C4106 транзистор характеристики: 2SC4106 , , datasheet, , , C4106

Содержание

2sc5148 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3DA4544O — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DA4544O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO220F

3DA4544O


Datasheet (PDF)

3.1. 3da4544.pdf Size:29K _update_bjt

查询»3DA4544″供应商
华晶分立器件 3DA4544
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DA4544 硅 NPN 型高频高压大功率晶体管 适用于彩色电视机色输出电路及行推动电路 其
特点如下
击穿电压高
反向漏电流小
饱和压降低
4.5
10 0.1
封装形式 TO-220F
2.7
2 电特性
2.1 极限值
3.2
除非另有

5.1. ztx458 3da458.pdf Size:226K _update

ZTX458(3DA458) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于中功率高电压电路。
Purpose: Medium power high voltage applications.
特点: 反向击穿电压高,集电极耗散功率大。
Features: High V , high P .
CEO C
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 400 V
CBO
V 400 V
CEO
V 5.0

5.2. ztx450 3da450.pdf Size:373K _update

ZTX450(3DA450) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于中功率放大。/Purpose: Medium power amplifier applications.
特点:高集电极直流电流和集电极耗散功率。/Features: High P and I .
C C
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 60 V
CBO
V 45 V
CEO
V 5.0 V
EBO
I 1.0 A
C

Другие транзисторы… FA1L3Z-L37
, FA1L3Z-L38
, KSC5802D
, KTC601UY
, NP061A3
, 2SD1710C
, 3DD2553
, 3DA4544R
, 2SC945
, 3DA4544Y
, CHT807PTQ

, CHT807PTR
, CHT807PTS
, FJP3305h3
, RD9FE-R
, RD9FE-T
, RD9FE-V
.

Биполярный транзистор 2SC4467 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC4467

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO218

2SC4467


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4467.pdf Size:169K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC4467 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SILICON NPN TRIPLE
DIFFUSED PLANAR
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC 2SC4467 is a silicon NPN triple diffused planar
transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the
customers with high DC current gain and high collector-base
breakdown voltage, etc.
The UTC 2SC4467 is suitable for audio and gen

1.2. 2sc4467.pdf Size:192K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4467
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SA1694
APPLICATIONS
·Audio and general purpose
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO C

 1.3. 2sc4467.pdf Size:24K _sanken-ele

2SC4467
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)
Application : Audio and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4467 Unit Symbol Conditions 2SC4467 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
VCBO 160 V ICBO VCB=160V 10max A 9.6 2.0
IEBO
VCEO 120 V VEB=6V 10max A
V(BR)C

1.4. 2sc4467.pdf Size:194K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4467
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V = 120V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SA1694
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation

APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications
ABSOLUTE MA

Другие транзисторы… 2SC4453
, 2SC4454
, 2SC4455
, 2SC446
, 2SC4462
, 2SC4463
, 2SC4464
, 2SC4466
, S8550
, 2SC447
, 2SC4470
, 2SC4471
, 2SC4473
, 2SC4474
, 2SC4475
, 2SC4476
, 2SC4477
.

2SC5589 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5589.pdf Size:298K _toshiba

2SC5589
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5589
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
Unit: mm
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Co

4.1. 2sc5588.pdf Size:331K _toshiba

2SC5588
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5588
Unit: mm
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER
HIGH RESOLUTION DISPLAY
COLOR TV FOR DIGITAL TV & HDTV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTER

4.2. 2sc5587.pdf Size:332K _toshiba

2SC5587
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5587
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
Unit: mm
RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.)
CE (sat)
High Speed : t (2) = 0.1 µs (Typ.)
f
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT

 4.3. 2sc5585 2sc5663.pdf Size:68K _rohm

2SC5585 / 2SC5663
Transistors
Low frequency transistor (12V, 0.5A)
2SC5585 / 2SC5663
The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes.
External dimensions (Unit : mm)
Applications
For switching
2SC5585
For muting
(1)
(2)
(3)
0.8
Features
1.6
1) High current.
2) Low VCE(sat).
0.1Min.
(1) Emitter
R

4.4. 2sc5584.pdf Size:45K _panasonic

Power Transistors
2SC5584
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.5)
2.00.3

2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C

 4.5. 2sc5580.pdf Size:43K _panasonic

Transistors
2SC5580
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For high-frequency oscillation / switching
0.3+0.1 0.15+0.10
0.05
0.0
3
Features
High transition frequency fT
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
(0.65) (0.65)
packing.
1.30.1
2.00.2
10
Absolute Maximum Ratings Ta =

4.6. 2sc5583.pdf Size:46K _panasonic

Power Transistors
2SC5583
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
20.00.5 5.00.3
(3.0)
? 3.30.2
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a

glass passivation layer
(1.5)
High-speed switching
Wide area of safe operation (ASO) (1.5)
2.00.3
2.70.3
3.00.3
1.00.2
Absolute Maximum Ratings TC = 25C

4.7. 2sc5585.pdf Size:198K _secos

2SC5585
0.5A , 15V
NPN Silicon General Purpose Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen and lead free
SOT-523
FEATURES
High Current.
Low VCE(sat). VCE(sat)?0.25V (@IC=200mA / IB=10mA)
A
Complement of 2SC4738. M
3
3
Top View C B
Application
1
1 2
General Purpose Amplification.
L 2
K
E
MARKING
D
H J

4.8. 2sc5586 2sc5830 2sc5924.pdf Size:1332K _sanken-ele

4.9. 2sc5584.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5584

DESCRIPTION
·Silicon NPN triple diffusion mesa type
·High Switching Speed
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for horizontal deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

4.10. 2sc5585.pdf Size:204K _lge

2SC5585
SOT-523 Transistor(NPN)
1. BASE
SOT-523
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Features

High current.

Low VCE(sat). VCE(sat)?250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MARKING: BX
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector- Base Voltage 15 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V
VEBO Emitter-Base Vol

4.11. 2sc5585.pdf Size:192K _wietron

2SC5585
NPN TRANSISTOR
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
FEATURES:
SOT-523(SC-75)
* High current.
* Low VCE(sat). VCE(sat).250mV at IC = 200mA / IB = 10mA
MAXIMUM RATINGS (TA=25°Cunless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Units
Collector-Base Voltage VCBO 15 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V
Emitter-Base Voltage VEBO 6 V
Collector Current –Continuous IC 500 mA
Collector Dissipatio

Биполярный транзистор 2SC4123 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC4123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO218

2SC4123


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4123.pdf Size:93K _sanyo

Ordering number:EN2956
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4123
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2039D
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
16.0
5.6
3.4
On-chip damper dio

1.2. 2sc4123.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4123
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

 4.1. 2sc4124.pdf Size:98K _sanyo

Ordering number:EN2962
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4124
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
Adoption of MBIT process.
unit:mm
On-chip damper diode.
2039D
High breakdown voltage (VCBO=1500V).

High speed (tf=100ns typ).
16.0
5.6
3.4
High reliability (Adoption of HVP proces

4.2. 2sc4121.pdf Size:89K _sanyo

 4.3. 2sc4125.pdf Size:88K _sanyo

4.4. 2sc4126.pdf Size:47K _hitachi

2SC4126
Silicon NPN Epitaxial
Application
VHF and UHF wide band amplifier
Outline
MPAK-4
2
3
1
1. Collector
4
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
2SC4126
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 15 V
Collector to emitter voltage VCEO 11 V
Emitter to base voltage VEBO 2V
Collector current IC 50 mA
Collector power dissipation PC 150

 4.5. 2sc4124.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4124
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

4.6. 2sc4129.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4129
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PAR

4.7. 2sc4125.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4125
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for very high-definition color display horizontal
deflection output applicaitions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы… 2SC4116
, 2SC4117
, 2SC4118
, 2SC4119
, 2SC412
, 2SC4120
, 2SC4121
, 2SC4122
, BC548
, 2SC4124
, 2SC4125
, 2SC4126
, 2SC4127
, 2SC4128
, 2SC4129
, 2SC413
, 2SC4130
.

2SC5478 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5478.pdf Size:35K _panasonic

Power Transistors
2SC5478
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
Unit: mm
15.5 0.5 3.0 0.3
? 3.2 0.1
Features
5 5
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
High-speed switching
5
Wide area of safe operation (ASO)
5
4.0
5
2.0 0.2
1.1 0.1
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.7 0.1
Paramet

4.1. 2sc5476.pdf Size:40K _sanyo

Ordering number:EN6069
NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor
2SC5476
85V/3A Driver Applications
Applications Package Dimensions
Suitable for use in switching of L load (motor
unit:mm
drivers, printer hammer drivers, relay drivers).
2041A

Features
4.5
10.0
2.8
High DC current gain.
3.2
Large current capacity and wide ASO.
Contains a Zener diode of

4.2. 2sc5472 e.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC5472 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
2.1 0.1
0.425 1.25 0.1 0.425
Features
High transition frequency fT.
1
High gain of 8.2dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
3
pager.
2
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automa

 4.3. 2sc5472.pdf Size:52K _panasonic

Transistors
2SC5472
Silicon NPN epitaxial planer type
Unit: mm
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
0.3+0.1 0.15+0.10
0.05
0.0
3
Features
High transition frequency fT
High gain of 8.2 dB and low noise of 1.8 dB at 3 V
1 2
Optimum for RF amplification of a portable telephone and pager
(0.65) (0.65)
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment a

4.4. 2sc5474 e.pdf Size:37K _panasonic

Transistor
2SC5474 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
1.6 0.15
0.4 0.8 0.1 0.4
Features
High transition frequency fT.
1
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
3
pager.
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
2
and automati

 4.5. 2sc5474.pdf Size:34K _panasonic

Transistor
2SC5474 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
1.6 0.15
0.4 0.8 0.1 0.4
Features
High transition frequency fT.
1
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
3
pager.
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
2
and automati

4.6. 2sc5473 e.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC5473 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
2.1 0.1
0.425 1.25 0.10 0.425
Features
High transition frequency fT.
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
pager.
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic inse

4.7. 2sc5473.pdf Size:34K _panasonic

Transistor
2SC5473 (Tentative)
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage low-noise high-frequency oscillation
Unit: mm
2.1 0.1
0.425 1.25 0.10 0.425
Features
High transition frequency fT.
High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.
Optimum for RF amplification of a portable telephone and
pager.
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic inse

4.8. 2sc5470.pdf Size:42K _hitachi

2SC5470
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizontal Deflection Output
ADE-208-672 (Z)
1st. Edition
Oct. 1, 1998
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.15 sec(typ.) at fH=64kHz
Outline
TO3PFM
1. Base
2. Collector
1
3. Emitter
2
3
2SC5470
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base vol

4.9. 2sc5477.pdf Size:116K _isahaya

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
http://www.idc-com.co.jp
6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN
??Keep safety in your circuit designs !
?
Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable,
but there is always the possibility that trouble may occur

4.10. 2sc5477.pdf Size:779K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5477
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=50mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=20V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 30
Collect

2SC4467 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4467.pdf Size:169K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC4467 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SILICON NPN TRIPLE
DIFFUSED PLANAR
TRANSISTOR
? DESCRIPTION
The UTC 2SC4467 is a silicon NPN triple diffused planar
transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the
customers with high DC current gain and high collector-base
breakdown voltage, etc.
The UTC 2SC4467 is suitable for audio and gen

1.2. 2sc4467.pdf Size:192K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4467
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Complement to type 2SA1694
APPLICATIONS
·Audio and general purpose
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO C

 1.3. 2sc4467.pdf Size:24K _sanken-ele

2SC4467
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)
Application : Audio and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4467 Unit Symbol Conditions 2SC4467 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
VCBO 160 V ICBO VCB=160V 10max A 9.6 2.0
IEBO
VCEO 120 V VEB=6V 10max A
V(BR)C

1.4. 2sc4467.pdf Size:194K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4467
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V = 120V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SA1694
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications
ABSOLUTE MA

2SC4977 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4977.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4977
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 400V(Min)
·Fast Switching Speed
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 4.0A
APPLICATIONS
·Designed for use in high-voltage, high-speed , power
switching in inductive circuit , they are parti

4.1. 2sc4976.pdf Size:31K _sanyo

Ordering number : ENN5507B
2SA1875 / 2SC4976
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1875 / 2SC4976
High-Definition CRT Display
Video Output Applications
Features Package Dimensions
High fT : fT=400MHz(typ). unit : mm
High breakdown voltage : VCEO?200V(min). 2045B
Large current capacitance.
[2SA1875 / 2SC4976]
Small reverse transfer capacitance and excellent high
6.5

4.2. 2sc4976.pdf Size:1227K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC4976
TO-252
Unit: mm
+0.15
6.50-0.15
+0.1
2.30 -0.1
+0.2
5.30-0.2 +0.8
0.50 -0.7
■ Features
● High fT : fT=400MHz(typ).
● High breakdown voltage
● Large current capacitance. 0.127
+0.1
0.80-0.1
max
● Complementary to 2SA1875
+ 0.1
1 Base
2.3 0.60- 0.1
+0.15
4.60 -0.15
2 Collector
3 Emitter
■ Absolute Maximum Rati

Биполярный транзистор 2SC5253 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5253

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 9

Корпус транзистора: TO220

2SC5253


Datasheet (PDF)

4.1. 2sc5255.pdf Size:180K _toshiba

2SC5255
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5255
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.2. 2sc5256ft.pdf Size:104K _toshiba



 4.3. 2sc5257.pdf Size:126K _toshiba



4.4. 2sc5256.pdf Size:164K _toshiba



 4.5. 2sc5259.pdf Size:182K _toshiba



4.6. 2sc5254.pdf Size:177K _toshiba

2SC5254
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5254
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.7. 2sc5258.pdf Size:103K _toshiba



4.8. 2sc5251.pdf Size:35K _hitachi

2SC5251
Silicon NPN Triple Diffused Planar
Preliminary
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.2 sec (typ)
Isolated package
TO-3PFM (N)
Outline
TO-3PFM (N)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5251
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector

4.9. 2sc5252.pdf Size:38K _hitachi

2SC5252
Silicon NPN Triple Diffused Planar
ADE-208-391A (Z)
2nd. Edition
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.15 sec(typ.)
Isolated package
TO3PFM
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5252
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit

4.10. 2sc5250.pdf Size:71K _hitachi

Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freet

4.11. 2sc5252.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5252
DESCRIPTION
·High speed switching
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
V Collector-Emitter Vo

4.12. 2sc5250.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5250
DESCRIPTION
·Silicon NPN diffused planar transistor
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
AB

4.13. 2sc5259.pdf Size:1007K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5259
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=15mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

4.14. 2sc5254.pdf Size:1019K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5254
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=40mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC5682 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5682.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6608A
2SC5682
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5682
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7

4.1. 2sc5684.pdf Size:126K _toshiba



4.2. 2sc5689.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6654A
2SC5689
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5689
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
On-chip damper diode. 16.0
3.

 4.3. 2sc5681.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6607A
2SC5681
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5681
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7

4.4. 2sc5683.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6653A
2SC5683
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5683
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

 4.5. 2sc5680.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6652A
2SC5680
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5680
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.6. 2sc5686.pdf Size:75K _panasonic

Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
Unit: mm
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5?
5?
Features
High breakdown voltage: VCBO ? 2 000 V
High-speed switching: tf 4.7. 2sc5689.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5689
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO

2SC5686 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5686.pdf Size:75K _panasonic

Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
Unit: mm
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5?
5?
Features
High breakdown voltage: VCBO ? 2 000 V
High-speed switching: tf 4.1. 2sc5684.pdf Size:126K _toshiba



4.2. 2sc5689.pdf Size:29K _sanyo

Ordering number : ENN6654A
2SC5689
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5689
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
On-chip damper diode. 16.0
3.

 4.3. 2sc5681.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6607A
2SC5681
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5681
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7

4.4. 2sc5682.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6608A
2SC5682
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5682
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.7

 4.5. 2sc5683.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6653A
2SC5683
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5683
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.6. 2sc5680.pdf Size:28K _sanyo

Ordering number : ENN6652A
2SC5680
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC5680
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2174A
High reliability(Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
5.6
3.4
16.0
3.1
2.8
2.0 2.1
0.9
0.

4.7. 2sc5689.pdf Size:214K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5689
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Color TV horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO

2SC4123 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4123.pdf Size:93K _sanyo

Ordering number:EN2956
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4123
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2039D
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
16.0
5.6
3.4
On-chip damper dio

1.2. 2sc4123.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4123
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

 4.1. 2sc4124.pdf Size:98K _sanyo

Ordering number:EN2962
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4124
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
Adoption of MBIT process.
unit:mm
On-chip damper diode.
2039D
High breakdown voltage (VCBO=1500V).

High speed (tf=100ns typ).
16.0
5.6
3.4
High reliability (Adoption of HVP proces

4.2. 2sc4121.pdf Size:89K _sanyo

 4.3. 2sc4125.pdf Size:88K _sanyo

4.4. 2sc4126.pdf Size:47K _hitachi

2SC4126
Silicon NPN Epitaxial
Application
VHF and UHF wide band amplifier
Outline
MPAK-4
2
3
1
1. Collector
4
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
2SC4126
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 15 V
Collector to emitter voltage VCEO 11 V
Emitter to base voltage VEBO 2V
Collector current IC 50 mA
Collector power dissipation PC 150

 4.5. 2sc4124.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4124
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition CRT display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

4.6. 2sc4129.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4129
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PAR

4.7. 2sc4125.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4125
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for very high-definition color display horizontal
deflection output applicaitions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Оцените статью:

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс (+) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс (+) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (красный) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный (+) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

  • Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

  • Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

  • Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

Как проверить транзистор 2n3055 — Инженер ПТО

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Для проверки транзисторов имеется множество специализированных испытателей, измерителей и подобных им дорогостоящих приборов. Здесь рассказывается о том, как доступным прибором проверяется работоспособность или определится назначение выводов. Имеющееся у некоторых моделей специальное гнездо для подключения транзистора позволяет снять его характеристики, но для проверки работоспособности достаточно двух щупов со шнурами. Черный провод подключается на вход COM мультиметра, а красный включатся в гнездо измерения сопротивления. Включен режим измерения диодов, либо в режим измерения сопротивления на пределе 2000 Ом.

Важно иметь представление об устройстве и принципе работа проверяемого транзистора и доступ к справочным материалам.

Что такое транзистор? Основные типы

Транзистором назван полупроводниковый радиоэлектронный компонент для преобразования тока в усилительном, когда большой выходной сигнал меняется пропорционально малому входному, или ключевом, когда транзистор полностью открыт или закрыт в зависимости от наличия входного сигнала, режимах. Применительно к технологии изготовления можно разделить на биполярные и полевые радиоэлементы. Биполярные компоненты бывают прямой (p-n-p) либо обратной (n-p-n) проводимости. Приборы полевые могут быть n-типа или p-типа, с изолированным или встроенным каналом.

Проверка исправности конкретного транзистора требует некоторых познаний в электронике. Достаточно просто прозвонить выводы транзистора как электрическую цепь, чтобы убедиться, что транзистор исправен. Щуп с черным проводом подключается на вход COM прибора. К входу измерения сопротивления подключен красный провод.

Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Проверка биполярного транзистора мультиметром позволяет выявить неисправный компонент или определить расположение выводов (коллектор К, эмиттер Э и база Б). Чтобы знать, как проверить работоспособность, необходимо представить аналог схемы транзистора в виде двух встречно (p-n-p) или обратно (n-p-n) подключенных диодов со средней точкой, которая эквивалентна выводу базы. А оставшиеся два идентичны выводам эмиттера и коллектора. У транзисторов прямой проводимости на базе соединяются катоды («палочки» по схеме), а с обратной проводимостью аноды («стрелочки»). При подсоединении к аноду диода красного (плюсового провода), а черного к катоду тестер покажет на индикаторе какое-то значение. Если оно очень маленькое, значит, измеряемый диод пробит. А если очень большое, тогда диод в обрыве.

Нормальные значения сопротивления эмиттерного или коллекторного перехода лежат в пределах 0,4 — 1,6 кОм в зависимости от конкретного транзистора. Попарным соединением выводов транзистора с щупами мультиметра определяют пары выводов «Б-Э» и «Б-К». Сопротивление перехода К-Э всегда очень велико. Если пара не находится или сопротивление перехода коллектор-эмиттер небольшое, значит транзистор не исправен. Стоит учитывать, что сопротивление коллектора по отношению к базе всегда меньше сопротивления перехода Б-Э, что поможет определиться с цоколевкой исправной детали.

Вышесказанное справедливо как при проверке транзистора прямой проводимости, так и транзистора структуры n-p-n. В последнем случае измерения проводятся с подсоединением проводов тестера в обратной полярности.

Как проверить полевой транзистор

У полевых транзисторов выводы называются сток (С), исток (И) и затвор (З). Несмотря на то, что физика работы отличается от биполярного, при проверке на исправность также можно использовать диодный эквивалент схемы.

Схема проверки полевого транзистора p-типа аналогична испытанию с p-n-p. Перед проверкой необходимо соединить все выводы для разряда емкостей переходов. Сопротивление при подключении щупов к парам выводов «С, З» и «И, З» должно показываться только в одном из направлений. Подсоединяем черный щуп к выводу «С», а красный к вывод «И». Величину показанного сопротивления (400-700 Ом)нужно запомнить. После этого на секундочку соединяем красный провод с затвором, тем самым открывая переход. После этого замеряем сопротивление перехода. Его уменьшение говорит о том, что транзистор частично открылся. Теперь так же соединяем черный провод с выводом «З» и закрываем переход. Восстановление первоначального значения сопротивления перехода свидетельствует об исправности радиодетали. Отличие проверки полевика n-типа заключается только в перемене полярности подключения щупов прибора.

При тестировании полевых транзисторов с изолированным затвором проверяется отсутствие проводимости между затвором и истоком. Потом объединяем исток с затвором. Двухсторонняя проводимость появится у транзистора обедненного типа. У деталей обогащенного типа проводимость будет односторонняя.

Проверка мультиметром составного транзистора

Как проверить транзистор Дарлингтона? Проверить составной транзистор можно так же как биполярный, цифровым мультиметром с прозвонкой транзисторов в режиме проверки диодов. Отличие лишь в том, что прямое напряжение паре выводов Б-Э должно составлять 1,2-1,4 вольта. Если имеющийся прибор не может этого обеспечить, проверка невозможна. И тогда лучше воспользоваться элементарным пробником с использованием батареи 12 В, резистора номиналом 22 кОм включенного в базу и автомобильной лампочки мощностью 5 Вт. Далее подсоединяем «минус» источника к эмиттеру, а коллектор соединяем с лампой. Второй вывод лампы включаем в «плюс» батареи. Если подсоединить резистор к плюсовой клемме лампочка засветится. Теперь резистор переключаем на «плюс» — лампочка погасла. Это означает, что проверяемый транзистор исправен.

Как проверить транзистор, не выпаивая из монтажа

Проверить транзистор мультиметром можно после проверки схемы для выявления вероятного закорачивания выводов проверяемого элемента низкоомными резисторами. Если таковые обнаружатся, деталь для проверки придется выпаять. Если нет – проверка выполняется вышеописанными методами, но достоверность тестирования будет мала. Иногда достаточно отпайки вывода базы.

Полевые транзисторы лучше проверять отдельно от платы. Они очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому необходимо пользоваться антистатическим браслетом.

Как проверить транзистор без мультиметра

Проверка транзистора без использования мультиметра возможна не всегда. Применение при измерениях лампочек и источников питания может с высокой вероятностью вывести из строя проверяемый элемент.

Проверка транзистора биполярного типа может быть сделана простейшей контролькой из батарейки 4,5 В, «минус» которой соединен с лампочкой от карманного фонаря. Попарно подключаете «плюс» и второй контакт лампы к выводам. Если при подключении в любой полярности к паре «К-Э» лампа не загорается — переход исправен. Подключить через ограничительный резистор «плюс» на «Б». Лампу поочередно соединяем с выводами «Э» или «К» и проверяем эти переходы. Чтобы протестировать транзистор другой структуры, изменяем полярность подключения.

Эффективно использовать для проверки транзисторов приборы, сделанные своими руками и схемы которых достаточно доступны.

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Проверка транзистора с помощью транзисторметра

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Как прозвонить строчный транзистор. Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром

Содержание:

В электронике и радиотехнике большое значение имеет не только правильная сборка схемы, но и последующая проверка ее работоспособности. Проверяться может все устройство или его отдельные элементы. В связи в этим довольно часто возникает вопрос, как проверить транзистор мультиметром, не нарушая схемы. Существуют различные способы, которые применяются индивидуально к каждому виду элементов. Прежде чем начинать подобную проверку и тестирование, рекомендуется изучить общее устройство и .

Основные типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов — биполярные и полевые. В первом случае выходной ток создается при участии носителей обоих знаков (дырок и электронов), а во втором случае — только одного. Определить неисправность каждого из них поможет прозвонка транзистора мультиметром.

Биполярные транзисторы по своей сути являются полупроводниковыми приборами. Они оборудованы тремя выводами и двумя р-п-переходами. Принцип действия этих устройств предполагает использование положительных и отрицательных зарядов — дырок и электронов. Управление протекающими токами выполняется с помощью специально выделенного управляющего тока. Данные устройства широко применяются в электронных и радиотехнических схемах.

Биполярные транзисторы состоят из трехслойных полупроводников двух типов — «р-п-р» и «п-р-п». Кроме того в конструкции имеется два р-п-перехода. Соединение полупроводниковых слоев с внешними выводами осуществляется через невыпрямляющие полупроводниковые контакты. Средний слой считается базой, которая подключается к соответствующему выводу. Два слоя, расположенные по краям, также подключены к выводам — эмиттеру и коллектору. На электрических схемах для обозначения эмиттера используется стрелка, показывающая направление тока, протекающего через транзистор.

В разных типах транзисторов у дырок и электронов — носителей электричества могут быть собственные функции. Более всего распространен тип п-р-п из-за лучших параметров и технических характеристик. Ведущую роль в таких устройствах играют электроны, выполняющие основные задачи по обеспечению всех электрических процессов. Они примерно в 2-3 раза более подвижные, чем дырки, поэтому и обладают повышенной активностью. Качественные улучшения приборов происходят также за счет площади перехода коллектора, которая значительно больше площади перехода эмиттера.

В каждом биполярном транзисторе имеется два р-п-перехода. Когда выполняется проверка транзистора мультиметром, это позволяет проверять работоспособность устройств, контролируя значения сопротивлений переходов при подключении к ним прямого и обратного напряжения. Для нормальной работы п-р-п-устройства на коллектор подается положительное напряжение, под действием которого открывается базовый переход. После возникновения базового тока, появляется коллекторный ток. При возникновение в базе отрицательного напряжения, транзистор закрывается и течение тока прекращается.


Базовый переход в р-п-р-устройствах открывается под действием отрицательного напряжения на коллекторе. Положительное напряжение дает толчок для закрытия транзистора. Все необходимые коллекторные характеристики на выходе можно получить, плавно изменяя значения тока и напряжения. Это позволяет эффективно проверить биполярный транзистор тестером.

Существуют электронные устройства, все процессы в которых управляются действием электрического поля, направленного перпендикулярно току. Эти приборы называются полевыми или униполярными транзисторами. Основными элементами являются три контакта — исток, сток и затвор. Конструкция полевого транзистора дополняется проводящим слоем, исполняющим роль канала, по которому течет электрический ток.

Данные устройства представлены модификациями «р» или «п»-канального типа. Каналы могут располагаться вертикально или горизонтально, а их конфигурация бывает объемной или приповерхностной. Последний вариант также разделяется на инверсионные слои, содержащие обогащенные и обедненные. Формирование всех каналов происходит под воздействием внешнего электрического поля. Устройства с приповерхностными каналами имеют структуру, в состав которой входит металл-диэлектрик-полупроводник, поэтому они называются МДП-транзисторами.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Проверку работоспособности биполярного транзистора можно выполнить с помощью цифрового мультиметра. Этим прибором проводятся измерения постоянных и переменных токов, а также напряжение и сопротивление. Перед началом измерений прибор нужно правильно настроить. Это позволит более эффективно решить проблему, как проверить биполярный транзистор мультиметром не выпаивая.

Современные мультиметры могут работать в специальном режиме измерения, поэтому на корпусе изображается значок диода. Когда решается вопрос, как проверить биполярный транзистор тестером, устройство переключается в режим проверки полупроводников, а на дисплее должна отображаться единица. Выводы устройства подключаются так же, как и в режиме измерения сопротивления. Провод черного цвета соединяется с портом СОМ, а провод красного цвета — с выходом, измеряющим сопротивление, напряжение и частоту.

В мультиметрах старой конструкции функция проверки диодов и транзисторов может отсутствовать. В таких случаях все действия проводятся в режиме измерения сопротивления, установленном на максимум. До начала работы батарея мультиметра должна быть заряжена. Кроме того, нужно проверить исправность щупов. Для этого их кончики соединяются между собой. Писк устройства и нули, отображенные на дисплее, свидетельствуют об исправности щупов.

Проверка биполярного транзистора мультиметром выполняется в следующем порядке:

  • Прежде всего, нужно правильно соединить выводы мультиметра и транзистора. Для этого необходимо точно определить, где находятся база, коллектор и эмиттер. Чтобы определить базу, щуп черного цвета подключается к первому электроду, который предположительно считается базовым. Другой щуп красного цвета поочередно подключается вначале ко второму, а затем к третьему электроду. Щупы меняются местами до тех пор, пока прибор не определит падение напряжения. После этого окончательно проводится проверка биполярного транзистора мультиметром и определяются пары: «база-эмиттер» или «база-коллектор». Электроды эмиттера и коллектора определяются с помощью цифрового мультиметра. В большинстве случаев падение напряжения и сопротивление у эмиттерного перехода выше, чем у коллектора.
  • Определение р-п-перехода «база-коллектор»: щуп красного цвета подключен к базе, а черный — к коллектору. Такое соединение работает в режиме диода и пропускает ток лишь в одном направлении.
  • Определение р-п-перехода «база-эмиттер»: красный щуп остается подключенным к базе, а щуп черного цвета нужно подключить к эмиттеру. Так же, как и в предыдущем случае, при таком соединении ток проходит только при прямом включении. Это подтверждает проверка npn транзистора мультиметром
  • Определение р-п-перехода «эмиттер-коллектор»: в случае исправности данного перехода сопротивление на этом участке будет стремиться к бесконечности. На это указывает единица, отображенная на дисплее.
  • Подключение мультиметра осуществляется к каждой паре контактов в двух направлениях. То есть транзисторы р-п-р типа проверяются путем обратного подключения к щупам. В этом случае к базе подключается черный щуп. После измерений полученные результаты сравниваются между собой.
  • После того как проведена проверка pnp транзистора мультиметром, работоспособность биполярного транзистора подтверждается, когда при измерении одной полярности мультиметр показывает конечное сопротивление, а при замерах обратной полярности получается единица. Данная проверка не требует выпаивания детали из общей платы.

Очень многие пытаются решить вопрос, как проверить транзистор без мультиметра с помощью лампочек и других устройств. Этого делать не рекомендуется, поскольку элемент с высокой вероятностью может выйти из строя.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Полевые транзисторы нашли широкое применение в аудио и видеоаппаратуре, мониторах и блоках питания. От их работоспособности зависит функционирование большинства электронных схем. Поэтому в случае каких-либо неисправностей выполняется проверка этих элементов различными способами, в том числе и проверка транзисторов без выпайки из схемы мультиметром.

Типовая схема полевого транзистора представлена на рисунке. Основные выводы — затвор, сток и исток могут быть расположены по-разному, в зависимости от марки транзистора. При отсутствии маркировки, необходимо уточнить справочные данные, касающиеся той или иной модели.

Основной проблемой, возникающей при ремонте электронной аппаратуры с полевыми транзисторами, является проверка транзистора мультиметром не выпаивая. Как правило неисправности касаются полевых транзисторов с высокой мощностью, которые используются в блоках питания. Кроме того, эти устройства очень чутко реагируют на статические разряды. Поэтому перед решением вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром на плате, следует надеть специальный антистатический браслет и ознакомиться с правилами техники безопасности при выполнении этой процедуры.

Проверка с использованием мультиметра предполагает такие же действия, как и в отношении биполярных транзисторов. Исправный полевой транзистор обладает бесконечно большим сопротивлением между выводами, независимо от тестового напряжения, приложенного к нему.


Тем не менее, решение вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром имеет свои особенности. Если положительный щуп мультиметра приложен к затвору, а отрицательный — к истоку, то в этом случае произойдет зарядка затворной емкости и наступит открытие перехода. При замерах между стоком и истоком, прибор показывает наличие небольшого сопротивления. Иногда электротехники при отсутствии практического опыта, могут посчитать это за неисправность, что не всегда соответствует действительности. Это может быть важно при проверки строчного транзистора мультиметром. Перед началом проверки канала сток-исток рекомендуется выполнить короткое замыкание всех выводов полевого транзистора, чтобы разрядить емкости переходов. После этого их сопротивления вновь увеличатся, после чего можно повторно прозванивать транзисторы мультиметром. Если данная процедура не дала положительного результата, значит данный элемент находится в нерабочем состоянии.

В полевых транзисторах, используемых для мощных импульсных блоков питания, очень часто на переходе сток-исток устанавливаются внутренние диоды. Поэтому данный канал во время проверки проявляет свойства обычного полупроводникового диода. Поэтому чтобы исключить ошибку, перед тем как проверить исправность транзистора мультиметром, следует убедиться в присутствии внутреннего диода. После первой проверки щупы мультиметра нужно поменять местами. После этого на экране появится единица, указывающая на бесконечное сопротивление. Если подобного не случится, велика вероятность неисправности полевого транзистора. С помощью прибора можно не только проверить, но и измерить транзистор мультиметром.

Как проверить составной транзистор мультиметром

Составной транзистор или транзистор Дарлингтона представляет собой схему, объединяющую в своем составе два и более биполярных транзистора. Это позволяет значительно увеличить коэффициент усиления по току. Такие транзисторы применяются в схемах, предназначенных для работы с большими токами, например, в стабилизаторах напряжения или выходных каскадах усилителей мощности. Они необходимы, когда требуется обеспечение большого входного импеданса, то есть полного комплексного сопротивления.

Общие выводы у составного транзистора такие же, как и у биполярной модели. Точно так же и происходит проверка npn транзистора мультиметром. В этом случае применяется методика, аналогичная проверке обычного биполярного транзистора.

Блин, какое страшное слово! Думаю, у всех чайников транзистор ассоциируется с чем-то очень трудным и непонятным. Но, уверяю вас, мои дорогие чайники, ничего трудного нету в транзисторе. Давайте же для начала разберемся, что он вообще из себя представляет и как его можно проверить на работоспособность.

Сразу оговорюсь, в нашей статье мы будет проверять биполярные транзисторы. Что это значит? А значит это то, что эти транзисторы состоят из двух P-N переходов. P-N переходы, дырки, электроны бла бла бла… Ну нафиг! Нам это не надо знать, как там ведут себя электроны, а как дырки и тд и тп. Просто знайте, если ток будет течь через P-N переход, то он сможет течь только в одном направлении. Из P-N перехода сделаны все диоды. А как вы знаете, диод пропускает ток тольков в одном направлении, и не пропускает в другом направлении. То есть другими словами, в одном направлении сопротивление диода маленькое, а в другом — очень большое. Это мы с вами видели в статье как проверить диод мультиметром .

Биполярный транзистор, как я уже сказал, состоит из двух P-N переходов. А в зависимости, как расставлены материалы P и N, так и называется транзистор. На рисунке ниже схематическое обозначение P-N-P транзистора:

Его выводы обозначаются, как эммитер, база и коллектор. Материал, который посередине, между двумя другими материалами, называется в транзисторе базой. Эммитер и коллектор находятся по краям и состоят из одного какого либо одинакового материала. В P-N-P транзисторе ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Все просто:-). Схематическое обозначение P-N-P транзистора в схеме выглядит так:

где Э — это эмиттер, Б — база, К — коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора — N-P-N. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Принцип его действия схож с P-N-P транзистором, просто здесь ток течет уже в другом направлении.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного P-N перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор.

Ну чтоже, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что нам написали на транзисторе: С4106. Теперь залезаем в интернет и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется datasheet. Прямо так и вбиваем в поисковике «C4106 datasheet». Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся с английскими буквами. А вот я и даташит на него нарыл:

Нас больше всего интересует распиновка контактов. То есть нам нужно узнать, какой вывод что из себя представляет. Для этого транзистора нам нужно узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор. В этом и вся прелесть даташита.

А вот и схемка распиновки:

Теперь нам понятно, что первый вывод — это база, второй вывод — это коллектор, ну а третий — эмиттер.

Возвращаемся к нашему рисуночку

Наш подопечный — это N-P-N транзистор. Получается, если он здоров, то у нас будет маленькое падение напряжения в миллиВольтах, если мы приложим «плюс» к базе, а «минус» к коллектору или эммитеру. А если мы приложим «минус» к базе, а «плюс» к коллектору или эмиттеру, то увидим единичку на мультике. Начинаем проверять диоды транзистора, как мы это делали при проверке диодов в статье Как проверить диод мультиметром .

Ставим на прозвонку и начинаем мусолить наш транзистор. Для начала ставим «плюс» к базе, а «минус» к коллектору

Все ок, прямой P-N переход должен обладать небольшим падением напряжения для кремниевых транзисторов 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милиВольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эммитер, поставив на базу «плюс» , а на эммитер «минус».

Видим снова падение напряжения прямого P-N перехода. Все ок.

Меняем щупы местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на P-N переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эммитер.

Здесь у нас мультик также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору — здоров.

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с Вами рассмотрели. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультик на прозвонку и цепляемя к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что P-N переход пробит, а раз уж он пробит, то можно смело выкидывать такой транзистор в мусорку.

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда отыскивать даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Что это значит? Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два или даже больше транзисторов или даже диоды наряду с транзистором вместе. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы выполняют, как транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы или преобразователи напряжения или даже какая нибудь заморская микросхемка. Вот так-то! Не ленитесь отыскивать даташиты на проверяемые транзисторы.

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра. Рассмотрим штатные гнезда hFE (объясним, что это такое), методику замещения схемы через соединение нескольких диодов. Расскажем, с чего начать. Поймете, как проверить транзистор мультиметром, или… Давайте, пожалуй, без «или». Приступим, чтобы твердо отличать МОП-транзистор от мопса, растолчем теорию.

Типы, классификация транзисторов

Избегаем исследовать дебри. Знайте простое правило: в биполярных транзисторах носители обоих знаков участвуют в создании выходного тока, в полевых – одного. Определение умников. Теперь работаем пальцами:

  1. Транзисторы полевого типа выступают началом. Когда Битлз выходили на сцену, на замену вакуумным триодам стали приходить полупроводники. Если говорить кратко, p-n-p транзистор — два богатых положительными носителями слоя кристалла (кремний, германий, примесной проводимости). Проводя уроки физики, учитель часто рассказывал, как V-валентный мышьяк легировал решетку кремния, образуя новый материала. Добавим, что положительные p-области, отгорожены узкой отрицательной (n-negative). Как ком в горле. Узкий перешеек, называемый базой, отказывается пускать электроны (в нашем случае скорее дырки) течь в нужном направлении. Небольшой отрицательный заряд появляется на управляющем электроде, дырки коллектора (верхняя p-область на традиционных электрических схемах) больше не могут сдерживаться, буквально рвутся в сторону приложенного напряжения. Поскольку база тонкая, используя набранную скорость носители пролетают перешеек, уносятся дальше — достигая эмиттера (нижняя p-область), здесь увлекаются разностью потенциалов, создаваемой напряжением питания. Типичное школьное объяснение. Относительно небольшое напряжение управляющего электрода способно регулировать скорость сильного потока дырок (положительных носителей), увлекаемого полем напряжения питания. На этом построена техника. Навстречу дыркам движутся электроны, транзисторы называют биполярными.
  2. Полевые транзисторы снабжены каналом любого типа проводимости, разделяющим области истока и стока (см. рисунок выше). Управляющий электрод называют затвором. Причем основной материал подложки, затвора противоположен каналу, истоку и стоку. Поэтому положительное напряжение (см. рисунок) запрет ход зарядам через транзистор. Плюс оттянет (в p-область) доступные электроны. Полевые транзисторы в электронике применяются намного чаще. На рисунке затвор электрически соединен с кристаллом, структура называется управляющим p-n переходом. Бывает, область изолирована от кристалла диэлектриком, в качестве которого часто выступает оксид. Чистой воды MOSFET транзистор, по-русски – МОП.


При помощи мультиметра, в штатном режиме проверяются биполярные транзисторы. Если тестер поддерживает такую опцию, часто именуемую hFE, на лицевой панели смонтирован круглый разъем, поделенный вертикальной чертой на две части, где надписаны по 4 гнезда следующим образом:

  1. B – база (англ. Base).
  2. С – коллектор (англ. Collector).
  3. E – эмиттер (англ. Emitter).

Гнезд для эмиттера два, чтобы учесть раскладку выводов корпуса. База может быть с края, посередине. Для удобства сделано. Нет разницы, в какое гнездо вставить ножку эмиттера биполярного транзистора. Пара слов, как пользоваться.

Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме

Чтобы гнездо проверки биполярных транзисторов начало работать (вести измерения), переведем тестер в режим hFE. Откуда взялись буквы? h — касается категории параметров, описывающих четырехполюсник любого типа. Не важно знать, что подразумевает понятие — просто уясним: существует целая группа h-параметров, среди которых имеется один важный занимающимся электроникой. Называется коэффициентом усиления по току с общим эмиттером. Обозначается, h31 (либо строчной греческой буквой бета).

Цифровая мнемоника плохо воспринимается человеческим глазом, поэтому было решено (за рубежом, понятное дело), что F будет обозначать прямое усиление по току (forward current amplification), тогда как E говорит, что измерение велось в схеме с общим эмиттером (которая применяется учебниками физики для иллюстрации принципов работы транзисторов биполярного типа). Схем включения много, каждая обладает достоинствами, параметры можно охарактеризовать через h31 (некоторые другие, упомянутые справочниками). Считается, если коэффициент усиления в норме, радиоэлемент 100% работоспособен. Теперь читатели знают, как проверяется p-n-p транзистор или n-p-n транзистор.

h31 зависит от некоторых параметров, указываемых инструкцией мультиметра. Напряжение питания 2,8 В, ток базы 10 мА. Дальше берутся графики технической документации (data sheet) транзистора, профессионал знает, как найти остальное. При включении режима hFE, подсоединении ножек биполярного транзистора в нужные гнезда на дисплее появляется значение коэффициента усиления прибора по току. Потрудитесь сопоставить справочным данным, сделав поправку на режим измерения (если понадобится). Только звучит сложно, достаточно пару раз сделать самостоятельно, добьетесь результатов.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

  • Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
  • Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.


Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

  • Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
  • Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Разбить биполярный транзистор на диоды

Рисунок, представленный среди текста, демонстрирует схему замещения транзистора двумя диодами. Позволит рассматривать усилительный элемент, представив суммой двух независимых более простых. Не обладающих усилением, проявляющих нелинейные свойства (неодинаковость прямого/обратного включения).

Мощные транзисторы силовых цепей бессилен открыть скудными силами мультиметр. Поэтому для тестирования устройств применяются специальные схемы. Нельзя проверить биполярный транзистор мультиметром напрямую.


Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Методик несколько. Можно попробовать измерить сопротивление стандартной шкалой Ω. Красный щуп нужно прикладывать к p-области. Тогда дисплей мультиметра покажет цифру, меньшую бесконечности. В противоположном направлении результат будет нулевым. Мультиметр покажет обрыв. Нормальные результаты прозвонки диода.

Если пользоваться специальным режимом, экран показывает размер сопротивления в прямом направлении, обрыв (стандартно единичка в левом углу ЖК-экрана) в другом. Обратите внимание – рисунок содержит поясняющие надписи, куда прислонять щуп, получая открытый p-n переход. В обратном направлении прибор показывает обрыв.

Перед тем как собрать какую-то схему или начать ремонт электронного устройства необходимо убедиться в исправности элементов, которые будут установлены в схему. Даже если эти элементы новые, необходимо быть уверенным в их работоспособности. Обязательной проверке подлежат и такие распространенные элементы электронных схем как транзисторы.

Для проверки всех параметров транзисторов существуют сложные приборы. Но в некоторых случаях достаточно провести простую проверку и определить годность транзистора. Для такой проверки достаточно иметь мультиметр.

В технике используются различные виды транзисторов – биполярные, полевые, составные, многоэмиттерные, фототранзисторы и тому подобные. В данном случае будут рассматриваться наиболее распространенные и простые — биполярные транзисторы.

Такой транзистор имеет 2 р-n перехода. Его можно представить как пластину с чередующимися слоями с разными типами проводимости. Если в крайних областях полупроводникового прибора преобладает дырочная проводимость (p), а в средней – электронная проводимость (n), то прибор называется транзистор р-n-p. Если наоборот, то прибор называется транзистором типа n-p-n. Для разных видов биполярных транзисторов меняется полярность источников питания, которые подключаются к нему в схемах.

Наличие в транзисторе двух переходов позволяет представить в упрощенном виде его эквивалентную схему как последовательное соединение двух диодов.

При этом для p-n-p прибора в эквивалентной схеме между собой соединены катоды диодов, а для n-p-n прибора – аноды диодов.

В соответствии с этими эквивалентными схемами и производится проверка биполярного транзистора мультиметром на исправность.

Порядок проверки устройства — следуем по инструкции

Процесс измерений состоит из следующих этапов:

  • проверка работы измерительного прибора;
  • определение типа транзистора;
  • измерение прямых сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
  • измерение обратных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
  • оценка исправности транзистора.

Перед тем, как проверить биполярный транзистор мультиметром, необходимо убедиться в исправности измерительного прибора. Для этого вначале надо проверить индикатор заряда батареи мультиметра и, при необходимости, заменить батарею. При проверке транзисторов важна будет полярность подключения. Надо учитывать, что у мультиметра на выводе «COM» имеется отрицательный полюс, а на выводе «VΩmA» – плюсовой. Для определенности к выводу «COM» желательно подключить щуп черного цвета, а к выводу «VΩmA» -красного.

Чтобы к выводам транзистора подключить щупы мультиметра правильной полярности, необходимо определить тип прибора и маркировку его выводов. С этой целью необходимо обратиться к справочнику или найти описание транзистора в Интернете.

На следующем этапе проверки переключатель операций мультиметра устанавливается в положение измерения сопротивлений. Выбирается предел измерения в «2к».

Перед тем, как проверить pnp транзистор мультиметром, надо минусовой щуп подключить к базе устройства. Это позволит измерить прямые сопротивления переходов радиоэлемента типа p-n-p. Плюсовой щуп подключается по очереди к эмиттеру и коллектору. Если сопротивления переходов равны 500-1200 Ом, то эти переходы исправны.

При проверке обратных сопротивлений переходов к базе транзистора подключается плюсовой щуп, а минусовой по очереди подключается к эмиттеру и коллектору.

Если эти переходы исправны, то в обоих случаях фиксируется большое сопротивление.

Проверка npn транзистора мультиметром происходит по такой же методике, но при этом полярность подключаемых щупов меняется на противоположную. По результатам измерений определяется исправность транзистора:

  1. если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода большие, то это значит, что в приборе имеется обрыв;
  2. если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода малы, то это означает, что в приборе имеется пробой.

В обоих случаях транзистор является неисправным.

Оценка коэффициента усиления

Характеристики транзисторов обычно имеют большой разброс по величине. Иногда при сборке схемы требуется использовать транзисторы, у которых имеется близкий по величине коэффициент усиления по току. Мультиметр позволяет подобрать такие транзисторы. Для этого в нем имеется режим переключения «hFE» и специальный разъем для подключения выводов транзисторов 2 типов.

Подключив в разъем выводы транзистора соответствующего типа можно увидеть на экране величину параметра h31.

Выводы :

  1. С помощью мультиметра можно определить исправность биполярных транзисторов.
  2. Для проведения правильных измерений прямого и обратного сопротивлений переходов транзистора необходимо знать тип транзистора и маркировку его выводов.
  3. С помощью мультиметра можно подобрать транзисторы с желаемым коэффициентом усиления.

Видео о том, как проверить транзистор мультиметром

Усилитель звука на транзисторах #1 ⋆ diodov.net

Усилитель звука относится к одному из наиболее интересных электронных устройств для начинающих электронщиков или радиолюбителей. И это не удивительно, ведь если устройство собрано правильно, то достаточно подключить динамик и сразу же раздастся звук, оповещающий о том, что усилитель мощности работает. Наличие звука приносить радость успешного завершения сборки усилителя звука своими руками, а его отсутствие – разочарование. Поэтому цель данной статьи – принести радость начинающему электронщику. Но сначала все по порядку…

Усилитель мощности на транзисторах. Базовые положения

Усилитель мощности на транзисторах присутствует в том или ином виде во многих электронных устройствах. Особенно ярко выделено его применение в звуковой технике.

Современный мир электроники полностью опутан различными запоминающими устройствами: флешки, жесткие диски и т.п. Для воспроизведения информации, хранящейся в памяти накопителей, нужно, прежде всего, преобразовать и усилить ее сигналы.

Главное назначение любого усилителя состоит в преобразовании маломощного сигнала в более мощный. При этом форма его должна сохраняться и не искажаться в процессе преобразования. Иначе произойдет частичная или полная утеря информации.

Начинающим электронщикам следует помнить очень важный момент. Усиление происходит не за счет каких-либо магических свойств транзистора, а за счет энергии блока питания. Транзистор лишь управляет потоком мощности от источника питания к нагрузке. Причем он выполняет свою работу в нужные моменты времени. Отсюда становится понятно, что мощность на нагрузке ограничена лишь мощностью блока питания. Если нагрузка, например динамик, имеет мощность 10 Вт, а источник тока способен выдать только 5 Вт, то нагрузка будет способна развить только 5 Вт.

Структура усилителя состоит из источника и узла, согласующего входной сигнал с источником тока. Такое согласование позволяет получить выходной сигнал.

Устройство транзистора

Поскольку главным элементом усилителя является транзистор, то рассмотрим вкратце устройство и принцип работы это полупроводникового прибора.

Среди довольно обширного выбора полупроводниковых приборов, как по характеристикам, так и по принципу действия, в данной статье мы рассмотрим, и будем применять исключительно биполярные транзисторы (БТ).

Такой электронный прибор состоит из полупроводникового кристалла и трех, подсоединенных к нему электродов. Вся конструкция помещается в корпус, который защищает прибор от разных внешних воздействий (пыль, влага и т.п.). От корпуса отходят три вывода: база (Б), коллектор (К) и эмиттер (Э).

Существуют принципиально два типа БТ n-p-n и p-n-p структуры. Принцип работы их аналогичен, а отличие состоит лишь в полярности подключения к их выводам источника питания и радиоэлектронных элементов, имеющих полярность, например электролитических конденсаторов.

Биполярный транзистор имеет два pn-перехода, поэтому конструктивно его можно рассматривать, как два последовательно встречно соединенных диода. Точка соединения диодов аналогична базе. Но если взять два любых диода и соединить их соответствующим образом, то в такой конструкции не будут проявляться усилительные свойства. Причина в том, что у «настоящего» транзистора слишком малое расстояние между различными полупроводниковыми структурами (база-эмиттер, база-коллектор). Расстояние равно единицам микрометра, то есть несколько тысячных миллиметра (1мкм = 0,001 мм = 0,000001 м). Именно за счет малого расстояния получается транзисторный эффект.

Как работает биполярный транзистор (БТ)

Принцип работы БТ упрощенно рассмотрим на примере ниже приведенной схемы.

Базу оставим не подключенной либо соединим ее с минусом источника питания. Последний вариант более предпочтительный, поскольку исключает появление наводок на выводе.

Чтобы исключить короткое замыкание в цепь коллектора следует установить резистор Rн, он же будет служить нагрузкой. Однако при подключении источника питания Uип, ток в цепи VT и Rн протекать не будет (обратный ток мы не берем в счет, поскольку его значение слишком мало и не превышает единиц микроампер). Отсутствие тока в цепи поясняется тем, что транзистор закрыт. И если вернуться к аналогии с диодом, то мы заметим, что один из них находится под обратным напряжением, поэтому он заперт.

Открыть БТ не составит большого труда. Следует на базу относительно эмиттера (для n-p-n структуры) приложить положительный потенциал, то есть подать напряжение, например от другого источника питания – батарейки. Величина напряжения должна быть порядка 0,6 В, чтобы скомпенсировать падение напряжения на эмиттерном переходе. Резистор Rб служит для ограничения тока, протекающего в цепи базы.

Таким образом, если подать небольшое напряжение на базу, то в цепи нагрузки Rн будет протекать ток коллектора Iк. При смене полярности блока питания VT закроется. Чтобы не запутаться и правильно подключать источник питания следует обратить внимание на направление стрелки эмиттера. Она указывает на направление протекания токов Iк и Iб. Для БТ n-p-n типа Iк и Iб входят в эмиттер, а для p-n-p – выходят.

Коэффициент усиления транзистора

Токи базы Iб и коллектора Iк находятся в тесной взаимосвязи. Более того, величина тока, протекающего в цепи коллектора помимо параметров Uип и Rн определяются величиной Iб в прямопропорциональной зависимости. Отношение Iк к Iб называется коэффициентом усиления транзистора по току и обозначается буквой β («бета»):

Коэффициент усиления является одним из важнейших параметров БТ и всегда приводится в справочниках. Для большинства маломощных БТ он находится в диапазоне 50…550 единиц. В общем, β показывает во сколько раз ток коллектора больше тока базы.

Усилитель звука на транзисторах

Усилитель звука на транзисторах предназначен для повышения мощности сигнала звуковой частоты, поэтому его еще называют усилитель мощности звуковой частоты или сокращенно УМЗЧ. Источником звука, подлежащего усилению, чаще всего служит микрофон или выход звуковой карты компьютера, ноутбука, смартфона и т.п. Мощность таких источников довольно низкая и составляет микроватты, а для нормальной работы динамика (громкоговорителя) необходимо обеспечить мощность единицы и десятки ватт, а то и сотни ватт. Поэтому главной задачей УМЗЧ является повышение мощности слабого входного сигнала в тысячи и десятки тысяч раз.

Звуки раздающейся мелодии или речи имеют сложный характер. Однако любой из них, даже самой сложной формы можно разложить в ряд сигналов синусоидальной формы, отличающихся как по частоте, так и по амплитуде.

Поэтому с целью упростить пояснение принципа работы схемы УМЗЧ будем применять входной сигнал синусоидальной формы uc. Нагрузкой на первых порах вместо динамика буде служить резистор Rн.

Однако приведенная выше схема применяется лишь для работы БТ в ключевом режиме, то есть когда полупроводниковый прибор VT находится в двух фиксированных состояниях – открытом и закрытом. Для усиления переменного сигнала данная схема непригодна, поскольку будет усиливаться только положительная полуволна входного сигнала. Для отрицательной полуволны транзистор будет закрыт. Кроме того, амплитуда входного сигнала должна быть не меньше 0,6 В, иначе просто останется незамеченным, поскольку не откроется эмиттерный переход.

Базовая схема входного каскада УМЗЧ

Чтобы схема УМЗЧ работала правильно, а это означает, усиливала без искажений положительные и отрицательные полуволны, изначально следует приоткрыть VT наполовину. Тогда положительная полуволна будет еще больше открывать БТ, а отрицательная – призакрывать его.

Приоткрыть БТ можно небольшим напряжением, поданным на базу, оно же называется напряжением смещения. Сам процесс называют установкой рабочей точки транзистора по постоянному току. Напряжение смещения зачастую подается от общего источника питания через токоограничивающий резистор Rб, согласно схемы, приведенной ниже.

Чтобы постоянное напряжение не воздействовало на источник переменного сигнала, а также не нарушался режим работы схемы по постоянному току, переменная составляющая отделяется конденсатором С1, а нагрузка подключается к коллектору через разделительный конденсатор C2 к клеммам uвых.

Правильная установка или настройка рабочей точки транзисторного усилителя звука имеет ключевое значение, поскольку если ее установить неверно, то выходной сигнал будет иметь искажения либо вовсе отсутствовать. Чтобы установить рабочую точку пользуются выходной статической характеристикой биполярного транзистора. Она характеризует зависимость тока в цепи коллектора от приложенного напряжения между выводами коллектор-эмиттер при разных значениях тока базы. На данной характеристике располагается нагрузочная прямая, на которой выделяют три участка: 1-2, 2-3 и 3-4. Участок 1-2 называется областью отсечки – здесь БТ полностью закрыт; 3-4 – область насыщения – БТ полностью открыт; 2-3 – активная область – здесь БТ находится в приоткрытом состоянии. Участки 1-2 и 3-4 используются для работы транзистора в ключевом режиме. Активный участок 2-3 соответствует работе БТ в режиме усиления. Именного на него ориентируются при настройке рабочей точки.

Расчет параметров элементов усилителя мощности

Расчет основных параметров усилителя мощности начинается с определения сопротивления резистора, который находится в цепи коллектора Rк. Чтобы его посчитать, согласно закону Ома понадобится прежде определить падение напряжения на нем URк и ток Iк:

Напряжение URк принимают из таких соображений, чтобы на полуоткрытом транзисторе оно было, равное половине напряжения источника питания Uип. Это соответствует половине нагрузочной прямой на выходной статической характеристике – точке А.

Если рабочая точка будет находится значительно выше или ниже точки А, например А1 или А2, то выходной сигнал с усилителя будет искажаться. Произойдет срез его нижних или верхних полуволн, что отразится на ухудшении качества звука. Поэтому стоит придерживаться средней точки – т. А. Однако это не всегда оправдано, особенно для сигналов очень низкой мощности. В таком случае рабочую точку принимают насколько ниже т. А, что позволяет снизить потребление электроэнергии без искажения формы выходного сигнала.

В нашем случае будем опираться на точку А. Примем напряжение источника питания Uип = 9 В (батарейка «крона»). Тогда напряжение на резисторе Rк равно:

Коллекторный ток, называемый током покоя коллектора, принимают для расчетов 0,8…1,2 мА. Возьмем среднее значение 1 мА = 0,001 А.

Сопротивление Rк равно:

Примем ближайший стандартный номинал резистора 4,7 кОм.

Теперь определит сопротивление в цепи базы Rб:

Коэффициент усиления БТ легко и с достаточной точность можно определить мультиметром. Для pn2222 я определил значение 170 единиц.

Более точную установку тока покоя коллектора устанавливают переменным резистором, включенным в цепь базы и изменяют его до тех пока, пока значение Iк станет равным 1мА. При этом ориентируются на показания миллиамперметра, установленного в цепь коллектора.

Ниже приведены схемы входных каскадов усилителей с полупроводниковыми приборами разной структуры.

Расчет емкости конденсаторов усилителя мощности звуковой частоты (УМЗЧ)

При расчете УМЗЧ следует обратить внимание на емкость развязывающих конденсаторов С1 и С2. Если их принять слишком малыми, то плохо будут проходить токи низкой частоты. Поэтому емкость можно определить по следующему выражению:

где fн – нижняя граница частоты сигнала, Гц. Для УНЧ как правило принимают 20 Гц – нижний порог слышимости человеческого уха;

Rвх – входное сопротивление следующего каскада или нагрузки. Для усилителей, в которых применяется БТ, включенный по схеме с общим эмиттером это сопротивление равняется нескольким килоом. Примем Rвх = 4,7 кОм = 4700 Ом.

Таким образом емкости конденсаторов С1 и С2 следует принимать не менее 10 мкФ.

Однако рассмотренная выше схема усилителя звука имеет недостаток, который исключает применение ее в таком виде в электронных устройствах. В схеме отсутствует температурная стабилизация, поэтому любые изменение температуры могут привести к искажению формы выходного сигнала. Устранение данного недостатка и причины его возникновения подробно рассмотрено в следующей статье.

Еще статьи по данной теме

Как проверить биполярный транзистор


Как проверить биполярный транзистор

Как проверить биполярный транзистор мультиметром?

NPN и PNP транзисторы

Биполярный  транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема  PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э — это эмиттер, Б — база, К — коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN-транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем транзистор с помощью мультиметра

Ну что же, давайте  на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется datasheet. Прямо так и вбиваем в поисковике «C4106 datasheet». Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка контактов и какого он типа: NPN или PNP. То есть нам нужно узнать, какой вывод что из себя представляет. Для этого транзистора нам нужно узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки:

Теперь нам понятно, что первый вывод  — это база, второй вывод — это коллектор, ну а третий — эмиттер.

Возвращаемся к нашему рисунку

Наш подопечный  — это NPN-транзистор.

Ставим на прозвонку и начинаем проверять «диоды» транзистора. Для начала ставим «плюс» к базе, а «минус» к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения для кремниевых транзисторов 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив  на базу «плюс» , а на эмиттер «минус».

Видим снова падение напряжения  прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Сейчас мы замеряем  обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК,  так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас  мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору —  здоров.

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы вами рассмотрели. Его распиновка (то есть положение и значение выводов)  такая же, как  у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит.  Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Что это значит? Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два или даже больше транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь заморская микросхема. Поэтому, не ленитесь пользоваться интернетом.

Проверка биполярного транзистора — Основы электроники

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.

Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом.

Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а) n-p-n структуры; б) p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами (в зависимости от типа транзистора).

Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу.

Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу.

Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом. Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n – область (для диода это катод) подать минус, а на p-область (анод).

Это я вам показывал в видео для статьи «Как пользоваться мультиметром» при проверке полупроводникового диода.

Так как мы представили транзистор в виде двух диодов, то, следовательно, для его проверки необходимо просто проверить исправность этих самых «виртуальных» диодов.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер — n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов.

В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах. Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых – 0,2-0,3 вольта.

Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный (плюс) щуп мультиметра, а на эмиттер черный (минус) щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Далее проверяем переход база-коллектор. Для этого красный щуп оставляем на базе, а черный подключаем к коллектору, при этом прибор покажет падение напряжения на переходе.

Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э, что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника.

Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них.

Теперь необходимо включить p-n переходы в обратном направлении, при этом мультиметр должен показать «1», что соответствует бесконечности.

Подключаем черный щуп на базу транзистора, красный на эмиттер, при этом мультиметр должен показать «1».

Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К, результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка – переход эмиттер-коллектор. Подключаем красный щуп мультиметра к эмиттеру, черный к коллектору, если переходы не пробитые, то тестер должен показать «1».

Меняем полярность (красный-коллектор, черный- эмиттер) результат – «1».

Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными (ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора), что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику.

При отсутствии режима проверки диодов в вашем мультиметра, осуществить проверку транзистора можно переключив мультиметр в режим измерения сопротивления на диапазон «2000». При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

А теперь по традиции поясняющий и дополняющий видеоролик по проверке транзистора:

Как проверить транзистор мультиметром.

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h41э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».

Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.

Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.

Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично.

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.

Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов. Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный? Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.

Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.

В первую очередь, нужно определить вывод базы. Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.

Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше. Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.

Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.

Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.

На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.

Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.

Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.

Отсюда делаем вывод:

1. Транзистор структуры p-n-p; 2. Вывод базы находится с правой стороны; 3. Вывод коллектора в середине;

4. Вывод эмиттера – слева.

А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.

Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.

Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко. Удачи!

Как проверить транзистор мультиметром: инструкции, видео

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h41Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A – 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром? Как проверить биполярный транзистор

Опытные электрики и электронщики знают, что для полной проверки транзисторов существуют специальные пробники.

С помощью них можно не только проверить исправность последнего, но и его коэффициент усиления — h31э .

Необходимость наличия пробника

Пробник действительно нужный прибор, но, если вам необходимо просто проверить транзистор на исправность вполне подойдет и .

Устройство транзистора

Прежде, чем приступить к проверке, необходимо разобраться что из себя представляет транзистор.

Он имеет три вывода, которые формируют между собой диоды (полупроводники).

Каждый вывод имеет свое название: коллектор, эмиттер и база. Первые два вывода p-n переходами соединяются в базе.

Один p-n переход между базой и коллектором образует один диод, второй p-n переход между базой и эмиттером образует второй диод.

Оба диода подсоединены в схему встречно через базу, и вся эта схема представляет собой транзистор.

Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе

Как сразу найти коллектор.

Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.

Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.

Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.

Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.

Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.

Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.

Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.

Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.

Как же тут найти базу, эмиттер и коллектор?

Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.

Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.

Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.

Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.

Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.

Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.

Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.

Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.

Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.

Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.

Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.

А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.

Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.

Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.

В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.

Значит правый вывод — это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.

Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.

Как проверить транзистор на исправность

Чтобы проверить транзистор мультиметром на исправность достаточным будет измерить обратное и прямое сопротивление двух полупроводников (диодов), чем мы сейчас и займемся.

В транзисторе обычно существуют две структуру перехода p-n-p и n-p-n .

P-n-p – это эмиттерный переход, определить это можно по стрелке, которая указывает на базу.

Стрелка, которая идет от базы указывает на то, что это n-p-n переход.

P-n-p переход можно открыть с помощью минусовое напряжения, которое подается на базу.

Выставляем переключатель режимов работы мультиметра в положение измерение сопротивления на отметку «200 ».

Черный минусовой провод подсоединяем к выводу базы, а красный плюсовой по очереди подсоединяем к выводам эмиттера и коллектора.

Т.е. мы проверяем на работоспособность эмиттерный и коллекторный переходы.

Показатели мультиметра в пределах от 0,5 до 1,2 кОм скажут вам, что диоды целые.

Теперь меняем местами контакты, плюсовой провод подводим к базе, а минусовой поочередно подключаем к выводам эмиттера и коллектора.

Настройки мультиметра менять не нужно.

Последние показания должны быть на много больше, чем предыдущие. Если все нормально, то вы увидите цифру «1» на дисплее прибора.

Это говорит о том, что сопротивление очень большое, прибор не может отобразить данные выше 2000 Ом, а диодные переходы целые.

Преимущество данного способа в том, что транзистор можно проверить прямо на устройстве, не выпаивая его оттуда.

Хотя еще встречаются транзисторы где в p-n переходы впаяны низкоомные резисторы, наличие которых может не позволить правильно провести измерения сопротивления, оно может быть маленьким, как на эмиттерном, так и на коллекторном переходах.

В данном случае выводы нужно будет выпаять и проводить замеры снова.

Признаки неисправности транзистора

Как уже отмечалось выше если замеры прямого сопротивления (черный минус на базе, а плюс поочередно на коллекторе и эмиттере) и обратного (красный плюс на базе, а черный минус поочередно на коллекторе и эмиттере) не соответствуют указанным выше показателям, то транзистор вышел из строя.

Другой признак неисправности, это когда сопротивление p-n переходов хотя бы в одном замере равно или приближено к нулю.

Это указывает на то, что диод пробит, а сам транзистор вышел из строя. Используя данные выше рекомендации, вы легко сможете проверить транзистор мультиметром на исправность.

Радиолюбители знают, что зачастую много времени приходится тратить на поиск неисправностей, возникающих в электронных схемах по различным причинам. Если схема собирается самостоятельно, то заключительным этапом работы будет проверка её работоспособности. А начинать необходимо с подбора заведомо исправных электронных компонентов. В радиолюбительских конструкциях широкое применение находят полупроводниковые приборы. Проверка транзистора, как прозвонить транзистор мультиметром — это немаловажные вопросы.

Типы транзисторов

Разновидностей этого вида полупроводниковых приборов по мере развития электроники появляется всё больше и больше. Появление каждой новой группы обусловлено повышением требований, предъявляемых к работе электронных устройств и к их техническим характеристикам.

Биполярные приборы

Биполярные полупроводниковые транзисторы являются наиболее часто встречающимися элементами электронных схем. Даже если рассмотреть построение различных больших микросхем, можно увидеть огромное количество представителей полупроводников этого вида.

Определение «биполярные» произошло от видов носителей электрического тока, которые в них присутствуют. Этот ток определяется движением отрицательных и положительных зарядов в теле полупроводника.

Каждая область трёхслойной структуры имеет свой металлический вывод, с помощью которого прибор подключается к другим элементам электронной схемы. Эти выводы имеют свои названия: эмиттер, база, коллектор. Эмиттер и коллектор — это внешние области . Внутренняя область — база.

Биполярные транзисторы образуют две группы в зависимости от типа полупроводника. Они обозначаются «p — n — p» и «n — p — n» Области соприкосновения полупроводников различных типов носят название «p — n» переходов.

Область базы является самой тонкой. Её толщина определяет частотные свойства прибора, то есть максимальную частоту радиосигнала, на которой может работать транзистор в качестве усилительного элемента. Область коллектора имеет максимальную площадь, так как при больших токах необходимо отводить избыточную тепловую энергию с помощью внешнего радиатора для исключения перегрева прибора.

На схемах вывод эмиттера обозначается стрелкой , которая определяет направление основного тока через прибор. Основным является ток на участке коллектор — эмиттер (или эмиттер — коллектор, в зависимости от направления стрелки). Но он возникает только в случае протекания управляющего тока в цепи базы. Соотношение этих токов определяет усилительные свойства транзистора. Таким образом, биполярный транзистор — это токовый прибор.

Полевые транзисторы

Транзисторы этого типа существенно отличаются от биполярных приборов. Если последние являются устройствами, управляемыми слабым током базы определённой полярности, то полевым приборам для протекания тока через полупроводник требуется наличие управляющего напряжения (электрического поля).

Электроды имеют названия: затвор, исток, сток. А напряжение, открывающее канал «n» типа или «p» типа, прикладывается к области затвора и определяет интенсивность тока при правильной его полярности. Эти приборы ещё называют униполярными .

Проверка мультиметром

Транзисторы являются активными элементами электронной схемы. Их исправность определяет её правильную работу. Как проверить тестером транзистор — этот вопрос является важным. При знании принципов его работы эта задача не представляет большого труда.

Приборы биполярного типа

Их схему упрощённо можно представить в виде двух полупроводниковых диодов, включённых навстречу друг другу. Для приборов «p — n — p» проводимости соединены будут катоды, а для «n — p — n» структуры общую точку будут иметь аноды диодов. В любом случае точка соединения будет выводом электрода базы, а два других вывода, соответственно, эмиттером и коллектором.

Для структуры «p — n — p» на схеме стрелка эмиттера направлена к выводу базы. Соответственно, для проводимости «n — p — n» стрелка эмиттера изменит своё направление на противоположное. Для определения состояния полупроводникового транзистора большое значение имеет информация о его типе и, соответственно, о маркировке его электродов. Эту информацию можно узнать из многочисленных справочников или из общения на тематических форумах.

Для биполярных приборов «p — n — p» проводимости открытому состоянию будет соответствовать подключение «минусового» (чёрного) щупа тестера к выводу базы. «Положительный» (красный) наконечник поочерёдно подключается к коллектору и эмиттеру. Это будет прямым включением «p — n» переходов.

При этом сопротивление каждого будет находиться в диапазоне (600−1200) Ом. Конкретное значение зависит от производителя электронных компонентов. Сопротивление коллекторного перехода будет иметь величину немного меньшую, чем эмиттерного.

Так как биполярный транзистор представлен в виде встречного включения двух полупроводниковых диодов с односторонней проводимостью, то при смене полярности щупов тестера сопротивления «p — n» переходов у нормально работающих транзисторов будет в идеале стремиться к бесконечности.

Такая же картина должна наблюдаться при измерении сопротивления между выводами эмиттера и коллектора. Причём это большое значение не зависит от смены полярности измерительных щупов. Всё это относится к исправным транзисторам.

Процесс проверки исправности (или неисправности) биполярного полупроводникового элемента с помощью мультиметра сводится к следующему:

  • определение типа прибора и схемы его выводов;
  • проверка сопротивлений его «p — n» переходов в прямом направлении;
  • смена полярности щупов и определение сопротивлений переходов при таком подключении;
  • проверка сопротивления «коллектор — эмиттер» в обоих направлениях.

Определение исправности приборов «n — p — n» структуры отличается только тем, что для прямого включения переходов к выводу базы необходимо подключить красный «положительный» провод мультиметра, а к выводам эмиттера и коллектора поочерёдно подсоединять чёрный (отрицательный). Картина с величинами сопротивлений для этой проводимости должна повториться.

К признакам неисправности биполярных транзисторов можно отнести следующие:

  • «прозвонка» «p — n» переходов показывает слишком малые значения сопротивлений;
  • «p — n» переход не «прозванивается» в обе стороны.

В первом случае можно говорить об электрическом пробое перехода, а то и вовсе о коротком замыкании.

Второй случай показывает внутренний обрыв в структуре прибора.

В обоих случаях данный экземпляр не может быть использован для работы в схеме.

Полевые транзисторы

Для проверки работоспособности этого элемента используем тот же мультиметр, что и для биполярного прибора. Необходимо помнить, что полевики могут быть n-канальными и p-канальными.

Для проверки элемента первого типа необходимо выполнить следующие действия:

Для определения сопротивления закрытого прибора с n-каналом производят касание красным проводом вывода «исток», а чёрным — «сток».

Открытие полевого прибора производится подачей на его «затвор» положительного потенциала (красный провод).

Для проверки открытого состояния транзистора повторно измеряется сопротивление участка «сток — исток» (чёрный провод — сток, красный — исток). Сопротивление приоткрытого n-канала немного уменьшается по сравнению с первым замером.

Закрытие прибора достигается подачей на его «затвор» отрицательного потенциала (чёрный провод мультиметра). После этого сопротивление участка «сток — исток» вернётся к своему первоначальному значению.

При проверке p-канального прибора повторяют все предыдущие действия, переменив полярность измерительных щупов тестера.

Необходимо перед проверками полевых приборов принять меры, защищающие от воздействия статических зарядов, которые могут внести значительные сложности в процесс проверки, а то и вовсе вывести проверяемое изделие из строя. К таким проверенным мерам можно отнести простое касание рукой батареи центрального отопления. Специалисты применяют браслет, обладающий антистатическими свойствами.

При проверках транзисторов большой мощности этого типа часто при полностью запертом полупроводниковом канале можно определить наличие сопротивления. Это означает, что между «истоком» и «стоком» включён защитный диод, встроенный в корпус прибора. Убедиться в этом помогает смена полярности выводов тестера.

Проверка приборов в схеме

Как мультиметром проверить транзистор, не выпаивая, как проверить полевой транзистор — эти вопросы возникают у радиолюбителей довольно часто. Извлечение полупроводникового прибора из схемы требует большой аккуратности и опыта работы. Необходимо иметь в своём арсенале низковольтный паяльник с тонким жалом, браслет, защищающий от статических разрядов. Проводники печатной платы в процессе работы можно перегреть, а то и случайно замкнуть между собой.

Хотя при наличии опыта в такой работе — задача вполне решаемая. Конечно, необходимо уметь читать электрические схемы и представлять работу каждого из её компонентов.

Оценка работоспособности биполярных транзисторов малой и средней мощности мало отличается от проверки этих элементов «на столе», когда все выводы прибора находятся в доступном для проверки положении.

Сложнее проходит проверка непосредственно в схеме приборов большой мощности, применяемых в схемах выходных каскадов усилителей, импульсных блоках питания. В этих схемах присутствуют элементы, защищающие транзисторы от выхода последних на максимально допустимые режимы. При проверке состояний «p — n» переходов в этих случаях можно получить абсолютно не верные результаты. Как выход — выпаивание вывода базы.

Проверка полевых приборов может дать результат, далёкий от реального положения дел. Причина — наличие в схемах большого количества элементов коррекции работы транзисторов, включая катушки индуктивности низкого сопротивления.

Существует ещё большое количество различных типов транзисторов, для оценки состояния которых приходится применять различные специальные пробники. Но это тема для отдельного материала.

Транзистор является наиболее популярным активным компонентом, входящим в состав электрических схем. У любого, кто интересуется электроникой, время от времени возникает необходимость проверить подобный элемент. Особенно часто проверку приходится делать начинающим радиолюбителям, которые в своих схемах используют транзисторы, бывшие в употреблении, например, выпаянные из старых плат. Для «прозвонки» можно использовать специальные приборы-тестеры, позволяющие измерять параметры транзисторов, чтобы потом их можно было сравнить их с указанными в справочнике. Однако для элементов, входящих в любительскую схему достаточно выполнить проверку по правилу: «исправен, неисправен». Эта статья рассказывает, как проверить транзистор мультиметром именно по такому методу тестирования.

Подготовка инструментов

У каждого современного радиолюбителя есть универсальный инструмент под названием цифровой мультиметр. Он позволяет измерять постоянные и переменные токи и напряжение, сопротивление элементов. Он также позволяет проверить работоспособность элементов схемы. Рядом с переключателем в режим «прозвонки», как правило, нарисован диод и динамик (см. фото на рис. 1).

Рисунок 1 – Лицевая панель мультиметра

Перед проверкой элемента необходимо убедиться в работоспособности самого мультиметра:

  1. Батарея должна быть заряжена.
  2. При переключении в режим проверки полупроводников дисплей должен отображать цифру 1.
  3. Щупы должны быть исправны, т. к. большинство приборов – китайские, и разрыв провода в них является очень частым явлением. Проверить их нужно, прислонив кончики щупов друг к другу: в этом случае на дисплее отобразятся нули и раздастся писк – прибор и щупы исправны.
  4. Щупы подключаются согласно цветовой маркировке: красный щуп — в красный разъем, черный – в черный разъем с надписью COM.

Технологии проверки

Биполярный

Структура биполярного транзистора (БТ) включает в себя 2 p-n или 2 n-p перехода. Выводы этих переходов называются эмиттером и коллектором. Вывод срединного слоя называется базой. Упрощенно БТ можно представить как два включенных встречно диода, как изображено на рисунке 2.

Проверить биполярный транзистор мультиметром не сложно, в чем Вы сейчас и убедитесь. Как известно основным свойством p-n перехода является его односторонняя проводимость. При подключении положительного (красный) щупа к аноду, а черного к катоду на дисплее мультиметра будет отображена величина прямого напряжения на переходе в милливольтах. Величина напряжения зависит от типа полупроводника: для германиевых диодов это напряжение будет порядка 200–300 мВ, а для кремниевых от 600 до 800 мВ. В обратном направлении диод ток не пропускает, поэтому если поменять щупы местами, то на дисплее будет отображена 1, свидетельствующая о бесконечно большом сопротивлении.

Если же диод «пробит», то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае если диод «в обрыве», то на индикаторе, так и будет отображаться единица.

Таким образом, суть проверки исправности транзистора заключается в «прозвонке» p-n переходов база-коллектор, база-эмиттер и эмиттер-коллектор в прямом и обратном включении:

  • База-коллектор: Красный щуп подключается к базе, черный к коллектору. Соединение должно работать как диод и проводить ток только в одном направлении.
  • База-эмиттер: Красный щуп остается подключенным к базе, черный подключается к эмиттеру. Аналогично предыдущему пункту соединение должно проводить ток только при прямом включении.
  • Эмиттер-коллектор: У исправного перехода сопротивление данного участка стремится к бесконечности, о чем будет говорить единица на индикаторе.

При проверке работоспособности pnp типа «диодный» аналог будет выглядеть также, но диоды будут подключены наоборот. В этом случае черный щуп подключается к базе. Переход эмиттер-коллектор проверяется аналогично.

На видео ниже наглядно показывается проверка биполярного транзистора мультиметром:

Полевой

Полевые транзисторы (ПТ) или «полевики» используются в блоках питания, мониторах, аудио и видеотехнике. Поэтому с необходимостью проверки более часто сталкиваются мастера по ремонту аппаратуры. Самостоятельно проверить такой элемент в домашних условиях можно также с помощью обычного мультиметра.

На рисунке 3 представлена структурная схема ПТ. Выводы Gate (затвор), Drain (сток), Source (исток) могут располагаться по-разному. Очень часто производители маркируют их буквами. Если маркировка отсутствует, то необходимо свериться со справочными данными, предварительно узнав наименование модели.

Рисунок 3 – Структурная схема ПТ

Стоит иметь в виду, что при ремонте аппаратуры, в которой стоят ПТ, часто возникает задача проверки работоспособности и целостности без выпаивания элемента из платы. Чаще всего выходят из строя мощные полевые транзисторы, устанавливаемые в импульсные блоки питания. Также следует помнить, что «полевики» крайне чувствительны к статическим разрядам. Поэтому перед тем, как проверить полевой транзистор не выпаивая, необходимо надеть антистатический браслет и соблюдать технику безопасности.

Рисунок 4 – Антистатический браслет

Проверить ПТ мультиметром можно по аналогии с прозвонкой переходов биполярного транзистора. У исправного «полевика» между выводами бесконечно большое сопротивление вне зависимости от приложенного тестового напряжения. Однако, имеются некоторые исключения: если приложить положительный щуп тестера к затвору, а отрицательный – к истоку, то зарядится затворная емкость, и переход откроется. При замере сопротивления между стоком и истоком мультиметр может показать некоторое значение сопротивления. Неопытные мастера часто принимают подобное явление как признак неисправности. Однако, это не всегда соответствует реальности. Необходимо перед проверкой канала сток-исток замкнуть накоротко все выводы ПТ, чтобы разрядились емкости переходов. После этого их сопротивления снова станут большими, и можно повторно проверить работает транзистор или нет. Если подобная процедура не помогает, то элемент считается нерабочим.

«Полевики», стоящие в мощных импульсных блоках питания часто имеют внутренний диод на переходе сток-исток. Поэтому этот канал при проверке ведет себя как обычный полупроводниковый диод. Во избежание ложной ошибки необходимо перед тем, как проверить транзистор мультиметром, удостовериться в наличии внутреннего диода. Следует поменять местами щупы тестера. В этом случае на экране должна отобразиться единица, что свидетельствует о бесконечном сопротивлении. Если этого не происходит, то, скорее всего, ПТ «пробит».

Технология проверки полевого транзистора показана на видео:

Составной

Типовой составной транзистор или схема Дарлингтона изображена на рисунке 5. Эти 2 элемента расположены в одном корпусе. Внутри также находится нагрузочный резистор. У такой модели аналогичные выводы, что и у биполярного. Нетрудно догадаться, что проверить составной транзистор мультиметром можно точно также, как и БТ. Следует отметить, что некоторые типы цифровых мультиметров в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае прибор показывает разрыв в цепи.

Перед тем как собрать какую-то схему или начать ремонт электронного устройства необходимо убедиться в исправности элементов, которые будут установлены в схему. Даже если эти элементы новые, необходимо быть уверенным в их работоспособности. Обязательной проверке подлежат и такие распространенные элементы электронных схем как транзисторы.

Для проверки всех параметров транзисторов существуют сложные приборы. Но в некоторых случаях достаточно провести простую проверку и определить годность транзистора. Для такой проверки достаточно иметь мультиметр.

В технике используются различные виды транзисторов – биполярные, полевые, составные, многоэмиттерные, фототранзисторы и тому подобные. В данном случае будут рассматриваться наиболее распространенные и простые — биполярные транзисторы.

Такой транзистор имеет 2 р-n перехода. Его можно представить как пластину с чередующимися слоями с разными типами проводимости. Если в крайних областях полупроводникового прибора преобладает дырочная проводимость (p), а в средней – электронная проводимость (n), то прибор называется транзистор р-n-p. Если наоборот, то прибор называется транзистором типа n-p-n. Для разных видов биполярных транзисторов меняется полярность источников питания, которые подключаются к нему в схемах.

Наличие в транзисторе двух переходов позволяет представить в упрощенном виде его эквивалентную схему как последовательное соединение двух диодов.

При этом для p-n-p прибора в эквивалентной схеме между собой соединены катоды диодов, а для n-p-n прибора – аноды диодов.

В соответствии с этими эквивалентными схемами и производится проверка биполярного транзистора мультиметром на исправность.

Порядок проверки устройства — следуем по инструкции

Процесс измерений состоит из следующих этапов:

  • проверка работы измерительного прибора;
  • определение типа транзистора;
  • измерение прямых сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
  • измерение обратных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
  • оценка исправности транзистора.

Перед тем, как проверить биполярный транзистор мультиметром, необходимо убедиться в исправности измерительного прибора. Для этого вначале надо проверить индикатор заряда батареи мультиметра и, при необходимости, заменить батарею. При проверке транзисторов важна будет полярность подключения. Надо учитывать, что у мультиметра на выводе «COM» имеется отрицательный полюс, а на выводе «VΩmA» – плюсовой. Для определенности к выводу «COM» желательно подключить щуп черного цвета, а к выводу «VΩmA» -красного.

Чтобы к выводам транзистора подключить щупы мультиметра правильной полярности, необходимо определить тип прибора и маркировку его выводов. С этой целью необходимо обратиться к справочнику или найти описание транзистора в Интернете.

На следующем этапе проверки переключатель операций мультиметра устанавливается в положение измерения сопротивлений. Выбирается предел измерения в «2к».

Перед тем, как проверить pnp транзистор мультиметром, надо минусовой щуп подключить к базе устройства. Это позволит измерить прямые сопротивления переходов радиоэлемента типа p-n-p. Плюсовой щуп подключается по очереди к эмиттеру и коллектору. Если сопротивления переходов равны 500-1200 Ом, то эти переходы исправны.

При проверке обратных сопротивлений переходов к базе транзистора подключается плюсовой щуп, а минусовой по очереди подключается к эмиттеру и коллектору.

Если эти переходы исправны, то в обоих случаях фиксируется большое сопротивление.

Проверка npn транзистора мультиметром происходит по такой же методике, но при этом полярность подключаемых щупов меняется на противоположную. По результатам измерений определяется исправность транзистора:

  1. если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода большие, то это значит, что в приборе имеется обрыв;
  2. если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода малы, то это означает, что в приборе имеется пробой.

В обоих случаях транзистор является неисправным.

Оценка коэффициента усиления

Характеристики транзисторов обычно имеют большой разброс по величине. Иногда при сборке схемы требуется использовать транзисторы, у которых имеется близкий по величине коэффициент усиления по току. Мультиметр позволяет подобрать такие транзисторы. Для этого в нем имеется режим переключения «hFE» и специальный разъем для подключения выводов транзисторов 2 типов.

Подключив в разъем выводы транзистора соответствующего типа можно увидеть на экране величину параметра h31.

Выводы :

  1. С помощью мультиметра можно определить исправность биполярных транзисторов.
  2. Для проведения правильных измерений прямого и обратного сопротивлений переходов транзистора необходимо знать тип транзистора и маркировку его выводов.
  3. С помощью мультиметра можно подобрать транзисторы с желаемым коэффициентом усиления.

Видео о том, как проверить транзистор мультиметром

Как проверить биполярный транзистор мультиметром?

Биполярный транзистор состоит из двух . Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э — это эмиттер, Б — база, К — коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN-транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.


Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!


Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать .

Проверяем транзистор с помощью мультиметра

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:


Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется datasheet. Прямо так и вбиваем в поисковике «C4106 datasheet». Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка контактов и какого он типа: NPN или PNP. То есть нам нужно узнать, какой вывод что из себя представляет. Для этого транзистора нам нужно узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки:


Теперь нам понятно, что первый вывод — это база, второй вывод — это коллектор, ну а третий — эмиттер.

Возвращаемся к нашему рисунку


Наш подопечный — это NPN-транзистор.

Ставим на прозвонку и начинаем проверять «диоды» транзистора. Для начала ставим «плюс» к базе, а «минус» к коллектору


Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения для кремниевых транзисторов 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу «плюс» , а на эмиттер «минус».


Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.


Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору — здоров.

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы вами рассмотрели. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.


Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Очень удобно проверять транзисторы, имея

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Что это значит? Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два или даже больше транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь заморская микросхема. Поэтому, не ленитесь пользоваться интернетом.

c4106% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

Справочник транзисторов
C4106

Аннотация: C3150 b882 D1062 d1061 c4106 полупроводник C4105 K1885 D1060 D1159
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF О-220ФИ Т0-220. T0220CI K1438 K1443LS D1394 * A1258 * C3144 * C4547 * D1194 * C4106 C3150 b882 D1062 d1061 c4106 полупроводник C4105 K1885 D1060 D1159
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: ток коллектора и глубина модуляции SFH601 -4 VCEsat = f (lc) (TA = 25 ° C) Рисунок 20.Транзистор


OCR сканирование
PDF SFH601 SFH601-2, SFH601-3 SFH601-4 E52744 SFH601
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст:) Рисунок 20. Емкость транзистора C -f (V o) (Ta = 25 ° C, f = 1 МГц) 0, 1 [· 0 i-i- — L I 10


OCR сканирование
PDF SFH600-0 SFH600-1, SFH600-2 SFH600-3 E52744 SFH600 SFH600-1
LC Даш 2 Б-5

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст 🙂 Рисунок 20.SFH600 5-212


OCR сканирование
PDF SFH600 SFH600-0, SFH600-1, SFH600-2 SFH600-3 E52744 SFH600 lc dash 2 b-5
c4106

Аннотация: транзистор D1061 C4106 B1133 D1666 B824 транзистор C4106 полупроводниковый транзистор C3457 C4105 C4105 транзистор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF Т0-220МФ T0-220 Рейтинги / Ta-25Xi 2SB1266 2SD1902 2SB1267 2SD1903 2SB1268 2SD1904 c4106 d1061 C4106 транзистор B1133 D1666 B824 транзистор c4106 полупроводник транзистор c3457 C4105 C4105 транзистор
Транзистор С4106

Аннотация: Транзистор c4106 B824 транзистор c3457 C4105 транзистор транзистор c4106 B1133 транзистор d1061 транзистор c3447 транзистор d1191
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF Т0-220МФ T0-220 2SB1266 2SD1902 2SB1267 2SD1903 2SB1268 2SD1904 2SB1269 C4106 транзистор c4106 B824 транзистор транзистор c3457 C4105 транзистор транзистор c4106 B1133 транзистор d1061 транзистор c3447 транзистор d1191
D1651

Абстракция: d1047 c3987 B817 c2078 D1650 d1402 D1649 d1878 B1273
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF D1394 * A1258 * B1273 B1346 C3144 * D1912 D2027 A1259 * A1289 C3145 D1651 d1047 c3987 B817 c2078 D1650 d1402 D1649 d1878
Транзистор С4106

Аннотация: Транзистор C4106, C3457, B824, транзистор, C4106, полупроводниковый транзистор, C4106, транзистор, C3447, транзистор, D1061, D1060, D1061.
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF Т0-220МФ О-220 Рейтинги / Та-25 Т0-220) 2SB1267 2SD1903 D1235 2SB1268 2SD1904 C4106 транзистор C4106 транзистор c3457 B824 транзистор c4106 полупроводник транзистор c4106 транзистор c3447 транзистор d1061 D1060 d1061
c4460

Абстракция: d1651 d1047 k d1047 B817 C2621 D1650 B1269 c4106 D895
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 1503 / С 1565 / С 1574 / С 1590 / С 1616 / С 1654 / С C3820, 1782 / С B1235 / D C3151 c4460 d1651 d1047 k d1047 B817 C2621 D1650 B1269 c4106 D895
d1878

Аннотация: D1887 C4106 D1825 D1880 транзисторы D1878 c3987 D1651 C4161 k1459
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF A1527 A1528 A1537 A1540 A1573 A1574 A1575 A1580 A1590 A1607 d1878 D1887 C4106 D1825 D1880 транзисторы D1878 c3987 D1651 C4161 k1459
d1684

Абстракция: C3788 c4217 c2078 d1047 C4161 D1651 D1682 K1460 k2043
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SA1520 A1522 A1523 A1524 A1525 A1526 A1527 A1528 A1536 A1537 d1684 C3788 c4217 c2078 d1047 C4161 D1651 D1682 K1460 k2043
MCP67

Аннотация: c4106 RSN 310 R37 ns892402 ISL6251 wpc8769ldg rtl8211b ricoh r5c833 fds8884 nvidia mcp67
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ISL6262A) 25VM / uFCPGA638 TPS51120) ISL6251) MCP67 CC-50V 10U / Y5U-10V 1U / X7R-50V PR119 MCP67 c4106 RSN 310 R37 ns892402 ISL6251 wpc8769ldg rtl8211b рико r5c833 fds8884 nvidia mcp67
Принципиальная схема
Регулятор скорости двигателя постоянного тока 180 В

Аннотация: Транзистор C4106 C4106 t5001 ic tl8850ap транзистор c4060 tl8850 C6113 EM-553-F9T транзистор C4054
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF VX-G142 OS753 GP1U281R EM-553-F9T DTC114TS CY759 EQ-552F9T Принципиальная схема регулятора скорости двигателя постоянного тока 180 В C4106 транзистор C4106 t5001 ic tl8850ap c4060 транзистор tl8850 C6113 EM-553-F9T C4054 транзистор
нс892402

Аннотация: RSN 310 R37 winbond wpc8769ldg MCP67 C4106 rtl8211b MCP-67 isl6251 ricoh r5c833 WPC8769LDG
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ISL6262A) 25VM / uFCPGA638 TPS51120) ISL6251) MCP67 10U / Y5U-10V 1U / X7R-50V PR119 PR108 ns892402 RSN 310 R37 winbond wpc8769ldg MCP67 C4106 rtl8211b МКП-67 isl6251 рико r5c833 WPC8769LDG
SLG8SP512T

Аннотация: Схема материнской платы ecs g41 g995 nvidia MXM PC8769L Model c4106 ISL6236 Quanta fds8884 ISL6251
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF СТРАНИЦА02.СТР. 03. СТР. 05. СТР. 06. СТР. 08. СТРАНИЦА 11. СТР. 12. СТРАНИЦА 13. СТРАНИЦА 15. SLG8SP512T ЦЕПЬ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ ecs g41 g995 nvidia MXM PC8769L Модель c4106 ISL6236 кванты fds8884 ISL6251
ISL6236

Аннотация: ISL6251 Quanta 3U22C Intel G41 MOTHERBOARD crb NB82801HBM SLG8SP512T PQ19 PME AC CAPACITOR 152 IV LFE9249
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF СТРАНИЦА02. СТР. 03.СТР. 05. СТР. 06. СТР. 08. СТРАНИЦА 11. СТР. 12. СТРАНИЦА 13. СТРАНИЦА 15. ISL6236 ISL6251 кванты 3U22C материнская плата intel G41 crb NB82801HBM SLG8SP512T PQ19 КОНДЕНСАТОР ПЕРЕМЕННОГО ТОКА PME 152 IV LFE9249
c4137

Аннотация: c6067 C4106 c2539 c06-15 транзистор C2216 транзистор C4125 C4106 транзистор c2534 c4125
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2002/95 / EC c4137 c6067 C4106 c2539 c06-15 Транзистор С2216 транзистор С4125 C4106 транзистор c2534 c4125
2008 — C4151

Аннотация: C0626A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2002/95 / EC C4151 C0626A
an12948

Аннотация: ISL6262 SLG8SP51 C4071 MS-1421 max8724e ENE3925 MS-14211 TPS51120 intel g41 msi
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF МС-1421 TPS51120 965ГМ-1 965ГМ-2 965ГМ-3 965ГМ-4 965ГМ-5 965ГМ-6 CH7307 SLG8SP512) an12948 ISL6262 SLG8SP51 C4071 max8724e ENE3925 МС-14211 TPS51120 intel g41 msi
mcp67m

Аннотация: MCP67MV MCP67D MCP67MV- A2 c5304 asus nvidia mcp67 C9236 ricoh r5c833 MCP67
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AMD / MCP67MV / MCP67D MCP67MV / D 33 МГц FDW2501 FDW2501 ISL6227 MAX8632 mcp67m MCP67MV MCP67D MCP67MV- A2 c5304 asus nvidia mcp67 C9236 рико r5c833 MCP67
MCP67MV

Абстракция: RTS5117 MCP67MV- A2 12VSUS IT8511TE D1703 D1804 D1803 asus F9DC
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 16Mx16 Стр. 42 Стр.17 Стр.18 667 МГц Стр.11 G3-64 Стр.40 MCP67MD Стр. 24 MCP67MV RTS5117 MCP67MV- A2 12VSUS IT8511TE D1703 D1804 D1803 asus F9DC
л.с. R8400

Аннотация: C4606 IT8511T ASUS T8010 R8120 G72MG3 st d1703 l 4609A Socket AM2
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ICS9LPR363CGLF -965PM — процессор -965PM — DDR2 / PEG -965PM — DDR2 -965PM — МОЩНОСТЬ -965PM — GND / обвязка MAX8632 MAX1844 MAX8743 HP R8400 C4606 IT8511T ASUS T8010 R8120 G72MG3 ул d1703 л 4609A Разъем AM2
l9122

Аннотация: IT8510 ATI RC415ME ATI SB600 CON3602 X51RL ics951463 RC415ME asus L1208
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MAX6657MSA ICS951463 533 МГц RC415M 415MD: 02G110013320 415МЕ: 02G110013300 DDR2-533 IT8510 / 8511 l9122 IT8510 ATI RC415ME ATI SB600 CON3602 X51RL ics951463 RC415ME asus L1208
TP2801

Аннотация: диод slg8sp513v tp806 RTM875N-606-VD-GR C5855 rtm875n-606 ST330U2D5VDM-13GP 92HD81B1X5 RTL8103 1SMB22AT3G-GP-U
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF M92-LP ISL6266A SLG8SP513VTRove R2218 R2220 C3005.R4108. PD3107 1SMB22AT3G. PC3208, TP2801 slg8sp513v диод tp806 RTM875N-606-VD-GR C5855 rtm875n-606 ST330U2D5VDM-13GP 92HD81B1X5 RTL8103 1SMB22AT3G-GP-U
Asus

Абстракция: sk c4300 C4043 T3900 d1804 C1904 SK C4020 d2504 rts5117 ICS954310
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF GEN-ICS954310 RTL8101E EC-IT8510E RST5117 SI9183 ISL6227 CM8562 TPS51116 MAX6260C MAX1844 Asus sk c4300 C4043 T3900 d1804 C1904 SK C4020 d2504 rts5117 ICS954310

C4159 pdf

Ap9561gm datasheet (pdf) 1.Размер pdf: 216k _ a- power. AP9561GM RoHS-совместимый продукт Advanced Power P-Channel Enhancement Mode Electronics Corp. Power mosfet простое требование к приводу bvdss — 40v d d d ў нижний заряд затвора rds (вкл.) 18 м? Транзисторы louis e. В этой заметке объясняются следующие темы: транзисторы и таблица данных транзисторов c4159 в формате pdf, их влияние на радиотелевизор и работников электроники, понимание действия транзисторов, характеристики транзисторов, схемы транзисторных усилителей, схемы транзисторных генераторов, специальные схемы транзисторов, брошюры с описанием транзисторов c4159 в формате PDF компоненты, уход и обслуживание транзисторов, практические схемы транзисторов.Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе 14-февр. Характеристики

Кремниевый транзистор 2sc1623 • высокий коэффициент усиления по постоянному току: hfe = 200 тип. 0 мА) • высокое напряжение: vceo = 50 В, абсолютные максимальные номинальные напряжения и ток (ta = 25 c). Toshiba транзистор кремниевый pnp c4159 техническое описание транзистора pdf эпитаксиальный тип (процесс pct) 2sa1013 цветной телевизор приложения с выходом вертикального отклонения приложения переключения питания • высокое напряжение: vceo = — 160 В • большой постоянный ток коллектора • рекомендуется для приложений вывода вертикального отклонения и вывода звука для телевизора с линейным управлением.Проектирование транзисторных схем [Texas Instruments incorporated] на Amazon. * бесплатная * доставка по соответствующим предложениям.

Книга с описанием транзисторов c4159 в формате pdf от компании texas instruments incorporated. Нпн-транзистор высоковольтный в к-92; сот54 пластиковый пакет. Дополнения pnp: 2n5400 и 2n5401. Описание контактов 1 c4159 транзистор техническое описание pdf коллектор 2 база 3 эмиттер рис. 1 упрощенное техническое описание транзистора c4159 в формате pdf (to-92; sot54) и символ. Справочник, половина страницы1 3 c4159 техническое описание транзистора книга pdf 2 информация по заказу предельных значений в соответствии с системой абсолютного максимума рейтинга (iec 60134.To- 92 транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор s9018 (npn) имеет максимальные характеристики продукта с высокой пропускной способностью усиления по току (ta = 25 ℃, если не указано иное) электрические характеристики (таблица технических данных транзистора c4159, pdf ta = 25 ℃, если не указано иное) параметр символ условия испытания min typ max unit коллектор-база напряжение пробоя v (br) c4159 таблица данных транзистора pdf cbo c4159 таблица данных транзистора pdf ic = 100 мкa, c4159 таблица данных транзистора pdf ie = 0 25 v.

2 itt intermetall вся информация и данные, содержащиеся в эта книга данных не содержит каких-либо обязательств, не должна рассматриваться как предложение о заключении контракта и не должна толковаться как создающая какую-либо ответственность.Любой новый выпуск этого справочника или отдельных описаний продуктов делает недействительными предыдущие выпуски. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь содержание страница продукта транзисторы общего назначения стр. 3pf c4159 техническое описание транзистора pdf коммутационные транзисторы dpak d2pak to-92 to-126 to-220 to-220f to-3p c4159 техническое описание транзистора книга pdf to-3pf 2.Техническое описание транзисторов, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Архив даташита. Последние списки производителей в каталоге становятся мгновенными. Название: Общее руководство по электрическим транзисторам: схемы, применение, характеристики; Автор 2-го издания: общая электрическая тематика: ключевые слова транзисторов. Далее мы поговорим о диодах pdf с описанием транзисторов c4159, а затем о биполярных транзисторах c4159 с техническими данными о переходных транзисторах pdf. В случае обоих устройств мы поговорим о нелинейных моделях, анализе линии нагрузки и приложениях.В заключение мы рассмотрим, как транзисторы можно использовать в качестве логических устройств.

Это естественным образом приведет к нашему обсуждению цифровых систем. Цели главы биполярного транзистора В этой главе представлена ​​работа с биполярным переходным транзистором (bjt), а затем представлена ​​книга технических данных на биполярный транзистор c4159 в формате pdf из книги технических характеристик биполярного транзистора c4159 в формате PDF, характеристики i-v транзистора, усиление тока и выходная проводимость. Вводятся инжекция высокого уровня и сужение полосы, вызванное сильным легированием.Основы биполярных транзисторов в.

Tutorials мы c4159 Transistor datasheet book pdf видели, что простые диоды состоят из двух частей полупроводникового материала, кремния или германия, чтобы сформировать простой c4159 datasheet book pdf pn- переходы, и мы также узнали об их Свойства транзистора c4159, таблица данных в формате pdf и характеристики. Руководство по выбору транзисторов vceo- ic коллектор – эмиттер напряжение v ceo (v) 800 c3678 c3679 c3680 c4159 таблица данных транзистора pdf c5124 c4020 c4300 c4159 таблица данных транзистора pdf c4301 c4299 c5002 c4304 c5003 c4445 cc527 c917c45 cc45.Цель этой книги — помочь читателю понять, как работают транзисторы и как спроектировать простую транзисторную схему. Он адресован любителям схемотехники, мало или совсем не знакомым с полупроводниками. Считайте содержание этой книги первой милей долгого пути к транзисторным схемам.

C4159 datasheet, c4159 pdf, c4159 data sheet, c4159 manual, c4159 pdf, c4159, datenblatt, electronics c4159, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.Микроэлектроника, транзисторы и сборник данных по микросхемам, выпуск 1 micro electronics ltd. C1980 acrobat 7 pdf 9. Отсканировано artmisa с помощью canon dr2580c +. Руководство по выбору дискретных полупроводников Продукты для общего применения получают преимущества от интерактивных функций в онлайн-версии этого руководства по выбору: щелкнув по типу продукта, вы попадете на страницу с описанием транзисторов c4159 в формате pdf на соответствующей странице информации о продукте на сайте nxp. Там вы найдете таблицы данных и другие документы, поддерживающие дизайн.C4159 datasheet — vcbo = 180v, npn транзистор — sanyo, pdf, распиновка, эквивалент, замена, c4159 техническое описание транзистора книга pdf схема, руководство, данные, схема, детали, техническое описание. Диоды и транзисторы (pdf 28p) В этой заметке рассматриваются следующие темы: основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, bjt-модель с большим сигналом, анализ линий нагрузки, малые модель сигнала и усиление транзистора.

Com qg qgs qgd vg charge d.Vds иг id 3ma vgs. Регулятор тока 2 мкФ того же типа, что и d. Токоизмерительные резисторы c4159 с описанием транзисторов, pdf + — vgs рис. 13a. Важным параметром pdf книги данных транзисторов c4159 является максимальный уровень тока коллектора в pdf книге данных транзисторов c4159. Это значение не должно быть превышено, иначе транзистор может быть поврежден. V cesat: напряжение насыщения коллектора-эмиттера, т.е. Напряжение на транзисторе (от коллектора к эмиттеру) при резком включении транзистора.

Это c4159 таблица данных транзистора pdf обычно c4159 таблица данных транзистора pdf цитируется для конкретного. Скачать техническое описание транзистора bc457, pdf. С даташитами на транзисторы c4159 когда-нибудь в формате pdf и q9450. Вы можете ввести новое значение в книгу pdf с техническими данными транзисторов c4159, диапазон, указанный в меню настройки lts, ​​см. Выше. Ручные расчеты практически исключаются благодаря добавлению новых итогов и промежуточных итогов на экран депозитов налога на заработную плату. Datasource c4159 транзистор техническое описание книга pdf ds источник данных envctx.Транзистор bc457 datasheet, pdf mirror.

C4106 datasheet pdf, c4106 datasheet, c4106 pdf, c4106 pinout, c4106 data, c4106 circuit, ic, c4106 manual, c4159 transistor datasheet book pdf replace, части, схема, ссылка. Теория транзисторов и других полупроводниковых устройств 1. Полупроводники 1. Металлы и изоляторы 1. Проводимость в металлах Металлы заполнены электронами. Многие из них, обычно один или два на атом в металле, могут свободно перемещаться по всему металлу в формате pdf с описанием транзисторов c4159.При приложении электрического поля электроны движутся в противоположном направлении.

Силовой транзистор для импульсных источников питания mje13007 разработан для высоковольтных, высокоскоростных силовых коммутирующих индуктивных цепей, где время спада критично. Он особенно подходит для приложений с режимом переключения 1 В, таких как импульсные регуляторы, инверторы, средства управления двигателем, драйверы соленоидов / реле и отклонения. Паспорт транзистора pf610bl, эквивалент pf610bl, технические данные в pdf. Параметры транзистора c4159, таблица данных в pdf и характеристики.Электронный каталог компонентов. В соответствии с таблицей данных транзистора c4159 в формате pdf к таблице данных типичные значения:

7 кОм, r2 c4159 таблица данных транзистора pdf = открытая серия pdta143t упрощенная схема, символы и закрепление. Таблица данных транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat. Toshiba c4159 таблица данных транзистора pdf транзистор кремниевый pnp эпитаксиальный тип (процесс pct) 2sc1959 приложения для усилителя звуковой частоты малой мощности драйвер каскадный усилитель приложения переключение приложений отличная линейность hfe: hfe (c4159 transistor datasheet book pdf 2) = 25 (min): vce = 6 v, ic = 400 мА Применение усилителя мощностью 1 Вт.Дополняет 2sa562tm. Максимальные характеристики (при температуре 25 ° C). 2n3773 npn силовые транзисторы 2n3773 — это силовой транзистор, предназначенный для мощных аудиосистем, позиционеров дисковых головок и других линейных приложений. Это устройство также может быть использовано в схемах переключения питания в формате pdf с описанием транзисторов c4159, таких как релейные или соленоидные драйверы, преобразователи постоянного тока или инверторы. Характеристики • высокая безопасная рабочая зона (100% тестирование) 150 Вт при 100 В. 2sc4159 datasheet, 2sc4159 pdf, c4159 datasheet book pdf 2sc4159 data sheet, 2sc4159 manual, 2sc4159 pdf, 2sc4159, datenblatt, electronics 2sc4159, alldatasheet, бесплатно, бесплатно , таблицы данных.

Транзисторные эквивалентные схемы и модели цели обучения Общая схема замещения постоянного тока Схема замещения переменного тока усилителя CB Влияние сопротивления источника RS на усиление напряжения Схема замещения усилителя CE Эквивалентная схема усилителя CC модели малосигнальной низкочастотной модели CC-усилителя или представление. Основы транзисторов: схематическое изображение транзистора показано слева. Обратите внимание на стрелку в формате pdf, указанную в справочнике по транзисторам c4159 в сторону эмиттера.Это означает, что это таблица данных транзистора c4159 в формате pdf. Это книга с описанием транзисторов c4159 в формате pdf npn-транзистор (ток течет в направлении стрелки). См. Техническое описание по адресу: www. База коллектор c4159 транзистор техническое описание книги pdf эмиттер q1 2n3904 транзистор в основном является усилителем тока. Файлы перекрестного справочника транзисторов Справочник перекрестных транзисторов.

Справочник по транзисторам Fairchild поставляет высокопроизводительные полупроводниковые продукты для решения задач проектирования в широком диапазоне приложений и отраслей.Есть ли что-нибудь доступное, чтобы увидеть, можно ли заменить конкретный транзистор другим c4159 с описанием транзисторов в формате pdf. D1666 техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf.


SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, эквивалент, характеристики и техническое описание

SS9014 Биполярный NPN транзистор

SS9014 Биполярный транзистор NPN

SS9014 Биполярный транзистор NPN

Распиновка транзистора SS9014

нажмите на изображение для увеличения

SS9014 Схема расположения выводов транзистора

Контактный №

Имя контакта

Описание

1

Эмиттер

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

Характеристики
  • Предварительный усилитель, низкоуровневый, малошумящий NPN-транзистор
  • Коэффициент усиления по току (hFE), от 60 до 1000 (хорошая линейность)
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 45 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 50 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет 5 В
  • Частота перехода 150 МГц
  • Доступен в пакете To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

Дополнительный PNP для SS9014

SS9015

SS9014 Эквивалентные транзисторы

КСП06, КСП42, MPSA42, MPSW06

Альтернативные транзисторы NPN

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

Где использовать транзисторы SS9014?

SS9014 — низкосигнальный и малошумящий NPN-транзистор с хорошим значением hfe до 1000 и высокой линейностью, что делает этот транзистор идеальным выбором для разработки усилителей звуковой частоты (AF) или предварительных усилителей.Этот NPN-транзистор также имеет свой встречный PNP-транзистор ( SS9015 ), который можно использовать для разработки усилителя класса B в двухтактной конфигурации. Он также имеет хорошее рассеивание коллектора (рассеиваемую мощность) 0,4 Вт для динамиков с приличными характеристиками.

Транзистор имеет очень низкий коллекторный ток 100 мА, поэтому его не рекомендуется использовать в схемах переключения или управления. Я лично обнаружил, что эти транзисторы используются в беспроводных камерах видеонаблюдения и небольших игровых консолях, где требуется предварительное усиление звука.

Как использовать транзисторы SS9014?

SS9014 обычно используется для создания предусилителя, но вы можете спроектировать свою схему в соответствии с вашими требованиями. Чтобы создать предварительный усилитель с использованием транзистора, нам необходимо выбрать транзистор с низким уровнем сигнала и шума, с хорошим значением hfe и рассеянием коллектора. Похоже, что SS9014 удовлетворяет всем этим параметрам. Типичная схема предварительного усилителя, использующая SS9014, показана ниже.

Значения резисторов R1, R2, R3 и R4 можно рассчитать, используя значения Vcc, Hfe и Ic.Некоторые полезные формулы для расчета приведены ниже

.

Ib = Ic / hfe R1 = 1 / 2Vcc / 0,005 R2 = 1 / (Ic + Ib)

По данной ссылке вы можете найти руководство по проектированию для создания собственной схемы.

Приложения
  • Предусилители AF
  • Используется как усилители класса B
  • Сценическое звуковое оборудование с низким уровнем шума
  • Двухтактные схемы

2D Модель SS9014

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

K4005 техническое описание транзистора pdf

транзистор K4005 техническое описание pdf

Spp20n65c3, spa20n65c3 spi20n65c3 силовой транзистор cool mos v ds 650 v rdson 0. C типичные характеристики статические характеристики напряжение коллектора передатчика, vce v ток коллектора, ic ma 02 4 6 810 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 5 7 9 ib90a ib80a ib70a ib50a ib60a ib40a ib30a ib20a ib10a постоянным током. К4005 инвентарь, аллдаташит, бесплатно, справочник, цена к4005, наличие. Он подходит для сборки с высокой плотностью монтажа на поверхность, поскольку в транзисторе применен 3-контактный суперминиатюрный корпус.Этот пост объясняет полупроводник k400501mr. Pdf mk5 mk6 mk7 mk8 mk9 mk140 mk142 mk145 mk155 157kr k2645 k4005 u664b mosfet k4005 mb8719 транзисторный mosfet k4004 sn16880n stk5392 str451 bc417. Эта таблица данных и ее содержимое принадлежат членам группы компаний premier farnell или имеют лицензию на нее. 3 июля 2019 г. K4005 MOSFET pdf 2skmr transistor datasheet, 2skmr эквивалент, pdf спецификации. Система защиты динамика Speakerguard включает в себя регулируемый ограничитель мощности и схему обнаружения постоянного тока.Никакая лицензия не предоставляется на его использование, кроме как в информационных целях в связи с продуктами, к которым он относится.

Bc техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Характеристики tamb 25 c, если не указано иное. Техническое описание транзистора K 4005, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Техническое описание B688, b688 pdf, техническое описание b688, техническое описание, техническое описание, pdf. K400501mr power mosfet components datasheet pdf data sheet бесплатно из таблицы данных поиск интегральных схем ic.2 августа, 2016 k400501mr datasheet 2sk4005, power mosfet fuji, k400501mr pdf, распиновка k400501mr, руководство k400501mr, схема k400501mr, эквивалент k400501mr. Описание: кремниевый планарный npn-транзистор с эпитаксиальной базой, установленный в металлическом корпусе jedec to3. K4005 datasheet, k4005 pdf, k4005 data sheet, k4005 manual, k4005 pdf, k4005, datenblatt, electronics k4005, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание.

Savantic Semiconductor Спецификация продукции кремниевые npn-транзисторы 2sc3150 описание с корпусом to220c высокое напряжение пробоя.K400501mr datasheet 2sk400501mr, pdf, распиновка, эквивалент, замена, схема, руководство, данные, схема, детали, даташит. Toshiba транзистор кремний pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложений драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe. Даташитархив автора поисковой системы. Этот транзистор является чувствительным к статическому электричеству устройством. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Как проверить МОП-транзистор с помощью мультиметра youtube.Каталог электронных компонентов интегрирован. Nchannel Trench Power MOSFET Общее описание D444 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET.

В редко встречающемся японском корпусе со сквозным отверстием, расширенном до 92, вероятно, это внутренняя выводная рамка для более высокого рассеивания мощности и относительно низкое. Технические данные Fuji Electric kmr, 2skmr, 1 страница, kmr datasheet, kmr pdf, kmr datasheet pdf, kmr распиновки. Применения предусилителей телевизионных приемников. Планарный кремниевый транзисторный усилитель мощности pnp для преобразования постоянного тока в постоянный компьютер wing shing computer.Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Абсолютные максимальные номинальные значения ta 25c характеристический символ номинальное значение единица измерения напряжение источника питания vdss 900 В напряжение стока rgs 20k. Масштабируемый буфер памяти Intel c102c104 поддерживает режим половинной ширины, который позволяет каналу Intel smi 2 продолжать работать с уменьшенной полосой пропускания при единичном сбое при любом сбое линии данных и 9 из 10 пар стробов. C Абсолютный максимальный рейтинг ta25 c, если не указано иное параметр символ номинальные значения единица измерения напряжение коллекторной базы vcbo 30 В напряжение коллекторного передатчика vceo 15 В базовое напряжение эмиттера vebo 5 В ток коллектора ic 50 мА мощность коллектора.Транзистор подразделяется на две группы, o и y, и в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току. Stmicroelectronics предпочитает продавать типы дополнительных устройств npnpnp. Npn среднечастотный транзистор bf370 предельные значения в соответствии с системой абсолютного максимума IEC 604. Техническое описание C3281, c3281 pdf, техническое описание c3281, техническое описание, техническое описание, pdf.

Ztx618 Техническое описание кремниевых планарных транзисторов средней мощности с высоким коэффициентом усиления. Ne68 2sc4227 — транзистор с низким напряжением питания, разработанный для малошумящего усилителя УКВ, УВЧ.Этот транзистор является чувствительным к статическому электричеству устройством. To3p полностью изолированный пластиковый корпус транзистора cdil. Полевой транзистор Toshiba кремниевый n-канальный типа mos. Nchannel mosfet v 6a 50w, k pdf просмотреть скачать fuji electric, k 1 page datasheet. Этот транзистор появился в плазменном телевизоре Samsung, но широко используется. Хотя компания приложила разумные усилия для обеспечения ее точности, компания не гарантирует, что она не содержит ошибок, c техническое описание дает любые другие заявления, гарантии или гарантии, что информация является полностью точной или актуальной.K400501mr datasheet 2sk4005, power mosfet fuji, k400501mr pdf, распиновка k400501mr, руководство k400501mr, схема k400501mr, эквивалент k400501mr. 28 янв.2020 г. K4005 MOSFET pdf 2skmr транзистор техническое описание, эквивалент 2skmr, данные в формате pdf. Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba. Полевой транзистор Toshiba кремниевый nchannel mos тип umos iii 2sk4017, чоппер-регулятор, преобразователь постоянного тока и приводы двигателей 5.

Savantic Semiconductor Спецификация продукции кремниевые силовые транзисторы npn 2sc4242 описание с корпусом to220c высокое напряжение, высокоскоростные приложения для использования в высоковольтных, высоких скорость.Определение статуса продукта в техническом паспорте, определение статуса продукта, предварительная информация, формирующая или разрабатываемая, эта таблица данных содержит проектные спецификации для разработки продукта. Tpa3111d1 10 Вт монофонический усилитель мощности без фильтров. Он в основном подходит для электронного балласта и режима переключения. Среднечастотный транзистор dbook bf370 npn, полстраницы m3d186. 3 августа 2019 г. техническое описание fuji electric kmr, 2skmr 1страница, техническое описание kmr, kmr pdf, техническое описание kmr pdf, распиновка kmr. Ток отсечки коллектора агрегата icbo vcb 5 В, т.е. 0 0.

Предварительная первая добыча. Настоящий лист данных содержит предварительные данные, дополнительные данные будут опубликованы по адресу: a. K4005 mosfet pdf 2skmr транзистор техническое описание, эквивалент 2skmr, технические данные в формате pdf. Условия установки vceosus собирает передатчик срабатывает напряжение 60 В ic200ma, ib0 vcersus поддерживает напряжение коллектора 70 В ic200ma, rbe100. K4005 01mr datasheet 2sk4005, power mosfet fuji, k4005 01mr pdf, распиновка k4005 01mr, руководство k4005 01mr, схема k4005 01mr, эквивалент k4005 01mr. C106d1 тиристор scr 4a 400v to225aa на полупроводниковом техническом паспорте pdf технический паспорт бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.20 января 2020 г. 2n4220 datasheet pdf к к к к к к к к к к к к к к к типу no. 16 июня 2017 г. k4005 01mr datasheet 2sk400501mr, pdf, распиновка, эквивалент, замена, схема, руководство, данные, схема, детали, даташит. Широкая область применения, безопасная для aso. Применение импульсного регулятора 800v3a.

Полевой транзистор Toshiba кремниевый n-канальный типа mos. Irf4905 datasheet, irf4905 pdf, irf4905 data sheet, irf4905 manual, irf4905 pdf, irf4905, datenblatt, electronics irf4905, alldatasheet, free, datasheet, datasheets.Перекрестные ссылки диодов, мостов и транзисторов приведены только для справки и могут быть изменены без дополнительных данных. C4106 просмотреть datasheetpdf sanyo panasonic, размещенный 31 мая, в фотографиях.

Спецификация продукции Savantic Semiconductor 3 силовых кремниевых n-pn-транзистора Схема корпуса 2sc4242 рис. Устройство tpa3111d1 представляет собой эффективный усилитель мощности классического класса мощностью 10 Вт для управления динамиком, подключенным к мосту. Страница 2 из 4 электрические характеристики t ambient25. Никакая лицензия не предоставляется на его использование, кроме как в информационных целях в связи с продуктами, для которых он предназначен.Каталог электронных компонентов интегральная схема, транзистор, диод, симистор и другие полупроводники стр. 15426. Vdgr 900 В напряжение источника затвора vgss 30 В ток стока постоянного тока id 9a импульс idp 27 мощность стока рассеиваемая tc 25c pd 150 Вт. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. Усовершенствованная технология подавления электромагнитных помех позволяет использовать на выходах недорогие фильтры с ферритовыми шариками, при этом удовлетворяя требованиям по ЭМС. Kf5n50prfrpsfs n-channel mos ревизия полевого транзистора no.Транзистор Toshiba кремниевый npn эпитаксиальный типа 2sc2878. Название фабрики Мацумото дата одобрения fuji electric device technology co. Кремниевый транзистор отличается низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления. 06 июля 2015 г. в этом видео я демонстрирую, как проверить транзистор MOSFET с помощью цифрового мультиметра Fluke в выключенном и включенном состояниях. Spp20n65c3, spa20n65c3 spi20n65c3 прохладный силовой транзистор mos.

Паспорт транзистора D 1885, pdf

Паспорт транзистора D 1885, pdf

Маркировка электронных компонентов, коды smd 1d, 1d, 1d8, 1d.Erf7530 datasheet, erf7530 pdf, распиновка erf7530, аналог, заменяемые компоненты rf power mosfet ekl, схема, схема, руководство. Маркировка радиодеталей, коды smd 1d, 1d, 1d8. Абсолютные максимальные рейтинги t a 25c, если не указано иное.

Bc546b, bc547a, b, c, bc548b, c транзисторы усилителя. Система поиска электронных компонентов и полупроводников. Биполярные переходные транзисторы bjt и fieldeffect transistorsfet. Pdf a1527 a1528 a1537 a1540 a1573 a1574 a1575 a1580 a1590 a1607 d1878 d1887 c4106 d1825 d1880 транзисторы d1878 c3987 d1651 c4161 k1459.Показанная выше конфигурация называется npn-транзистором. Безгалогеновый код партии код даты 1 to126 to126c 2sd1857 l. Когда военные действия начали подходить к концу, лаборатории колокола поняли, что есть большие возможности для полупроводниковой технологии. I Абсолютные максимальные характеристики параметр символ номиналы единица напряжение коллектора vceo 400 В напряжение базы коллектора vcbo 600 В напряжение базы эмиттера vebo 7 В ток коллектора ic 200 мА Рассеиваемая мощность коллектора sot89 pc 550 мВт to92 750. 15 июля 2016 г. d19 datasheet npn planar кремниевый транзистор sanyo , 2sd19 datasheet, d19 pdf, распиновка d19, инструкция d19, схема d19, эквивалент d19.Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to92 to126. Информация для заказа доставки упаковки устройства bc5xyc код устройства x 4 или 5 y 9 или 0 место сборки y год ww рабочая неделя pb.

Gcm1885c1h201ja16d техническое описание, gcm1885c1h201ja16d pdf. Напряжение или ток, приложенные к одной паре выводов транзисторов, контролируют ток через другую пару выводов.Транзистор — это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии. Силовой полевой транзистор ldmos rf 90 вт, 869960 мгц. Основы транзисторов: переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход от коллектора к базе — смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому в первую очередь следует применить kcl. Транзисторы 1400 семейств транзисторов Существует два основных семейства транзисторов. N обозначает материал ntype, а p обозначает материал ptype.Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, bjt-модель с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель малых сигналов и усиление транзисторов. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to922206 to2203.C458 datasheet pdf, c458 pdf datasheet, эквивалент, схема, c458 datasheets, c458 wiki, транзистор, перекрестная ссылка, скачать pdf, сайт бесплатного поиска, распиновка. Bc550c d bc549c, bc550c малошумящие транзисторы npn кремния. Во всех схемах электрических транзисторов изображено изображение с видимым графическим символом на фиг.

Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов peavey. Вы будете использовать транзистор 2n2222, поэтому ваши данные будут другими. Приведенные ниже данные были собраны для примера транзистора npn 2n36443 с использованием схемы ниже.В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать pnp-транзистор st 8550. Высокая скорость переключения абсолютные максимальные рейтинги ta25oc характеристический символ номинальный блок. Id a nc tumt3 tumt6 tsmt6 rsf014n03 us6k2 rsq035n03 rsq045n03 single dual single 1. Высокоскоростное переключение абсолютные максимальные характеристики ta25oc характеристический символ номинальный блок коллекторное напряжение коллекторный датчик напряжение эмиттерная база коллекторный ток постоянный ток коллектор. Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf.D880 datasheet 3a, 60v, npn power transistor mospec, 2sd880 datasheet, транзистор d880, pdf d880, распиновка d880, эквивалент d880, данные, схема d880.

D880 datasheet NPN-транзистор мощности 3a, 60v mospec. D1885 техническое описание pdf, d1885 техническое описание, d1885, d1885. Это разновидность полупроводника, nas6303, nas6316, болт из нержавейки 286. Транзисторы подразделяются на две группы, c и d, в зависимости от коэффициента усиления по постоянному току.

D1885 npn тройной диффузионный планарный кремниевый транзистор техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из технического паспорта поиск для.Возможность лавинного одиночного импульса i d a, пиковый лавинный ток 0 5 10 15 20 25 0 25 50 75 100 125 150 175 tcase c рис. Первым высокочастотным транзистором был германиевый транзистор с поверхностным барьером, разработанный компанией Philco в 1953 году и способный работать на частоте до 60 МГц. Терминал слева называется эмиттером, а терминал справа. Ao4932symbolmintypmaxunitsbvdss30vvds30v, vgs0v datasheet search, datasheets, datasheet search site для электронных компонентов и полупроводников, интегрированный.I Абсолютные максимальные характеристики параметр символ номиналы единица напряжение коллектора vceo 400 В напряжение базы коллектора vcbo 600 В напряжение базы эмиттера vebo 7 В ток коллектора ic 200 мА Рассеиваемая мощность коллектора. D1875 datasheet, d1875 pdf, d1875 data sheet, d1875 manual, d1875 pdf, d1875, datenblatt, electronics d1875, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание.

Jul 05, 2017 d880 datasheet 3a, 60v, npn power transistor mospec, 2sd880 datasheet, транзистор d880, d880 pdf, распиновка d880, эквивалент d880, данные, схема d880.Высокая мощность в корпусе to3pn по отличной цене в ваттах на доллар. Эмиттер, коллектор и база по своей сути транзистор состоит из двух диодов, расположенных спина к спине. Они были сделаны путем травления углублений в германиевой основе n-типа с обеих сторон струями сульфата индия до тех пор, пока она не достигла толщины в несколько десятых тысячных дюйма. Nas6303 nas6303 nas6316 болт из нержавеющей стали 286.

Npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор, техническое описание d1880, d1880 pdf, техническое описание pdf d1880, распиновка, техническое описание, схемы.En2427a npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор 2sd1880 цветной телевизор выход по горизонтали отклонение приложения приложения размеры корпуса цветной телевизор выход по горизонтали. Etc1 транзистор, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и. Усилитель общего назначения Npn Это устройство выполнено в виде усилителя и переключателя общего назначения. Aod454 n-канальный полевой транзистор с режимом усиления. Он состоит из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами для подключения к внешней цепи.Этот транзистор является компонентом, который имеет различные размеры и различные размеры. Он не проверяет, как datahseet хороший pnp-транзистор с помощью dvm, и у меня нет доступа к кривой.

Это таймер с широкими возможностями настройки, который принимает цифровой сигнал датчика namur от механического контакта из опасной зоны и обычно используется в приложениях, требующих задержки, задержки, однократной задержки или удлинения импульса. En2432a npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор 2sd1885. PDF 1503c 1565c 1574c 1590c 1616c 1654c c3820, 1782c b1235 d c3151 c4460 d1651 d1047 k d1047 b817 c2621 d1650 b1269 c4106 d895.Gcm1885c1h201ja16d таблица данных, поисковая система в формате pdf. Доступны бесплатные пакеты максимальные номинальные характеристики номинальный символ значение единица коллектор эмиттер напряжение bc546 bc547 bc548 vceo 65 45 30 vdc базовое напряжение коллектора bc546 bc547 bc548 vcbo 80 50 30 vdc базовое напряжение эмиттера vebo 6. Bc556b, bc557a, b, c, bc558b транзисторы усилителя вкл. . Малосигнальные транзисторы smv-диоды маркировка кода бесплатная. Bc546 d bc546b, bc547a, b, c, bc548b, c транзисторы усилителя npn кремниевые особенности pb. BJTS имеют 3 вывода и бывают двух разновидностей, как npn и pnp транзисторы.

Отсечка транзистора полностью отключена, работает как переключатель и. В некоторых случаях может быть превышен указанный ток коллектора. Активная область транзистора работает как усилитель и. По насыщению транзистор полностью работает как переключатель и. Серия транзисторов с низким vcesat выдерживает напряжение разряда, высокоскоростное переключение, серия транзисторов с низким уровнем шума, заглушение серии транзисторов, новые продукты.

Этот изолированный барьер используется для искробезопасных приложений. Модовый МОП-транзистор разработан для ВЧ усилителей мощности.Справочное руководство отраслевой номер детали 2sc1855 2sc1856 2sc1859 2sc1885 2sc1886 2sc1887 2sc1890 2sc1906. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

D1887 c4106 d1825 d1880 транзисторы d1878 c3987 d1651 c4161 k1459 текст. Весной 1945 года было созвано крупное собрание, чтобы обсудить будущие исследования в этой области, что стало поворотным моментом в истории транзисторов.Маркировка J маркировка упаковки sot223 2sd1857 код даты 1 л. Тройной диффузионный транзисторный усилитель мощности npn, даташит ktd998, схема ktd998, паспорт ktd998.

Транзистор NPN, высоковольтный / высокоскоростной переключатель SI

Описание продукта


NTE Semiconductors

NTE Номер детали: NTE379
Описание: T-NPN, SI-HV HI-SP, PWR SW
Кол-во в упаковке: 1

Чтобы узнать о наличии на складе, позвоните или напишите нам.
Срок поставки товаров, отсутствующих на складе, составляет 1-2 недели.

Щелкните здесь, чтобы просмотреть техническое описание NTE379.
Если эта ссылка на таблицу не работает, она все еще может быть доступна на nteinc.com.


Эта деталь является эквивалентом следующей детали:
0031013066, 0061170, 0061171, 018-2, 01H0378, 086X0128-001, 1087-01 (ZENITH), 1179-1332, 1191-4793, 121-1039, 121 -1070, 121-1087-01, 121-1108, 1217-9131, 1217-9149, 13-31013-66, 1854-0737, 1854-0827, 1854-0839, 1854-0889, 1854-1006, 185920, 189310 (Не может быть точным механическим или электрическим эквивалентом.Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2003237331, 2149-401-404, 21A118-234, 21A118-235, 229008, 2322223, 260P27901, 2N6477, 2N6478, 2N6497, 2N6498, 2N6499, 2N6738 , 2N6739, 2N6740, 2N6740H, 2SC1816 (HORZ), 2SC1865 (существует незначительная механическая разница, но устройство подходит для большинства приложений.), 2SC2200, 2SC2333, 2SC2333-K, 2SC2333-L, 2SC2333-M, 2SC2334K, 2SC23-35, 2SC2335 K, 2SC2335-M, 2SC2355-L, 2SC2359, 2SC2372 (L), 2SC2373, 2SC2373-K (не может быть точным механическим или электрическим эквивалентом.Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SC2373K, 2SC2373-L (может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SC2373L, 2SC2373-M, 2SC2373M, 2SC2427, 2SC2440, 2SC2502, 2SC2518, 2SC2534, 2SC2535, 2SC2542, 2SC2553, 2SC2612, 2SC2613, 2SC2739, 2SC2767, 2SC2768, 2SC2810, 2SC2713, 2SC6728, 2SC6798, 2SC672815, 2SC6798, 2SC672815, 2SC6798 2SC3039L, 2SC3039M, 2SC3039N, 2SC3158 (не может быть точным механическим или электрическим эквивалентом.Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SC3159 (может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), 2SC3159L (не может быть быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Тем не менее, он будет приемлемой заменой в большинстве типичных приложений.), 2SC3170, 2SC3170-P, 2SC3170P (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 2SC3173, 2SC3175, 2SC3189, 2SC3257, 2SC3344 (Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 2SC3568 (не может быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он будет приемлемой заменой в большинстве типичных приложений.), 2SC3568M (необходимо использовать поставляемое изоляционное оборудование.), 2SC3572 (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование .), 2SC3572L (необходимо использовать поставляемое изоляционное оборудование.), 2SC3572M (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 2SC3625, 2SC3627 (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 2SC3871 (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 2SC3890 (Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 2SC4073 (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект.), 2SC4105, 2SC4105L, 2SC4105M, 2SC4106, 2SC4106L, 2SC4106M, 2SC4107, 2SC4107L, 2SC4107M, 2SC4162L (необходимо использовать изолирующее оборудование из комплекта поставки 163L), 2SC .), 2SC4164, 2SC4164L, 2SC4274, 2SC4274-02, 2SC4274-02F9, 2SC5172, 2SC5763, 2SC5763M, 2SD1069, 2SD1163, 2SD1163A, 2SD1404, 2SD783, 2SD823, 2SD780, 2SD872, 2SD872, 2SD872 Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 3572M (TRANS) (Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 35C0740, 410022373K, 410023568K (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект.), 410023568L (необходимо использовать прилагаемое изолирующее оборудование.), 4100308230, 46-861010-3, 4822-130-41085, 482213041085, 4822-130-42241, 482213042241, 4822-130-63257, 482213063257, 4835-130-47025 (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект.), 483513047025 (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект), 4835-130-47223 (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект). , 483513047223 (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект), 4835-130-47377, 483513047377, 497-3510-ND, 4h23041085, 548-1 (MAG), 57A401-11, 57A421-11, 57B421-11, 57C421-11 , 57D421-11, 584342 (1), 610548, 6105480001, 610548-1, 61020 (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), 61170, 61171, 61960, 8409-07220 (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект), 86X0128-001, 8-729-132-22, 8-729-133-40, 8-729-133-53, 8 -729-920-90, 8-729-924-40, 8-729-925-02, 8-729-931-43, 8-729-976-71, 921-10053, 92110053, 9332-883-00112 , 933288300112, 9337-606-50127, 933760650127, 935-6162, 9-908-801-01, BU104P, BU109P, BU306F (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект), BU307F (необходимо использовать изолирующее оборудование, входящее в комплект), BU406 , BU406D, BU406F (Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), BU406H, BU407, BU407F (необходимо использовать поставляемое изоляционное оборудование.), BU407H, BU408, BU409, BUL146, BUV27, BUV28, BUV56, BUW41, BUW41A, BUW41B, C1816 (HORZ), C1865 (незначительная механическая разница существует, но устройство подходит для большинства приложений.), C2234-M, C2333, C2333-K, C2333-L, C2333-M, C2335, C2335-K, C2335-L, C2335-M, C2359, C2373 (может не быть точным механическим или электрический эквивалент. Однако он будет приемлемой заменой в большинстве типичных приложений.), C2373-K, C2373-L, C2373L, C2373-M, C2427 (TRANS), C2502, C2502 (TRANS), C2518 (TRANS) ), C2534, C2535, C2542, C2553, C2612, C2613, C2739 (транс), C2768, C2810, C2810 (транс), C2815 (транс), C2816, C2827, C2867 (транс), C2898 (транс), C2913, C3039 , C3039L, C3039M, C3039N, C3039 (TRANS), C3158 (TRANS) (не может быть точным механическим или электрическим эквивалентом.Тем не менее, он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), C3159L (TRANS) (может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он обеспечит приемлемую замену в большинстве типичных приложений.), C3159 (TRANS) (не может быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он будет приемлемой заменой в большинстве типичных приложений.), C3170 (необходимо использовать поставляемое изоляционное оборудование.), C3170P (TRANS) (необходимо использовать изолирующее оборудование в комплекте.), C3173 (TRANS), C3175, C3175 (TRANS), C3189 (TRANS), C3257, C3310 (ЯПОНИЯ), C3310 (TRANS) (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C3344 (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.) , C3568M (TRANS) (необходимо использовать поставляемое изоляционное оборудование.), C3568 (TRANS) (может не быть точным механическим или электрическим эквивалентом. Однако он будет приемлемой заменой в большинстве типичных приложений.), C3572 (TRANS ) (Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C3625 (TRANS), C3627 (TRANS) (Необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C3871 (TRANS) (необходимо использовать поставляемое изолирующее оборудование.), C3890 (необходимо использовать прилагаемое изолирующее оборудование.), C3890 (TRANS) (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C4073 (TRANS) (необходимо использовать изоляционное оборудование, входящее в комплект). оборудование поставляется.), C4105L (TRANS), C4105M (TRANS), C4105 (TRANS), C4106L (TRANS), C4106M (TRANS), C4106 (TRANS), C4107L (TRANS), C4107M (TRANS), C4107 (TRANS), C4162L (TRANS) (необходимо использовать поставляемое изоляционное оборудование.), C4162 (TRANS) (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C4163L (TRANS) (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C4163 (TRANS) (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование.), C4164L (TRANS), C4164 (TRANS), C4274, C4274-02 (TRANS), C4274 (TRANS), C5172, C5763, C5763M, D1069 (TRANS) , D1163A (TRANS), D1163 (TRANS), D1404 (TRANS), D363 (PLASTIC), D44TE3, D44TE4, D44TE5, D44TQ1, D44TQ2, D782, D783, D823, D872, D884, D976A, D976 (TRANS), D987 ( TRANS), E13006, E13007, E13008, E13009, ECG379, EW15X0344 (необходимо использовать прилагаемое изоляционное оборудование), EW15X218, EW15X24, EW15X344, EW15X345, EW15X567, GS2015, IX800900, KD363, KSC233535, KSC233535, KSC233535 KSC2518-O, KSC2518R, KSC2518Y, KSD362-O, KSD362R, KSD362Y, KSD363, KSE13006, KSE13007, KSE13008, KSE13009, KTC1003, KTC2233, KTC2233I, KTD10691, MJ1401, MJ1401, MJ1401, MJ1401, MJ140130, MJ140170 или электрический эквивалент.Однако он будет приемлемой заменой в большинстве типичных приложений.), MJE16106, MJE51T, MJE52T, MJE53T, NTE379, SJE2721-2, SK9085, SK9085 / 379, ST13006, ST13008, ST13009, ST44TE3, ST44TE4, ST44TE5, ST44TE5, ST44TE5, -13006, STI13006, STI-13008, STI13008, STI-13009, STI13009, STI-13070, STI13070, STI-13071, STI13071, STI-16016, STI16016, STI-5850, STI5850, STI-5851, STI-5851, STI585521 , STI5852, T1039, T6V40F1, TE13006, TE13008, TE13009, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TM379, TZ1039, VS2SC2373L / 1E, VS2SC2827 // 1E, VS2SD724 /// 2A, Y133101399 запасных частей для электроники

Vetco полный инвентарь a 906 , включая интегральные схемы (ИС), транзисторы, диоды и светодиоды.
Ищете дополнительную информацию? Нажмите здесь, чтобы выполнить поиск по онлайн-компоненту NTE. ПОКРЫТИЕ СПРАВОЧНИКОВ

Состояние продукта: Новый

AUTHELECTRONIC.COM

  • Информация о продукте
  • МЕЖДУНАРОДНЫЙ ДОСТАВКА
  • PAYPAL JCB VISA MASTER CARD

Оригинальные приложения для коммутации NPN-транзистор 2SD2241 D2241 2241 TO-220F New Toshiba Semiconductor

2SD2241 заменяется (эквивалент 2SD2241) на 2SD0602 2SD0602A 2SD0814A 2SD100 2SD1000 2SD1000LK 2SD1000LL 2SD1000LM 2SD1001 2SD1001FK

Схема 2SD2241, распиновка 2SD2241, Руководство 2SD2241, лист данных 2SD2241, схема 2SD2241

Лист данных 2SD2241 D2241 2241 TO-220F

(10-20 дней работы) Албания, Алжир, Аргентина, Армения, Австралия, Австрия, Азербайджан, Бахран, Бангладеш, Беларусь, Бельгия, Босния и Герцеговина, Бразилия, Бруней-Даруссалам, Болгария, Камбоджа, Канада, Чили, Колумбия, Коста-Рика, Хорватия, Кипр, Чехия , Дания, Эквадор, Египет, Эстония, Фиджи, Финляндия, Франция, Германия, Гана, Греция, Венгрия, Исландия, Индонезия, Ирландия, Израиль, Италия, Япония, Казахстан, Кения, Кувейт, Кыргызстан, Латвия, Ливан, Ливия, Литва , Македония, Малайзия, Мальдивы, Мальта, Маврикий, Мексика, Молдова, Черногория, Марокко, Мьянма, Непал, Нидерланды, Новая Зеландия, Нигерия, Норвегия, Оман, Пакистан, Панама, Парагвай, Перу, Филиппины, Польша, Португалия, Пуэрто-Рико , Катар, Реюньон, Румыния, Россия, Саудовская Аравия, Сербия, Сингапур, Словакия, Словения, Южная Корея, Южная Африка, Испания, Шри-Ланка, Швеция, Швейцария, Таиланд, Турция, ОАЭ, Украина, Великобритания, США, Уругвай, Узбекистан, Венесуэла, Вьетнам, Афганистан, Андорра, Ангола, Белиз, Бенин, Бутан , Боливия, Босния и Герцеговина, Ботсвана, Буркина-Фасо, Бурунди, Камерун, Кабо-Верде, Чад, Кот-д’Ивуар, Джибути, Экваториальная Гвинея, Эфиопия, Фолклендские острова, Фарерские острова, Франция, Полинезия, Габон, Гамбия, Гана, Гибралтар , Гуам, Гватемала, Гвинея, Гвинея-Бисау, Гайана, Гондурас, Венгрия, Иран, Ирак, Иордания, Кирибати, Лаосская Народно-Демократическая Республика, Лесото, Либерия, Люксембург, Мадагаскар, Малави, Мали, Мексика, Монако, Монголия, Мозамбик, Намибия, Непал, Новая Каледония, Никарагуа, Нигер, Оман, Папуа-Новая Гвинея, Руанда, Сан-Марино, Саудовская Аравия, Сенегал, Сейшельские Острова, Соломоновы Острова, Судан, Суринам Свазиленд, Таджикистан, Танзания, Республика Ко

Мы принимаем оплату картой PAYPAL JCB VISA MASTER CARD.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *