Таблица диодов с характеристиками: Страница не найдена

Характеристики диодов (диодных сборок)

 

Таблица 2. Характеристики одно- и трехфазных диодов и диодных сборок (выпрямителей)
P/N Упаковка, мм Импульсное обратное напряжение, VRRM В Средний ток прямой макс, IFAV А Ударный прямой ток 50/60 Гц, IFSM А Напряжение прямое Ток утечки
VF В IF А IRмкА VR В
Выпрямители 3-х фазные
DB15/25-005 28,5х28,5х10 50 15/25 275/385
1. 05
7.5 10 50
DB15/25-01 28,5х28,5х10 100 15/25 275/385 1.05 7.5 10 100
DB15/25-02 28,5х28,5х10 200 15/25 275/385 1.05 7.5 10 200
DB15/25-04 28,5х28,5х10 400 15/25 275/385 1.05 7.5 10 400
DB15/25-06 28,5х28,5х10 600 15/25 275/385 1.05 7.5 10 600
DB15/25-08 28,5х28,5х10 800 15/25 275/385 1. 05 7.5 10 800
DB15/25-10 28,5х28,5х10 1000
15/25
375/385 1.05 7.5 10 1000
DB15/25-12 28,5х28,5х10 1200 15/25 275/385 1.05 7.5 10 1200
DB15/25-14 28,5х28,5х10 1400 15/25 275/385 1.05 7.5 10 1400
DB15/25-16 28,5х28,5х10 1600 15/25
275/385
1.05 7.5 10 1600
DB35-005 28,5х28,5х10 50 35 500 1. 02 17.5 10 50
DB35-01 28,5х28,5х10 100 35 500 1.05 17.5 10 100
DB35-02 28,5х28,5х10
200
35 500 1.05 17.5 10 200
DB35-04 28,5х28,5х10 400 35 500 1.05 17.5 10 400
DB35-06 28,5х28,5х10 600 35 500 1.05 17.5 10 600
DB35-08 28,5х28,5х10 800 35 500 1.
05
17.5 10 800
DB35-10 28,5х28,5х10 1000 35 500 1.05 17.5 10 1000
DB35-12 28,5х28,5х10 1200 35 500 1.05 17.5 10 1200
DB35-14 28,5х28,5х10 1400 35 500 1.05 17.5 10 1400
DB35-16 28,5х28,5х10 1600 35 500 1.05 17.5 10 1600
DBI15/25-005 40х20х10 200 15/25 275/385 1. 05 7.5/12.5 10 50
DBI15/25-01 40х20х10 400 15/25 275/385 1.05
7.5/12.5
10 100
DBI15/25-02 40х20х10 600 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 200
DBI15/25-04 40х20х10 800 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 400
DBI15/25-06 40х20х10 1000 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 600
DBI15/25-08 40х20х10 1200 15/25 275/385 1. 05 7.5/12.5 10 800
DBI15/25-10 40х20х10 1400 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 1000
DBI15/25-12 40х20х10 1600 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 1200
DBI15/25-14 40х20х10 50 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 1400
DBI15/25-16 40х20х10 100 15/25 275/385 1.05 7.5/12.5 10 1600
DBI25-005A 35х25х4 50 25 390 1.
05
12.5 10 50
DBI25-04A 35х25х4 400 25 390 1.05 12.5 10 400
DBI25-08A 35х25х4 800 25 390 1.05 12.5 10 800
DBI25-12A 35х25х4 1200 25 390 1.05 12.5 10 1200
DBI25-16A 35х25х4 1600 25 390 1.05 12.5 10 1600
DBI6-005 40х20х10 200 6 135 1. 05 3 10 50
DBI6-01 40х20х10 400 6 135 1.05 3 10 100
DBI6-02 40х20х10 600 6 135 1.05 3 10 200
DBI6-04 40х20х10 800 6 135 1.05 3 10 400
DBI6-06 40х20х10 1000 6 135 1.05 3 10 600
DBI6-08 40х20х10 1200 6 135 1. 05 3 10 800
DBI6-10 40х20х10 1400 6 135 1.05 3 10 1000
DBI6-12 40х20х10 1600 6 135 1.05 3 10 1200
DBI6-14 40х20х10 900 6 135 1.05 3 10 1400
DBI6-16 40х20х10 1000 6 135 1.05 3 10 1600
Мосты выпрямительные
B125C1500A/B 19х3,5х10 250 1. 8 50     10 250
B125D DIL 250 1 40 1.1 1 10 250
B250C1500A/B 19х3,5х10 600 1.8 50     10 600
B250S DIL 600 1 40 1.1 1 10 600
B380C1500A/B 19х3,5х10 800 1.8 50     10 800
B380D DIL 800 1 40 1. 1 1 10 800
B40C1500A/B 19х3,5х10 80 1.8 50     10 80
B40D DIL 80 1 40 1.1 1 10 80
B500C1500A/B 19х3,5х10 1000 1.8 50     10 1000
B500S DIL 1000 1 40 1.1 1 10 1000
B80C1500A/B 19х3,5х10 160 1.8 50     10 160
B80D DIL 160 1 40 1. 1 1 10 160
CS10D DIL 20 1 40 0.5 1 500 20
GBI10M 32х5,6х17 1000 3 220     10 1000
GBU10M 20,8х3,3х18 1000 8.4 300 1 12 10 1000
KBPC10/15/2500FP                
KBPC601 15,2х15,2х6,3 100 3.8 125 1. 2 3 10 100
KBU12M 23,5х5,7х19,3 1000 8.4 300 1 12 10 1000
KBU8M 23,5х5,7х19,3 1000 5.6 300 1 8 10 1000
MS500 SuperMicroDIL 1000 0.5 20 1.2 0.5 10 1000
MYS250 MicroDIL 600 0.5 20 1.2 0.5 10 600
PB1001 19х19х6,8 70 10 150 1. 2 5 10 35
S80 MiniDIL (TO-269AA) 160 0.8 44 1.2 0.8 10 160

Туннельные и обращенные диоды | Основы электроакустики

Туннельные и обращенные диоды Туннельные диоды обладают высоколегированными p-n-областями полупроводника. Концентрация легирующих примесей в областях на 2 — 3 порядка выше, чем в обычных диодах. Высокая концентрация примесей приводит к вырождению полупроводника в полуметалл и перекрытию энергетических зон (зоны проводимости полупроводника типа nс валентной зоной полупроводника типа р) и возникновению высокой (порядка 105 — 10е В/см) напряженности поля в уаком (около 0,01 мкм) переходе. При такой напряженности поля в зоне перекрытия возникает туннельный механизм проводи­мости электронов через потенциальный барьер, т. е. движение элек-тронов через барьер высотой, превышающей энергию электрона. Туннельные диоды обладают высоким быстродействием, что спо­собствует их использованию в схемах переключателей, усилителей и генераторов колебаний высоких частот. Статическая ВАХ диода) в области малых прямых напряжений имеет падающий участок АБ с отрицательным диффе­ренциальным сопротивлением, который используется для режимов усиления и генерирования колебаний. 

Параметры туннельных диодов делят на три группы. В первую группу входят параметры, определяющие режим работы диода:

  • пиковый (максимальный) ток Iп и ток впадины Iв (минимальный ток) прямой туннельной ветви ВАХ;
  • напряжения Ua и Uв, соответствующие точкам максимума и ми­нимума характеристики;
  • отношение пикового тока Iп к току впадины IВ, характеризую­щее протяженность падающего участка вдоль оси токов;
  • напряжение раствора UР на инжекционной ветви, соответству­ющее пиковому току в точке максимума;
  • отрицательное сопротивление — дифференциальное сопротивле­ние Гдиф на падающем участке ВАХ.

Во вторую группу входят параметры, характеризующие частотные свойства диодов:

  • проходная емкость Сд — суммарная емкость перехода и корпуса при заданием напряжении смещения;
  • индуктивность Lд обусловленная выводами и деталями кор­пуса прибора;
  • сопротивление потерь Rп в объеме полупроводника на контактах
  • и выводах диода;
  • максимальная частота fмакс, до которой активная составляющая полного сопротивления эквивалентной схемы диода ос­тается отрицательной: 

Параметры

Типы диодов

АИ101А

АИ101Б

АИЮ1В

АИ101Д

АИ101Е

АИ101И

Пиковый ток, мА

1

1

2

2

5

5

Напряжение пика,

В

0,16

0,16

0,16

0,16

0,18

0,18

Отношение пикового тока к то

ку впадины

5

5

6

6

6

6

Емкость, пФ

4

2 — 8

5

3 — 10

8

4-13

Индуктивность нГн

1

1

1

1

1

1

СопротивлениеОм

24

22

16

14

8

7

  При амплитуде импульса обратного тока диодов АИ101А, Б — 30 мА, АИ101В, Д — 40 мА и АИ101Е, И — 80 мА. В третью группу входят параметры предельных режимов: мак­симально допустимые значения постоянного или среднего токов и напряжений Iпр макс, Uпр маке, Iобр макс, Uовр-макс, а также мощности рмакс и мощности в импульсе заданной длительности Ри.макс. Действие обращенных диодов основывается на исполь­зовании обратной пробойной ветви ВАХ при туннельном механизме пробоя. Переход диода изготовляется из высоколегированного, но не вырожденного материала. Обратная ветвь ВАХ диода имеет большую кривизну, чем прямая ветвь, и используется более эффективно вместо прямой для детекторов, смесителей, умножите­лей электрических колебаний. Поскольку поменялись роли (места) прямой и обратной ветвей ВАХ, диоды называют обращенными.

Параметрами обращенных диодов являются:

  • прямой ток IПр при заданном прямом напряжении Uпр;
  • обратное напряжение Uовр при заданном обратном токе IОБР;
  • Максимально допустимые прямой IПр макс U Обратный Iобр токи;
  • допустимый пиковый ток Iп прямой ветви;
  • емкость Сд при заданном обратном смещении.

Туннельные диоды АИ 101 (А, Б, В, Д, Е, И) применяются для работы в усилительных схемах и выпускаются в металлическом кор­пусе  массой 0,15 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +85°С. Электрические параметры диодов приведены в табл. 97.

Туннельные диоды АИ201 (В, Г, Е, Ж, И, К, Л) применяются для работы в схемах генераторов и выпускаются в металлокерами-ческом корпусе массой 0,15 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +85 С. Электрические параметры диодов приведены в табл. 98.

Туннельные диоды АИ301 (А, Б, В, Г) применяются для работы в переключающих схемах и выпускаются в металлическом корпусе массой 0,15 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 70°С. Электрические параметры диодов приведены в табл. 99.

Таблица 98

Параметры

Типы диодов

АИ201В

АИ201Г

АИ201Е

АИ201Ж

АИ201Е

АИ201К

АИ201Л

Пиковый ток, мА

10

20

20

50

50

100

100

Напряжение пика, В

0,18

0,2

0,2

0,26

0,26

0,33

0,33

Отношение пи кового тока

к току впа­дины

10

10

10

10

10

10

10

Емкость, пФ

5 — 15

10

6 — 20

15

10 — 30

20

10 — 15

Индуктивность, нГн

1

1

1

1

1

1

1

Сопротивле­ние*, Ом

8

5

4

2,5

2,5

2,2

2,2

·         При амплитуде импульса обратного тока диодов АИ201В, Г, Е, — 100 мА, АИ201Ж, И, К, Л — 200 мА.  

Таблица 99

Параметры

Типы диодов

АИ301А

 АИ301Б

 АИ301В

 АИ301Г

Пиковый ток, мА

1,6 — 2,4

4,5 — 5,5

4,5 — 5,5

9 — 11

Напряжение пика, В

0,18

0,18

0,18

0,18

Отношение пикового то­ка к току впадины

8

8

8

8

Емкость, пФ

12

25

25

50

Индуктивность, нГн

1,5

1,5

1,5

1,5

Напряжение раствора, В

0,65

1

1-1,3

0,8

Туннельные диоды ГИ304 (А, Б) ГИ305 (А, Б), ГИ307А приме­няются для работы в импульсных схемах и выпускаются в металло-стеклянном корпусе массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры диодов при­ведены в табл. 100. Таблица 100 

Параметры

Типы диодов

 

 

ГИ304А

ГИ304Б

ГИ305А

ГИ305Б

ГИ307А

Пиковый ток, мА,

4,5 — 5,1

4,9 — 5,5

9,1 — 10

9,8 — 11

2

при температуре 20 °С

 

 

 

 

 

Напряжение пика, В

75

75

85

85

80

Отношение пико­вого тока к току впадины

5

5

5

5

7

Емкость, пФ, при f=10-20 МГц

20

20

30

30

20

Напряжение рас­твора, В, при токе, мА:

 

 

 

 

 

5 . .

0,44

0,44

0,4

10

 —

 —

0,45

0,45

Постоянный пря­мой и обратный ток, мА, при 20 °С

10

10

20

20

4

* При прямом токе 2 мА.

Обращенные диоды ГИ401 (А, Б) применяются для работы в смесителях, детекторах и вычислительных устройствах и выпускают­ся в металлостеклянном корпусемассой 0,07 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 55 до -г-70°С. Электрические пара­метры приведены в табл. 101. 

Таблица 101 

Параметры

Типы диодов

ГИ401А

ГИ401Б

Постоянное прямое напряжение, мВ, при Iпр= 0,1 мА

330

330

Постоянное обратное напряжение, мВ, при Iобр = 1 мА

90

90

Постоянный прямой ток, мА

0,3

0,5

Постоянный обратный ток, мА

4

5,6

Емкость, пФ

2,5

5

Обращенные диоды АИ402 (Б, Г, Е, И) применяются в смеси­телях, детекторах и вычислительных устройствах и выпускаются в металлокерамическом корпусе массой 0,5 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до+85°С. Электрические парамет­ры диодов приведены в табл. 102. 

Таблица 102 

Параметры

Типы диодов

 

 

АИ402Б

АИ402Г

АИ402Е

АИ402И

Прямой пиковый ток, мА

0,1

0,1

0,2

0,4

Постоянное прямое напря­жение, В, при указанном выше прямом пиковом то­ке

0,6

0,6

0,6

0,6

Постоянное обратное напря­жение при предельном обратном токе

0,25

0,25

0,25

0,25

Максимальный обратный ток, мА

1

1

2

4

Емкость, пФ

4

8

8

10

 

 

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.

1 Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

  • Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
  • Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
  • Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
  • Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
  • Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

  • Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
  • Объяснить образование электронно-дырочного перехода.
  • Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?
  • Чем определяется толщина p-n перехода?
  • Нарисовать потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях?
  • Рассказать о прохождении токов через p-n переход: при отсутствии внешнего напряжения, при прямом включении и при обратном включении.
  • Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики p-n перехода, указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя.
  • Сравнить вольтамперные характеристики p-n переходов, изготовленных из G e, Si.
  • Что такое барьерная и диффузионная емкости p-n перехода? Дать определение.
  • Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики p-n перехода для различных значений температуры.
  • Перечислить основные параметры полупроводниковых диодов (номинальные и предельные).
  • Дать определение дифференциальных параметров и пояснить их физический смысл.
  • Объяснить принцип действия, особенности устройства и применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов. Указать их основные параметры.
  • Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов и схемы, в которых используются эти приборы.
  • Какими способами можно увеличить допустимую мощность, рассеиваемую диодом?

3 Схемы исследования

На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследования характеристики стабилитрона используется схема, приведенная на рисунке 1.3. На рисунке 1.4 приведена схема для исследования однополупериодного выпрямителя. Используется германиевый диод.

Рисунок 1.1 — Схема снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении

4 Порядок проведения лабораторной работы

4. 1 Для снятия вольтамперных характеристик диодов при прямом включении вывести на экран дисплея схему (рисунок 1.1). Для этого выбрать «Лабораторная работа №1». Затем «Прямое включение» и «Начать эксперимент».

4.2 Последовательно снять вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Для этого подвести курсор к тумблеру с обозначением диода и выбрать один из диодов, например, Д7Ж.

4.3 Подвести курсор на ручку «Напряжение» и вращая ручку по часовой стрелке снять ВАХ. Характеристика вырисовывается на экране графопостроителя. Заполнить таблицу 1.1а.
Примечание. При быстром изменении напряжения на диоде характеристика может получиться не монотонной. Для повторного исследования осуществить очистку экрана осциллографа и произвести повторное исследование.

Таблица 1.1а — Диод Д7Ж

Uпр, В .. . . .. .. .. .. .. .. ..
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8

4.4 Провести исследование второго диода. Для этого переключить тумблер на другой тип диода. Осуществить сброс приборов в нулевое положение и снять ВАХ. Заполнить таблицу 1.1б.

Таблица 1.1б — Диод Д220

Uпр, В .. .. .. .. .. .. .. .. ..
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Прекратить эксперимент.

4.5 Определить, какой из диодов выполнен из германия, какой из кремния.

4.6 Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении (рисунок 1.2.).
Заполнить таблицу 1.2.

Рисунок 1.2 — Схема снятия вольтамперных характеристик диодов в обратном направлении

Таблица 1.2 — Диод Д7Ж

Uобр, В 0 -1 -2 -3 -4 -5
Iобр, мкА .. .. .. .. .. ..

4.7 Провести исследование стабилитрона Д814А.(рисунок 1.3)
Заполнить таблицу 1.3.

 

Рисунок 1.3 — Схема исследования характеристики стабилитрона

Таблица 1.3 — Стабилитрон Д 814А

Uст, В .. .. .. .. .. .. .. .. . .
Iст, мА .. .. .. .. .. .. .. .. ..

4.8 Исследовать однополупериодный выпрямитель (рисунок 1.4). Зарисовать осциллограммы напряжения генератора на входе и напряжения на нагрузке при двух различных значениях переменного напряжения 2 и 8 вольт.

Рисунок 1.4 — Схема исследования однополупериодного выпрямителя

5 Указания к составлению отчета
  1. Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
  2. Привести таблицы с результатами измерений.
  3. Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
  4. По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.3.

Таблица 1.3

Диод Rпр Rпр диф Rобр Rобр диф
Д7А . . .. .. ..
Д220 .. .. .. ..
  1. На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
  2. На графике №3 привести ВАХ стабилитрона Iст=f(Uст).
  3. Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
  4. Сделать выводы по проделанной работе.

Литература
  • Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, — СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
  • Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 11-66.
  • Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г. Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 12-43, 54-88, 97-129.
  • Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 29-85.
  • Савиных В.Л. Физические основы электроники. – СибГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
  • Справочники по полупроводниковым диодам.
Характеристики диодов

— полупроводниковые диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковые диоды обладают свойствами, которые позволяют им выполнять множество различных электронных функций. Для выполнения своей работы инженеры и техники должны иметь данные об этих различных типах диодов. Информация, представленная для этой цели, называется ДИОДНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ. Эти характеристики указываются производителями либо в их руководствах, либо в таблицах спецификаций (таблицах данных).Из-за множества производителей и множества типов диодов нецелесообразно предлагать вам спецификацию и называть ее типовой. Помимо разницы между производителями, один производитель может даже предоставить листы спецификаций, которые различаются как по формату, так и по содержанию. Несмотря на эти различия, обычно требуется определенная информация о характеристиках и конструкции. Мы обсудим эту информацию в следующих нескольких абзацах.

Стандартный лист технических характеристик обычно содержит краткое описание диода.В это описание включены тип диода, основная область применения и любые особенности. Особый интерес представляет конкретное применение, для которого подходит диод. Производитель также предоставляет чертеж диода с указанием размеров, веса и, при необходимости, любых опознавательных знаков. В дополнение к приведенным выше данным также предоставляется следующая информация. Статический рабочий стол (дает точечные значения параметров при фиксированных условиях), иногда характеристическая кривая, подобная той, что представлена ​​на этом рисунке (показывает, как параметры изменяются во всем рабочем диапазоне), и номиналы диодов (которые являются предельными значениями рабочих условий). снаружи, что может привести к повреждению диода).

Производители указывают эти различные рабочие параметры и характеристики диодов с помощью «буквенных символов» в соответствии с установленными определениями. Ниже приводится список с буквенным обозначением основных электрических характеристик выпрямителя и сигнальных диодов.

Выпрямительные диоды

БЛОКИРУЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА [V R ] — максимальное обратное постоянное напряжение, которое не вызовет пробоя.

AVERAGE FORWARD VOLTAGE DROP [V F (AV) ] — среднее прямое падение напряжения на выпрямителе при заданном прямом токе и температуре.

СРЕДНИЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ПРЯМОЙ ТОК [I F (AV) ] — средний выпрямленный прямой ток при заданной температуре, обычно 60 Гц с резистивной нагрузкой.

СРЕДНИЙ ОБРАТНЫЙ ТОК [I R (AV) ] — средний обратный ток при заданной температуре, обычно 60 Гц.

PEAK SURGE CURRENT [I SURGE ] — пиковый ток, указанный для данного количества циклов или части цикла.

Сигнальные диоды

PEAK REVERSE VOLTAGE [PRV] — максимальное обратное напряжение, которое может быть приложено до достижения точки пробоя. (PRV также относится к выпрямительному диоду.)

ОБРАТНЫЙ ТОК [I R ] — небольшое значение постоянного тока, протекающего при обратном смещении полупроводникового диода.

Максимальное падение напряжения в прямом направлении при указанном прямом токе [V F @I F ] — максимальное прямое падение напряжения на диоде при указанном прямом токе.

REVERSE RECOVERY TIME [t rr ] — максимальное время, необходимое диоду прямого смещения для восстановления своего обратного смещения.

Номинальные параметры диода (как указано ранее) являются предельными значениями рабочих условий, превышение которых может вызвать повреждение диода либо из-за пробоя напряжения, либо из-за перегрева. Диоды с PN-переходом обычно рассчитаны на: МАКСИМАЛЬНЫЙ СРЕДНИЙ ПРЯМОЙ ТОК, ПИКОВЫЙ РЕАКЦИОННЫЙ ПРЯМОЙ ТОК, МАКСИМАЛЬНЫЙ БРОСНЫЙ ТОК и ПИКОВОЕ ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ.

Максимальный средний прямой ток обычно дается при особой температуре, обычно 25 ° C (77 ° F), и относится к максимальной величине среднего тока, которая может протекать в прямом направлении. Если этот рейтинг будет превышен, может произойти поломка конструкции.

Пиковый повторяющийся прямой ток — это максимальный пиковый ток, которому можно разрешить течь в прямом направлении в форме повторяющихся импульсов.

Максимальный импульсный ток — это максимальный ток, разрешенный для протекания в прямом направлении в форме непериодических импульсов. Ток не должен равняться этому значению дольше нескольких миллисекунд.

Пиковое обратное напряжение (PRV) — один из самых важных номиналов.PRV указывает максимальное напряжение обратного смещения, которое может быть приложено к диоду, не вызывая пробоя перехода.

Все вышеперечисленные характеристики могут изменяться в зависимости от температуры. Если, например, рабочий температура выше указанной для номинальных значений, тогда рейтинги должны быть уменьшены.

[Решено] В следующей таблице приведены предварительные характеристики концепта S

:

1) Диод — двухполюсный нелинейный прибор. {\ frac {{{V_d}}} {{\ eta {V_t}}}}} \)

В d = напряжение на диоде

В t = эквивалент температуры

В t ≈ 26 мВ при комнатной температуре.

\ ({V_t} = \ frac {T} {{11600}} \; дюйм \; кельвин \)

I с = обратный ток насыщения.

\ ({V_d} = \ eta {V_t} \ ln \ left ({\ frac {{{I_d}}} {{{I_S}}}} \ right) \)

Если ‘η’ не задан, значение по умолчанию будет 1

Расчет:

Учитывая характеристики прямого смещения

В f (В)

I f (мВ)

0.6

1

0,65

5

Из текущего уравнения с использованием данных получаем два уравнения

\ ({V_1} = \ eta {V_t} \ ln \ left ({\ frac {{{I_1}}} {{{I_S}}}} \ right) \) ⋯ (i)

\ ({V_2} = \ eta {V_t} \ ln \ left ({\ frac {{{I_2}}} {{{I_S}}}} \ right) \) ⋯ (ii)

Учитывая η = 1

\ ({V_1} — {V_2} = {V_t} \ ln \ left ({\ frac {{{I_1}}}} {{{I_S}}}} \ right) — {V_t} \ ln \ left ({ \ frac {{{I_2}}} {{{I_S}}}} \ right) \)

\ ({V_1} — {V_2} = {V_t} \ ln \ left ({\ frac {{{I_1}}} {{{I_2}}}} \ right) \)

\ (0. 6 — 0,65 = \ frac {T} {{11600}} \ ln \ left ({\ frac {1} {5}} \ right) \)

\ (- 0,05 = — 1,609 \ times \ frac {T} {{11600}} \)

\ (\ frac {{0,05 \ times 11600}} {{1.609}} = T \)

\ (T = \ frac {{580}} {{1.609}} \)

T = 360,47 Кельвина

T ≈ 360 Кельвинов

Дополнительная концепция:

Диод малосигнальный эквивалент показан ниже как для идеального, так и для практического случая.

Состояние

эквивалент

Связь V и I

Модель

Идеал

1.Если V d = 0 → I d > 0

2. Если I d = 0 → V d <0

1. Короткое замыкание

2. обрыв цепи

Практический

1. Если V d = 0,7 → I d > 0

2. Если I d = 0 → V d <0,7

1. Источник Volatge с 0.7 вольт

2. обрыв цепи

Практический

1. Если V d = 0,7 → I d > 0

2. Если I d = 0 → V d <0,7

1. источник напряжения 0,7 В и последовательное сопротивление 25 Ом

2. обрыв цепи

5.2: Диоды — Engineering LibreTexts

Диоды — это двухконтактные устройства с нелинейными вольт-амперными характеристиками. Наиболее распространенные диоды, используемые в микроволновой технике, перечислены в Таблице 5.1.1 вместе с их стандартными обозначениями. В идеале выпрямитель позволяет току течь в одном направлении, а не в другом. Обычный диод, обычно переходной диод или диод Шоттки , является одним из типов выпрямителей, но выпрямители являются более общими, и, например, они могут быть реализованы с использованием вакуумных устройств.

Переход и диоды Шоттки

Переходные диоды — это двухполюсные устройства, характеристики которых обусловлены барьерным эффектом, возникающим на стыке двух различных типов полупроводников (один с избыточными свободными дырками и один с избыточными свободными электронами) или на границе раздела металла и полупроводник.В результате получается асимметричная вольт-амперная характеристика, как показано на рисунке \ (\ PageIndex {1} \) (a). Это не идеальная характеристика выпрямителя, поскольку она требует достижения порогового напряжения, прежде чем появится заметный ток. Полупроводниковый диод

Рисунок \ (\ PageIndex {1} \): Характеристики диода с pn переходом или диода Шоттки: (а) вольт-амперная характеристика; (б) вольт-фарадная характеристика; и (c) модель диода.

характеристики описываются [4, 5, 6]

\ [\ label {eq: 1} I = I_ {0} \ left [\ text {exp} \ left (\ frac {qV} {nkT} \ right) -1 \ right] \]

где \ (V \) — напряжение на переходе, \ (q (= −e) \) — абсолютное значение заряда электрона, \ (k \) — постоянная Больцмана \ ((1.{−23} \ text {J / K}) \), а \ (T \) — абсолютная температура (в кельвинах). \ (I_ {0} \) — это ток обратного насыщения, он небольшой, со значениями в диапазоне от \ (1 \ text {pA} \) до \ (1 \ text {nA} \). Величина \ (n \) является фактором идеальности диода, где \ (n = 2 \) для диодов с p-n переходом с градиентным переходом и \ (n = 1,0 \) для диодов со ступенчатым переходом, где граница раздела между p-типом и n-типом полупроводниковых материалов круто. Резкий переход наиболее точно реализуется диодом Шоттки, где металл образует одну сторону интерфейса (обычно), заменяя полупроводник p-типа.Носители быстро рекомбинируют в металле, намного быстрее, чем в полупроводнике. Следовательно, диод Шоттки работает на более высоких частотах, чем диод с pn переходом. Коэффициент идеальности единицы \ (n \) для \ (1 \) — лучшее, что может быть достигнуто, что приводит к сильнейшей нелинейности. Когда приложенное напряжение достаточно положительно, чтобы вызвать протекание большого тока, диод считается смещенным в прямом направлении. Когда напряжение отрицательное, током можно пренебречь, и говорят, что диод имеет обратное смещение.При достаточно большом обратном смещении электроны отрываются от валентных зон атомов полупроводника, и ток быстро увеличивается в процессе, называемом ударной ионизацией или лавиной. Напряжение, при котором это происходит, называется напряжением обратного пробоя.

В полупроводниковом диоде заряд разделен на расстоянии, поэтому диод имеет значительную емкость, называемую емкостью перехода, математически моделируемую как

\ [\ label {eq: 2} C_ {j} (V) = \ frac {C_ {j0}} {(1- (V / \ phi)) ^ {\ gamma}} \]

, где \ (\ phi \) — встроенная разность потенциалов на диоде.Этот профиль емкости показан на рисунке \ (\ PageIndex {1} \) (b). Встроенный потенциал обычно составляет \ (0,6 \ text {V} \) для кремниевых диодов и \ (0,75 \ text {V} \) для диодов из GaAs. Профиль легирования может быть отрегулирован так, что \ (\ gamma \) может быть меньше идеального \ (\ frac {1} {2} \) диода с резким переходом.

Ток должен протекать через объемный полупроводник, прежде чем достигнет активной области полупроводникового диода, поэтому произойдет резистивное падение напряжения. Объединение эффектов приводит к эквивалентной схеме pn перехода или диода Шоттки, показанной на рисунке \ (\ PageIndex {1} \) (c).

Варакторный диод

Варакторный диод — это диод с pn переходом, работающий в режиме обратного смещения и оптимизированный для хорошей работы в качестве перестраиваемого конденсатора. В идеале он имеет низкий обратный ток насыщения, высокое обратное напряжение пробоя и особый профиль емкости, предназначенный для конкретного применения.

Обычно варакторный диод используется в качестве настраиваемого элемента в генераторе, управляемом напряжением (ГУН), где варактор с зависящей от напряжения емкостью \ (C \) является частью резонансного контура (часто называемого контуром резервуара). ) с сосредоточенным индуктором \ (L \).Резонансная частота контура резервуара пропорциональна \ (1 / \ sqrt {LC} \), поэтому при подаче напряжения на варакторный диод изменяется \ (C \), резонансная частота контура резервуара настраивается, и частота колебаний изменяется. Зависимость емкости от напряжения описывается уравнением \ (\ eqref {eq: 2} \), а зависимость от напряжения показана на рисунке \ (\ PageIndex {1} \) (b).

PIN диод

PIN-диод представляет собой разновидность диода с p-n переходом с областью собственного полупроводника (I в PIN) между областями полупроводников p-типа и n-типа.Свойства PIN-диода зависят от того, есть ли носители во внутренней области. PIN-диод имеет вольт-амперные характеристики диода с pn-переходом на низких частотах; однако на высоких частотах он выглядит как линейный резистор, поскольку несущие в собственной области движутся медленно. Когда прямое напряжение постоянного тока подается на PIN-диод, внутренняя область наводняется несущими, и на микроволновых частотах PIN-диод моделируется как резистор с низким сопротивлением. На высоких частотах не хватает времени для удаления несущих во внутренней области, поэтому даже если полное напряжение (постоянный ток плюс ВЧ) на PIN-диоде отрицательное, во внутренней области есть несущие на протяжении всего ВЧ-цикла.Если напряжение постоянного тока отрицательное, носители удаляются из собственной области, и диод выглядит как резистор большого номинала на ВЧ. PIN-диод может использоваться как переключатель СВЧ, управляемый напряжением постоянного тока.

Стабилитрон

Стабилитроны

— это диоды с pn переходом или Шоттки, специально разработанные для обеспечения резких характеристик обратного пробоя [5]. Их можно использовать для установления опорного напряжения или, в качестве ограничительного диода, для защиты более чувствительных схем.В качестве ограничителя они используются в устройствах связи в параллельной конфигурации, чтобы ограничить напряжения, которые могут быть приложены к чувствительным радиочастотным схемам.

Светодиодный диод

В полупроводниковых диодах рекомбинация дырок и электронов может привести к генерации фотонов. Этот эффект усиливается до светоизлучающих диодов и (светодиодов) [4, 5, 7, 8].

Вольт-амперные характеристики диода

в сравнении с резистором Вольт-амперные характеристики диода

в сравнении с резистором.Резистор

Что такое омический?

ВАХ диода и резистора

Цель: Цель этого эксперимента — сравнить I-V характеристики диода с характеристиками резистора. Измеряя напряжение падение через диод или резистор при изменении тока, студент будет обнаружить взаимосвязь между током и Напряжение.

Время: 40-50 минут

Обзор научных принципов:

Требования: Чтобы ток проходил через материал, три требования должны быть выполнены.

1) должно существовать электрическое поле; 2) должны присутствовать носители заряда в материал; 3) носители заряда должны быть мобильными. Установить электрический поле, на цепь подается напряжение. Носителями заряда являются валентность электроны в проводнике или электроны в зоне проводимости и дыры в валентной зоне полупроводника или изолятора. Мобильность зависит от кристаллической структуры и температуры.

Проводник: для проводника, такого как металл, валентность электроны занимают частично заполненные энергетические уровни с образованием валентной зоны. Кристалл структура металл позволяет валентным электронам в валентной зоне двигаться свободно через кристалл. Однако с повышением температуры атомы вибрировать с большая амплитуда, и уйти достаточно далеко от своего равновесия позиции для мешают перемещению электронов. Только около абсолютного нуля это мобильность в максимальном значении.

Полупроводник: для полупроводника или изолятора валентность электроны занимают заполненную валентную зону. Электроны должны уйти из валентности группа к зона проводимости (оставление дырок, вакансий в валентной зоне). Оба электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне находятся считаются носителями заряда. Количество этих носителей заряда зависимый от температуры и материала. При повышении температуры более электроны обладают энергией, необходимой для «прыжка» в зону проводимости.(Важный: Электроны не перемещаются из места в кристалле, называемого валентная полоса в другое место, называемое зоной проводимости. Электроны имеют энергия связанных с валентной зоной, и получить достаточно энергии, чтобы иметь энергия связанный с зоной проводимости. Происходит изменение энергии, а не позиция изменить.)

Легирование: легирование полупроводникового материала путем добавления атомов. с еще одним или на один валентный электрон меньше, чем у основного материала, это один метод из увеличение количества носителей заряда (например, добавление Ga, с три валентности электронов или As с пятью валентными электронами на Ge или Si, которые имеет четыре валентные электроны).Добавление элемента группы V, например As, образует n-тип материал, обеспечивающий новые «донорские» уровни энергии. Добавление Группа III элемент, такой как Ga, образует материал p-типа, который обеспечивает новые «акцептор» уровни энергии. Энергия, необходимая электрону для перемещения из валентная полоса на акцепторный уровень, как с Ga (образуя дырку), или с донорский уровень зона проводимости, как и в случае As (дающая проводящий электрон), равна меньше, чем энергия, необходимая для первоначального «прыжка» из валентности группа к зона проводимости чистого полупроводникового материала.Таким образом, для допированный полупроводниковый материал по сравнению с чистым полупроводниковым материалом (на такая же температура), легированный полупроводник будет иметь больше электроны в зона проводимости (n-тип) или несколько дырок в валентной зоне (р-тип). Для и Материал n-типа, носитель электричества — отрицательный электрон. Для Материал p-типа, носитель — положительное отверстие. Как повышается температура, атомы действительно колеблются с большей амплитудой.Однако увеличение в количестве носители заряда в большей степени влияют на увеличение прочности материала. проводимость чем уменьшение, вызванное колеблющимися атомами.

Резистор: когда на резистор подается напряжение, электрическое поле Установлено. Это электрическое поле «толкает» носители заряда. сквозь резистор. Этот «толчок» дает носителям заряда «дрейф». скорость «в направление от энергии с высоким потенциалом к ​​энергии с низким потенциалом.В качестве напряжение увеличивается, скорость дрейфа увеличивается. Поскольку сумма текущий текущий через резистор прямо пропорциональна скорости дрейфа, г. ток прямо пропорционален напряжению , которое производит в электрическое поле, которое создает скорость дрейфа. Это происхождение Ома Закон.

Диод: Однако в диоде количество носителей заряда равно зависит от количество электронов, у которых достаточно энергии, чтобы двигаться вверх энергетический холм и через p-n переход, создавая ток, протекающий через диод.Размер этот холм или энергетический барьер зависит от количества и типа примесей в полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод. Как напряжение применяется (в прямом смещении) размер холма уменьшен, поэтому больше электроны иметь энергию, необходимую для пересечения p-n перехода, производящего ток поток. В количество электронов с энергией, необходимой для движения в гору и через переход увеличивается экспоненциально с увеличением напряжения. Таким образом, электрический ток увеличивается экспоненциально с увеличением напряжения.

Заявки:

Поведение компонентов в цепи — очень важный аспект. схемы дизайн. Диоды используются во многих полупроводниковых схемах. Их нелинейный I-V поведение делает их весьма полезными для множества приложений. Резисторы есть часто используется последовательно с другим компонентом схемы, чтобы уменьшить Напряжение через этот компонент или параллельно, чтобы уменьшить ток через компонент.

Материалы и принадлежности:

Источник питания постоянного тока

Германий или стабилитрон

Резисторы 2-1 кОм

6 подводящих проводов (в том числе на блоке питания)

Миллиамперметр или гальванометр

Вольтметр

Общие правила техники безопасности:

* Всегда сбрасывайте шкалу источника питания на ноль перед сборкой или изменение схема.

* Держите руки и рабочую зону сухими, чтобы избежать поражения электрическим током.

* Соблюдайте безопасные и правильные процедуры по эксплуатации источника питания. поставка.

Экспериментальные установки:

Процедура:

Схема подключения:

1. Соберите схему, как показано на рисунке 1. Не включайте питание. поставка.

2. Убедитесь, что выводные провода на блоке питания подключен к DC

терминалы.

3. Поверните шкалу напряжения и тока (если применимо) на ноль.Поверните текущий наберите один

четверть оборота по часовой стрелке.

4. Теперь включите питание.

5. Медленно поверните шкалу напряжения по часовой стрелке и следите за миллиамперметр и циферблаты вольтметра.

Если стрелка перемещается вправо, счетчики выставлены правильно. связаны. Если игла движется

слева, поменяйте местами провода отведений на этом измерителе.

Резистор (передний):

6.Медленно вращайте шкалу напряжения по часовой стрелке, пока миллиамперметр не игла показывает полный

прогиб. Запишите показания миллиметра и вольтметра как максимальное, I max и V max.

7. Разделите значение I max на 5. Это приращение I, на которое вы увеличите ток. (Вы соберете 5 наборов данных.)

8. Поверните шкалу напряжения на ноль.

9. Медленно вращайте шкалу напряжения по часовой стрелке, пока миллиамперметр не покажет Я.

10. Запишите значения I и V в таблицу данных резистора.

11. Увеличивайте напряжение до тех пор, пока миллиамперметр не покажет 2I.

12. Запишите значения I и V в таблицу данных в строках 1–5.

13. Продолжайте увеличивать напряжение и записывать I и V, пока вы не вылет I макс .

14. Поверните шкалу напряжения на ноль.

Резистор (обратный):

15. Поменяйте местами резистор, чтобы через него протекал ток. противоположный направление.

16. Повторите шаги 10-16, записывая значения I и V как отрицательные числа в резистор

таблица данных в строках 6-10.

Диод (вперед):

17. Удалите резистор из цепи и замените его на диод, как показано на рисунке 2.

18. Убедитесь, что положительный конец диода подключен. к положительный вывод

блок питания.

19.Повторите шаги 6-14, но на этот раз разделите I max на 10, и записать данные в

таблица данных диода.

Диод (реверс):

20. Переверните диод и повторите шаги 9-14, используя те же значения. из [[Delta]] I, как на шаге 19. Запишите эти значения I и V как отрицательные числа.

21. Выключите источник питания.

22. Отсоедините подводящие провода и замените оборудование на их место. подходящее места.

Данные и анализ:

Таблица данных резистора 9026 9026
В (вольт) I (мА) В / я
 
 
 
 
 
 
905
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
903 905 905 905 905 905 905 905 905 905 0533
 
 
 

Разделите значение V (вольт) на значение I (амперы), чтобы найти значения V / I (), и заполните таблицу данных.

Таблица данных диодов 905 35
В (вольт) I (10 -6 A) V / I
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Разделите V (вольт) на I (ампер), чтобы найти V / I (), и заполните таблицу данных.

Вопросы:

1. Постройте график зависимости напряжения (горизонтальная ось) от тока (вертикальная оси) от резистор и

таблица данных диодов на миллиметровой бумаге.

2. Какова форма графика данных для резистора?

3. Какова форма графика данных для диода?

4. Если форма линейная, определите наклон и уравнение линия.

5. Сравните наклон со значениями V / I.

6. Согласно закону Ома, V / I представляет то, что можно измерить. количество?

7. Какую измеримую величину представляет наклон линии I / V?

8. Для нелинейного графика, как менялись значения V / I? как значения V

повысился?

9. Какое устройство проводит электричество в обоих направлениях?

10. Какое устройство проводит электричество только в одном направлении?

11.Назовите 2 типа носителей заряда.

12. Что в металле проводит электричество (несет заряд)?

13. Что несет заряд в полупроводнике?

14. В резисторе повышенное напряжение влияет на заряд. перевозчики?

15. Что изменится в диоде, чтобы пропустить больше тока? напряжение повысился?

Добавочный номер:

График V (вольт) по оси x и ln I (натуральный логарифм значений Я в усилителях, не миллиампер) по оси ординат, для данных из диодной секции для эксперимент (в прямом смещении).Уравнение для этой связи это:

I = I o (exp эВ / кТ -1)

где значения переменных и констант:

е = 1 электронвольт / вольт

V = вольт

k = 8,62 x 10 -5 электрон-вольт / К

T = температура в К

I o = текущее значение при V = 0

I = амперы

Решите это уравнение, взяв натуральный логарифм от обеих частей.

ln I = ln I o + ln (exp эВ / кТ -1)

подстановка значений e, k и T в уравнение докажет что значение эВ / кТл будет около 100В. Следовательно, exp эВ / kT будет exp 100V , что намного больше 1, так что мы можем не обращайте внимания на 1. Теперь уравнение:

ln I = ln I o + эВ / кТ

Наклон графика (линии) равен e / kT. На графике найдите склон.Установленный величина крутизны равна e / kT. Наклон = e / kT, используя значения k и e, найдите значение T. Сравните это значение T с комнатой температура в К.

Заметки учителя:

* Время подготовки учителя составляет примерно 30 минут.

* Этот эксперимент предназначен для использования в электричестве. единица физики класс со студентами

кто уже научился настраивать схемы и использовать тестовые счетчики.

* Для шагов процедуры:

1. Учитель должен продемонстрировать правильную процедуру подключение амперметр и

вольтметр в цепи.

2. Учитель должен продемонстрировать правильную процедуру управление мощностью поставка.

3. Если в блоке питания есть текущий циферблат, студент может придется установите этот циферблат на

позволить достаточному току течь через цепь, так как напряжение повысился.

4. Если используются цифровые мультиметры, используйте напряжения от 0 до 2 В, как показано на рисунке. в образец.

Ответы на вопросы:

1. Используйте отдельные миллиметровые листы, потому что масштаб каждого будет другой.

2. Это должна быть прямая линия. Убедитесь, что ученики нарисовали лучшая линия через данные

точки; они не должны «соединять точки».

3. Это должно быть экспоненциально. Попросите учащихся использовать линейку (прямой край) до приблизительно

наклон графика по мере увеличения V, проведя касательную линия на различные точки на

изгиб.

4. Попросите учащихся нарисовать большой прямоугольный треугольник, представляющий [[Delta]] I и [[Delta]] V, стороны

треугольник. Единицы должны быть частью описания наклон. Единицы могут помочь

учащиеся соотносят наклон с измеряемой величиной, представляет.

5. Поскольку наклон равен I / V, его значение должно быть обратная величина V / I.

6. Сопротивление.

7.Проводимость — это величина, обратная сопротивлению.

8. Значения V / I уменьшались с увеличением V.

9. Резистор

10. Диод

11. Электроны и дырки.

12. Электроны в валентной зоне.

13. Электроны, перескочившие в зону проводимости и соответствующий отверстия в

валентная полоса.

14. Повышенное напряжение вызывает более сильное электрическое поле, которое подталкивает электронов тяжелее

направление, противоположное полю, что увеличивает скорость дрейфа; так больше ток

потоки.

15. По мере увеличения напряжения размер холма (энергетический зазор) составляет уменьшился, так еще

электроны (при этой температуре) могут двигаться в гору и через р-н соединение.

Данные и анализ:

Пример таблицы данных резистора
(вперед так же, как и назад)
9025 9025 9025 905 905 905 905 905 905 9025 1000
В (вольт) I (мА) V / I
0,21 0,21 1000
0.41 0,41 1000
0,61 0,61 1000
0,81 0,81 1000
1,09
Пример таблицы данных диодов * Нет тока в обратном смещении
Следующая лаборатория
Полупроводники Содержание
MAST Домашняя страница

1N5820, 1N5821, 1N5822 — Выпрямители с осевым выводом

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать application / pdf

  • ON Semiconductor
  • 1N5820, 1N5821, 1N5822 — Выпрямители с осевым выводом
  • 2007-12-12T10: 56: 55-07: 00BroadVision, Inc.2020-08-11T14: 09: 13 + 02: 002020-08-11T14: 09: 13 + 02: 00 Acrobat Distiller 8.1.0 (Windows) uuid: 1a1ff9d3-4834-4ab0-a878-feb7fca15d3fuid: fbcbe52f-64e9-453a-9015-ff7b8990e508 конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > транслировать HT6zWQ., .II $ [m4ȁ + 6SYR} ͥ0lY {3͈> d> o \ QR 賻 C, dEànb * Idá; CV5, SMW ~ gn3cN $ = dvmsV7) J} F (u 9nS’qggwkxxxNLeBTR W% HD (% * = 3’V «, OP 漒 pNPSVRh

    Измерение электронных свойств ДНК-специфических диодов Шоттки для обнаружения и идентификации ДНК базидиомицетов

  • Watson, JD & Crickxy, FA Структура для део кислота. Nature. 171, 737–738 (1953) .

    CAS ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья Google ученый

  • Клуг, А.Открытие двойной спирали ДНК. J. Mol. Биол. 335, 3–26 (2004).

    CAS Статья Google ученый

  • Cagnin, S., Caraballo, M., Guiducci, C., Martini, P., Ross, M., SantaAna, M., Danley, D., West, T. & Lanfranchi, G. Обзор Электрохимические ДНК-биосенсоры: новые подходы к обнаружению проявления жизни. Датчики. 9. С. 3122–3148 (2009).

    CAS Статья Google ученый

  • Венкарт, М.50 научных открытий, изменивших мир. Книги Нордерштедта по запросу. 99–108 (2014).

  • Бун, Э. М. и Бартон, Дж. К. Транспорт заряда в ДНК. Curr. Opin. Struct. Биол. 12. С. 320–329 (2002).

    CAS Статья Google ученый

  • Ван Дж. Электропроводность двухцепочечной ДНК, измеренная с помощью спектроскопии импеданса на переменном токе. Phys. Ред. Б. 78, 245304 (2008).

    ADS Статья Google ученый

  • Авирам, А.& Ратнер, М. А. Молекулярные выпрямители. Chem. Phys. Lett. 29, 277 (1974).

    CAS ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья Google ученый

  • Агапито, Л. А., Гейлс, Дж., Воловец, С. и Киуси, Н. Выпрямляющий механизм Авирам-Ратнера для секвенирования пар оснований ДНК через графеновые нанощели. Нанотехнологии. 23, 135202 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • Вентра, М.Д. и Зволак, М. ДНК-электроника. J. Nanosci. Nanotechnol. 2, 475–493 (2004).

    Google ученый

  • Hu, Ch. Современные полупроводниковые приборы для интегральных схем. [Ченмин К. Ху (1-е изд.)]. Глава 4, 89–156 (2009).

  • Аль-Та’ии, Х. М. Дж., Периасами В. и Амин Ю. М. Обнаружение альфа-частиц с использованием соединений ДНК / А1 Шоттки. J. Appl. Phys. 118, 114502 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • Занг, Д.Ю. и Гроте, Дж. Г. Фотоэлектрический эффект и вольт-амперные характеристики в барьерах Шоттки ДНК-металл. SPIE.Org. Photonic Mater. Устройства IX. 64700A64701-64710 (2007).

  • Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами В. и Амин Ю. М. Зависимые от влажности характеристики клеток поверхностного типа Al / ДНК / Al на основе тонкой пленки ДНК. Датчики и исполнительные механизмы. Б. 232, 195–202 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Аль-Та’ии, Х.М. Дж., Периасами В. и Амин Ю. М. Влажность влияла на емкость и сопротивление диода Шоттки Al / ДНК / Al, облученного альфа-частицами. Sci. Реп.6, 25519, DOI: 10.1038 / srep25519 (2016).

    CAS ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья PubMed PubMed Central Google ученый

  • Аль-Таи, Х. М. Дж., Амин, Ю. М. и Периасами, В. Расчет электронных параметров диода с барьером Шоттки Al / ДНК / p-Si под действием альфа-излучения.Датчики. 15. С. 4810–4822 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами, В. и Амин, Ю. М. Электронная характеристика металлического полупроводника-металлического диода Au / ДНК / ITO и его применение в качестве датчика излучения. PLOS ONE. DOI: 10.1371 / journal.pone.0145423 (2015).

  • Аль-Таи, Х. М. Дж., Периасами В. и Амин Ю. М. Электронные свойства диодов с барьером Шоттки на основе ДНК в ответ на альфа-частицы.Сенсоры, 15, 11836–11853 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Бьюкенен П. К. Идентификация, названия и номенклатура обычных съедобных грибов. In-Mushroom Biology and Mushroom Products, eds. С. Чанг, Дж. А. Басуэлл, С. Чиу. Издательство Китайского университета, Гонконг. 21–32 (1993).

  • Авин, Ф. А., Бхасу, С., Шин, Т. Ю., Сабаратнам, В. Молекулярная классификация и филогенетические отношения отдельных съедобных видов базидомицетов.Mol Biol Rep. 39, 7355–7346 (2012).

    CAS Статья Google ученый

  • Джуниор, Н. М., Асаи, Т., Капелари, М. и Паккола Мейреллес, Л. Д. Морфологическая и молекулярная идентификация четырех бразильских коммерческих изолятов Pleurotus spp. и выращивание кукурузного початка. Braz. Arch. Биол. Technol. 2010. Т. 53. С. 397–408.

    Артикул Google ученый

  • Зервакис, Г.И Балис, С.А. Плюралистический подход к изучению видов Pleurotus с акцентом на совместимость и физиологию европейских морфотаксов. Mycol Res. 100, 717–731 (1996).

    Артикул Google ученый

  • Бао, Д. П., Исихара, Х., Мори, Н. и Китамото, Ю. Филогенетический анализ вешенки ( Pleurotus spp.) На основе полиморфизма длин рестрикционных фрагментов 5′-части 26S рДНК.J Wood Sci. 50, 169–176 (2004).

    CAS Статья Google ученый

  • Перейра, Ф., Карнейро, Дж. И Аморим, А. Идентификация видов с помощью технологии на основе ДНК: текущий прогресс и проблемы. Последние данные Pat DNA Gene Seq. 2, 187–200 (2008).

    CAS Статья Google ученый

  • Wilfinger, W. W., Mackey, K. & Chomczynski, P. Влияние pH и ионной силы на спектрофотометрическую оценку чистоты нуклеиновых кислот.Биотехнологии. 22, 474–481 (1997).

    CAS Статья Google ученый

  • Герберт, Б. Майклсон. Журнал прикладной физики 48, 4729–4733 (1977).

    Артикул Google ученый

  • Редди В. Р., Редди М. С. П., Лакшми Б. П. и Кумар А. А. Электрические характеристики структур металл-полупроводник Au / n-GaN и металл-диэлектрик-полупроводник Au / SiO2 / n-GaN.J. Сплавы. Compd. 509, 8001–8007 (2011).

    CAS Статья Google ученый

  • Гупта Р. и Якуфаноглу Ф. Фотопроводящий диод Шоттки на основе Al / p-Si / SnS2 / Ag для оптических датчиков. Sol. Энергия. 86, 1539–1545 (2012).

    CAS ОБЪЯВЛЕНИЯ Статья Google ученый

  • Зе, С. М. и Нг, К. К. Физика полупроводниковых приборов. Джон Вили и сыновья (2006).

  • Вилгарис, Р. и Сан, Б. Л. Древние и современные образцы географического видообразования вешенки Pleurotus, выявленные филогенетическим анализом последовательностей рибосомной ДНК. Proc. Нати. Акад. Sci. USA 91, 4599–4603 (1994).

    ADS Статья Google ученый

  • Tuğluoğlu, N. & Karadeniz, S. Анализ вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик контактов Шоттки периленмоноимид / n-Si.Curr. Прил. Phys. 12. С. 1529–1535 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • Тахир, М., Сайяд, М. Х., Шахид, М., Чаудри, Дж. А. и Мунавар, А. Изготовление Al / N-BuHHPDI / ITO барьерного диода Шоттки и исследование его электрических свойств. Международная конференция по достижениям в области электротехники и электроники (ICAEEE’2012) 4 (2012).

  • Аль-Таи, Х. М. Дж., Амин, Ю. М. и Периасами, В.Исследование электрических свойств структур Al-ДНК-ITO-Al при воздействии альфа-частиц. Radiat. Измер. 72, 85–94 (2015).

    Артикул Google ученый

  • Что такое диод Шоттки? — Характеристики и применение

    Диод Шоттки

    Символ диода Шоттки немного отличается от символа диода с P-N переходом. Катодная линия расширена, чтобы напоминать S. Ток, , по-прежнему измеряется через диод от анода к катоду.Напряжение на диоде v все еще измеряется от анода до катода.

    Катод имеет форму буквы S.

    Поведение диода все еще очень хорошо моделируется уравнением диода.

    В этом уравнении ток i равен току насыщения , I , умноженному на экспоненту минус 1.Ток насыщения — это небольшой ток, протекающий через диод, даже когда диод выключен. Напряжение, В, Т, , представляет собой эквивалентное тепловое напряжение. При комнатной температуре В T ≅ 0,26 В.

    Для диода с прямым переходом, I 10-9 ампер. Для диода Шоттки это значение составляет примерно 10-5 ампер (в 10 000 раз больше). Подстановка этих значений в уравнение диода дает следующие графики i против v для каждого диода.

    Диод Шоттки (синяя линия) ближе к идеальному диоду

    Зеленая линия — диод P-N перехода. Мы видим напряжение включения примерно 0,7 вольта. Напряжение включения — это точка, в которой кривая резко меняет направление. При этом напряжении диод начинает проводить ток. В идеальном диоде напряжение включения было бы 0 вольт. Диод Шоттки (синяя линия) имеет напряжение включения примерно 0.3 вольта.

    Это низкое напряжение включения делает диод Шоттки привлекательным диодом для выпрямителей напряжения . Выпрямитель напряжения использует диоды для преобразования переменного тока в постоянный ток . Переменный ток — это ток в ваших розетках. Что касается постоянного тока, подумайте о батарее. Примером выпрямителя напряжения является адаптер переменного тока , который подключается к стене и заменяет (или заряжает) батарею в вашем компьютере и мобильном телефоне.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.