства и обозначается символом hfe или в настоящее время Beta, (β).Значение β может быть большим до 200 для стандартных транзисторов, и именно это большое соотношение между Ic и Ib делает NPN-транзистор полезным усилительным устройством при использовании в его активной области, поскольку Ib обеспечивает вход, а Ic обеспечивает выход. Обратите внимание, что в бета-версии нет единиц измерения, так как это соотношение.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзистор NPN Кроме того, коэффициент усиления по току транзистора от вывода коллектора до вывода эмиттера, Ic / Ie, называется альфа, (α) и является функцией самого транзистора (электроны диффундируют через соединение). Поскольку ток эмиттера Ie является произведением очень малого тока базы и очень большого тока коллектора, значение альфа α очень близко к единице, а для типичного сигнального транзистора малой мощности это значение находится в диапазоне от 0,950 до 0,999.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

NPN-транзистор — пример NPN-транзистор имеет коэффициент усиления по постоянному току (бета), равный 200. Вычислите базовый ток Ib, необходимый для переключения резистивной нагрузки 4 мА.

Следовательно, β = 200, Ic = 4 мА и Ib = 20 мкА.Напряжение коллектора (Vc) должно быть больше и положительно по отношению к напряжению эмиттера (Ve), чтобы ток мог течь через транзистор между переходами коллектор-эмиттер. Кроме того, существует падение напряжения между базой и выводом эмиттера около 0,7 В (падение напряжения на один диод) для кремниевых устройств, поскольку входные характеристики NPN-транзистора относятся к прямому смещенному диоду. Тогда базовое напряжение (Vbe) NPN-транзистора должно быть больше, чем это 0,7 В, иначе транзистор не будет проводить с током базы, заданным как. Ib — ток базы, Vb — напряжение смещения базы, Vbe — падение напряжения база-эмиттер (0,7 [В]), а Rb — входной резистор базы. Увеличивая Ib, Vbe медленно увеличивается до 0,7 В, но Ic возрастает экспоненциально.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего эмиттера. Помимо использования в качестве полупроводникового переключателя для включения или выключения токов нагрузки путем управления базовым сигналом транзистора в его областях насыщения или отсечки, транзисторы NPN также могут использоваться в его активной области для получения схема, которая будет усиливать любой слабый сигнал переменного тока, подаваемый на ее базовый терминал с заземленным эмиттером.Если подходящее «смещающее» напряжение постоянного тока сначала подается на базовый вывод транзистора, что позволяет ему всегда работать в пределах своей линейной активной области, получается схема инвертирующего усилителя, называемая одноступенчатым усилителем с общим эмиттером.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего эмиттера.

Операция «Усилитель класса A» — это операция, при которой клемма базы транзистора смещена таким образом, чтобы смещать в прямом направлении переход база-эмиттер. В результате транзистор всегда работает на полпути между областями отсечки и насыщения, что позволяет транзисторному усилителю точно воспроизводить положительную и отрицательную половины любого входного сигнала переменного тока, наложенного на это напряжение смещения постоянного тока.Без этого «напряжения смещения» усилилась бы только половина входного сигнала. Эта конфигурация усилителя с общим эмиттером, использующая транзистор NPN, имеет множество применений, но обычно используется в аудиосхемах, таких как каскады предварительного усилителя и усилителя мощности. Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего эмиттера. Кривые выходных характеристик соотносят выходной ток коллектора (Ic) с напряжением коллектора (Vce), когда на транзистор подаются разные значения тока базы (Ib) для транзисторов с одинаковым значением β.

A «Линия нагрузки» постоянного тока также может быть нанесена на кривые выходных характеристик, чтобы показать все возможные рабочие точки, когда применяются различные значения базового тока. Необходимо правильно установить начальное значение Vce, чтобы выходное напряжение изменялось как вверх, так и вниз при усилении входных сигналов переменного тока, и это называется установкой рабочей точки или точки покоя, для краткости точки Q.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего эмиттера. Наиболее важный фактор, на который следует обратить внимание, — это влияние Vce на ток коллектора Ic, когда Vce больше 1.0 вольт. Мы можем видеть, что Ic в значительной степени не зависит от изменений Vce выше этого значения, и вместо этого он почти полностью контролируется базовым током Ib. Когда это происходит, мы можем сказать, что выходная цепь представляет собой «источник постоянного тока». Из схемы общего эмиттера также можно увидеть, что ток эмиттера Ie представляет собой сумму тока коллектора Ic и тока базы Ib, сложенных вместе, поэтому мы также можем сказать, что Ie = Ic + Ib для общего эмиттера (CE ) конфигурация.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего эмиттера. Используя кривые выходных характеристик в нашем примере выше, а также закон Ома, ток, протекающий через нагрузочный резистор (RL), равен току коллектора, Ic, входящему в транзистор, который, в свою очередь, соответствует напряжению питания (Vcc ) за вычетом падения напряжения между коллектором и выводами эмиттера (Vce) и определяется как:

Кроме того, прямую линию, представляющую динамическую линию нагрузки транзистора, можно провести непосредственно на графике кривых выше с точки «Насыщение» (A), когда Vce = 0, до точки «отсечки» (B), когда Ic = 0, что дает нам «рабочую» или Q-точку транзистора.Эти две точки соединены прямой линией, и любое положение на этой прямой представляет «активную область» транзистора.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Конфигурация общего эмиттера. Фактическое положение линии нагрузки на характеристических кривых можно рассчитать следующим образом:

Затем кривые коллекторных или выходных характеристик для NPN-транзисторов с общим эмиттером можно использовать для прогнозирования тока коллектора, Ic, если заданы Vce и ​​базовый ток. , Ib.Линия нагрузки также может быть построена на кривых для определения подходящей рабочей или Q-точки, которая может быть установлена ​​путем регулировки базового тока. Наклон этой линии нагрузки равен обратной величине сопротивления нагрузки, которая задается как: -1 / RL. Затем мы можем определить NPN-транзистор как обычно «ВЫКЛ.», Но с небольшим входным током и небольшим положительным напряжением на его базе. (B) относительно его эмиттера (E) включит его, позволяя протекать очень большому току коллектор-эмиттер. Транзисторы NPN проводят, когда Vc намного больше Ve.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзистор PNP Транзистор PNP является полной противоположностью транзистора NPN. По сути, в этом типе конструкции транзистора два диода перевернуты по отношению к типу NPN, что дает положительно-отрицательно-положительную конфигурацию, при этом стрелка, которая также определяет клемму эмиттера, на этот раз указывает внутрь в символе транзистора. Кроме того, все полярности для транзистора PNP меняются местами, что означает, что он «втягивает» ток в свою базу, в отличие от транзистора NPN, который «передает» ток через свою базу. Основное различие между двумя типами транзисторов заключается в том, что дырки являются более важными носителями для транзисторов PNP, тогда как электроны являются важными носителями для транзисторов NPN. Затем транзисторы PNP используют небольшой базовый ток и отрицательное базовое напряжение для управления гораздо большим током эмиттер-коллектор. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер более положительный по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

PNP-транзистор

Напряжение между базой и эмиттером (VBE) теперь отрицательное на базе и положительное на эмиттере, потому что для транзистора PNP клемма базы всегда смещена отрицательно по отношению к Эмиттер.Также напряжение питания эмиттера является положительным по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, для PNP-транзистора эмиттер всегда более положительный по отношению как к базе, так и к коллектору.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзистор PNP На этот раз эмиттер подключен к напряжению питания VCC с нагрузочным резистором RL, который ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, подключенное к клемме коллектора. Базовое напряжение VB, которое смещено отрицательно по отношению к эмиттеру и подключается к базовому резистору RB, который снова используется для ограничения максимального базового тока.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

PNP-транзистор Чтобы ток базы протекал через PNP-транзистор, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен выходить из базы) примерно на 0,7 В для кремниевого устройства или на 0,3 В для германиевое устройство с формулами, используемыми для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора, такие же, как и для эквивалентного NPN-транзистора, и обозначаются как.

Как правило, транзисторы PNP могут заменять транзисторы NPN в большинстве электронных схем, единственная разница заключается в полярностях напряжений и направлениях тока.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Транзисторы PNP Транзисторы PNP также могут использоваться в качестве переключающих устройств, и пример транзисторного переключателя PNP показан ниже.

Кривые выходных характеристик для транзистора PNP очень похожи на кривые для эквивалентного транзистора NPN, за исключением того, что они повернуты на 180 °, чтобы учесть напряжения и токи обратной полярности (токи, текущие из базы и коллектора в PNP-транзистор отрицательный). Та же самая линия динамической нагрузки может быть нанесена на ВАХ, чтобы найти рабочие точки PNP-транзисторов.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен

Согласование транзисторов Пара соответствующих транзисторов NPN и PNP с почти идентичными характеристиками друг другу называются дополнительными транзисторами, например, TIP3055 (транзистор NPN) и TIP2955 (транзистор PNP) являются хорошими примерами дополнительных или согласованных пара кремниевых силовых транзисторов. Оба они имеют коэффициент усиления постоянного тока, бета, (Ic / Ib), согласованный с точностью до 10%, и высокий ток коллектора около 15 А, что делает их идеальными для общего управления двигателем или роботизированных приложений.

Усилители

класса B используют дополнительные NPN и PNP в конструкции выходного каскада мощности. Транзистор NPN проводит только положительную половину сигнала, тогда как транзистор PNP проводит отрицательную половину сигнала. Это позволяет усилителю передавать требуемую мощность через громкоговоритель нагрузки в обоих направлениях с заявленным номинальным сопротивлением и мощностью, что приводит к выходному току, который, вероятно, будет порядка нескольких ампер, равномерно распределенных между двумя комплементарными транзисторами. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзистор в качестве переключателя При использовании в качестве усилителя сигнала переменного тока к транзисторам прикладывается напряжение смещения базы таким образом, что оно всегда работает в своей «активной» области, то есть линейной части выходных характеристик кривые. Однако биполярные транзисторы типа NPN и PNP можно заставить работать как твердотельные переключатели типа «ВКЛ / ВЫКЛ», смещая базу транзисторов иначе, чем у усилителя сигнала. Твердотельные переключатели являются одним из основных приложений для использования транзисторов, а транзисторные переключатели могут использоваться для управления устройствами большой мощности, такими как двигатели, соленоиды или лампы, но они также могут использоваться в цифровой электронике и схемах логических вентилей.Если в схеме используется биполярный транзистор в качестве переключателя, то смещение транзистора, NPN или PNP, настраивается для управления транзистором по обе стороны кривых ВАХ, которые мы видели ранее. Области работы транзисторного ключа известны как область насыщения и область отсечки. Это означает, что мы можем игнорировать рабочую схему смещения точки Q и схему делителя напряжения, необходимую для усиления, и использовать транзистор в качестве переключателя, перемещая его вперед и назад между его положениями «полностью выключено» (отсечка) и «полностью включено». (насыщенность) регионов.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзистор как переключатель

Розовая заштрихованная область в нижней части кривых представляет область «отсечки», а синяя область слева представляет область «насыщения» транзистора.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Транзистор как переключатель 1. Область отсечки Здесь условиями работы транзистора являются нулевой входной базовый ток (IB), нулевой выходной ток коллектора (IC) и максимальное напряжение коллектора (VCE), что приводит к большой обедненный слой и отсутствие тока через устройство.Поэтому транзистор полностью выключен. • Вход и база заземлены (0 В) • Напряжение база-эмиттер VBE

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзистор как переключатель 2. Область насыщения Транзистор будет смещен таким образом, что будет приложен максимальный ток базы, что приведет к максимальному току коллектора, что приведет к минимальному падению напряжения на эмиттере коллектора, что приведет к обеднению слоя минимально возможный и максимальный ток, протекающий через транзистор.Поэтому транзистор включен «Полностью ВКЛ». • Вход и база подключены к VCC • Напряжение база-эмиттер VBE> 0,7 В • Переход база-эмиттер смещен в прямом направлении • Переход база-коллектор смещен в прямом направлении • Транзистор полностью включен (область насыщения) • Максимальный ток коллектора потоки (IC = Vcc / RL) • VCE = 0 (идеальное насыщение) • VOUT = VCE = «0» • Транзистор работает как «замкнутый переключатель». Мы можем определить «область насыщения» или «режим включения» при использовании биполярного транзистор как переключатель, оба перехода смещены в прямом направлении, IB> 0.7V и IC = Максимум. Для транзистора PNP потенциал эмиттера должен быть положительным по отношению к базе.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Транзистор в качестве переключателя Основная схема переключения транзистора NPN Пример транзистора NPN в качестве переключателя, используемого для управления реле. При индуктивных нагрузках, таких как реле или соленоиды, диод маховика размещается поперек нагрузки для рассеивания обратной ЭДС, генерируемой индуктивной нагрузкой, когда транзистор переключается в положение «ВЫКЛ», и таким образом защищает транзистор от повреждения.Если нагрузка имеет очень высокий ток или напряжение, например двигатели, нагреватели и т. Д., То ток нагрузки можно контролировать с помощью подходящего реле, как показано.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Транзистор как переключатель Схема переключения базового NPN-транзистора

Для того, чтобы ток базы протекал, входная клемма базы должна быть более положительной, чем эмиттер, увеличив ее выше 0,7 В, необходимых для кремния. устройство. Изменяя это напряжение VBE база-эмиттер, также изменяется базовый ток, который, в свою очередь, регулирует величину тока коллектора, протекающего через транзистор, как обсуждалось ранее. Когда протекает максимальный ток коллектора, транзистор считается насыщенным. Величина базового резистора определяет, какое входное напряжение требуется и соответствующий базовый ток для полного включения транзистора.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Пример базовой схемы переключения транзисторов NPN

?

Используя значения транзистора: β = 200, Ic = 4 мА и Ib = 20 мкА, найдите значение базового резистора (Rb), необходимое для включения нагрузки, когда напряжение на входных клеммах превышает 2.5 [В]

Следующее наименьшее предпочтительное значение: 82 кОм, это гарантирует, что транзисторный ключ всегда находится в состоянии насыщения.

?

Найдите минимальный базовый ток, необходимый для включения транзистора «полностью» (насыщения) для нагрузки, требующей тока 200 мА при увеличении входного напряжения до 5,0 [В]. Также рассчитайте новое значение Rb.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Цифровой логический транзисторный переключатель

Базовый резистор Rb необходим для ограничения выходного тока логического элемента.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Герен

Транзисторный переключатель PNP Мы также можем использовать транзисторы PNP в качестве переключателей, разница в том, что на этот раз нагрузка подключена к земле (0 [В]), и транзистор PNP переключает питание на нее. Чтобы включить транзистор PNP в качестве переключателя, клемма базы подключается к земле или к нулевому напряжению (LOW), как показано. Разница на этот раз в том, что мы переключаем мощность с помощью транзистора PNP (ток источника) вместо переключения заземления с помощью транзистора NPN (ток стока).

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзисторный переключатель Дарлингтона Иногда коэффициент усиления постоянного тока биполярного транзистора слишком мал для прямого переключения тока или напряжения нагрузки, поэтому используются несколько переключающих транзисторов. Здесь один небольшой входной транзистор используется для включения или выключения гораздо большего выходного транзистора управления током. Чтобы максимизировать усиление сигнала, два транзистора соединены в «Конфигурации комплементарного усиления» или в том, что чаще называют «конфигурацией Дарлингтона», где коэффициент усиления является произведением двух отдельных транзисторов. Транзисторы Дарлингтона просто содержат два отдельных биполярных транзистора типа NPN или PNP, соединенных вместе, так что коэффициент усиления по току первого транзистора умножается на коэффициент усиления по току второго транзистора, чтобы создать устройство, которое действует как один транзистор с очень высоким током. усиление для гораздо меньшего тока базы. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзисторный переключатель Дарлингтона Общий коэффициент усиления по току Beta (β) или Hfe устройства Дарлингтона является произведением двух отдельных коэффициентов усиления транзисторов.Таким образом, транзисторы Дарлингтона с очень высокими значениями β и большими токами коллектора возможны по сравнению с одним транзисторным переключателем. Например, если первый входной транзистор имеет коэффициент усиления по току 100, а второй переключающий транзистор имеет коэффициент усиления по току 50, то общий коэффициент усиления по току будет 100 x 50 = 5000. Приведены примеры двух основных типов транзисторов Дарлингтона. ниже.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Транзисторный переключатель Дарлингтона Конфигурация транзисторного переключателя Дарлингтона NPN показывает, что коллекторы двух транзисторов соединены вместе с эмиттером первого транзистора, подключенным к базе второго транзистора, поэтому ток эмиттера первого транзистора становится равным Базовый ток второго транзистора.Первый или «входной» транзистор принимает входной сигнал, усиливает его и использует его для управления вторыми или «выходными» транзисторами, которые снова усиливают его, что приводит к очень высокому коэффициенту усиления по току. Помимо повышенных возможностей переключения тока и напряжения, еще одним преимуществом транзисторного переключателя Дарлингтона является его высокая скорость переключения, что делает его идеальным для использования в схемах инвертора и в системах управления двигателями постоянного или шагового тока. Одно отличие, которое следует учитывать при использовании транзисторов Дарлингтона по сравнению с обычными одинарными биполярными типами при использовании транзистора в качестве переключателя, заключается в том, что входное напряжение база-эмиттер (VBE) должно быть выше примерно на 1. 4 В для кремниевых устройств из-за последовательного соединения двух PN-переходов.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Полевой транзистор Для биполярного переходного транзистора выходной ток коллектора транзистора пропорционален входному току, протекающему на клемме базы устройства, что делает биполярный транзистор устройством, управляемым ТОКОМ (бета-модель ). Однако полевой транзистор, или просто полевой транзистор, использует напряжение, которое прикладывается к их входной клемме, называемой затвором, для управления током, протекающим через них, в результате чего выходной ток пропорционален входному напряжению.Поскольку их работа основана на электрическом поле (отсюда и название «эффект поля»), генерируемом входным напряжением затвора, это делает полевой транзистор устройством, управляемым «НАПРЯЖЕНИЕМ».

Полевой транзистор — это трехконтактный униполярный полупроводниковый прибор, который имеет характеристики, очень похожие на характеристики их аналогов на биполярных транзисторах, то есть высокую эффективность, мгновенную работу, надежность и дешевизну, и может использоваться в большинстве электронных схем для замены их эквивалентных биполярных схем. двоюродные братья переходные транзисторы (BJT).

Биполярный транзисторный эмиттер — (E) База — (B) Коллектор — (C)

Источник полевого транзистора — (S) Затвор — (G) Сток — (D)

Ярд. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Полевой транзистор Полевой транзистор представляет собой трехконтактное устройство, которое сконструировано без PN-переходов в пределах основного пути прохождения тока между клеммами стока и истока, которые по своим функциям соответствуют коллектору и эмиттеру соответственно биполярного транзистора.Токовый путь между этими двумя выводами называется «каналом», который может быть выполнен из полупроводникового материала P-типа или N-типа. Управление током, протекающим в этом канале, достигается путем изменения напряжения, подаваемого на шлюз. Как следует из их названия, биполярные транзисторы являются «биполярными» устройствами, потому что они работают с обоими типами носителей заряда, дырками и электронами. С другой стороны, полевой транзистор — это «униполярное» устройство, которое зависит только от проводимости электронов (N-канал) или дырок (P-канал). Полевой транзистор имеет одно важное преимущество перед своими стандартными собратьями-биполярными транзисторами в том, что их входное сопротивление (Rin) очень высокое (тысячи Ом), в то время как BJT сравнительно низкое. Этот очень высокий входной импеданс делает их очень чувствительными к сигналам входного напряжения, но цена такой высокой чувствительности также означает, что они могут быть легко повреждены статическим электричеством. Существует два основных типа полевых транзисторов: Junction Field Effect Transistor или JFET и полевой транзистор с изолированным затвором или IGFET), который более широко известен как стандартный полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником или MOSFET для краткости.Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Полевой транзистор Переходный полевой транзистор (JUGFET или JFET) не имеет PN-переходов, но вместо этого имеет узкий кусок полупроводникового материала с высоким сопротивлением, образующий «канал» кремния N-типа или P-типа для протекания большинства носителей с двумя омическими электрическими соединениями на обоих концах, обычно называемыми стоком и источником соответственно.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Полевой транзистор

Схема смещения для N-канального JFET и соответствующие символы схемы.На приведенной выше диаграмме поперечного сечения показан полупроводниковый канал N-типа с областью P-типа, называемой затвором, рассеянной в канал N-типа, образуя PN-переход с обратным смещением, и именно этот переход формирует область обеднения вокруг области затвора, когда внешние напряжения не применяются.

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Полевой транзистор Выходная характеристика V-I кривых типичного полевого транзистора. Напряжение VGS, приложенное к затвору, управляет током, протекающим между клеммами стока и истока.VGS относится к напряжению, приложенному между затвором и источником, в то время как VDS относится к напряжению, приложенному между стоком и источником. Поскольку полевой транзистор с переходным эффектом является устройством, управляемым напряжением, «ток в затвор НЕ течет!» тогда ток источника (IS), вытекающий из устройства, равен току стока, текущему в него и, следовательно, (ID = IS).

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Полевой транзистор Четыре различных рабочих региона для полевого транзистора, описанные как: Омическая область — при VGS = 0 обедненный слой канала очень мал, и полевой транзистор действует как резистор, управляемый напряжением. .

Область отсечки — это также известная как область отсечки, где напряжение затвора, VGS достаточно, чтобы заставить JFET действовать как разомкнутая цепь, поскольку сопротивление канала максимальное. Насыщение или активная область — JFET становится хорошим проводником и управляется напряжением затвор-исток (VGS), в то время как напряжение сток-исток (VDS) практически не влияет. Область пробоя — напряжение между стоком и истоком (VDS) достаточно высокое, чтобы вызвать пробой резистивного канала полевого транзистора и прохождение неконтролируемого максимального тока.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен

Полевой транзистор Кривые характеристик полевого транзистора с P-каналом такие же, как и приведенные выше, за исключением того, что ID тока стока уменьшается с увеличением положительного напряжения затвор-исток, VGS. Ток стока равен нулю, когда VGS = VP. Для нормальной работы VGS находится где-то между VP и 0. Затем мы можем вычислить ток стока, ID для любой заданной точки смещения в насыщенной или активной области следующим образом: Ток стока в активной области.

Обратите внимание, что значение тока стока будет между нулем (отсечка) и IDSS (максимальный ток). Зная ID тока стока и напряжение VDS источника стока, сопротивление канала (ID) определяется как: Сопротивление канала истока-источника.

Где: gm — «усиление крутизны», поскольку JFET — это устройство, управляемое напряжением, и которое представляет скорость изменения тока стока относительно изменения напряжения затвор-исток. Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Смещение полевого транзистора усилителя JFET

Yrd.Doç. Доктор Айтач Гёрен

МОП-транзистор Наряду с полевым транзистором (JFET), существует еще один тип полевого транзистора, вход затвора которого электрически изолирован от основного токоведущего канала и поэтому называется полевым эффектом с изолированным затвором. Транзистор или IGFET. Наиболее распространенный тип полевого транзистора с изолированным затвором, который используется во многих различных типах электронных схем, называется полевым транзистором на основе оксида металла и полупроводника, или сокращенно MOSFET.Как и в предыдущем руководстве по JFET, полевые МОП-транзисторы представляют собой три оконечных устройства с затвором, стоком и истоком, и доступны полевые МОП-транзисторы с P-каналом (PMOS) и N-каналом (NMOS). Основное отличие на этот раз состоит в том, что полевые МОП-транзисторы доступны в двух основных формах: 1. Тип истощения — транзистору требуется напряжение затвор-исток (VGS), чтобы выключить устройство. MOSFET в режиме истощения эквивалентен «нормально замкнутому» переключателю.

2. Тип расширения — транзистору требуется напряжение затвор-исток (VGS) для включения устройства.MOSFET в режиме улучшения эквивалентен переключателю «Нормально открытый».

Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен

MOSFET

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Драйвер двигателя простого полевого МОП-транзистора

Поскольку нагрузка двигателя является индуктивной, к индуктивной нагрузке подключается простой диод маховика, который рассеивает любую обратную ЭДС, генерируемую двигателем, когда полевой МОП-транзистор выключает его. Фиксирующая цепь, образованная стабилитроном, включенным последовательно с диодом, также может использоваться для обеспечения более быстрого переключения и лучшего контроля пикового обратного напряжения и времени падения.Дополнительный кремниевый или стабилитрон D1 можно также разместить через канал переключателя MOSFET при использовании индуктивных нагрузок, таких как двигатели, соленоиды и т. Д., Для подавления переходных процессов переключения напряжения и шума, обеспечивая дополнительную защиту переключателя MOSFET, если это необходимо. Резистор R2 используется в качестве понижающего резистора, помогающего снизить выходное напряжение TTL до 0 В, когда MOSFET выключен. Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

Дополнительный драйвер двигателя полевого МОП-транзистора Два полевых МОП-транзистора сконфигурированы для создания двунаправленного переключателя от двойного источника питания с двигателем, подключенным между общим соединением стока и заземлением. Когда вход LOW, P-канальный MOSFET включается, так как его переход затвор-исток имеет отрицательное смещение, поэтому двигатель вращается в одном направлении. Только положительная шина питания + VDD используется для привода двигателя.

Когда на входе ВЫСОКИЙ уровень, P-канальное устройство отключается, а N-канальное устройство включается, так как его переход затвор-исток имеет положительное смещение. Теперь двигатель вращается в противоположном направлении, поскольку напряжение на клеммах двигателя было изменено на противоположное, поскольку теперь оно подается от отрицательной шины питания -VDD.Затем P-канальный MOSFET используется для переключения положительного источника питания на двигатель для прямого направления (переключение на стороне высокого напряжения), в то время как N-канальный MOSFET используется для переключения отрицательного источника питания на двигатель для обратного направления (переключение на стороне низкого уровня) .

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

H Контроллер мостового двигателя Хотя управление скоростью двигателя постоянного тока с помощью одного транзистора имеет много преимуществ, оно также имеет один главный недостаток: направление вращения всегда одно и то же, это «однонаправленная» схема. Во многих случаях нам необходимо вращать двигатель в обоих направлениях — вперед и назад. Один очень хороший способ добиться этого — подключить двигатель к схеме транзисторного Н-моста, и этот тип схемы даст нам «двунаправленное» управление двигателем постоянного тока, как показано ниже.

Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен

Контроллер двигателя моста H

Yrd. Doç. Доктор Айтач Герен

Контроллер двигателя моста H

Yrd. Doç. Доктор Айтач Гёрен

Семейное древо полевых транзисторов

Тип смещения N-канальный P-канал

Режим истощения полевого транзистора на переходе ВКЛ. ВЫКЛ. ВЫКЛ. 0v -ve + ve 0v 0v + ve -ve 0v

Yrd.Doç. Д-р Айтач Герен

Yrd. Doç. Доктор Aytaç63Gören

Начните маркировку SMD с помощью w

PSRR 300mA, High Стабилизатор с малым падением напряжения с двумя выходами Трехрежимный двойной LDO 150 мА

55 900W TRINSIL

55 900W

2324 W2502 900H22 24 ROT112590H 900 5 R119024 СОТ-89-5 90 R2503 ROT112590H 900-H 900 5 R СОТ-89-5 90 R2504 R СОТ-89-5 ROT112590H 900 5 R СОТ-89-5 R2506 ROT11259025 900-H 900 5 СОТ-89-5 0H 6 6 00 24 ROT112590H 900-H 900 5 5 СОТ-89-5 24 R11259025 900-H 900 -25 5 СОТ-89-5 5 СОТ-89-5 5 R900 СОТ-89-5 5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3 В, ВХОД 36 В RR R900 5 9 N 5 5 1 C 900T 1 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6 В, ВХОД 36 В 240025 R 9000xx СОТ-89-5 24 24 W 9 0024 SOT-23 Высокая частота перехода (двойные транзисторы) -Канальный MOSFET R1155N110B 12 R11 + 4xx24 СОТ-89-5 & Nbsp ZENER DIODE — 1 24 — 1 канал1 Ом — 8,3 А стабилитрон — Защищенный SuperMESH PowerMOSFET 24 W 2 W 922 9 W12F 9 0024 650 В, 12 A N-канальный полевой МОП-транзистор 924 В канал TO-247 0.69 — Стабилитрон 10 А — Защищенный полевой МОП-транзистор SuperMESH

524 W

5

9 0024 STW13NK100Z W13NK60Z 800В — 0.53 Ом — 12 А Силовой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона W1424NM50 STW14NM50 W15N W W16NK60Z N TSOT-23 Сброс IC Встроенная задержка BFP181TW 9002 4 MIC3291 RN4982FS IC

55 C

124

55

51 124 R 9001

R3119N046E -23-5 R3119N048E 5 N N 5 R324119N 900.9 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ, ВХОД 36 В 3 BCR2524 и npn R3119 R3 5 924 HD74L Конфигурация 924 HD74L

05

W1x
2474 MCOT-B 900 , С 3 состояниями 02 PBR951 / A2 STW20NM60 канал — 0-247 26 Ом — 20A FDmesh Power MOSFET (с быстрым диодом) R1155N24 R1155N120BOT N KIC73B22M2 9002 4 KIC73B22T2 WOLTAGE REGULATOR TK111xx A A 8 SOIC- N-канальный кремниевый МОП-транзистор CMOS TS Сброс системы IC Встроенная задержка ROTEL REG HRW2502A LDPAK (S) IC W25 STM WM WM WM WM WM Сброс системы задержки CMOS IC 24

4 IC24

4 IC24

5 SOT-23

6 900 24 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 950 & nbsp

55

2425 1SS 9002 4 TSLP-3-4 и эпитаксиальный транзистор NPN с резисторами P 50 23 900G24 BD 2 Детектор с фиксированным временем задержки Диод стабилитрона сигнала Зенер малый сигнал MC33461SQ-32CTR SOTh531A Регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор напряжения W Встроенная задержка 9F KIC73B263T2 Встроенная задержка 9I 24 с низким уровнем шума uCap CMOS /2 9 0024 MIC5255-3.0BML
W + 00 TC7W00FK & nbsp SSOP8-P-0.65, SSOP8-P-0.50A Dual 2-input NAND Gate
W +00 TC7W00FU & nbsp SSOP8-P-0. 50A, SSOP8-P-0.65 Двойной шлюз NAND с 2 входами
W + 02 TC7W02FK & nbsp SSOP8-P-0 .50A Двойной вентиль NOR с 2 входами
W + 04 TC7W04FK & nbsp SSOP8-P-0.50A 3 инвертора
W + 08 TC7W08FK & nbsp8 900 -P-0.50A Двойной вентиль И с 2 входами
Вт + 14 TC7W14FK & nbsp SSOP8-P-0.50A Инвертор Шмитта
Вт + 32 TC7W32FK & nbsp SSOP8-P-0.50A Двойной вентиль OR с 2 входами
W + 34 TC7W34FK & nbsp SSOP8-P-0.50A Тройной неинвертирующий буфер
W + 53 TC7W53FK & nbsp SSOP8-P-0.50A 2-канальный мультиплексор / демультиплексор
Вт + 66 TC7W66FK & nbsp SSOP8-P-0. 50A Двойной двусторонний коммутатор
Вт + 74 TC7W74FK & nbsp SSOP8-P-0.50A Триггер типа D со сбросом и сбросом
W + U04 TC7WU04FK & nbsp SSOP8-P-0.50A 3 инвертора
W + xxx VS-FCSP07h50 FCSP07h50 FlipKY-0,75 Пакет шкалы микросхемы выпрямителя с барьером Шоттки, 0,75 A
Вт. FP6121-VWDG FP6121 TDFN-1.6×1.6-6
W0- RT9169-12PB RT9169 SOT-23-5 100 мА, 4 мкА CMOS LDO стабилизатор
W0 + xx RP152L049CL DFN1212-6 150 мА 1.Сдвоенный LDO-регулятор 5 В + 2,85 В с последовательным управлением
W00 + 1xx R5328K001B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00 + 2xx R5328K002B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00 + 3xx R5328K003B R5328K DFN (PLP24) 2020-8
W00 + 4xx R5328K004B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный трехрежимный двойной 150 мА LDO
W00 + 5xx R5328K24005B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00 + 6xx R5328K006B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00 + 7xx R5328K007B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00 + 8xx R5328K008B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00 + 9xx R5328K009B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W00xx R1155N R1155N СОТ-23-5 10. 0 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W01 + 0xx R5328K010B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W01 + 1xx R5328K011B R5328K DFN (PLP) 2020-8 Низковольтный 3-режимный двойной 150 мА LDO
W01 SMTHDT58 & nbsp SMC 58V W TRINSIL
QS5W1 TSMT5 Комплексный транзистор (BIP + BIP)
W01xx R1155N101B R1155N SOT-23-5 10.1 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W02 + 0xx R1190H020B R1190H SOT-89-5 2,0 ​​В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 + 1xx R112525H021 SOT-89-5 2,1 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 + 2xx R1190H022B R1190H SOT-89-5 2,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
R1190H СОТ-89-5 2. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A
W02 + 4xx R1190H024B R1190H SOT-89-5 2,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 + 5xx 2,5 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 + 6xx R1190H026B R1190H SOT-89-5 2,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 2.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7V 1A
W02 + 8xx R1190H028B R1190H SOT-89-5 2,8V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 + 9xx ROT112590H 900-H 900 5 2,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W02 QS5W2TR QS5W2 TSMT5 Транзистор средней мощности (50 В / 3 А)
W02xx R115525 9002 R115525 9002 10.2 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W03 + 0xx R1190H030B R1190H SOT-89-5 3,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 + 1xx R119025H031 SOT-89-5 3,1 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 + 2xx R1190H032B R1190H SOT-89-5 3,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ33
R1190H СОТ-89-5 3. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A
W03 + 4xx R1190H034B R1190H SOT-89-5 3,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 + 5xx 3,5 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 + 6xx R1190H036B R1190H SOT-89-5 3,6 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 3.7V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 + 8xx R1190H038B R1190H SOT-89-5 3.8V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 + 9xx ROT1190H ROT1190H 900 5 3,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W03 S503TRW & nbsp SOT-343R МОСМИКА для предварительной установки ТВ-тюнера с напряжением питания 5 В
W03 SMD
W03 SMC 80V TRINSIL
W03xx R1155N103B R1155N SOT-23-5 10. 3 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W04 + 0xx R1190H040B R1190H SOT-89-5 4,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W04 + 1xx R112525H090 SOT-89-5 4,1 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W04 + 2xx R1190H042B R1190H SOT-89-5 4,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3,2 В 1A 3
R1190H СОТ-89-5 4.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A
W04 + 4xx R1190H044B R1190H SOT-89-5 4.4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W04 + 5xx ROT112590H 900 5 4,5 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W04 + 6xx R1190H046B R1190H SOT-89-5 4,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W04 4.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7В 1А
W04 + 8xx R1190H048B R1190H SOT-89-5 4,8 В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1А
W04 + 9xx 4,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W04 S504TRW & nbsp SOT-343R МОСМИКА для предварительной установки ТВ-тюнера с напряжением питания 5 В
W04xx R
W04xx R СОТ-23-5 10. 4 В, 150 мА, 24 В, регулятор высокого напряжения на входе
W05 + 0xx R1190H050B R1190H SOT-89-5 5,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W05 + 1xx R11252524 SOT-89-5 5,1 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W05 + 2xx R1190H052B R1190H SOT-89-5 5,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3,2 В 1 A 3
W2505 900xx R1190H СОТ-89-5 5.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A
W05 + 4xx R1190H054B R1190H SOT-89-5 5,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W05 + 5xx ROT112590H 900 5 5,5 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W05 + 6xx R1190H056B R1190H SOT-89-5 5,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W05 + 7xx25 5. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7V 1A
W05 + 8xx R1190H058B R1190H SOT-89-5 5,8V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W05 + 9xx R112590H 900 5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,9 В, 1 А
W05 S505TRW & nbsp SOT-343R МОСМИКА для предварительной установки ТВ-тюнера с напряжением питания 5 В
W05 nbsp SMC 120V TRINSIL
W05xx R1155N105B R1155N SOT-23-5 10.5 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения
W06 + 0xx R1190H060B R1190H SOT-89-5 6,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 + 1xx R112525H090 SOT-89-5 6,1V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 + 2xx R1190H062B R1190H SOT-89-5 6. 2V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3
R1190H СОТ-89-5 6.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A
W06 + 4xx R1190H064B R1190H SOT-89-5 6,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 + 5xx 6,5 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 + 6xx R1190H066B R1190H SOT-89-5 6,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 + 7259025 6.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7В 1А
W06 + 8xx R1190H068B R1190H SOT-89-5 6,8В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 + 9xx ROT1190H 5 6,9 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W06 CBTD3306GM CBTD3306 XQFN1.6×1.6-8 Двойной шинный переключатель с переключением уровня
W06 CBTD
W06 CBTD -8 Переключатель двойной шины со сдвигом уровня
W06xx R1155N106B R1155N SOT-23-5 10. 6 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения
W07 + 0xx R1190H070B R1190H SOT-89-5 7,0 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07 + 1xx R1125 SOT-89-5 7,1 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07 + 2xx R1190H072B R1190H SOT-89-5 7,2 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3,2 В 1A
W2507 R1190H СОТ-89-5 7.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 3V 1A
W07 + 4xx R1190H074B R1190H SOT-89-5 7,4V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07 + 5xx 7,5 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07 + 6xx R1190H076B R1190H SOT-89-5 7,6 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07
W07 + 7259025 СОТ-89-5 7. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7В 1А
W07 + 8xx R1190H078B R1190H SOT-89-5 7,8В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07 + 9xx R1190B R1190B 7,9 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W07xx R1155N107B R1155N SOT-23-5 10,7 В 150 мА Регулятор напряжения 24 В на входе
W08 + 0xx90H R R1190H СОТ-89-5 8.0V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W08 + 1xx R1190H081B R1190H SOT-89-5 8,1V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W08 + 2xx 24 ROT11259025 900-H 900 -25 5 8,2 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W08 + 3xx R1190H083B R1190H SOT-89-5 8,3 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W08 + 49024 8.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4V 1A
W08 + 5xx R1190H085B R1190H SOT-89-5 8,5V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W08 + 6xx РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 8,6 В, 1 А
W08 + 7xx R1190H087B R1190H SOT-89-5 8,7 В 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W0824 8. РЕГУЛЯТОР НАПР. 10,8 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения
W09 + 0xx R1190H090B R1190H SOT-89-5 9,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ R1190H СОТ-89-5 9.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1V 1A
W09 + 2xx R1190H092B R1190H SOT-89-5 9.2V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W09 + 3xx ROT1190H ROT1190H РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 9,3 В, 1 А
W09 + 4xx R1190H094B R1190H SOT-89-5 9,4 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W09524 9.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5V 1A
W09 + 6xx R1190H096B R1190H SOT-89-5 9.6V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W09 + 7xx R1190H ROT1190H РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, 9,7 В, 1 А
W09 + 8xx R1190H098B R1190H SOT-89-5 9,8 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W0924 9. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 9 В, 1 А
W09xx R1155N109B R1155N SOT-23-5 10,9 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W0 RN4981FS & nbsp Кремниевый эпитаксиальный транзистор NPN и PNP с резисторами
W0 BD46245G-TR BD46245G SOT23-5 Детектор напряжения с фиксированным временем задержки
w0 FP6142-335 SOT-23-5 LDO с низким уровнем шума, 500 мА с плавным пуском и функцией разряда на выходе
W0 MC33461SQ-30CTR MC33461 SC-82AB 3.Детектор пониженного напряжения 0 В (выход CMOS)
W0 R3111Q301C R3111Q SC-82AB Детектор низкого напряжения 3,0 В CMOS выход
w0 = FP6142-33S5G FP6142-33S5G FP6142 -23-5 500 мА малошумящий LDO-стабилизатор с плавным пуском и функцией разряда на выходе
W0 = RT9169-12GB RT9169 SOT-23-5 100 мА, 4 мкА CMOS LDO-стабилизатор
W0Axx R3119N046A R3119N SOT-23-5 4. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6 В, ВХОД 36 В
W0Bxx R3119N047A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,7 В ВХОД 36 В
W0Cxx R3
W0Cxx R900 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,8 В, ВХОД, 36 В
W0Dxx R3119N049A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,9 В, ВХОД 36 В
W0Exx11
W0Exx11 5.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 0 В, ВХОД 36 В
W0F TSDF1205RW & nbsp SOT343R 12 ГГц npn 5 мА 4V
W0Fxx R3119N0255 W0Fxx R3119N0255 W0Fxx R3119N2451A 900 ВХОД
W0Gxx R3119N052A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,2 В, ВХОД 36 В
W0Hxx R3119N05311 R3119N05311
W0Jxx R3119N054A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,4 В ВХОД 36 В
W0Kxx9
W0Kxx ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,5 В, ВХОД 36 В
W0Lxx R3119N056A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,6 В, ВХОД 36 В
W0311249
W0Mxx119249 5. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7 В, ВХОД 36 В
W0Nxx R3119N058A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,8 В ВХОД 36 В
W0Pxx R3119
W0Pxx R3 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,9 В, ВХОД, 36 В
W0Rxx R3119N060A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,0 В, ВХОД 36 В
W0Sxx24
W0Sxx24 6.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1 В, ВХОД 36 В
W0Txx R3119N062A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,2 В ВХОД 36 В
W0Uxx ROT
W0Uxx R ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,3 В, ВХОД 36 В
W0Vxx R3119N064A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,4 В ВХОД 36 В
W0Wxx11
W0Wxx11 6. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5 В ВХОД 36 В
W0x M74VHC1G125DFT1G MC74VHC1G125 SC-70-5 Одиночный неинвертирующий буфер, 3 состояния
M12525D 900T 1
W0x
M0x T 900 -5 Один неинвертирующий буфер, 3 состояния
W0xx R1210N301D R1210N SOT-23-5 3,0 В 180 кГц повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный с ШИМ
W0xxx L74VHC1G125DTT1 L74VHC1G125 SOT23-5 Неинвертирующий буфер с 3 состояниями
W0Xxx R3119N066A R3119N SOT-6 23-5
W0Yxx R3119N067A R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,7 В ВХОД 36 В
W0Zxx11 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,8 В, ВХОД 36 В
W1- RT9706PB RT9706 SOT-23-5 80 мОм, 500 мА Переключатель питания на верхней стороне с флагом
WFT92 BFT92 SOT-23 PNP широкополосный транзистор 5 ГГц
W1% BFT92W BFT92W SOT-323 PNP 4 ГГц широкополосный транзистор
W1 + xx NE55102425 & nbsp NE55102425 & nbsp 79А 3. 6 В РАБОТА SILICON RF POWER LD-MOS FET
W1 + xx RP152L050C RP152L DFN1212-6 150 мА 2,4 В + 2,9 В Двойной стабилизатор LDO с контролем последовательности
W10 + 0 R1190h200B R1190H SOT-89-5 10.0V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W10 + 1xx R1190h201B R1190H SOT-89-5 10.1V REGIS 9.1V REG W10 + 2xx R1190h202B R1190H SOT-89-5 10.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 2В 1А
W10 + 3xx R1190h203B R1190H SOT-89-5 10,3В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W10 + 4xx R112590h20 900- 5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 10,4 В, 1 А
W10 + 5xx R1190h205B R1190H SOT-89-5 10,5 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W10 + 6xx25 10. 6V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W10 + 7xx R1190h207B R1190H SOT-89-5 10,7V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W10 + 8xx R112590h20 900- 5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 10,8 В 1 А
W10 + 9xx R1190h209B R1190H SOT-89-5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 10,9 В 1A
W0A LDPAK (L) Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления
W1002A HRW1002AS & nbsp LDPAK (S) Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления
TO-220FM Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления
W10 CMPZDA27V & nbsp DUAL ZENER DIODE
W10 FMW10 & nbsp SOT23-6 Высокая частота перехода (сдвоенные транзисторы)
W10 UMW10N 25 & nbsp & nbsp & nbsp
W10N60 AOW10N60 & nbsp TO262 600V, 10A N-Channel MOSFET
W10N65 AOW10N65 & nbsp2 TO26
W10NK60Z STW10NK60Z & nbsp TO-247 N-CHANNEL 600V — 0. 65 Ом — силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилизации 10 А
W10NK80Z STW10NK80Z & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 800 В — 0,7 Ом — 9 А с защитой от стабилитрона SuperMESH Power MOSFET R1155N SOT-23-5 11,0 В 150 мА Регулятор высокого напряжения на входе 24 В
W11 + 0xx R1190h210B R1190H SOT-89-5 11.0В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W11 + 1xx R1190h211B R1190H SOT-89-5 11,1В 1А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W11 + 2xx R112524 900-H2 5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, 11,2 В, 1 А
W11 + 3xx R1190h213B R1190H SOT-89-5 11,3 В, 1 А РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W14 11. РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4В 1А
W11 + 5xx R1190h215B R1190H SOT-89-5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1А 11,5В
W11 + 6xx 24 R112524 900-H2 5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ, 11,6 В, 1 А
W11 + 7xx R1190h217B R1190H SOT-89-5 11,7 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W11 + 8xx9024 R11 СОТ-89-5 11.РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ 8V 1A
W11 + 9xx R1190h219B R1190H SOT-89-5 11.9V 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W11 CMPZDA3024 nbsp 900U
W11N60 AOW11N60 & nbsp TO262 600V, 11A N-Channel MOSFET
W11NK100Z STW11NK100Z и nbsp-1
W11NK90Z STW11NK90Z & nbsp TO-247 N-канал 900 В — 0,82 — 9,2 А Защищенный стабилитрон SuperMESH Power MOSFET и nbsp TO-247 N-канал 800 В, 0,35 Ом, 11 A MDmesh Power MOSFET
W11S60 AOW11S60 и nbsp TO262 600V 11A AlphaMOS Power Transistor
AOW11S65 & nbsp TO262 650V 11A AlphaMOS Power Transistor
W11xx R1155N111B R1155N SOT-23-5 11. 1 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W12 + 0xx R1190h220B R1190H SOT-89-5 12,0 В 1A РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W12 + 5xx R1518S2425 R1518S251B HSOP-6J 2,5 В 1 A 36 В Входной низкий ток потребления LDO
W120NF10 STW120NF10 & nbsp TO-247 N-канал 100 В — 0,009 Ом — 110A STripFET II Power MOSFET
W12 CMPZDA33V & nbsp SOT-23 ДВОЙНОЙ ЗЕНЕР-ДИОД
W12N50 AOW12N50 & nbsp TO262 500V, 12A N-Channel & nbsp TO262 600V, 12A N-Channel MOSFET
W12N65 AOW12N65 & nbsp TO262
W12NK60Z STW12NK60Z & nbsp TO-247 N-канал 650 В 0. 53, 10 A, защищенный стабилитроном SuperMESH Power MOSFET
W12NK80Z STW12NK80Z & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 800 В — 0,65 Ом — 10,5 A Защищенный стабилитроном SuperMESH Power MOSFET 9000K5 STW12NK90Z & nbsp TO-247 N-канал 900 В — 0,72 Ом — 11 A Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона
W12NK95Z STW12NK95Z и nbsp
W12NM60N STW12NM60N & nbsp TO-247 N-канал 600 В — 0,35 — 10 А MDmesh Power MOSFET второго поколения
W12
W12 SOT-23-5 11,2 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W13 + 3xx R1518S331B R1518S HSOP-6J 3. 3 В, 1 А, 36 В, низкий входной ток питания LDO
W13 + 4xx R1518S341B R1518S HSOP-6J 3,4 В 1 А Входной низкий ток потребления 36 В LDO
W13009 STW13009 nbs TO-247 Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN
W130NS04ZB STW130NS04ZB & nbsp TO-247 N-канал с зажимом 7 м 80A Полностью защищенный сетчатый слой MOSFET25 FW138 & nbsp SOIC-8 Кремниевый полевой МОП-транзистор с P-каналом
W13 CMPZDA36V & nbsp SOT23 стабилитрон с двойным общим анодом 350 мВт 36V
SOT-343R МОСМИКА для предварительной настройки ТВ-тюнера с напряжением питания 9 В
W13NK100Z & nbsp TO-247 N-канал 1000V — 0. 56 Ом — 13 A — TO-247 Zener — Protected SuperMESH PowerMOSFET
W13NK50Z STW13NK50Z & nbsp TO-247 N-канал 500 В, 0,40, 11 A SuperMESH Power MOSFET STW13NK60Z & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 600 В — 0,48 Ом — 13A Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой стабилитроном
W13NK80Z STW13NK80Z nbsp-
W13NM50N STW13NM50N & nbsp TO-247 N-канал 500 В — 0,250 — 12 А MDmesh II Power MOSFET
4 W13xx R1155N SOT-23-5 11,3 В 150 мА Регулятор высокого напряжения на входе 24 В
W14 CMPZDA39V & nbsp SOT23 Стабилитрон с двойным общим анодом 350 мВт 39V
W14N50 AOW14N50 & nbsp TO262 500V, 14A N-Channel MOSFET
W14NK50Z STW14NK50Z & nbsp TO-247 N-CHANNEL 500V — 0. 34 Ом — силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона, 14 А
W14NK60Z STW14NK60Z и nbsp TO-247 N-КАНАЛ 600 В — 0,45 Ом — 12 А с защитой стабилитроном SuperMESH Power & nbsp TO-247 500V 0.35Ohm 14A Power MOSFET
W14NM50FD STW14NM50FD & nbsp TO-247 N-CHANNEL 500V — 0.32 Ом — 12A FDmesh Power MOSFET (с FAST DIODE)
W14xx R1155N114B R1155N SOT-23-5 11,4 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W15 + 0xx R1518S501B R1518S HSOP-6J 5,0 В 1 A 36 В Входной низкий ток потребления LDO
W150NF55 STW150NF55 & nbsp TO-247 N-CHANNEL 55V — 0,005 Ом II POWER MOSFET
W156 FW156 & nbsp SOIC-8 Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом
W15 CMPZDA43V & nbsp SOT23 Dual 900
W15NK50Z STW15NK50Z & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 500 В — 0. 30 Ом — силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона 14 А
W15NK90Z STW15NK90Z & nbsp TO-247 N-канал 900 В — 0,40 Ом — стабилитрон 15 А — защищенный SuperMESH PowerMOSFET M24 и nbsp TO-247 N-канал 600V — 0,270 — 14A MDmesh Power MOSFET второго поколения
W15S60 AOW15S60 и nbsp TO262 600V 15A AlphaMOS AOW15S65 & nbsp TO262 650V 15A Силовой транзистор AlphaMOS
W15xx R1155N115B R1155N SOT-23-5 11.Регулятор высокого напряжения на входе, 5 В, 150 мА, 24 В
W15xx R1163N151D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,5 В 150 мА с защитой от обратного тока
W16 + 0xx R1518S601B R1518S HSOP-6J 6. 0V 1 A 36V Низкий входной ток питания LDO
W16 CMPZDA47V & nbsp SOT23 двойной общий анодный стабилизатор 350mW16 47V525 900 KIC73B16M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W16 KIC73B16T2 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка 9 STW16NK60Z & nbsp TO-247 N-канал 600 В, 0.38 14 A силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона
W16NM50N STW16NM50N & nbsp TO-247 N-канал 500 В — 0,21 — 15 A MDmesh II Power MOSFET
W16xx R1155N SOT-23-5 11,6 В 150 мА Регулятор высокого напряжения на входе 24 В
W16xx R1163N161D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,6 В, 150 мА с Защита от обратного тока
W17 KIC73B17M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W17 KIC73B17T2 KIC73xxx TSOT-23
W17xx R1155N117B R1155N SOT-23-5 11. 7 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W17xx R1163N171D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,7 В 150 мА с защитой от обратного тока
W18 + 5xx R1518S851B R1518S HSOP-6J 8,5 В 1 A 36 В Входной низкий ток потребления LDO
W18 BFP181TRW & nbsp npn RF fT 7,8 ГГц 10V 200005
& nbsp SOT-343 Кремниевый NPN-планарный радиочастотный транзистор
W18 KIC73B18M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC K18

55 Встроенная задержка

K18

55

KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W18F MIC3291-18YD6 TSOT23-6 1.Драйвер белого светодиода с ШИМ 2 МГц с внутренним диодом Шоттки и однопроводной линейной регулировкой яркости
W18NK60Z STW18NK60Z & nbsp TO-247 N-CHANNEL 600 В — 0,27 Ом — 16 А, защищенный стабилитроном SuperMES25 MES25
W18NK80Z STW18NK80Z & nbsp TO-247 N-канал 800 В — 0,34 Ом — 19 A Полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой стабилитрона
W18xx R1155N118B R1155N118B R11 11. 8 В, 150 мА, 24 В, входной регулятор высокого напряжения
W18xx R1163N181D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,8 В 150 мА с защитой от обратного тока
W19 KIC73B19 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W19 KIC73B19T2 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
05 W19NC STGW19NC60W & nbsp TO-247 19 А — 600 В — сверхбыстрый IGBT
W19xx GSM2519FF GSM2519 DFN2x2-6L 20V N&P Режим расширения пары M22 R1155N119B R1155N СОТ-23-5 11.Регулятор высокого напряжения на входе 9 В, 150 мА, 24 В
W19xx R1163N191D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 1,9 В 150 мА с защитой от обратного тока
W1 1N4148 & nbsp SOD-123 150mA 100V Высокоскоростной переключающий диод
W1 BF1102 & nbsp SOT-363 Dual N-channel Dual Gate MOS-FET
W1
W1 & nbsp 2-1F1D Кремниевый эпитаксиальный транзистор PNP и NPN с резисторами
W1 TC7SG00AFS & nbsp SON5-P-0. 35 NAND Gate с 2 входами
W1 TC7SG00FE & nbsp SON5-P-0.50 NAND Gate с 2 входами
W1 TC7SG00FU & SSOP5 0,65A 2 входа NAND Gate
W1 TK16201U & nbsp SOT89-5 1 ГГц РЧ УСИЛИТЕЛЬ
W1 2SC5618 & nbsp 1005 NP
W1 NE687M13 & nbsp SOT-23 КРЕМНИЙ NPN RF ТРАНЗИСТОР
W1 BD46235G-TR BD46235G SOT23-5 Время задержки 9000 Детектор времени задержки 9000 W1 BFT92W BFT92W SOT-323 PNP 4 ГГц широкополосный транзистор
W1 B ZT52B2V4-V BZT52 SOD-123 Стабилитрон малого сигнала
W1 BZT52C2V4-V BZT52 SOD-123 Стабилитрон малого сигнала W7
BZT52 SOD323 Стабилитрон малого сигнала
W1 BZX384B2V4-V BZX384 SOD-323 Стабилитрон малого сигнала
W1 C B
W1 C B SOD-323 Диод стабилитрона малого сигнала
W1 MICYCS MIC WLCSP0. 84×1.32-6 Коммутатор 500 мА с технологией блокирования пульсаций
W1 PESD3V3V4UW PESDxV4UW SOT665 Однонаправленная четырехкратная защита от электростатических разрядов с очень низкой емкостью 2

55

SC-82AB Выход КМОП детектора низкого напряжения 3,1 В
W1 SPX1432AM SPX1432 SOT-23 1.Прецизионный регулируемый шунтирующий регулятор на 24 В
W1 = RT9706GB RT9706 SOT-23-5 80 мОм, 500 мА переключатель питания с флажком
W1Axx R3119N046E ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,6 В ВХОД 36 В
W1B ADG3233BRJ ADG3233 SOT-23-8 Низкое напряжение от 1,65 В до 3,6 В, (вверх / вниз) преобразование логического уровня, байпас Коммутатор
W1B ADG3233BRM ADG3233 MSOP-8 Низкое напряжение 1. От 65 В до 3,6 В, (вверх / вниз) преобразование логического уровня, переключатель байпаса
W1Bxx R3119N047E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,7 В ВХОД 36 В
W1Cxx R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4,8 В, ВХОД 36 В
W1Dxx R3119N049E R3119N WOT-23-5 DETECT VOLT-23-5 R3119N050E R3119N СОТ-23-5 5.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 0 В, ВХОД 36 В
W1Fxx R3119N051E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,1 В ВХОД 36 В
W1Gxx -52 RE
W1Gxx9 -5003 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,2 В, ВХОД 36 В
W1Hxx R3119N053E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,3 В ВХОД 36 В
W1Jxx11
W1Jxx11 5. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 4 В, ВХОД 36 В
W1Kxx R3119N055E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,5 В ВХОД 36 В
W1Lxx9 -500 RE
ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,6 В, ВХОД, 36 В
W1Mxx R3119N057E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5,7 В, ВХОД 36 В
W1Nxx24
W1Nxx24 5.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 8 В, ВХОД 36 В
W1p BFT92 BFT92 SOT-23 PNP Широкополосный транзистор 5 ГГц
W1Pxx R3119N059E
W1Rxx R3119N060E R3119N SOT-23-5 6,0 В ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 36 В ВХОД
W1s 0.1A 10k + 10k
W1s BFT92 & nbsp SOT23 PNP Кремниевый РЧ-транзистор
W1s BFT92 & nbsp SOT23 PNP5 9000 широкополосный транзистор 5 ГГц BFT92W & nbsp SOT-323 Кремниевый ВЧ транзистор PNP
W1Sxx R3119N061E R3119N SOT-23-5 6. ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 1 В, ВХОД 36 В
W1Txx R3119N062E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,2 В ВХОД 36 В
W1Uxx -53 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,3 В, ВХОД, 36 В
W1Vxx R3119N064E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,4 В, ВХОД 36 В
W1Wxx11
W1Wxx11 6.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 5 В, ВХОД 36 В
W1x SDZ15VD & nbsp SOD-323 Стабилитрон
W1x HD74LV1GW98ACME HD74L

05

M74VHC1GT125DF1G MC74VHC1GT125 SC-70-5 Одиночный неинвертирующий буфер, 3 состояния
W1x M74VHC1GT -125DT 5 M74VHC1GT-125DT
W1x NLVVHC1GT125DF1G MC74VHC1GT125 SC-70-5 Одиночный неинвертирующий буфер, с 3 состояниями
W1x NLVVVHC1
W1x NLVVHC1 5 Один неинвертирующий буфер, 3 состояния
W1x SLV74VHC1GT125DFT 2G MC74VHC1GT125 SC-70-5 Один неинвертирующий буфер, 3 состояния
W1xx R1210N311D R1210N SOT-23-5 3. Повышающий DC / DC преобразователь 1 В 180 кГц ШИМ
W1xx R5325N001B R5325N SOT-23-6 150 мА 2-канальный LDO-РЕГУЛЯТОР
W1xxx APX823-46 APX823-46 ЦЕПЬ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССОРА
W1Xxx R3119N066E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,6 В ВХОД 36 В
W1Yxx25
W1Yxx25
W1Yxx25 6.ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 7 В, ВХОД 36 В
W1Zxx R3119N068E R3119N SOT-23-5 ДЕТЕКТОР НАПРЯЖЕНИЯ 6,8 В ВХОД 36 В
nbs Двойной N-канальный двухзатворный МОП-транзистор
W2- RT9818C-30PB RT9818 SOT-23-5 Микро-детектор напряжения питания
W2% PRF957 & nbsp SOT-323 NPN UHF широкополосный транзистор
W2% PBR951 PBR951 SOT-23 NPN UHF широкополосный транзистор
W2% PBR951 / A2 PBR951 / A2 PBR951 / A2 -23 NPN UHF широкополосный транзистор
W2 + xx RP152L051C RP152L DFN1212-6 150 мА 1. 0V + 1.8V Dual LDO Regulator с последовательным управлением
W20 + 1xx R1518S001C R1518S HSOP-6J Adj. 1 A Вход 36 В, низкий ток питания LDO
W2040 STW2040 & nbsp TO-247 Высоковольтный быстросменный силовой транзистор NPN
W20 KIC73B20M2 KIC73xxx SOT ИС сброса системы КМОП Встроенная задержка
W20 KIC73B20T2 KIC73xxx TSOT-23 ИС сброса системы КМОП Встроенная задержка
W20 TK11120M TK24111 -6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W20 TK11120S TK111xx SOT23-5 РЕГУЛЯТОР НАПР.
W20NK50Z STW20NK50Z & nbsp TO-247 N-канал 500 В, 0.23 Ом, 17 A силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона
W20NK70Z STW20NK70Z & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 700 В — 0,25 Ом — 20 А с защитой от стабилитрона SuperMESH MOSFET
& nbsp TO-247 N-CHANNEL 600V — 0,26 Ohm — 20A MDmesh Power MOSFET
W20NM60FD STW20NM60FD & nbsp TO-247
W20S60 AOW20S60 & nbsp TO262 600V 20A Транзистор питания AlphaMOS
W20xx 12,0 В 150 мА Входной регулятор высокого напряжения 24 В
W20xx R1163N201D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,0 В, 150 мА с защитой от обратного тока
W216 FW216 & nbsp SOIC-8 Кремниевый МОП-транзистор с N-каналом
W21 KIC73B21M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
KIC73B21T2 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W21 TK111 21M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W21 TK11121S TK111xx SOT23-5 РЕГУЛЯТОР НАПР. N-канал 500В — 0.15 — 18A MDmesh Power MOSFET второго поколения
W21NM60N STW21NM60N & nbsp TO-247 N-канал 600 В — 0,17 — 17 A MDmesh Power MOSFET второго поколения
W21xx R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2.1 В, 150 мА с защитой от обратного тока
W225 FW225 & nbsp SOIC-8 N-Channel Silicon MOSFET
W22 S822TRW & nbsp SOT-343R Кремниевый NPN-планарный радиочастотный транзистор
W22 S822TW & nbsp SOT-343 Кремниевый NPN-плоский радиочастотный транзистор

4

KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W22 KIC73xxx TSOT-23 ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка
W22 TK11122M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
SOT23-5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W22NM60N STW22NM60N & nbsp TO-247 N-канал 600 В, 0. 2, 16 A MDMESH II Power MOSFET
W22xx R1163N221D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,2 В, 150 мА с защитой от обратного тока
W232A & nbsp SOIC-8 N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор
W23 KIC73B23M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W23 KIC KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W23 TK11123M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПР. -5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W23xx R1163N231D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМ 2.LDO-РЕГУЛЯТОР 3 В, 150 мА с защитой от обратного тока
W241 FW241 & nbsp SOIC-8 N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор
W245 FW245 & nbsp-
W24 KIC73B24M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W24 KIC73B24T2 KIC73xxx
W24 TK11124M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W24 TK11124S TK111xx W24xx R1163N241D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМ 2. LDO-РЕГУЛЯТОР 4 В, 150 мА, с защитой от обратного тока
W2502A HRW2502A (L) & nbsp LDPAK (L) Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления
Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления
W2502B HRW2502B и nbsp TO-220FM Кремниевый диод с барьером Шоттки для выпрямления2
W250 -8 N-канальный кремниевый МОП-транзистор
W252 SN74CB3T1G125DBVR SN74CB3T1G125 SOT-23-5 Одиночный полевой транзистор 2.Коммутатор низковольтной шины 5 В / 3,3 В с переключателем уровня, допускающим 5 В
W256 FW256 & nbsp SOIC-8 N-Channel Silicon MOSFET
W257 FW257 & nbsp SOIC-8 N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор
W25 KIC73B25M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
KIC25 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W25 TK11125M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W25 24 T25 24 900xx 900xx SOT23-5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W25F MIC3291-25YD6 MIC3291 TSOT23-6 1. Драйвер белого светодиода с ШИМ 2 МГц с внутренним диодом Шоттки и однопроводным линейным контролем яркости
W25M1A NV25M01DWUTG NV25M01 SOIC8 1 МБ SPI Последовательный CMOS EEPROM — автомобильный класс & nbsp TO-247 N-канал 500 В, 0,11, 22 A MDmesh II Power MOSFET
W25NM60N STW25NM60N & nbsp TO-247 N-канал 600 В, 0.130, 21 A, MDmesh II Power MOSFET
W25R SN74CB3T1G125DBVR SN74CB3T1G125 SOT-23-5 Низковольтный шинный переключатель 2,5 В / 3,3 В с 5-вольтовым толерантным переключателем уровня
W25S65 AOW25S65 & nbsp TO262 650V 25A Силовой транзистор AlphaMOS
W25xx R1163N251D R1163N SOT-23-5 3LDO-РЕГУЛЯТОР, 5 В, 150 мА, с защитой от обратного тока
W25_ SN74CB3T1G125DBVR SN74CB3T1G125 SOT-23-5 Низковольтный шинный переключатель 2,5 В / 3,3 В с переключателем уровня 5 В
W262 FW262 & nbsp SOIC-8 Кремниевый МОП-транзистор с N-каналом
W26 KIC73B26M2 KIC73xxx Встроенная микросхема SOT-23
W26 KIC73B26T2 KIC73xxx TSOT-23 ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка
W26 TK11126M TK111xx SOT23LOR VEG26 SOT23LOR VEG TK11126S TK111xx SOT23-5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W26NM50 STW26NM50 & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 500 В 0. 10 Ом, 26 A, защищенный стабилитроном, силовой полевой МОП-сетка MDmesh
W26NM60 STW26NM60 & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 600 В 0,125 Ом 26 A MDmesh Power MOSFET, защищенный стабилитроном
R1163N261D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,6 В, 150 мА с защитой от обратного тока
W27 KIC73B27M2 KIC73xxx Встроенный SOT-23 Сброс системы CMOS in Delay
W27 KIC73B27T2 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W27 TK11127M TK111xx SOTEGULATOR SOTEGULAT-6
W27 TK11127S TK111xx SOT23-5 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W27xx R11 63N271D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМ 2.LDO-РЕГУЛЯТОР 7 В, 150 мА с защитой от обратного тока
W2814 CBTW28DD14ET CBTW28DD14ET TFBGA4. 5×4.5-48 14-битный шинный коммутатор / мультиплексор для приложений DDR2 / DDR3 / DDR4
BFP280TRW & nbsp npn rf fT 7 ГГц 8V 10mA
W28 BFP280TW & nbsp npn rf fT 7 GHz 8V 10mA
ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка
W28 KIC73B28T2 KIC73xxx TSOT-23 ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка
W28 MIC5255-2.8BML MIC5255 MLF2x2-6 150 мА с низким уровнем шума uCap CMOS LDO
W28 MIC5255-2.8YML MIC5255 MLF2x2-6 150 мА W с низким уровнем шума uCap CMOS
TK11128M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W28 TK11128S TK111xx SOT23-5 REGULATOR НАПР. N-КАНАЛ 600 В — 0.155 — 27A Полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона
W28xx R1163N281D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO 2,8 В, 150 мА с защитой от обратного тока
A2918 и nbsp TO262 100 В полевой МОП-транзистор с N-каналом
W298 AOW298 и nbsp TO262 100 В с N-канальным полевым МОП-транзистором с N-каналом
W29 KIC73B2425 KIC25 ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка
W29 KIC73B29T2 KIC73xxx TSOT-23 ИС сброса системы CMOS Встроенная задержка
W29 TK11129M TK24 SOTxx РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W29 TK11129S TK111xx SOT23-5
W29NK50Z STW29NK50Z & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 500 В — 0. 105 — 31A защищенный стабилитроном полевой МОП-транзистор SuperMESH
W29NK50ZD STW29NK50ZD & nbsp TO-247 N-КАНАЛ 500 В — 0,095 Ом — 29A быстрый диод SuperMESH MOSFET
TO262 500V 29A AlphaMOS
W29xx R1163N291D R1163N SOT-23-5 3-РЕЖИМНЫЙ 2,9 В 150 мА LDO РЕГУЛЯТОР с защитой от обратного тока
& nbsp 1005 КРЕМНИЙ NPN RF ТРАНЗИСТОР
W2 NE687M13 & nbsp SOT-23 NPN Кремниевый RF транзистор
W2 100 мА 90 В высокоскоростной переключающий диод
W2 BCR189L3 & nbsp PNP Кремниевый цифровой транзистор
W2 NE5510279A & nbsp 79A 4. 8 В РАБОТА С КРЕМНИЕМ RF POWER LD-MOS FET
W2 NE687M33 & nbsp M33 NPN КРЕМНИЙ RF ТРАНЗИСТОР
W2 RN4983FS & nbsp24
W2 TC7SG08AFS & nbsp SON5-P-0.35 2 входа И вентиль
W2 TC7SG08FE & nbsp 2 входа И вентиль
W2 TC7SG08FU & nbsp SSOP5-P-0.65A 2 входа И вентиль
W2 TK16202U & nbsp ВЧ-УСИЛИТЕЛЬ, 250 МГц
W2 TSDF1220RW & nbsp SOT343R Малошумящие ВЧ транзисторы 12 ГГц
W2 BD46481G-TR -50025
W2 BZT52B2V7-V BZT52 SOD-123 Стабилитрон малого сигнала
W2 BZT52C2V7-V BZTOD52 SOD52
W2 BZT52C3V0S BZT52 SOD323 Диод стабилитрона малого сигнала
W2 BZX384B2V7-V BZX384 SOD-323 Стабилитрон малого сигнала
W2 BZX384C2V7-V BZX384 WOD-323 MC33461 SC-82AB 3. Детектор пониженного напряжения 2 В (КМОП-выход)
W2 PBR951 PBR951 SOT-23 NPN Широкополосный транзистор УВЧ
W2 PESD5V0V4UW PESD25xV4UW Счетверенные диодные матрицы для защиты от электростатических разрядов
W2 R3111Q321C R3111Q SC-82AB Детектор низкого напряжения 3,2 В Выход CMOS
W2 TLVh531-ACPK
W2B # ADG3231BRJZ ADG3231 SOT-23-6 Одноканальный преобразователь уровня с двунаправленным преобразователем 1.Сдвиг уровня от 65 В до 3,6 В
W2B ADG3231BRJ ADG3231 SOT-23-6 Одноканальный преобразователь уровня с двунаправленным сдвигом уровня 1,65 В на 3,6 В
W2F TSDF1220RW & nbsp SOT343R ВЧ-транзисторы с низким уровнем шума, 12 ГГц
W2F KIC73B263M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC W KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W2I KIC73B293M2 KIC73xxx SOT-23 CMOS System Reset IC
5 KIC73B293T2 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W2J MIC5255-2 . 85BML MIC5255 MLF2x2-6 150 мА с низким уровнем шума uCap CMOS LDO
W2J MIC5255-2.85YML MIC5255 MLF2x2-6 150 мА с низким уровнем шума SDP520WMF & nbsp SOT-23F Диод-аттенюатор
W2s BCR189 & nbsp SOT23 PNP Кремниевый цифровой транзистор
BCR-
BCR-W2s
W2524 W2s Цифровой кремниевый транзистор PNP
W2s BCR189T & nbsp SC75 Кремниевый цифровой транзистор PNP
W2s BCR19PN & nbsp SOT36324 PNP Цифровой транзистор SOT36324 NPB
W2x SDZ9V1D & nbsp SOD- 323 Стабилитрон
W2x HD74LV1GW97ACME HD74LV1GW97A SC70-6 Конфигурируемый многопозиционный вентиль
W2x M74VHC1G126 M74VHC1G256 900 Буфер, с 3 состояниями
W2x M74VHC1G126DTT1G MC74VHC1G126 SOT-23-5 Одиночный неинвертирующий буфер, с 3 состояниями
W2xx 9005 MPD Q1124 MP4389 9005 -10 Сверхнизкое напряжение, 4А, 5. Синхронный понижающий импульсный регулятор 5 В
W2xx R1210N321D R1210N SOT-23-5 Повышающий DC / DC преобразователь 3,2 В 180 кГц ШИМ
W2xx R53225N24002B SOT-23-6 150 мА 2-канальный LDO-РЕГУЛЯТОР
W2xxx APX823-44W5 APX823 SOT25 ЦЕПЬ НАПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОРА
W3- RTRB RTR RTR -23-5 300 мА, малошумный сверхбыстрый CMOS-стабилизатор LDO
W3% PMBTA44 PMBTA44 SOT-23 400 В, 0.Высоковольтный низковольтный транзистор VCEsat (BISS) 3 A NPN
W3 + xx NE5510379A & nbsp 79A 4,8 В ЭКСПЛУАТАЦИЯ SILICON RF POWER LD-MOS FET
W3 + RP15L RP152L DFN1212-6 150 мА 1,8 В + 2,85 В двойной стабилизатор LDO с последовательным управлением
W3040 STW3040 & nbsp TO-247 Высоковольтный быстросменный силовой транзистор NPN
W307 FW307 & nbsp SOP8 Кремниевые МОП-транзисторы с N-каналом и P-каналом
W30 KIC73B30M2 KIC73xxx ICS-23 Сброс системы с задержкой CMOS
W30 KIC73B30T2 KIC73xxx TSOT-23 CMOS System Reset IC Встроенная задержка
W30 MIC5255 MLF2x2-6 150 мА с низким уровнем шума uCap CMOS LDO
W30 MIC5255-3.0YML MIC5255 MLF2x2-6 150 мА W с низким уровнем шума uCap CMOS
TK11130M TK111xx SOT23L-6 РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ
W30 TK11130S TK111xx SOT2324-5 REGULATOR НАПР. N-канал 600В — 0.125 Ом — 30 А Мощный МОП-транзистор с быстрым диодом MDmesh

Mmbt3904lt1g Mmbt3904 Npn, 40 В 200 мА 0,2a W04 1 3904 Транзистор Smd

Uno-materiales de servicio

Описание продукта

(CHIPERA) MMBT3904LT1G mmbt3904 NPN, 40V 200mA 0.2A w04 1 3904 транзистор smd ru Наличие | Оригинал | Нуэво

Si necesita más información detallada del producto y (O tiene otros Requisitos para el producto, como la fecha de producción la cantidad necesaria lugar de origen, и т. Д.) que son bienvenidos a nosotros

Nuestra empresa

Póngase en contacto con nosotros

¿Cómo está Chip Era?

1, con más 30 millones de dólares Inventario a con una variedad de productos Diferentes que requirea

2, tenemos un excelente equipo de élite más 12 Años de Experiencia en el Sector de la Electrónica que una buena comprensión de las tendencias del mercado internacional que proporcionar Los servicios profesionales Competition.

3Chip EraEs un profesional de components electrónicos proofedor Gestión especializada IC; Placa de desarrollo, модуль WIFI, модуль датчика, модуль GPS, GSM, GPRS, модуль, модуль и т.д .; Электроэлементный прерыватель, светодиодный соединитель

4 tenemos algunos (1) Difícil de encontrar los components (2) Obsoleta / dejar de hacer en components electrónicos (3) Compra Regular con Precios Competitiveivos y fiable de

Nota: Si no pudo encontrar los components electrónicos que usted preguntó en nuestra tienda ¡Por Favor, póngase en contacto con nuestro Gerente de comercio que puede ayudar a encontrar de todos ellos! (Más cantidad puede confirmar para obtener el mejor Precio)

В пользу envíenos su Peticiones de oferta, ¡Profesional y en servicio de tiempo será proporcionada a servir!
Nuestra ventaja es que tenemos stock en la mano Porque Inventario de Liquidez es grande Por Favor confirmme el Precio con me Cuando haces el pedido

Справочная информация

1 апой-эль-метод на странице: Aceptar de Comercio de Alibaba / garantía de pago seguro de Alibaba / T / Western Union / ESCROW / Paypal / ¡Wechat Pay / Alipay!

¡2 Si prefiere otras condiciones de pago, por Favor póngase en contacto con nosotros!

3, todos los Precios son FOB Шэньчжэнь цена не включает стоимость окружающей среды и грузов

4, le enviaremos las partes dentro de3-5Días hábiles después de recibir su pago

5 una parte es Precio es inestable según el mercado.Por Favor no dude en ponerse en contacto con nosotros para el último y mejor Precio

Preguntas frecuentes (FAQ)

¿Q1.What es la cantidad mínima de pedido para sus productos?

A1.Minimum la cantidad de la Orden comienza a partir de una pieza


2 кв. ¿Cómo podemos obtener muestras de usted?
A2. Образцы являются доступными Нормальные номера 2 дней для организации последних событий Si no tenemos antecedentes de negocios con usted antes. A Cargo de las muestras y el costo de mensajería de carga

¿Q3.What es su política de muestra?
A3.We podemos suministrarle la muestra si tenemos listo piezas en stock ¿Pero los clientes tienen que pagar el costo de la muestra y el costo del servicio de mensajería?

Q4. ¿Prueba o comprobar todos sus bienes antes de la entrega?

¿A4: Sí, tenemos 100% de prueba y todos los productos antes de la entrega?

Q5.¿Cómo podemos obtener los productos?

A5: Podemos proporcionar nuestro modo de transporte de los recursos y el Precio para su referencia.Y la final el modo de transporte es de bajo nuestras Condiciones actuales

Q6.Какой сын Sus condiciones de pago? ¿Cuándo va a enviar las piezas a mí?

¡A6: el pago Complete! Productos serán enviados en 3-5 días de trabajo después de recibido el pago por fin depende de las cantidades

Q7.¿Qué tal un reembolso y reemplazo?

А7.

1. Apreciamos su negocio y ofrecer una Instantánea 15 días de devolución política (15 días después de recibir los artículos)

2 Si hay alguna calidad issuesas por Favor, asegúrese de que todos estos artículos deben ser devueltos en su estado original para calificar¿Para un reembolso o un reemplazo? (Cualquier utilizado o artículos dañados no puede ser reembolsado o sustituido)
3 Si los artículos son defectuosos por Favor notificar a nosotros dentro de 3 días de entrega
4¿Los artículos deben ser devueltos en su estado reeo calificarso параграф реемплазо?
5 ¿El comprador esponsable de todo el costo de envío incurrido?

No sólo ventaja de Precio estamos más búsqueda de calidad para comprar original auténtico buscandoCHIPERA

Somos Alibaba comercio garantía de provedor y proofedor de oro

Embalaje y envío

Encapsulados SMD W

Код Устройство Манф База Упаковка Эквивалент с выводами / данные
W0F TSDF1205RW Vis WQ SOT343R 12 ГГц npn 5 мА 4 В
W03 S503TRW Vis UQ SOT343R dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры
W04 S504TRW Vis UQ SOT343R dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры
W05 S505TRW Vis UQ SOT343R dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры
W1 BZT52B2V4 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 2.4 В
W1 BZT52C2V4 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 2,4 В
W1 BZT52C2V7S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 2.7 В
W1 BZX384B2V4 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 2,4 В
W1 BZX384C2V4 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 2.4 В
pW1 BAT54C Phi B СОТ23 двойной куб 30В 0.2A schottky
tW1 BAT54C Phi B СОТ23 двойной куб.см 30 В 0.2А Шоттки
wW1 BAT54C Phi B СОТ23 двойной куб 30В 0.2A schottky
W1s BFT92 Sie N СОТ23 BFQ51 / BFQ76
W1s BCR10PN Sie DP СОТ363 pnp / npn копать 0.1A 10k + 10k
W2 TSDF1220RW Tfk WQ СОТ343 12 ГГц npn 6 В 20 мА
W2 BZT52B2V7 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 2.7 В
W2 BZT52C2V7 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 2,7 В
W2 BZT52C3V0S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 3.0V
W2 BZX384B2V7 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 2,7 В
W2 BZX384C2V7 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 2.7 В
W2F TSDF1220RW Vis WQ SOT343R 12 ГГц npn 40 мА 6 В
W3 BZX84-C2V4 Phi С СОТ23 0.Стабилитрон 3 Вт 2,4 В ± 5%
W3 BZT52B3V0 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 3,0 В
W3 BZT52C3V0 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 3.0V
W3 BZT52C3V3S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 3,3 В
W3 BZX384B3V0 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 3.0V
W3 BZX384C3V0 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 3,0 В
W4 BZX84-C2V7 Phi С СОТ23 0.Стабилитрон 3 Вт 2,7 В ± 5%
W4 BZT52B3V3 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 3,3 В
W4 BZT52C3V3 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 3.3В
W4 BZT52C3V6S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 3,6 В
W4 BZX384B3V3 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 3.3В
W4 BZX384C3V3 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 3,3 В
W5 BZX84-C3V0 Phi С СОТ23 0.Стабилитрон 3 Вт 3,0 В ± 5%
W5 BZT52B3V6 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 3,6 В
W5 BZT52C3V6 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 3.6 В
W5 BZT52C3V9S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 3,9 В
W5 BZX384B3V6 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 3.6 В
W5 BZX384C3V6 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 3,6 В
W5F TSDF1250RW Vis WQ SOT343R 12 ГГц npn 60 мА 6 В
W6 BZX84-C3V3 Phi С СОТ23 0.Стабилитрон 3 Вт 3,3 В ± 5%
W6 BZT52B3V9 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 3,9 В
W6 BZT52C3V9 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 3.9 В
W6 BZT52C4V3S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 4.3V
W6 BZX384B3V9 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 3.9 В
W6 BZX384C3V9 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 3,9 В
W7 BZX84-C3V6 Phi С СОТ23 0.Стабилитрон 3 Вт 3,6 В ± 5%
W7 BZT52B4V3 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 4,3 В
W7 BZT52C4V3 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 4.3В
W7 BZT52C4V7S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 4,7 В
W7 BZX384B4V3 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 4.3В
W7 BZX384C4V3 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 4,3 В
W8 BZX84-C3V9 Phi С СОТ23 0.Стабилитрон 3 Вт 3,9 В ± 5%
W8 BZV49C3V9 Zet O СОТ89 1 Вт стабилитрон 3,9 В ± 5%
W8 BZT52B4V7 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 4.7 В
W8 BZT52C4V7 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 4,7 В
W8 BZT52C5V1S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 5.1В
W8 BZX384B4V7 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 4,7 В
W8 BZX384C4V7 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 4.7 В
W9 BZX84-C4V3 Phi С СОТ23 0,3 Вт стабилитрон 4,3 В ± 5%
W9 BZV49C4V3 Zet O СОТ89 стабилитрон 1 Вт 4.3 В ± 5%
W9 BZT52B5V1 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 5,1 В
W9 BZT52C5V1 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 5.1В
W9 BZT52C5V6S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 5,6 В
W9 BZX384B5V1 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 5.1В
W9 BZX384C5V1 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 5,1 В
W10 CMPZDA27V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 27В
W11 CMPZDA30V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 30 В
W12 CMPZDA33V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 33В
W13 CMPZDA36V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 36 В
W13 S913TWR Vis UQ SOT343R dg mosfet MOSIC 9V uhf тв-тюнеры
W14 CMPZDA39V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 39В
W15 CMPZDA43V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 43В
W16 CMPZDA47V CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 47В
W18 BFP181TW Tfk х нпн РФ фт 7.8 ГГц 10 В 20 мА
W18 BFP181TRW Tfk WQ npn RF fT 7,8 ГГц 10 В 20 мА
W22 S822TW Tfk х нпн рф фт 5.2 ГГц 6 В 8 мА
W22 S822TRW Tfk WQ npn rf fT 5,2 ГГц 6 В 8 мА
W28 BFP280TRW Tfk WQ npn rf fT 7 ГГц 8 В 10 мА
W28 BFP280TW Tfk х npn rf fT 7 ГГц 8 В 10 мА
W52 S852TW Tfk х нпн рф фт 5.2 ГГц 6 В 8 мА
W59 S595TRW Vis UQ СОТ143Р смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
W67 BFP67W Tfk х нпн рф фт 7.5 ГГц 10 В 50 мА
W82 BFP182TRW Tfk WQ npn rf fT 7,5 ГГц 10 В 35 мА
W82 BFP182TW Tfk х нпн рф фт 7.5 ГГц 10 В 35 мА
W83 BFP183TRW Tfk WQ npn rf fT 7,4 ГГц 10 В 65 мА
W83 BFP183T Tfk х нпн рф фт 7.4 ГГц 10 В 65 мА
W92 BFP92AW Tfk х СОТ343 npn rf fT 6 ГГц 15 В 30 мА
W93 S593TRW Vis UQ SOT343R смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
W94 S594TRW Vis UQ SOT343R смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В

W99

S949TRW

Вид

UQ

SOT343R

смещенный dg uhf mosfet MOSIC для ТВ-тюнеров 9V

WA BZT52B5V6 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 5.6 В
WA BZT52C5V6 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 5,6 В
WA BZT52C6V2S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 6.2В
WB 2SD1383K Roh N НПН Дарлингтон Комп 2SB852K
WB BZT52B6V2 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 6.2В
WB BZT52C6V2 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 6,2 В
WB BZT52C6V8S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 6.8 В
WC BZT52B6V8 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 6,8 В
WC BZT52C6V8 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 6.8 В
WC BZT52C7V5S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 7,5 В
туалеты BCR133 Sie N СОТ23 нпн копать 50В 0.1A 10k + 10k
туалеты BCR133T Sie N SC75 npn dig 50V 0.1A 10k + 10k
туалеты BCR133U Sie N СОТ457 нпн копать 50В 0.1A 10k + 10k
туалеты BCR133W Sie N СОТ323 npn dig 50V 0.1A 10k + 10k
туалеты BCR133S Sie DN СОТ363 двойной BCR133
WD BZT52B7V5 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 7.5 В
WD BZT52C7V5 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 7,5 В
WD BZT52C8V2S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 8.2В
WD BCR141 Sie N СОТ23 npn 50V 0.1A dig 22k + 22k
WD BCR141T Sie N SC75 npn 50V 0.1А копать 22к + 22к
WD BCR141W Sie N СОТ323 npn 50V 0.1A dig 22k + 22k
WD BCR141S Sie DN СОТ363 двойной BCR141
WE BZT52B8V2 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 8.2В
WE BZT52C8V2 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 8,2 В
WE BZT52C9V1S Dio I SOD323 Стабилитрон 200 мВт 9.1В
WEs BCR148 Sie N СОТ23 npn 50V 0.1A dig 47k + 47k
WEs BCR148T Sie N SC75 npn 50V 0.1А копать 47к + 47к
WEs BCR148U Sie N СОТ457 npn 50V 0.1A dig 47k + 47k
WEs BCR148W Sie N СОТ323 npn 50V 0.1А копать 47к + 47к
WEs BCR148S Sie DN СОТ363 двойной BCR148
WE1 BFS17W Tfk N нпн рф фт 2.1 ГГц SOT-323
WE2 BFS17AW Tfk N npn rf fT 3,2 ГГц SOT-323
WF BZT52B9V1 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 9.1В
WF BZT52C9V1 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 9,1 В
WF BZT52C10S Dio I SOD323 200 мВт стабилитрон 10 В
WFs BCR08PN Sie DP СОТ363 pnp / npn копать 0.1А 2к2 + 47к
WFs BCR112 Sie N СОТ23 npn dig 50V 0.1A 4k7 + 4k7
WF0 TSDF1205W Vis х СОТ343 12 ГГц npn 12 мА 4 В
WF2 TSDF1220W Vis х СОТ343 12 ГГц npn 6 В 40 мА
WF5 TSDF1250W Vis х СОТ343 12 ГГц npn 6 В 60 мА
WFE BFP93A Tfk х СОТ343 BFP93A (FE) в npn 6 ГГц
WG BZT52B10 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 10 В
WG BZT52C10 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 10 В
WG BZT52C11S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 11В
WG BZX384B10 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 10 В
WG BZX384C10 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 10 В
РГ BCR116 Sie N СОТ23 нпн копать 50В 0.1A 4k7 + 47k
РГ BCR116W Sie N СОТ323 npn dig 50V 0.1A 4k7 + 47k
WH BZT52B11 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 11В
WH BZT52C11 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 11В
WH BZX384B11 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 11В
WH BZX384C11 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 11В
WG BZT52C12S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 12В
WH BCR108 Sie N СОТ23 нпн копать 50В 0.1А 2к2 + 47к
WH BCR108T Sie N SC75 npn dig 50V 0.1A 2k2 + 47k
WH BCR108W Sie N СОТ323 нпн копать 50В 0.1А 2к2 + 47к
WH BCR108S Sie DN СОТ363 двойной BCR108
WI BZT52B12 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 12В
WI BZT52C12 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 12В
WI BZT52C13S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 13 В
WI BZX384B12 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 12В
WI BZX384C12 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 12В
WIs BCR158 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1А 2к2 + 47к
WIs BCR158T Sie N SC75 pnp dig 50V 0.1A 2k2 + 47k
WIs BCR158W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 0.1А 2к2 + 47к
WJs BCR135 Sie N СОТ23 npn dig 50V 0.1A 10k + 47k
WJs BCR135T Sie N SC75 нпн копать 50В 0.1А 10к + 47к
WJs BCR135W Sie N СОТ323 npn dig 50V 0.1A 10k + 47k
WJs BCR135S Sie DN СОТ363 двойной BCR135
WJ BZT52C15S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 15 В
WK BZT52B13 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 13 В
WK BZT52C13 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 13 В
WK BZT52C16S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 16 В
WK BZX384B13 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 13 В
WK BZX384C13 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 13 В
WKs BCR119 Sie N СОТ23 нпн копать 50В 0.1А 4к7
WKs BCR119S Sie DN СОТ363 npn dig 50V 0.1A 4k7
WKs BCR119W Sie N СОТ323 нпн копать 50В 0.1А 4к7
WL BZT52B15 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 15 В
WL BZT52C15 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 15 В
WL BZT52C18S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 18 В
WL BZX384B15 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 15 В
WL BZX384C15 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 15 В
WLs BCR146 Sie N СОТ23 двойной npn копать 50В 47к + 22к
WLs BCR146W Sie N СОТ323 двойной npn копать 50В 47к + 22к
WM BZT52B16 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 16 В
WM BZT52C16 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 16 В
WG BZT52C20S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 20В
WM BZX384B16 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 16 В
WM BZX384C16 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 16 В
WMs BCR183 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 10k + 10k
WMs BCR183W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 10k + 10k
WMs BCR183T ​​ Sie N SC75 pnp dig 50V 10k + 10k
WMs BCR183U Sie N СОТ457 pnp dig 50V 10k + 10k
WMs BCR183S Sie ДО СОТ363 двойной pnp dig 50V 10k + 10k
ВМО BF998RW Tfk UQ SOT343R VHF DG MOSFET BF988
WN BZT52B18 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 18 В
WN BZT52C18 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 18 В
WN BZT52C22S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 22 В
WN BZX384B18 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 18 В
WN BZX384C18 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 18 В
WNs BCR185 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1А 10к + 47к
WNs BCR185U Sie N СОТ457 pnp dig 50V 0.1A 10k + 47k
WNs BCR185W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 0.1А 10к + 47к
WNs BCR185S Sie ДО СОТ363 двойной BCR185
WO BZT52B20 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 20 В
WO BZT52C20 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 20В
WO BZT52C24S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 24 В
WO BZX384B20 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 20 В
WO BZX384C20 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 20 В
WOs BCR191 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1A 22k + 22k
WOs BCR191W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 0.1A 22k + 22k
WOs BCR191S Sie ДО СОТ363 двойной BCR191
WO BZX284-B2V4 Phi I SOD110 0.Стабилитрон 4Вт 2,4В E24 ± 2%
WP BZX284-B2V7 Phi I SOD110 0,4 ​​Вт стабилитрон 2,7 В E24 ± 2%
WP BZT52B22 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 22 В
WP BZT52C22 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 22 В
WP BZT52C27S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 27 В
WP BZX384B22 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 22 В
WP BZX384C22 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 22 В
WP BCR192 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1А 22к + 47к
WP BCR192T Sie N SC75 pnp dig 50V 0.1A 22k + 47k
WP BCR192W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 0.1А 22к + 47к
WP BCR22PN Sie DP СОТ363 pnp / npn dig 0,1A 22k + 22k
WP2 BFR92A Tfk N СОТ23 BRF90A
WQ BZX284-B3V0 Phi I SOD110 0.Стабилитрон 4Вт 3,0В E24 ± 2%
WQ BZT52C30S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 30 В
WR BZT52B24 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 24 В
WR BZT52C24 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 24 В
WR BZT52C33S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 33V
WR BZX384B24 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 24 В
WR BZX384C24 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 24 В
WR MSD602R Mot N СОТ346 npn gp 25 В 150 мА
WR BCR198 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1А 47к + 47к
WR BCR198W Sie NN СОТ323 pnp dig 50V 0.1A 47k + 47k
WR BCR198S Sie D СОТ363 двойной BCR198
WR BZX284-B3V3 Phi I SOD110 0.Стабилитрон 4Вт 3,3В E24 ± 2%
WR2 BFR93AW Tfk N BFR91A
WRE BFR280TW Tfk N нпн РФ фт 7.5 ГГц
WRF BFR181TW Tfk N npn RF fT 7,8 ГГц
WRG BFR182TW Tfk N npn RF fT 7 ГГц
WRH BFR183TW Tfk N нпн РФ фт 7.4 ГГц
WS BCR169 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1A 4k7
WS BCR169W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 0.1А 4к7
WS BCR169S Sie ДО СОТ363 двойной BC169
WS BZT52B27 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 27 В
WS BZT52C27 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 27 В
WS BZT52C36S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 136 В
WS BZX384B27 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 27 В
WS BZX384C27 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 27 В
WS BZX284-B3V6 Phi I SOD110 0.Стабилитрон 4Вт 3,6В E24 ± 2%
WT BCR166 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 47k
WT BCR166W Sie N СОТ323 pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 47k
WT BCR48PN Sie DP СОТ363 pnp / npn dig npn 2x47k pnp 2k2 + 47k
WT BZT52B30 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 30 В
WT BZT52C30 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 30 В
WT BZT52C39S Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 39 В
WT BZX384B30 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 30 В
WT BZX384C30 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 30 В
WT BZX284-B3V9 Phi I SOD110 0.Стабилитрон 4Вт 3.9В E24 ± 2%
WU BCR162 Sie N СОТ23 pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 4k7
WU BCR162T Sie N SC75 pnp dig 50V 0.1A 4k7 + 4k7
WU BCR35PN Sie DP СОТ363 pnp / npn dig 0,1A 10к + 47к
WU BZX284-B4V3 Phi I SOD110 0.Стабилитрон 4Вт 4,3В E24 ± 2%
WU BZT52B33 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 33В
WU BZT52C33 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 33V
WU BZX384B33 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 33В
WU BZX384C33 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 33 В
WU MRF2947A Mot DG СОТ363 двойной MRF941 npn RF 9 ГГц
WW BZT52B36 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 36 В
WW BZT52C36 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 36 В
WW BZX384B36 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 36 В
WW BZX384C36 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 36 В
WW3 CMPZDA2V4 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 2.4 В
WW4 CMPZDA2V7 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 2,7 В
WW5 CMPZDA3V0 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 3.0V
WW6 CMPZDA3V3 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 3,3 В
WW7 CMPZDA3V6 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 3.6 В
WW8 CMPZDA3V9 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 3,9 В
WW9 CMPZDA4V3 CSC А СОТ23 двойной стабилитрон 350 мВт 4.3В
WX BZT52B39 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 39 В
WX BZT52C39 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 39 В
WX BZX384B39 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 39 В
WX BZX384C39 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 39 В
WX3 S593TXRW Vis UQ СОТ143Р смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
WX4 S594TXRW Vis UQ СОТ143Р смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
WX5 S595TXRW Vis UQ СОТ143Р смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
WX6 S504TXRW Vis UQ SOT343R смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
WX7 S505TXRW Vis UQ SOT343R смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
WX8 S503TXRW Vis UQ SOT343R смещенный dg mosfet MOSIC Тв-тюнеры 5В
WY BZT52B43 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 43В
WY BZT52C43 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 43В
WY BZX384B43 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 43В
WY BZX384C43 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 43В
WY5 S505TXRW Vis UQ SOT343R dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры
WY6 S506TXRW Vis UQ SOT343R dg MOSFET MOSIC 5V uhf тв-тюнеры
WZ BZT52B47 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 2% 47 В
WZ BZT52C47 Vis I SOD123 300 мВт стабилитрон 5% 47 В
WZ BZX384B47 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 2% 47 В
WZ BZX384C47 Vis I SOD323 200 мВт стабилитрон 5% 47 В

EN60252–1450 В SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.Промышленные конденсаторы 17.50hb для бизнеса и промышленности 32baar.com

  1. Домашняя страница
  2. Бизнес и промышленность
  3. Электрооборудование и принадлежности
  4. Электронные компоненты и полупроводники
  5. Конденсатор
  6. Промышленные конденсаторы
  7. EN60252-1,450V SKBAWA-b090
  8. EN60252-1,450V SKBAWA-b090 w04 / 141092bCAPI 4/14 1 DUCAPITU 4/14 1 DUCAPITU 4/141

    EN60252–1450 В SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb




    EN60252–1450 В SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb

    1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ, 416.17.50hb, w04 / 14, EN60252-1,450V SKBAWA-b090. Один (НОВЫЙ) КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb, w04 / 14, EN60252-1, 450 В, 50-60 Гц. В наличии: 25 ..

    EN60252-1,450V SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb

    10 шт. FQP27N25 TO-220, комплект Авто Шлифовальный станок для кузова Новый Dura Block AF44A Набор шлифовальных блоков из 6 предметов, с водяным охлаждением и газовым адаптером Быстроразъемный соединитель для сварочной горелки TIG 8 мм.SHARS .125 «ВЫСОКОТОЧНЫЙ ИНДИКАТОР НАБОРНОГО ДИСКА .0005» AGD 1 TRAVEL LUG НАЗАД БЕЛЫЙ НОВЫЙ, корпус в сборе фон Дюприн 6121 / 621DS, двойная дверь с электрическим замком SKBAWA-B058. 20X SN74HC32N LOGIC GATE, QUAD 2-INPUT OR, HC-CMOS, DIP, 14PIN, TUL сумка для хранения для ноутбука младшего размера. 100 шт. 0805 КОНДЕНСАТОР 47NF 473M Y5V 50V 20% SMT SMD ЧИП КРЫШКА, 3M Super Grip 200 Нитриловые перчатки с покрытием ладони для сборки, рабочие защитные перчатки. НОВЫЙ JOHN DEERE STARTER 2280007010 228000701 RE500199 RE500345 SE501407 TY24444, DC 12 В 0,9 МПа 6 л / мин Мембрана высокого давления воды 70 Вт Самовсасывающий насос UBS.Подвеска для ожерелья, 2 шт., Подставка для дисплея, 29 крючков, черная вельветовая задняя крышка для мольберта, 100 шт. В упаковке, пакеты для термопечатающей машины из ПЭТ 4 «6» 8 «10» A4, 10 шт. 2SB595-Y B595-Y Кремниевые транзисторы питания PNP TO-220, Thales Мобильный картограф CE GPS, M3 A2 Набор самонарезающих винтов M3 A2 для панорамирования / плоской / ферменной головки с крестообразным шлицем 200 шт., Дискообразный диаметр 4,5 дюйма. 250 A36 Стальной круг, круглая стальная пластина 1/4 дюйма, ЧЕРНАЯ ПЕНОВАЯ ТРУБКА ХОЛОДИЛЬНАЯ ТРУБКА ПОЖАРНАЯ ИЗОЛЯЦИЯ ДЛИНА 2 М «ID X 3/8» WALL.NEW UF4006 Сверхбыстрые выпрямительные диоды, 800 В, 1 А, продавец из США, 100 шт., 2 шт. Тумблеров для тяжелых условий эксплуатации SPST ON / OFF 15A-125V Сделано в США компанией CARLING.UKSF 10 Пылезащитный колпачок 10 Набор GX16-3 3-контактный резьбовой разъем Авиационная силовая вилка, Libreta De Recibos Ventas Sin Carbón De 2 Partes Recibo De Efectivo O Alquiler, Клапан C&D CD2012 1/4 «муфта развальцовки в сборе, 1 шт. Держатель инструмента BT40-SLN20, 1 Резиновые втулки с внутренним диаметром 2 дюйма для отверстия в панели 1 дюйм Внешний диаметр 1 1/4 дюйма Подходит для черной панели 1/8 дюйма, S 15 шт. LIGHT DUTY из НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ СРЕДНИЕ КРЮЧКИ ДЛЯ МЯСА / ПТИЦЫ 3 «X 1/8». 150 штук, 15 значений Комплект коробки с переменным резистором 6 мм, расходомер кислорода 0-3 л ​​/ мин 0,1 МПа, расходомер с регулирующим клапаном для воздуха с кислородом.

    EN60252-1,450V SKBAWA-b090 w04 / 14 1 КОНДЕНСАТОР DUCATI ENERGIA 16 мкФ 416.17.50hb

    Jual HD-W04 Running Text Controller

    Контроллер HD-W04 обеспечивает управление версией экономики HD-W62 с подключением WIFI (TANPA USB и вставка).

    Dikarenakan tipe ekonomis, maka terdapat beberapa kekurangan pada kontroler ini yaitu:

    — Опорный модуль Hanya LED 1 дан 2 warna saja

    — Dikarenakan koneksi via WIFI saja, maka apabila terkendala di settingan wifi (misalnya di crack), maka back up USB tidak tersedia pada kontroler ini sehingga unit running text harus dibongkar untuk perbaikan / penggantian kontroler

    Спецификация Teknis:

    — Модель платы контроллера : HD-W04
    — ввод Теганган : 5 В постоянного тока
    — Мощность : 0.5 Вт
    — Поддержка модуля Тип LED матрица : P10, P16, DSB.
    — Разрешение (диапазон пикселей) : Варна тунггал (одноцветный) -> 64 x 512 пикселей | 32 x 1024 пикселей | 16 x 1536 пикселей
    — Программное обеспечение / система контроллера : HD2018
    — Режим сканирования : 1/16, 1/8, 1/4, 1/3, 1/2, статическое сканирование, dsb.
    — Программа Джумлах : программа 200, Wi-Fi зашифрованный, поддержка датчика opsi suhu, kelembaban, dan cahaya
    — ЦП : Контекст M4
    — Внутренняя память : 2 МБ
    — порт Komunikasi (ввод данных) : ТОЛЬКО Wi-Fi
    — Интерфейсный порт : 4 ступицы 12
    — Поддержка формата gambar : GIF, JPG, JPEG, PNG, BMP, TXT, RTF, dsb.

    Фитур-Фитур:

    — Dapat mengontrol beberapa kartu wifi secara bersamaan menggunakan routerr

    — Кара пемакайян ян муда:

    Isi / edit program text menggunakan PC software HD2018 >> передача данных через WIFI DIRECT >> klik SEND di program untuk mengirim sinyal data ke controller

    — Контроллерная карта menerima danmbaca data kiriman wifi secara automatis dan merubah tampilan text secara otomatis

    — Fungsi tampilan teks, gambar, suhu, kelembaban dan tingkat terang cahaya menggunakan sensor tambahan yang disolder ke kontroler (Dijual terpisah), джем цифровой / аналоговый, дан анимаси

    — Таймер Fungsi для автоматического включения / выключения secara

    — Lebih dari 40 efek spesial tulisan: statik, gerak kiri / kanan / atas / bawah, крышка, ставень, дождь, разбивка на страницы, рулон, снегопад, dsb.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *