FINDER Модуль индикации и защиты; зеленый LED + диод (+ A2); 110…220В DC(арт.9902922079)
ru. Специалист свяжется с вами для уточнения деталей.По адресу: Московская область, Люберецкий район, п. Томилино, мкр. Птицефабрика, стр. лит. А, офис 109. Мы есть на Яндекс.Карты.
Доставка до двери
Осуществляется курьерской службой или транспортной компанией (на Ваш выбор).
Мы работаем с ведущими транспортными компаниями и доставляем заказы во все регионы России и Казахстана.
Доставка до терминала
Транспортной компании в Москва – БЕСПЛАТНО.
LED диод | ДИОД за прожектор
Светодиот тип SMD, предназначен за ремонт на LED прожектори.
Висококачественият диод е с работно напрежение 30-34V и консумиран ток 300mA.
Източникът на светлина е подходящ за осветление на различни обекти — витрини на магазини, складове, спортни площадки и др.
10W светодиод за ремонт на LED прожектори
Тип на диода: LED/ SMD
Мощност: 10W
Яркост: 70LM/W
Цвят на светлината: студено бяла
Цветна температура: 6000-6500K
Максимален ток: 300 mA
Напрежение: 30-34V
Ъгъл на светлинния поток: 120-140 градуса
Размери: 42 x 40 x 4 mm
LED Модули
LED модул , съставен от 4 броя LED диоди тип 2835, монтирани.
2.04лв.
Цена без ДДС: 1.70лв.
LED модул , единичен с LED диоди тип 5050 водоизолиран..
1.08лв.
Цена без ДДС: 0.90лв.
LED модул , съставен от 3 броя суперярки висо..
1.99лв.
Цена без ДДС: 1.66лв.
15.96лв.
Цена без ДДС: 13.30лв.
LED модул , съставен от суперярки високопроиз.
.
18.19лв.
Цена без ДДС: 15.16лв.
0.96лв.
Цена без ДДС: 0.80лв.
LED модул , съставен от суперярки високопроиз..
18.19лв.
Цена без ДДС: 15.16лв.
LED модул , съставен от суперярки високопроиз..
11.42лв.
Цена без ДДС: 9.52лв.
LED модул , съставен от суперярки високопроиз.
.
11.42лв.
Цена без ДДС: 9.52лв.
Подходящ за настолна лампа с лупа. &..
16.20лв.
Цена без ДДС: 13.50лв.
2.76лв.
Цена без ДДС: 2.30лв.
LED модул , съставен от 3 броя суперярки висо..
1.26лв.
Цена без ДДС: 1.05лв.
LED модул , съставен от 3 броя суперярки висо.
2.76лв.
Цена без ДДС: 2.30лв.
LED модул , съставен от 3 броя суперярки висо..
2.76лв.
Цена без ДДС: 2.30лв.
LED диод 1W, 90 лумена, бяла светлина. &n..
1.20лв.
Цена без ДДС: 1.00лв.
1.92лв.
Цена без ДДС: 1.60лв.
LED диод 1W, 90 лумена, бяла светлина, монтиран на алуминиев р.
.
1.92лв.
Цена без ДДС: 1.60лв.
LED диод 1W, 110 лумена, бяла светлина. &..
1.56лв.
Цена без ДДС: 1.30лв.
Видове светодиоди (LED) — SMD, COB и FILLAMENT
Светодиодното осветление става все по-популярно благодарение на впечатляващите му енергоспестяващи характеристики – светодиодните (LED) крушки произвеждат средно 83 лумена светлина от 1 Ват консумирана енергия (с тенденция за достигане на 150 лумена на Ват през 2020 г.) и вече издържат до 25 пъти по-дълго в сравнение с традиционните лампи с нажежаема жичка. В световен мащаб производството на светодиоди се увеличава, което допринася за още по-изгодна крайна цена за потребителя.
Светодиодните технологии също се развиват, като освен по-старите светодиоди с двуредов корпус (DIP, съкратено от Dual-In-Line), които се използват вече повече от половин век – виж фиг. 1 по-долу, в момента се предлагат 3 основни вида – светодиоди за повърхностен монтаж (SMD, съкратено от Surface Mounted Device), светодиоди с чипове (COB, съкратено от Chips on Board) и най-новият и ефективен Fillament.
Фиг. 1. Обикновен светодиод
Светодиодите за повърхностен монтаж (SMD LED) са най-използваните в момента и са значително по-компактни – състоят се от монтирани върху печатна платка диоди, като така полученият елемент може да бъде свързан в схема за създаване на различни осветителни конфигурации – виж фиг. 2 по-долу.
Фиг. 2. Светодиод за повърхностен монтаж (SMD LED)
Върху една подложка могат да се монтират до 3 бр. диоди – син, червен и зелен, с което се осигурява богато разнообразие от цветове.
Светодиодите с чип (COB LED) са най-новия предлаган вид – състоят се от много на брой монтирани върху чип диоди, като за разлика от SMD LED, при COB LED обикновено се използват 9 бр. или повече диоди на 1 чип – с което се постига ефект на излъчване на светлина от цялата площ, а не на отделни малки светлинни снопове, както е при SMD LED – виж фиг. 3 по-долу.
Фиг. 3. Светодиод с чип (COB LED)
Светодиодите COB са изключително енергоспестяващи поради съвсем малкото количество генерирана топлина, за което допринася и охлаждащата керамична подложка. За разлика от SMD, COB не могат да излъчват светлина в различни цветове, но при тях може да се контролира светлинната температура.
Разновидност на светодиодите с чип (COB LED) са светодиодите с много на брой чипове (MCOB LED, съкратено от Multiple Chip on Board) – виж фиг. 4 по-долу.
Фиг. 4. Светодиод с много на брой чипове (MCOB LED)
Кой от двата вида светодиоди е по-добър – COB или SMD?
Всичко зависи от конкретното приложение. Ако ви трябва интериорно и/или външно осветление с променящи се цветове – светодиодите SMD са подходящите за вас; ако искате максимално възможните лумени едноцветна светлина на 1 Ват консумирана енергия – може да проверите какви светодиоди COB предлагаме.
Каким должен быть принтер
Вы можете себе представить жизнь без принтера? Да, это просто невозможно.
Принтер должен быть обязательно. Но при покупке нужно обращать внимание на некоторые критерии, о которых некоторым людям даже неизвестно. Поэтому лучше всего советоваться со специалистом. Широкий ассортимент принтеров и расходных материалов тут https://bossert.tech/tekstilnie-chernila. Но тут возникает другая проблема – где его взять? Конечно, многие скажут, что в любом специализированном магазине Вам помогут с выбором. Но и здесь загвоздка – Вы уверенны, что помогут, или просто продадут то, что им нужно? В общем, как ни крути, а придется самому браться за дело. Нужно выбрать именно те критерии, по которым и будет осуществляться выбор.
Но для этого стоит вначале ознакомиться с существующими технологиями. И первая технология, о которой пойдет речь – это матричная. Она является самой старой представительницей, которая и легла в основу всех современных печатающих устройств. Принтеры, работающие по такой технологии, называют еще «игольчатыми». Принцип работы можно сравнить с печатной машинкой.
Эта технология не может быть использована для любой печати – только для текста, остальное получится некачественно. И вообще такие принтеры давно бы устарели и в продажи Вы их уже не увидели, если бы не преимущества.
Преимуществами данной технологии является:
- возможность печатать многослойные документы (через копирку) — такую печать подделать практически невозможно, так как надпись получается продавленной, и в результате исправить ее невозможно
- отличается простотой печати, то есть можно печатать, используя непрерывные носители (ленты).
В результате всего описанного выше, такие принтеры еще долго прослужат человечеству. Особенно они незаменимы в банковских учреждениях, в паспортных столах, торговых точках и так далее. Но для офиса такие принтеры не подойдут. Струйная технология – чернильные капли выпрыскиваются через маленькие отверстия. А отверстия расположены рядами на каретке, которая двигается вдоль бумаги.
В настоящее время эти принтеры стали уступать новинкам, так как возникают трудности с чернилами – хоть и стоят они не очень дорого, но хватает их на небольшое количество документов.
Кроме того, лучше приобретать не чернила, а картриджи, потому что самостоятельная заправка чревата. В связи с этим пальму первенства заполучила лазерная технология. Главной деталью подобного принтера является фотобарабан. На этом барабане лучом рисуется изображение. После на барабан посыпается специальные частицы, они называются тонер. Тонер прилипает только к заряженным участкам, а с незаряженных наоборот осыпается. И только после этого мы получаем готовое изображение.
Преимущества лазерных принтеров:
- быстрая печать — высокая надежность — может осуществляться печать практически на любом носителе (что достаточно снижает стоимость эксплуатации).
- Кроме этого можно заявить с уверенностью, что вообще эксплуатация таких принтеров обходиться куда дешевле, чем струйных. Но при этом стоит сам принтер далеко не мало.
Недостатки лазерных принтеров:
- если принтер цветной, то оттенки цветов воспроизводятся хуже, чем струйными — искажение краев – луч доходит до краев барабана под косым углом, поэтому круглая точка становится овальной (но это возможно исправить с помощью линз).
Надо отметить, что лазерная технология имеет ряд ответвлений, например, LED-технология и так далее. LED-технология – отличительная черта, это источник света. Используется ни один лазерный диод, а «линейка» этих самых светодиодов.
Преимущества LED:
- более высокая надежность по сравнению с другими лазерными технологиями, так как отсутствует механическое управление источником света
- более высокая скорость — отсутствуют краевые искажения И теперь можно сказать, что для офиса лучше выбрать лазерную технологию или LED.
16-дюймовый MacBook Pro 2021 с M1 Max: лучший ноутбук Apple | Блоги
Для тех, кому лень читать много текста, я могу сразу все заспойлить в версии TL;DR:
Это практически идеальный ноутбук по всем параметрам, которые важны для ноутбука. Производительность процессора, качество экрана, время работы от аккумулятора. Можно сколько угодно подначивать Apple по поводу “откатывания” некоторых решений 5-летней давности, но факт остается фактом: в 2021 году Apple признала свои ошибки, исправила их и доставила.
Для тех, кому интересно, как можно о ноутбуке написать больше 4 тысяч слов — добро пожаловать!
Важный момент о чтобы понимать, с чем я сравниваю. За последние 7 лет у меня была масса ноутбуков Apple (как собственных, так и рабочих):
– MacBook Pro 15” Intel Core i7 2014 года
– MacBook 12” Intel Core m3 2015 года
– MacBook Pro 13” Intel Core i5 2018 года
– MacBook Pro 13” M1 2021 года
– MacBook Pro 15” Intel Core i9 2018 года
(смутно припоминаю, что где-то между ними еще был какой-то MacBook Air, но это не точно)
Первый ноутбук из этого списка до последнего времени я считал лучшим ноутбуком в истории Apple (была небольшая ревизия этой модели в 2015 году, но архитектурно это одно и то же поколение). Там есть разнообразие портов, нормальная клавиатура, отсутствие компромиссов в угоду тонкости. Но, поработав последние полгода на M1 Маке, я понимал, что Apple с новыми процессорами нащупала очень хорошую жилу. И что если Apple покажет новое поколение Pro машин, исправив свои ошибки последних лет, то должно получиться что-то очень хорошее (и надо будет покупать). И вот сразу после анонса новых Маков я разместил заказ — уговорив Apple Card на конфигурацию с большим запасом: MacBook Pro 16 дюймов, M1 Max c 32ГБ памяти и 1ТБ хранилища для файлов.
© Apple
(Как-то язык не поворачивается назвать это “диском”, хотя у Apple до сих пор язык поворачивается называть по умолчанию диск именем Macintosh HD — то есть Hard Drive. Ну, в целом, точно не Soft Drive, и ладно).
Возможность сразу при покупке раскидать стоимость этой конфигурации на год по карте и 3% кэшбэк помогают сгладить травму от стоимости — 3499 долларов США. Мысль, что это как минимум на 5 лет (“меньше 10 долларов в день!”), тоже помогает с этой стоимостью мириться. Не слишком ли много компьютера это для меня? Наверно, слишком, но я иногда делаю видяшечки в FCP для YouTube-канала о Кобре, и ждать окончания задач, обжигая руки о Core i9 ноутбук мне уже не очень нравится. Сразу в день анонса я сделал предзаказ ноутбука (предварительно пострадав, выбирая между экранами 14 и 16 дюймов), с доставкой в середине ноября.
А в день начала продаж я проверил, что такую конфигурацию можно было приехать и забрать в Apple Store неподалеку!. Поэтому я отменил предзаказ, сделал новый с забиранием в магазине — и уже через пару часов распаковывал дома новый MacBook Pro. (Там же я купил и ту самую полировочную тряпочку!). По результатам использования за последние две недели я и описываю тут свои впечатления.
Еще в магазине, забирая коробку, вам может показаться, что она тяжелее, чем раньше. Да, новые MacBook Pro действительно больше и тяжелее уходящего поколения эпохи Айва – но всего лишь на 100 граммов, по сравнению с 16-дюймовым MacBook Pro 2019 года. В сравнении с MBP 15” 2018 года ноутбук толще, причем в основном в районе экрана. Если у вас есть 15” MacBook Pro 2014-2015 года, вы можете легко представить себе габариты новых — с ними новые MacBook Pro хорошо совпадают размерами. Мак 2014 года чуть толще, Мак 2018 года чуть тоньше, но этот эффект особенно бросается в глаза за счет того, что края ноутбука больше не сужаются, а приближаются к прямоугольной форме — quadratisch praktisch gut! (Надеюсь, Ritter Sport меня не засудит).
Сверху вниз: 1,55см, 1,8см, 1,68см.
Еще у углов новых ноутбуков уменьшился радиус закругления — эта часть мне как раз не очень нравится, но в том числе благодаря этому экран теперь почти “безрамочный”, и я готов на это не обращать внимания.
(новый MBP внизу)
Вообще удивительно, как Apple сумела объединить почти-что ретро-дизайн своих ноутбуков и чипы из будущего. Я слышал жалобы по поводу новых форм, что “вот, отказались от дизайна!”. Напомню, что дизайн — это не только то, как продукт выглядит, но и то, как он работает. И гонка за тонкостью ради тонкости и некоего дизайна привела к провалу с клавиатурами типа “бабочка” — которая существенно подпортила репутацию Apple, и стоила компании не один миллиард долларов. Новый форм-фактор обеспечивает и лучшее охлаждение ноутбука; а мы все помним скандал с замедлением процессоров в ноутбуках Apple пару лет назад — потому что тонкий формфактор и горячий Intel плохо стыкуются вместе. Снизу на корпусе теперь чуть более высокие ножки (тоже в угоду улучшения терморегуляции).
Ножки, я помню, вызвали небольшое подгорание в соцсетях, хотя я даже затрудняюсь сказать, чем именно. Короче, ну ножки и ножки, там даже не о чем говорить. За них даже удобней пальцем придерживать ноутбук теперь, когда переносишь его с места на место. Снизу на корпусе также в алюминии выштамповано название модели — MacBook Pro (в отличие от предыдущих моделей, где надпись была под экраном).
Там эта надпись мало кому заметна, но яблоко сзади на крышке экрана и так красноречиво дает понять, что это за компьютер. Яблоко все также не светится, и все также темного цвета. В комплекте идут также наклейки с логотипом, и наклейки тоже черного цвета — подчеркивая, что вы имеете дело с профессиональной линейкой, а не какой-то там MacBook Air!
Из неожиданного, на что я обратил внимание: крышка с дисплеем теперь открывается чуть легче, чем у ноутбуков предыдущего форм-фактора, что позволяет открывать ноутбук одной рукой, без необходимости придерживать нижнюю часть, предотвращая её сползание.
С ноутбуком 2018 года такой фокус при желании можно провернуть — сила сопротивления кронштейна там примерно такая же, но именно первоначальный “отрыв” у нового происходит немного легче. Закрывается крышка с приятным сочным хлопком, менее звонким, чем у предыдущих моделей (да, я сумасшедший и обращаю внимание на такие детали).
Продолжая экскурсию по экстерьеру машины, нельзя не заметить, что Apple также вернула и несколько интерфейсов, от которых раньше отказалась в пользу USB-C. Вместо эксклюзивных 4 портов USB-C теперь у новых Маков их 3 (два слева, один справа), а один USB-C заменили тем, чего, видимо, многим не хватало. Например, мы получили обратно MagSafe — магнитный порт для зарядки ноутбуков: шнурок, который держится с помощью магнита, и легко отрывается от компьютера, если кто-то зацепил шнурок ногой. Также Apple вернула HDMI и слот для SD-карт. По-моему, обмен получился вполне выгодным, хотя лично мне HDMI не сильно нужен (он HDMI 2.0, а не более современный HDMI 2.
1). А вот разъем для SD-карты меня порадовал: я в какой-то момент понял, что всякие переходники и док-станции, которые у меня есть, я в основном использовал для чтения карт памяти из фотоаппаратов. Обратите внимание, что разъем для карт памяти тоже не самый новый UHS-III, а более медленный UHS-II. Все USB-C порты поддерживают Thunderbolt 4, если у вас есть аксессуары, которые туда можно подключать, и зарядку устройства.
Многие, увидев возврат этих разъемов не преминули постебаться над “смелостью” Apple, которая в свое время отказалась от различных интерфейсов в пользу USB-C. Я думаю, что 6-7 лет назад, когда Apple разрабатывала уходящее поколение MacBook Pro, они вполне искренне верили в то, что USB-C станет тем самым универсальным разъемом, который заменит все. Разъем-то универсальный, но вот что за этим разъемом может скрываться — совсем не универсальное. Кажется, стандарт USB-C с передачей данных, питания, информации об изображении и тд. взял на себя столько всего, что никак не может толком с этим взлететь. В итоге пользователи не могут знать, вставляя кабель в разъем, что именно может делать этот кабель, и что может делать этот разъем. Я с новым MacBook Pro наступил на эти грабли, когда мне надо было скопировать данные со старого ноутбука, и я загрузил его в режим Target Disk. Я нашел дома 4 кабеля, у которых было USB-C на двух концах, но только один из них умел передавать файлы между компьютерам. Да и сама Apple, например, в комплектации к ноутбукам давала USB-C кабель к блоку питания, который умеет только передавать питание. Короче, такой бардак с этим USB-C, что я почти уверен, что именно он стал причиной Apple по возвращению старых разъемов.
С MagSafe в новых ноутбуках, кстати, тоже все не так просто и очевидно. Во-первых, это новый разъем MagSafe, не совместимый с предыдущими поколениями – он чуть шире, чем MagSafe у ноутбуков 2014-2015 годов. Интересно, что в комплекте с Маком цвета Space Gray наконечник зарядки MagSafe — серебристого цвета. На это можно было бы махнуть рукой, но ведь именно Apple приучает нас к тому, что каждая деталь имеет значение, и что компания обращает внимание на подобные детали..jpg)
Тут, получается, не обратила. Во-вторых, в 16-дюймовой модели MacBook Pro только этот разъем (и поставляемый в комплекте для этого кабель USB-C-MagSafe) умеет делать Fast Charge компьютеру благодаря 140Вт блоку питания и новому стандарту USB-PD. По обычному USB-C кабелю у 16-дюймового ноутбука будет только обычная зарядка (в отличие от 14-дюймовой модели, где это возможно). От ноля до 100% с MagSafe компьютер заряжается примерно 1ч 35минут, при этом половина аккумулятора заполняется за 24 минуты. 80% заряда достигается за 45 минут, а вот оставшиеся 20% электричества затолкать в аккумулятор занимает еще столько же времени. Первые полчаса заряда в районе правого запястья (справа от трекпада) чувствуется потепление, а потом это место возвращается к обычной температуре — это, пожалуй, единственный индикатор быстрой зарядки. Я пока не проверял, сколько времени заряжается аккумулятор через USB-C — в основном потому что у меня не хватает терпения полностью разрядить ноутбук. Возможный недостаток MagSafe для кого-то в том, что разъем только с левой стороны, в отличие от USB-C, шнур зарядки с которым можно воткнуть с любой стороны.
И раз я уже про аккумуляторы, то нужно обязательно сказать про слона в комнате. То есть про аккумулятор, который все никак не заканчивается. В первом тесте, который я провернул, компьютер прожил отключенным от питания более 30 часов.
Если придираться, то это некорректный показатель “работы” — там было около 8 часов “сна” с открытой крышкой ночью, когда, подозреваю, компьютер почти ничего не потреблял. В остальное время в процессе использования наблюдалось разнообразие Твиттера, браузера, офисных приложений, виртуальной машины, копирования файлов с другого компьютера по Thunderbolt-кабелю, установка приложений, иногда я запускал тесты производительности, и проводил прочие операции по настройке компьютера. (Я решил этот компьютер настроить “с нуля”, не перетаскивая многолетнее барахло экспериментов с приложениями и бета-версиями систем через Time machine или миграцию данных). Я думаю, если вычесть время сна и других пауз с бездействием, там получилось бы порядка 15-16 часов работы с относительно средней загрузкой.
С приложениями, которые нагружают процессор основательней, все прозаичней. Час работы с проектом 4K в Final Cut Pro — импорт объектов, их добавление в проект, анализ и выравнивание звука, монтаж сегментов и прочие любительские манипуляции — съели порядка 10% аккумулятора. Соответственно, если прикинуть этот расход, то получается около 10 часов интенсивной работы. Очень и очень неплохо, особенно если сравнивать с Intel MacBook Pro, у которого похожие задачи за час сжигают половину аккумулятора, а то и больше. Более того, Intel Мак в это время конкретно обжигает ноги, в то время как M1 Мак стал лишь чуть теплее. Еще пример: около двух часов активного использования Safari, Chrome с кучей вкладок, и еще пары приложений, и одновременная трансляция экрана через AirPlay на телевизор — за это время ушло около пятой части заряда; тоже получается около 10 часов работы с высокой нагрузкой. Но главное даже не это на самом деле. Благодаря такому запасу аккумулятора снимается некая психологическая блокировка от того, что у тебя компьютер привязан к кабелю зарядки.
Ты перестаешь вообще думать о ноутбуке в разрезе времени запаса его аккумулятора; ты просто знаешь, что тебе его хватит, и всё. (Да, у MacBook Pro c “обычным” M1 ситуация схожая, но именно с этим MacBook Pro произошел этот психологический перелом, когда я понимаю, что даже “напрягая” компьютер тяжелыми задачам, я все равно обладаю огромным запасом времени работы и можно вообще убрать индикатор уровня заряда из меню).
Apple обещает, что новые процессоры очень быстрые, прям “ужасно быстрые” (Scary fast, пишут на сайте), и это тот случай, когда маркетинг не врет. Впрочем, это было ожидаемо после анонса первых Маков с М1 процессорами в прошлом году. В этом году Apple взяла те же процессорные ядра, увеличила их количество — и получила предсказуемый сногсшибательный результат. Для сравнения производительности я приведу пример экспорта моего видео, которое я делал для YouTube: оно длиной примерно в 26 минут. В обоих случаях Маки были после перезагрузки, на них была установлена одна и та же версия ОС и версия Final Cut Pro, одна и та же библиотека FCP с идентичным проектом.
Экспорт из FCP — в формат Apple Devices, с разрешением 4К, выходной файл размером 3,8ГБ. Предварительно я сделал консолидацию библиотеки Final Cut Pro, удалил все отрендеренные файлы, и дал FCP отрендерить в фоне все то, что хотело приложение. В результате:
– Intel Мак занимался экспортом этого видео 26 минут 51 секунд
– M1 Мак справился с задачей за 10 минут 55 секунд.
То же видео с экспортом в 1080p:
– Intel Мак закончил за 23 минут 52 секунды
– M1 Мак — за 8 минут 55 секунд.
На более коротком видео (7м30сек) разница была тоже хорошо заметной:
– 4 минуты 41 секунда — у Intel
– 1 минута 55 секунд у M1.
В процессе Intel Mac гудел вентиляторами, верхней кромки корпуса над клавиатурой было неприятно касаться из-за высокой температуры. M1 Max Mac работал бесшумно, хотя и область над клавиатурой немного нагрелась. Но экспорт-экспортом, а в самом приложении пользователи проводят огромное количество времени.
Это сложно измерить, всё очень субъективно, но всё, что касается работы с проектом в том же Final Cut Pro, ощущается в разы быстрее. Просто понятно, что компьютеру “гораздо легче” работать с видео и аудио материалами, которые добавлены в проект.
Еще для сравнения производительности я запускал несколько приложений с синтетическими тестами для соответствующих измерений. Здесь, наверно, важно будет уточнить, что в обоих случаях компьютеры были после перезагрузки, и без других запущенных приложений, но в фоне могли висеть какие-то незначительные дополнительные процессы от установленных мною приложений. Результаты тестирования:
| Intel Core i9-8950HK 32GB, MBP 2018 | Apple M1 Max 32GB, MBP 2021 | |
|---|---|---|
| Geekbench Single core | 1172 | 1786 |
| Geekbench Multi-core | 5606 | 12846 |
| Geekbench OpenCL | 18873 | 59835 |
| Cibebench Single core | 1182 | 1534 |
| Cinebench Multi-core | 6340 | 12314 |
Синтетика синтетикой, но эти тесты всё равно являются индикаторами глобальной разницы в производительности.
В общем, всё, как обещала Apple: будет быстро, очень быстро. Разумеется, в моих тестах между ноутбуками 3 года разницы, а у Intel уже и 12-ое поколение процессоров вышло. По тестам навороченные модели процессоров типа i9-12900K показывают даже более высокие результаты — но какой ценой? Энергопотребление (300+ Вт!!!) и, соответственно, тепловыделение у этих процессоров такое, что в ноутбуках им просто не найдется места. А как только заходит речь о снижении показателей, которые важны для пользователей ноутбуков, все становится гораздо очевидней. Сравнивать нужно яблоки с яблоками, то есть процессоры для ноутбуков, а не противопоставлять им топовые десктопные модели, что это я вообще?
Не всем пользователям нужны задачи типа экспорта видео или просчета 3D-сцен, а в ежедневных задачах приложение Pages, например, не будет запускаться в 3 раза быстрее. Но даже на множестве самых обычных ежедневных задач — от запуска приложений до просмотра большой библиотеки фотографий — вся цепочка поставки производительности (процессор-память-видео) работает гораздо эффективней и быстрее, чем в компьютерах с процессорами Intel до этого.
И это все еще первое M1-поколение процессоров, где Apple просто пошла экстенсивным путем наращивания количества ядер. Страшно подумать, что там в лабораториях Apple с M2 и дальше.
Еще одно огромное (буквально) изменение в новых MacBook Pro — это новый экран. Да, 16,2 дюйма после 15 дюймов воспринимаются именно так: гигантский экранище! Те из вас, кто выберет конфигурации с 14,2”, тоже заметят большую разницу против предыдущего поколения с 13-дюймовым экраном. Но 16 дюймов с почти безрамочным дисплеем меня лично поражают размером — в хорошем смысле. Размер размером, но серьезными усилителями вау-эффекта являются также переход на подсветку mini-LED (10000 диодов подсветки матрицы), и поддержка ProMotion с частотой обновления экрана до 120Гц. С ProMotion, кстати, смешно, что многие встроенные приложения — тот же Safari — пока что не поддерживают ProMotion в macOS. Вообще информации о том, как разработчикам правильно добавить поддержку ProMotion в Мак-приложениях пока что нет, и ситуация напоминает бардак. Он разрешится, уверен, с будущими обновлениями, но хочется, чтобы Apple быстрее такие вещи реализовывала. Мы поддержали эту технологию в Parallels Desktop еще в прошлом году, и Microsoft Edge внутри виртуальной машины с Windows 11 вполне свои 120Гц выдает:
(да, скроллинг текста в Microsoft Edge внутри виртуальной машины действительно сейчас выглядит лучше, чем в Safari нативно)
В остальном — цветопередача, яркость, контрастность у новых дисплеев впечатляет:
13″ M1 MBP vs. 14″ MBP.
— Moshen Chan (@paranoidroid) October 27, 2021
Mini-LED ‘Liquid Retina XDR’ showing huge contrast difference. pic.twitter.com/OkGeY9S3Re
Экран не дотягивает до OLED по ощущениям (говорю как человек, который недавно в очередной раз прошел через страдания выбора между OLED и LED LCD телевизорами), но уже достаточно близко, чтобы мириться с тем, что в MacBook Pro не OLED-экран. Сразу после появления этих ноутбуков в продаже были комментарии про засветы (ghosting/blooming) белым светом вокруг белых объектов на черном фоне. Я пытался рассмотреть, запуская всякие игры и фильмы, где, например, на экране был бы светлый объект на черном фоне, и на подобном контенте такие эффекты в глаза не бросаются. Если смотреть специальное тестовое видео (https://www.youtube.com/watch?v=AYtvehF9-Z8), которое доводит ситуацию до экстрима, то да, определенный ghosting можно заметить, особенно если искать его и всматриваться в экран. Фотографии, которые есть в интернете, нужно воспринимать именно как фотографии, которые усиливают излучение света. Если вы сомневаетесь в том, устроит ли это вас, я рекомендую посмотреть на такие дисплеи лично. Но просматривать на таком дисплее красочный контент в 4K/HDR/60fps одно удовольствие, а небольшое количество ghosting в экстремальных случаях чаще всего незаметно и компенсируется уровнем черного на этом экране.
Эту разницу с предыдущим экраном, мне кажется, невозможно передать на фото, и это лучше смотреть лично, причем стоит сравнивать два экрана рядом. Надо только помнить, что обещанные 1600 nit яркости экран выдает на контенте с HDR, а на обычном контенте это стандартные 500 nit. При этом подсветка HDR контента благодаря Mini LED может происходить отдельно от другого содержимого экрана.
(Вернемся на секунду к вопросу производительности. Попытка играть 4K HDR в 60fps с YouTube приводит к существенному нагреванию корпуса Intel Мака; на М1 Маке ничего не поменялось).
Говоря про дисплей, нельзя не упомянуть и бревно в глазу… бельмо? А, вырез! Шутки шутками, но вырез обсуждали гораздо больше времени, чем он того заслуживает. Да, первые пару минут вы будете его замечать, потому что это что-то новое и вы будете внимательно его рассматривать. Но большую часть времени ваш взгляд будет фокусироваться совсем в других местах экрана, и вы просто не будете видеть, что там вверху что-то есть. Сам вырез содержит в себе существенно улучшенную камеру на 1080р, диод активности камеры, датчик TrueTone и датчик освещенности. Могла ли Apple засунуть туда еще Face ID? Судите сами, вот датчик Face ID из iPhone:
(фото из разбора iFixit)
Даже если бы Apple смогла установить в вырез Face ID, стало бы лучше? В некоторых ситуациях (например, когда вы открыли крышку Мака, или когда Мак запрашивает пароль) действительно удобно сразу посмотреть в камеру. В ситуации, когда Мак оставался открытым, и все равно нужно нажать кнопку, чтобы он проснулся — нет большой разницы, чтобы просто нажать Touch ID (который работает очень быстро). Похожая ситуация с покупкой, когда требуется биометрическое подтверждение: на iPhone система просит нажать два раза кнопку Home, чтобы сработала верификация Face ID. На Маке, видимо, тоже должен быть какой-то акт подтверждения, нажатие какой-то кнопки — так почему бы и не нажать сразу Touch ID? Короче, я к тому, что при наличии Face ID какие-то моменты улучшились бы, а какие-то не настолько очевидны. Я думаю, что в итоге в iMac, где нет таких ограничений толщины, Face ID добавят со временем (или, например, в мифический дисплей Apple), но идеальным сценарием выглядит наличие двух разных датчиков в компьютере. Более того, это еще и улучшило бы безопасность пользователей путем такой двухфакторной проверки. Вот что мне не хватает в камере MacBook Pro, так это поддержки Center Stage, которая есть в iPad (это когда камера использует программные фокусы для того, чтобы следить за объектом в кадре, даже если он перемещается). Наверно, это тоже связано с количеством места в тонком экране, но для компьютеров, которые часто используются для видеозвонков, это было бы очень удобно.
С вырезом связаны некоторые приколы в приложениях, у которых много пунктов в полоске меню. В обычных случаях длинное меню должно переноситься на правую от выреза часть экрана, но бывают ситуации, когда меню приложения может глючить и команды меню окажутся под вырезом. Опять же, в обычных ситуациях курсор мыши проходит под вырезом “насквозь”, но в случае с приложениями, у которых много пунктов меню, иногда курсор может упираться в вырез, и его надо обходить. С иконками в меню, которые находятся справа, все еще интересней, потому что если у вас много иконок, то они в какой-то момент после добавления еще одной сначала “сожмутся” — между ними уменьшится расстояние. А потом иконки слева начнут исчезать, их просто не будет видно. Так что придется либо пересматривать набор иконок, которые вы используете, либо же воспользоваться приложениями, которые позволяют их временно прятать. Для тех приложений, которые не дружат с вырезом, в системе есть дополнительная опция:
После её активации такие приложения в полноэкранном режиме будут рисовать свои меню ниже уровня выреза, что позволит избежать каких-либо конфликтов с вырезом. Формально это, по сути, уменьшает количество полезной площади в экране, но зато точно ничего не исчезнет в черной дыре под названием “вырез”. О вырезе нужно думать не как о чем-то, что уменьшает вам экран. Наоборот, благодаря ему экран в Маке стал гораздо больше, избежав толстой рамки сверху. Повторюсь, его вы перестанете замечать достаточно быстро, а то, что у вас большой экран, вы будете ценить еще очень долго.
Что еще хорошего? Клавиатура — это уже почти не новость, так как Apple от “бабочки” отказалась уже больше года назад. Но сначала обсудим то, чего нет на этой клавиатуре: Touch Bar. Когда Apple представила эту технологию в 2016 году, я сначала воодушевился ею, представляя, как удобно можно в него тыкать, когда руки находятся рядом с ним на клавиатуре. Но со временем, когда я осознал, что практически не смотрю на эту полоску и редко пользуюсь ею, я поменял свое мнение. Apple, увидев, что и разработчики не спешат поддержать Touch Bar, и пользователи от него не в восторге, в 2021 году от него окончательно отказалась. Более того, не боится признать свои ошибки, рассказывая о том, что в этом поколении ноутбуков теперь вместо Touch Bar — “ряд полноразмерных механических функциональных клавиш”. По этому поводу у меня есть пара комментариев:
1. Не очень понятно, зачем там нужны полноразмерные клавиши — это не то, чем пользователи часто пользуются. Половинный размер там был вполне функционален.
2. Фокус на том, как прекрасны “механические клавиши”, ставит крест на том, что в ближайшее время появится ноутбук с двумя экранами, где второй экран будет под клавиатуру и другие функции. Очевидно, что это неудобно без обратной тактильной связи, и пользователям точно не понравится.
У меня еще немного подгорало от формулировки на английском по поводу замены Touch Bar на кнопки “with the tactile feel of mechanical keys that pros love”. Я читал это как сравнение клавиатуры Мака с механическими клавиатурами, но потом наконец-то понял, что механическая кнопка в этом предположении противопоставляется “сенсорной”. Ладно, а то я после увлечения механическими клавиатурами тут немного не в себе.
Сама клавиатура вполне приличная для ноутбука, почти такая же хорошая, как у ноутбуков 2014-2015 годов, и просто на порядки лучше “бабочек” периода 2016-2020 годов. Хотя тут есть странный момент, потому что чувства у меня двоякие: с одной стороны, мне нравится увеличенный ход кнопок с механизмом “ножницы”, но у меня также есть странное субъективное ощущение, что пальцы “летают” над кнопками легче и быстрее в клавиатурах “бабочка”. Но малый ход кнопок и низкая надежность этого типа механизмов не оставляют им никакого шанса.
Интересное изменение в этом поколении — вся “подложка” вокруг кнопок теперь тоже черная, анодированный черный алюминий, хотя по картинкам казалось, что пластик. Я не уверен, что именно я чувствую по этому поводу. Мне нравилось, когда кнопки были “архипелагами в море алюминия”, так сказать, и сначала казалось, что вот это черное пространство в ноутбуке будет раздражать. Но, похоже, что как и вырез на экране, через какое-то время это тоже перестаешь замечать.
Совершенно отдельный кайф я словил от колонок в этих ноутбуках. Они просто невероятные — не только как колонки в ноутбуке, но и как колонки вообще. Конечно, качественные наушники или профессиональные мониторы они не заменят, но по уровню чистоты, четкости, басов и громкости это невероятный результат, особенно если помнить, в какого размера форм-факторе они находятся. Теперь, если нет наушников, и нет окружающих людей, которым музыка может мешать, можно слушать музыку из колонок и не страдать по этому поводу. Я для сравнения включил один и тот же трек на MBP’18 и MBP’21 (Iron Maiden, Darkest Hour), и тут же выключил его на первом, потому что это было невозможно выдержать. (Чтобы еще больше пожалеть, я включил этот трек на ноутбуке 2014 года. Даже не пытайтесь повторить этот трюк дома!). Если я правильно понимаю, то у модели с экраном 16 дюймов спикеры лучше, чем у 14-дюймовой, что вполне объяснимо разницей размеров.
И самое главное я оставил на конец: тряпочка для протирания экрана ноутбука. Она не идет в комплекте с ноутбуком, её пришлось покупать отдельно, и надо сказать, что ощущения от её использования просто невероятные, я подробно описал их в треде тут:
Пока на Мак ставится апдейт, настало время главного объекта pic.twitter.com/LupFBSbWRv
— Очумелая COBRA20 (@alexmak) October 26, 2021
Шутки-шутками, но, я думаю, что с этими экранами неплохо справится практически любая качественная микрофибра. Apple рекомендует эту тряпочку для мониторов с нано-покрытием, и там, скорей всего, её использование действительно оправдано. Если внимательно рассматривать текстуру яблочной тряпочки, там видно, что у нее текстура совсем другая, чем у классической микрофибры.
Чистит ли она лучше? Мне кажется, что нет. Безопасней ли она для чувствительного покрытия дисплея, чем дешевая “тряпка для монитора”? Возможно, что да, решать вам.
Не уверен, что нужно ли делать здесь какие-то еще выводы: вы и так все поняли, читая текст выше — я очень доволен этой покупкой, это апгрейд по всем параметрам. Тут и там нужны кое-какие исправления, которые придут с обновлением системного ПО, но в аппаратном плане это абсолютная победа. (Как мало нужно для счастья людям: отбери у них порты и нормальную клавиатуру, верни их — и счастье). С точки зрения производительности это монстры, хотя и специфические, а точнее профессиональные, что и подчеркивает название моделей. Компиляция проекта, экспорт видео, работа с графикой и тд — все эти задачи получат существенный буст производительности (код быстрее вы вряд ли на них начнете писать). А вот игры, например, которых и так под Мак не много, а под M1 архитектуру еще меньше… Ну что я могу тут сказать, кроме как того, что не стоит покупать этот Мак для игр. Впрочем, если вам все равно хочется потратить деньги ради мифических игр на Маке, я не смогу вас остановить.
Я немного жалею, что не хватило денег на версию с 2ТБ пространства, так как на диске объемом 1ТБ 729 гигабайт библиотеки Final Cut Pro хорошо дают о себе знать. (Держать её на внешнем диске, пусть даже SSD, пока жалко, с учетом того, что тогда теряется преимущество доступа к встроенной SSD-памяти. Диск я уже заказал, потому что видеть чуть больше 100 ГБ оставшегося свободного пространства как-то почти физически больно). Дополнительный вес у ноутбука чувствуется, но кто носил PowerBook G3 Pismo весом почти 3кг, жаловаться не будет. Зато я доволен выбором 16-дюймовой версии, так как не чувствую необходимости подключать её к внешнему монитору. Благодаря тонким рамкам вокруг экрана форм-фактор почти не изменился, и ноутбук все еще влезает в мой любимый рюкзак Tumi — было бы куда и зачем ездить.
В этом месте, возможно, мог бы быть неожиданный поворот. Я подумал, что для меня (и большой части пользователей) выбор процессора M1 Max неоправдан — за исключением случаев, если ваши рабочие процессы могут серьезно нагрузить графические ядра системы. Графические ядра поджирают аккумулятор у Мака, и чем их больше — тем больше расход батареи. Так что в какой-то момент вечером голову захватили мысли из серии “надо было взять M1 Pro, но с 2ТБ пространства — за те же деньги”. У меня даже оставалось окно бесплатного возврата в пределах 2 недель от покупки, и я начал думать о том, как я буду ждать другой ноутбук нестандартной конфигурации. Но утром я проснулся и подумал о том, какая же это была глупая идея: ведь расширить дисковое пространство можно с помощью внешнего носителя, а улучшить процессор в будущем уже будет нельзя. И так мне стало хорошо сразу с этим MacBook Pro! Потому что придираться получается только по мелочам (и к цене, которая совсем не мелочь), а в остальном это почти идеальный, лучший ноутбук Apple. Восторг от него просто превышает рамки разумного, мне доставляет удовольствие любой аспект работы с ним, чего и вам желаю.
PS Если я не раскрыл еще какой-то аспект, задавайте ваши вопросы в комментариях!
16-дюймовый MacBook Pro 2021 с M1 Max: лучший ноутбук Apple
16 ноября масштабная конференция Dell Technologies Forum!
Купить современные светодиодные диоды по ценам для ваших нужд Бесплатный образец сейчас
Выбрать. led диод цены из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив. Цена на светодиодных диодов , включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диодные лампы. Вы можете выбрать. светодиодные диоды с широким выбором основных параметров, спецификаций и номинальных значений цен соответствуют вашим целям.Цены на светодиодные диоды
на Alibaba.com удобны в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии. Цены на диоды используются в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции.Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для. Цены на светодиодные диоды предлагаются для монтажа на печатной плате, радиатора, проводного и поверхностного монтажа.Основные особенности. Цены на светодиодные диоды - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая сила тока, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементному скачку напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые на.Цены на светодиодные диоды включают различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. Д. Цены на светодиодные диоды производятся в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394.
Получите лучшее. Цены на светодиодные диоды предложений на Alibaba.com от различных поставщиков и оптовиков. Получите высшее качество. светодиодный диод цены для требований вашего проекта.
Размер и доля рынка светодиодов
ГЛАВА 1: ВВЕДЕНИЕ
1.1. ОПИСАНИЕ ОТЧЕТА
1.2. ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА ДЛЯ ЗАИНТЕРЕСОВАННЫХ СТОРОН
1.3. ОСНОВНЫЕ СЕГМЕНТЫ РЫНКА
1.4. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
1.4.1. Первичное исследование
1.4.2. Вторичные исследования
1.4.3. Инструменты и модели аналитика
ГЛАВА 2: КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ
2.1. ПЕРСПЕКТИВА CXO
ГЛАВА 3: ОБЗОР РЫНКА
3.1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ И ОБЪЕМ РЫНКА
3.2. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
3.2.1. Основные факторы воздействия
3.2.2. Верхние паковочные карманы
3.2.3. Лучшие выигрышные стратегии
3.3. АНАЛИЗ ПЯТИ СИЛ ПОРТЕРА
3.3.1. Торговая сила поставщиков: от умеренной до высокой
3.3.2. Угроза новых участников от средней до высокой
3.3.3. Умеренная угроза заменителей
3.3.4. Интенсивность соперничества от высокой до умеренной
3.3.5. Торговая сила покупателей от высокой до умеренной
3.4. АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА (2017)
3.5. ДИНАМИКА РЫНКА
3.5.1. Драйверы
3.5.1.1. Повышение внимания государства к решениям по энергосбережению
3.5.1.2. Увеличение скидки ЖКХ
3.5.1.3. Рост рынка подсветки дисплеев и больших экранов
3.5.2. Ограничение
3.5.2.1. Высокая начальная стоимость
3.5.3. Возможности
3.5.3.1. Рост умного освещения
3.5.3.2. Высокоэффективный светодиод
ГЛАВА 4: РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ
4.1. ОБЗОР
4.2. СВЕТОДИОДНАЯ ЛАМПА
4.2.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
4.2.2. Объем и прогноз рынка по регионам
4.2.3. Анализ рынка по странам
4.3. СВЕТИЛЬНИК СВЕТОДИОДНЫЙ
4.3.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
4.3.2. Объем и прогноз рынка по регионам
4.3.3. Анализ рынка по странам
ГЛАВА 5: РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ
5.1. ОБЗОР
5.2. ЗАКРЕПЛЕНО LED
5.2.1. Ключевые рыночные тенденции, факторы роста и возможности
5.2.2. Объем и прогноз рынка по регионам
5.2.3. Анализ рынка по странам
5.3. СВЕТОДИОД CHIP-ON-BOARD
5.3.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
5.3.2. Объем и прогноз рынка по регионам
5.3.3. Анализ рынка по странам
5.4. СВЕТОДИОД ДЛЯ ПОВЕРХНОСТИ
5.4.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
5.4.2. Объем и прогноз рынка по регионам
5.4.3. Анализ рынка по странам
5.5. ДРУГИЕ
5.5.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
5.5.2. Объем и прогноз рынка по регионам
5.5.3. Анализ рынка по странам
ГЛАВА 6. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ПО ТЕХНОЛОГИЯМ
6.1. ОБЗОР
6.2. BASIC LED
6.2.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
6.2.2. Объем и прогноз рынка по регионам
6.2.3. Анализ рынка по странам
6.3. ВЫСОКАЯ ЯРКОСТЬ LED
6.3.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
6.3.2. Объем и прогноз рынка по регионам
6.3.3. Анализ рынка по странам
6.4. OLED
6.4.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
6.4.2. Объем и прогноз рынка по регионам
6.4.3. Анализ рынка по странам
6.5. УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ светодиод
6.5.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
6.5.2. Объем и прогноз рынка по регионам
6.5.3. Анализ рынка по странам
6.6. ПОЛИМЕР
6.6.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
6.6.2. Объем и прогноз рынка по регионам
6.6.3. Анализ рынка по странам
ГЛАВА 7: РЫНОК светодиодов, ПО КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯМ
7.1. ОБЗОР
7.2. ЖИЛОЙ
7.2.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
7.2.2. Объем и прогноз рынка по регионам
7.2.3. Анализ рынка по странам
7.3. КОММЕРЧЕСКИЙ
7.3.1. Ключевые рыночные тенденции, факторы роста и возможности
7.3.2. Объем и прогноз рынка по регионам
7.3.3. Анализ рынка по странам
7.4. ПРОМЫШЛЕННЫЙ
7.4.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
7.4.2. Объем и прогноз рынка по регионам
7.4.3. Анализ рынка по странам
7.5. НАРУЖНЫЙ
7.5.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
7.5.2. Объем и прогноз рынка по регионам
7.5.3. Анализ рынка по странам
7.6. АРХИТЕКТУРНАЯ
7.6.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
7.6.2. Объем и прогноз рынка по регионам
7.6.3. Анализ рынка по странам
ГЛАВА 8: РЫНОК СИД ПО ПРИМЕНЕНИЮ
8.1. ОБЗОР
8.2. АВТОМОБИЛЬ
8.2.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
8.2.2. Объем и прогноз рынка по регионам
8.2.3. Анализ рынка по странам
8.3. ОБЩЕЕ ОСВЕЩЕНИЕ
8.3.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
8.3.2. Объем и прогноз рынка по регионам
8.3.3. Анализ рынка по странам
8.4. ПОДСВЕТКА
8.4.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
8.4.2. Объем и прогноз рынка по регионам
8.4.3. Анализ рынка по странам
8.5. СИГНАЛ И ЗНАЧЕНИЕ
8.5.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
8.5.2. Объем и прогноз рынка по регионам
8.5.3. Анализ рынка по странам
8.6. ДРУГИЕ
8.6.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
8.6.2. Объем и прогноз рынка по регионам
8.6.3. Анализ рынка по странам
ГЛАВА 9: РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ПО РЕГИОНАМ
9.1. ОБЗОР
9.2. СЕВЕРНАЯ АМЕРИКА
9.2.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
9.2.2. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.2.3. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.2.4. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.2.5. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.2.6. Объем и прогноз рынка по приложению
9.2.7. Анализ рынка по странам
9.2.7.1. США
9.2.7.1.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.2.7.1.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.2.7.1.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.2.7.1.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.2.7.1.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.2.7.2. Канада
9.2.7.2.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.2.7.2.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.2.7.2.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.2.7.2.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.2.7.2.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.2.7.3. Мексика
9.2.7.3.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.2.7.3.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.2.7.3.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.2.7.3.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.2.7.3.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.3. ЕВРОПА
9.3.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
9.3.2. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.3.3. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.3.4. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.3.5. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.3.6. Объем и прогноз рынка по приложению
9.3.7. Анализ рынка по странам
9.3.7.1. Великобритания
9.3.7.1.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.3.7.1.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.3.7.1.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.3.7.1.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.3.7.1.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.3.7.2. Германия
9.3.7.2.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.3.7.2.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.3.7.2.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.3.7.2.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.3.7.2.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.3.7.3. Франция
9.3.7.3.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.3.7.3.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.3.7.3.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.3.7.3.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.3.7.3.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.3.7.4. Россия
9.3.7.4.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.3.7.4.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.3.7.4.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.3.7.4.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.3.7.4.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.3.7.5. Остальная Европа
9.3.7.5.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.3.7.5.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.3.7.5.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.3.7.5.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.3.7.5.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.4. Азиатско-Тихоокеанский регион
9.4.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
9.4.2. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.4.3. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.4.4. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.4.5. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.4.6. Объем и прогноз рынка по приложению
9.4.7. Анализ рынка по странам
9.4.7.1. Китай
9.4.7.1.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.4.7.1.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.4.7.1.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.4.7.1.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.4.7.1.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.4.7.2. Индия
9.4.7.2.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.4.7.2.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.4.7.2.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.4.7.2.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.4.7.2.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.4.7.3. Япония
9.4.7.3.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.4.7.3.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.4.7.3.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.4.7.3.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.4.7.3.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.4.7.4. Австралия
9.4.7.4.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.4.7.4.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.4.7.4.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.4.7.4.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.4.7.4.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.4.7.5. Остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона
9.4.7.5.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.4.7.5.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.4.7.5.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.4.7.5.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.4.7.5.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.5. LAMEA
9.5.1. Основные рыночные тенденции, факторы роста и возможности
9.5.2. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.5.3. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.5.4. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.5.5. Объем и прогноз рынка для конечных пользователей
9.5.6. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.5.7. Анализ рынка по странам
9.5.7.1. Латинская Америка
9.5.7.1.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.5.7.1.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.5.7.1.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.5.7.1.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.5.7.1.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.5.7.2. Ближний Восток
9.5.7.2.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.5.7.2.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.5.7.2.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.5.7.2.4. Объем и прогноз рынка для конечного пользователя
9.5.7.2.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
9.5.7.3. Африка
9.5.7.3.1. Объем и прогноз рынка по видам продукции
9.5.7.3.2. Объем и прогноз рынка по конфигурации устройства
9.5.7.3.3. Объем и прогноз рынка по технологиям
9.5.7.3.4. Объем и прогноз рынка, конечный пользователь
9.5.7.3.5. Объем и прогноз рынка по Приложению
ГЛАВА 10: ПРОФИЛИ КОМПАНИИ
10.1. CREE INC.
10.1.1. Обзор компании
10.1.2. Снимок компании
10.1.3. Операционные бизнес-сегменты
10.1.4. Продуктовый портфель
10.1.5. Результаты деятельности
10.1.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.2. LUMILEDS HOLDING B.V.
10.2.1. Обзор компании
10.2.2. Снимок компании
10.2.3. Операционные бизнес-сегменты
10.2.4. Продуктовый портфель
10.2.5. Результаты деятельности
10.2.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.3. SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.
10.3.1. Обзор компании
10.3.2. Снимок компании
10.3.3. Операционные бизнес-сегменты
10.3.4. Продуктовый портфель
10.3.5. Результаты деятельности
10.3.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.4. СЕУЛ ПОЛУПРОВОДНИК CO. LTD.
10.4.1. Обзор компании
10.4.2. Снимок компании
10.4.3. Продуктовый портфель
10.4.4. Результаты деятельности
10.4.5. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.5. OSRAM LICHT AG
10.5.1. Обзор компании
10.5.2. Снимок компании
10.5.3. Операционные бизнес-сегменты
10.5.4. Продуктовый портфель
10.5.5. Результаты деятельности
10.5.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.6. КОРПОРАЦИЯ NICHIA
10.6.1. Обзор компании
10.6.2. Снимок компании
10.6.3. Операционные бизнес-сегменты
10.6.4. Продуктовый портфель
10.6.5. Результаты деятельности
10.6.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.7. LG INNOTEK CO. LTD
10.7.1. Обзор компании
10.7.2. Снимок компании
10.7.3. Операционные бизнес-сегменты
10.7.4. Продуктовый портфель
10.7.5. Результаты деятельности
10.7.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.8. ГЕНЕРАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ КОМПАНИЯ (GE LIGHTING SOLUTIONS)
10.8.1. Обзор компании
10.8.2. Снимок компании
10.8.3. Операционные бизнес-сегменты
10.8.4. Продуктовый портфель
10.8.5. Эффективность бизнеса
10.8.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.9. ЭЛЕКТРОНИКА ЭВЕРЛАЙТ КО., ЛТД.
10.9.1. Обзор компании
10.9.2. Снимок компании
10.9.3. Операционные бизнес-сегменты
10.9.4. Продуктовый портфель
10.9.5. Результаты деятельности
10.9.6. Ключевые стратегические шаги и разработки
10.10. ЛЮМЕНС КО., ЛТД.
10.10.1. Обзор компании
10.10.2. Снимок компании
10.10.3. Портфель продуктов
СПИСОК ТАБЛИЦ
ТАБЛИЦА 01.МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 02. МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. 2024 г. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 04. ДОХОД НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДОВ ОТ ТИПОВ СВЕТОДИОДНЫХ СВЕТИЛЬНИКОВ, ПО РЕГИОНАМ 2017–2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 05. МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017–2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 06. ДОХОД НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДОВ ОТ ПРИКРЕПЛЕННЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 07. ДОХОДЫ НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДОВ ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ НА ПЛАТЕ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 08.ДОХОД НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДОВ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО РЕГИОНАМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 09. ДОХОДЫ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ДЛЯ ДРУГИХ СВЕТОДИОДОВ, ПО РЕГИОНАМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 10. МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017 -2024 (МЛРД. ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 11. ДОХОДЫ НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДОВ ОТ ОСНОВНЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ. ПРИБЫЛЬ НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДОВ ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ.ДОХОД НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДНЫХ ПОЛИМЕРОВ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ. МЛРД)
ТАБЛИЦА 18. ДОХОДЫ ОТ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ОТ КОММЕРЧЕСКИХ РЕГИОНОВ, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ. РЕГИОН 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 21. ДОХОДЫ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ОТ АРХИТЕКТУРЫ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 22.МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 23. ДОХОДЫ НА РЫНКЕ СВЕТОДИОДНЫХ АВТОМОБИЛЕЙ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 24. ДОХОДЫ ОТ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ОТ ОБЩЕГО ОСВЕЩЕНИЯ ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 ($ МЛРД)
ТАБЛИЦА 25. ДОХОДЫ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ОТ ПОДСВЕТКИ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД. ДОЛЛ. ДРУГОЕ, ПО РЕГИОНАМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 28. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ИЗДЕЛИЙ СЕВЕРНОЙ АМЕРИКИ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 29.СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК СЕВЕРНОЙ АМЕРИКИ, ПО СРЕДСТВАМ ЛАМП, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 30. СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК СЕВЕРНОЙ АМЕРИКИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 31. СИД-РЫНОК СЕВЕРНОЙ АМЕРИКИ, ПО ТЕХНОЛОГАМ, 2017-2024 ( МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 32. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ СЕВЕРНОЙ АМЕРИКИ, ПО КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯМ, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 33. СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК СЕВЕРНОЙ АМЕРИКИ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. ПО ВИДАМ ПРОДУКТОВ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 35. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП в США, ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 36.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ США, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 37. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ США, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 38. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ США, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 39. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ США, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 40. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В КАНАДЕ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД $) (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 42. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В КАНАДЕ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 43. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В КАНАДЕ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 44.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В КАНАДЕ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. )
ТАБЛИЦА 47. СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК МЕКСИКИ, ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 48. СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК МЕКСИКИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД долл. США) (МЛРД. $)
ТАБЛИЦА 50. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ИЗДЕЛИЙ МЕКСИКИ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 51. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ламп Мексики, ПО ПРИМЕНЕНИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 52.ЕВРОПЕЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ВИДУ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 (МЛРД. ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 53. ЕВРОПЕЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ.
ТАБЛИЦА 55. ЕВРОПЕЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 58. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ВЕЛИКОБРИТАНИИ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017–2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ВЕЛИКОБРИТАНИИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 61. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В Великобритании, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 62. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В Великобритании, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 63. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В Великобритании, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 64. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ГЕРМАНИИ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017–2024 гг. (Млрд. Долларов США) (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 66. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ГЕРМАНИИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 67. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ГЕРМАНИИ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 68.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ГЕРМАНИИ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 69. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ГЕРМАНИИ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД. )
ТАБЛИЦА 71. СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК ФРАНЦИИ, ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 72. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ФРАНЦИИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 73. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ФРАНЦИИ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 74. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ФРАНЦИИ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 75. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ФРАНЦИИ, ПО ПРИМЕНЕНИЯМ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 76.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В РОССИИ, ПО ВИДУ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 77. РОССИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПОКАЗАТЕЛЕЙ СИД ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ.
ТАБЛИЦА 79. РОССИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 80. РОССИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ламп, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 81. РОССИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ламп, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 82. ОСТАВЛЯЮЩАЯСЯ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ В ЕВРОПЕ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 83.ОСВЕЩЕННЫЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП В ЕВРОПЕ, 2017-2024 ГГ. (МЛРД ДОЛЛ. 2024 г. (МЛРД. ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 86. ОСТАВШИЕСЯ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЕВРОПЕ, ПО КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017–2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 89. АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПОКАЗАТЕЛИ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017–2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 90.АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 91. АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. -2024 (МЛРД. $)
ТАБЛИЦА 93. АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. , ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 96. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В КИТАЕ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 97.КИТАЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 98. КИТАЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 99. КИТАЙСКИЙ СВЕТОДИОДНЫЙ РЫНОК, ПО ПРИМЕНЕНИЯМ, 2017-2024 (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 100. ИНДИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПО ВИДУ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 101. ИНДИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПОКАЗАТЕЛИ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 103. ИНДИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 104. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ИНДИИ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 105.ИНДИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 106. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЯПОНИИ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ.
ТАБЛИЦА 108. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЯПОНИИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 109. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЯПОНИИ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017–2024 гг. (МЛРД $) (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 111. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЯПОНИИ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 112. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЯПОНИИ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 113.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АВСТРАЛИИ, ПО СТОРОНАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 114. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АВСТРАЛИИ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 115. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АВСТРАЛИИ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. ТАБЛИЦА 116. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АВСТРАЛИИ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017–2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 117. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АВСТРАЛИИ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017–2024 гг. (МЛРД долл. США) ТИП 2017–2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 119. ОСТАВЛЕНИЕ АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКОГО РЫНКА СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017–2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 120.ОСТАВЛЕНИЕ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКОГО ТИПА, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. ПО КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 123. ОСТАВШИЕСЯ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ТОВАРОВ АЗИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ.)
ТАБЛИЦА 125. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ LAMEA, ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 126. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ LAMEA, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 127.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ LAMEA, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 128. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ LAMEA, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 129. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ LAMEA, ПО ПРИМЕНЕНИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 130. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЛАТИНСКОЙ АМЕРИКЕ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 131. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЛАТИНСКОЙ АМЕРИКЕ, ПОКАЗАТЕЛЕЙ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 133. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЛАТИНСКОЙ АМЕРИКЕ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 134.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЛАТИНСКОЙ АМЕРИКЕ, ПОКАЗАТЕЛИ КОНЕЧНЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, 2017–2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. США)
ТАБЛИЦА 135. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЛАТИНСКОЙ АМЕРИКЕ, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017–2024 гг. (МЛРД долл. США) (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 137. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП НА БЛИЖНЕМ ВОСТОКЕ, ПО СРЕДСТВАМ СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛ. ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 140. Светодиодный рынок Ближнего Востока, ПО КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯМ, 2017-2024 гг. (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 141.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ БЛИЖНЕГО ВОСТОКА, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 (МЛРД. ДОЛЛАРОВ)
ТАБЛИЦА 142. АФРИКАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 (МЛРД. )
ТАБЛИЦА 144. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АФРИКЕ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 145. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АФРИКЕ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ, 2017–2024 гг. (МЛРД $) 2024 г. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 147. АФРИКАНСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ламп, ПО ПРИМЕНЕНИЮ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
ТАБЛИЦА 148.CREE: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 149. CREE: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 150. CREE: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
ТАБЛИЦА 151. LUMILEDS HOLDING BV: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 152. LUMILEDS HOLDING BV: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 153. LUMVILED
ТАБЛИЦА 154. SAMSUNG: ОБЗОР КОМПАНИИ
ТАБЛИЦА 155. SAMSUNG: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 156. SAMSUNG: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКЦИИ
ТАБЛИЦА 157. СЕУЛ ПОЛУПРОВОДНИК: ОБЗОР КОМПАНИИ
ТАБЛИЦА 158. СЕУЛ ПОЛУПРОВОДНИК: ПОРТ ПРОДУКТА
.OSRAM: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 160. OSRAM: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 161. OSRAM: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
ТАБЛИЦА 162. NICHIA: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 163. NICHIA: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 164. NICHIA: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 164. NICHIA: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ 165. NICHIA: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКЦИИ
. : КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 166. LG INNOTEK: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 167. LG INNOTEK: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
ТАБЛИЦА 168. GE: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 169. GE: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 171 GE: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
ТАБЛИЦА 171.EVERLIGHT: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 172. EVERLIGHT: ОПЕРАЦИОННЫЕ СЕГМЕНТЫ
ТАБЛИЦА 173. EVERLIGHT: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
ТАБЛИЦА 174. ЛЮМЕНТЫ: КОМПАНИЯ SNAPSHOT
ТАБЛИЦА 175. ЛЮМЕНТЫ: ПОРТФЕЛЬ ПРОДУКТОВ
006 РИСУНОК
РИСУНОК РИСУНОК ЦИФР. СЕГМЕНТЫРИСУНОК 02. ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ
РИСУНОК 03. ИСПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
РИСУНОК 04. ОСНОВНЫЕ ВЛИЯЮЩИЕ ФАКТОРЫ
РИСУНОК 05. ЛУЧШИЕ ИНВЕСТИЦИОННЫЕ КАРМАНЫ
РИСУНОК 06. АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА (2017)
РИСУНОК 07.МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ВИДАМ ПРОДУКЦИИ, 2017-2024 ГОДЫ
РИСУНОК 08. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА СВЕТОДИОДНЫХ ЛАМП, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 09. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА СВЕТОДИОДНЫХ СВЕТИЛЬНИКОВ ПО СТРАНАМ, 2017 -2024 (%)
РИСУНОК 10. МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО КОНФИГУРАЦИИ УСТРОЙСТВ, 2017-2024 гг.
РИСУНОК 11. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА ПРИКРЕПЛЕННЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 12. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ ЧИПОВ РЫНОК НАБОРНЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 13.СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА ПОВЕРХНОСТНЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 14. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ ДРУГОГО РЫНКА СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 15. МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО ТЕХНОЛОГИЯМ , 2017-2024 гг.
РИСУНОК 16. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ ОСНОВНОГО РЫНКА СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 17. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА ВЫСОКОЯРКИХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 18 СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА OLED ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 19.СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 20. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА ПОЛИМЕРНЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 21. МИРОВОЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, ПО КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯМ, 2017-2024 гг.
РИСУНОК 22. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА ЖИЛЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 23. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ КОММЕРЧЕСКОГО РЫНКА LED, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 24. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АКЦИОНЕРНЫЙ АНАЛИЗ ПРОМЫШЛЕННОГО РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 25.СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ НАРУЖНОГО РЫНКА СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 26. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ АРХИТЕКТУРНОГО РЫНКА СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 27. МИРОВОЙ РЫНОК СИД, 2017 ГОД, ПО ПРИМЕНЕНИЮ -2024
РИСУНОК 28. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА АВТОМОБИЛЬНЫХ СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017 -2024 (%)
РИСУНОК 29. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ ОБЩЕГО РЫНКА СВЕТОДИОДНЫХ ОСВЕЩЕНИЙ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 30. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АКЦИОНЕРНЫЙ АНАЛИЗ РЫНКА СВЕТОДИОДНОЙ ПОДСВЕТКИ ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 31.СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА СВЕТОДИОДНЫХ СИГНАЛОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 32. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ ДРУГОГО РЫНКА СИД, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 33. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РЫНКА АКЦИЙ СИДОВ , ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 34. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ИЗДЕЛИЙ США, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛ. 2024 г. (МЛРД $)
РИСУНОК 37. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА СВЕТОДИОДНЫХ ПО СТРАНАМ, 2016–2023 гг. (%)
РИСУНОК 38.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ВЕЛИКОБРИТАНИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
РИСУНОК 39. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ГЕРМАНИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
РИСУНОК 40. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ ФРАНЦИИ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
РИСУНОК 41. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В РОССИИ, 2017 г. -2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
РИСУНОК 42. ОСТАВЛЕНИЕ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ В ЕВРОПЕ, 2017-2024 гг. (МЛРД $)
РИСУНОК 43. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ ПО СТРАНАМ, 2017-2024 гг. (%)
РИСУНОК 44. РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ИЗДЕЛИЙ КИТАЯ , 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
РИСУНОК 45. ИНДИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДОВ, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
РИСУНОК 46. ЯПОНИЙСКИЙ РЫНОК СВЕТОДИОДНЫХ ламп, 2017-2024 (МЛРД)
РИСУНОК 47.РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АВСТРАЛИИ, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
РИСУНОК 48. ОСТАВЛЕНИЕ АЗИАТСКО-ТИХООКЕАНСКОГО РЫНКА СВЕТОДИОДОВ, 2017-2024 (МЛРД ДОЛЛАРОВ)
РИСУНОК 49. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ДОЛИ РЫНКА СВЕТОДИОДОВ, ПО СТРАНАМ, 2017-2024 (%)
РИСУНОК 50. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В ЛАТИНСКОЙ АМЕРИКЕ, 2017–2024 гг. (МЛРД $)
РИСУНОК 51. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ БЛИЖНЕГО ВОСТОКА, 2017–2024 гг. (Млрд долл. США)
РИСУНОК 52. РЫНОК СВЕТОДИОДОВ В АФРИКЕ, 2017–2024 гг. (Млрд долларов США)
РИСУНОК 53 CREE: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015-2017 ГОДЫ (МЛН. ДОЛЛАРОВ)
РИСУНОК 54. CREE: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 (%)
РИСУНОК 55.CREE: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО ГЕОГРАФИИ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 56. LUMILEDS HOLDING BV: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015-2017 гг. (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 57. LUMILEDS HOLDING BV: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 58. LUMILEDS HOLDING BV: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО ГЕОГРАФИЯМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 59. SAMSUNG: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015-2017 гг. (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 60. SAMSUNG: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 61. SAMSUNG: ДОЛЯ ДОХОДА ПО ГЕОГРАФИИ, 2017 (%)
РИСУНОК 62. СЕУЛ ПОЛУПРОВОДНИК: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015-2017 гг. (МЛН. $)
РИСУНОК 63.OSRAM: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015-2017 гг. (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 64. OSRAM: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 65. OSRAM: ДОЛЯ ДОХОДА ПО ГЕОГРАФИИ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 66. NICHIA: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ , 2015-2017 (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 67. NICHIA: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 68. NICHIA: ДОЛЯ ДОХОДА ПО ГЕОГРАФИИ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 69. LG INNOTEK: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015- 2017 г. (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 70. LG INNOTEK: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 71. LG INNOTEK: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО ГЕОГРАФИЯМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 72.GE: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ, 2015-2017 гг. (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 73. GE: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 74. GE: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО ГЕОГРАФИЯМ, 2017 г. (%)
РИСУНОК 75. EVERLIGHT: ЧИСТЫЕ ПРОДАЖИ , 2015-2017 (МЛН. Долл. США)
РИСУНОК 76. EVERLIGHT: ДОЛЯ ВЫРУЧКИ ПО СЕГМЕНТАМ, 2017 (%)
Поставщики и ресурсы беспроводной радиосвязи
О компании RF Wireless World
Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов радиочастотной и беспроводной связи. На сайте представлены статьи, руководства, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тестирование и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.
Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, волоконная оптика, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. Д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. В нем также есть академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и MBA.
статей о системах на основе Интернета вещей
Система обнаружения падений для пожилых людей на основе Интернета вещей : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей.В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падений Интернета вещей.
Читать дальше➤
Также обратитесь к другим статьям о системах на основе Интернета вещей следующим образом:
• Система очистки туалетов самолета.
• Система измерения столкновений
• Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей
• Система помощи водителю
• Система умной торговли
• Система мониторинга качества воды.
• Система Smart Grid
• Система умного освещения на базе Zigbee
• Умная парковка на базе Zigbee
• Система умной парковки на основе LoRaWAN
Статьи о беспроводной радиосвязи
В этом разделе статей представлены статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE / 3GPP и т. Д. .стандарты. Он также охватывает статьи, относящиеся к испытаниям и измерениям, по тестированию на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF / PHY. СПРАВОЧНЫЕ СТАТЬИ УКАЗАТЕЛЬ >>.
Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Читать дальше➤
Основы повторителей и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов ретрансляторов, используемых в беспроводных технологиях.Читать дальше➤
Основы и типы замирания : В этой статье описаны мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные, быстрые замирания и т. Д., Используемые в беспроводной связи. Читать дальше➤
Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G Архитектура сотового телефона. Читать дальше➤
Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи в соседнем канале, помехи в одном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. Д.Читать дальше➤
5G NR Раздел
В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (New Radio), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. Д.
5G NR Краткий указатель ссылок >>
• Мини-слот 5G NR
• Часть полосы пропускания 5G NR
• 5G NR CORESET
• Форматы DCI 5G NR
• 5G NR UCI
• Форматы слотов 5G NR
• IE 5G NR RRC
• 5G NR SSB, SS, PBCH
• 5G NR PRACH
• 5G NR PDCCH
• 5G NR PUCCH
• Эталонные сигналы 5G NR
• 5G NR m-последовательность
• Золотая последовательность 5G NR
• 5G NR Zadoff Chu Sequence
• Физический уровень 5G NR
• Уровень MAC 5G NR
• Уровень 5G NR RLC
• Уровень 5G NR PDCP
Учебные пособия по беспроводным технологиям
В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводной связи.Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, WLAN, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. Д. См. УКАЗАТЕЛЬ Учебников >>
Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы по технологии 5G:
Учебное пособие по основам 5G.
Частотные диапазоны
Учебник по миллиметровым волнам
Волновая рама 5G мм
Зондирование волнового канала 5G мм
4G против 5G
Испытательное оборудование 5G
Сетевая архитектура 5G
Сетевые интерфейсы 5G NR
канальное зондирование
Типы каналов
5G FDD против TDD
Разделение сети 5G NR
Что такое 5G NR
Режимы развертывания 5G NR
Что такое 5G TF
В этом руководстве GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения,
Типы пакетов GSM, структура или иерархия кадров GSM, логические каналы, физические каналы,
Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM, установка вызова или процедура включения питания,
MO-вызов, MT-вызов, VAMOS, AMR, MSK, модуляция GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы работы с мобильным телефоном,
Планирование RF, нисходящая линия связи PS-вызовов и восходящая линия связи PS-вызовов.
➤Подробнее.
LTE Tutorial , охватывающий архитектуру системы LTE, охватывающий основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он обеспечивает связь с обзором системы LTE, радиоинтерфейсом LTE, терминологией LTE, категориями LTE UE, структурой кадра LTE, физическим уровнем LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, передача голоса по LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE продвинутые.➤Подробнее.
RF Technology Stuff
Эта страница мира беспроводной радиосвязи описывает пошаговое проектирование преобразователя частоты RF на примере преобразователя RF UP от 70 МГц до диапазона C.
для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO,
колодки аттенюатора. ➤Подробнее.
➤Проектирование и разработка радиочастотного трансивера
➤Конструкция RF-фильтра
➤Система VSAT
➤Типы и основы микрополосковой печати
➤ОсновыWaveguide
Секция испытаний и измерений
В этом разделе рассматриваются контрольно-измерительные ресурсы, испытательное и измерительное оборудование для тестирования ИУ на основе
Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для T&M.
➤ Генерация и анализ сигналов
➤Измерения слоя PHY
➤Тест на соответствие устройства WiMAX
➤ Тест на соответствие Zigbee
➤ Тест на соответствие LTE UE
➤Тест на соответствие TD-SCDMA
Волоконно-оптическая технология
Оптоволоконный компонент , основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель,
фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д.Эти компоненты используются в оптоволоконной связи.
Оптические компоненты INDEX >>
➤Учебное пособие по оптоволоконной связи
➤APS в SDH
➤SONET основы
➤SDH Каркасная конструкция
➤SONET против SDH
Поставщики беспроводных радиочастотных устройств, производители
Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.
Поставщики радиочастотных компонентов, включая радиочастотный изолятор, радиочастотный циркулятор, радиочастотный смеситель, радиочастотный усилитель, радиочастотный адаптер, радиочастотный разъем, радиочастотный модулятор, радиочастотный трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, генератор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексор, дуплексер, микросхема резистора, микросхема конденсатора, индуктор микросхемы, ответвитель, оборудование ЭМС, программное обеспечение для проектирования радиочастот, диэлектрический материал, диод и т. д.Производители RF компонентов >>
➤Базовая станция LTE
➤RF Циркулятор
➤RF Изолятор
➤Кристаллический осциллятор
MATLAB, Labview, встроенные исходные коды
Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW.
Эти коды полезны для новичков в этих языках.
ИНДЕКС ИСХОДНОГО КОДА >>
➤3-8 декодер кода VHDL
➤Код MATLAB для дескремблера
➤32-битный код ALU Verilog
➤T, D, JK, SR триггеры labview коды
* Общая информация о здравоохранении *
Выполните эти пять простых действий, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: часто мойте их.
2. КОЛЕНО: Откашляйтесь.
3. ЛИЦО: не трогайте его
4. НОГИ: держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВОВАТЬ: Болен? Оставайся дома
Используйте технологию отслеживания контактов >>, соблюдайте >> рекомендации по социальному дистанцированию и установить систему видеонаблюдения >> чтобы спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таким странам, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19, поскольку это заразное заболевание.
RF Беспроводные калькуляторы и преобразователи
Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц.
Сюда входят такие беспроводные технологии, как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. Д.
СПРАВОЧНЫЕ КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR
➤5G NR ARFCN против преобразования частоты
➤Калькулятор скорости передачи данных LoRa
➤LTE EARFCN для преобразования частоты
➤ Калькулятор антенн Яги
➤ Калькулятор времени выборки 5G NR
IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии
Раздел IoT охватывает беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet,
6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth Low Power (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT +, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.Он также охватывает датчики Интернета вещей, компоненты Интернета вещей и компании Интернета вещей.
См. Главную страницу IoT >> и следующие ссылки.
➤ НИТЬ
➤EnOcean
➤Учебник по LoRa
➤Учебник по SIGFOX
➤WHDI
➤6LoWPAN
➤Zigbee RF4CE
➤NFC
➤Lonworks
➤CEBus
➤UPB
СВЯЗАННЫЕ ЗАПИСИ
RF Wireless Учебники
Различные типы датчиков
Поделиться страницей
Перевести
Светодиоды
— Engineering LibreTexts
Светодиоды— это устройства с p-n переходом, изготовленные из внешних полупроводников.Полупроводники n-типа и p-типа контактируют друг с другом, образуя диод с p-n переходом. Разница в легировании создает область обеднения на границе контакта. В этой области нет стационарных зарядов: электрическое поле образуется из противоположных зарядов дырок и электронов, притягивающих друг друга. Основные носители (электроны n-типа и дырки p-типа) с каждой стороны движутся через область обеднения.
Рисунок \ (\ PageIndex {1} \):. Принципиальная схема светодиода при прямом смещении.На рисунке 1 показано, как светодиод подключается к цепи. Черные точки — это электроны, а кружки — дыры. Стрелки указывают направление диффузии основных носителей заряда через обедненную область. Для работы светодиода знак вывода от источника напряжения должен совпадать со знаком заряда основной несущей. Положительный конец источника напряжения подключен к стороне p-типа, в которой основные носители (дырки) имеют положительный заряд. Это известно как прямое смещение.Поскольку основные носители с каждой стороны перемещаются к противоположному полупроводнику, некоторые электроны и дырки сталкиваются друг с другом. В каждом столкновении электрон и дырка по существу аннигилируют друг друга, а оставшаяся энергия используется для испускания фотона.
Как работают светодиоды
Межполосная рекомбинация — это основной механизм, который описывает активность несущей внутри светодиода. Когда электрон в зоне проводимости встречает дырку в валентной зоне, он падает на более низкий энергетический уровень (валентная зона) и выделяет энергию в виде фотона.Электрон падает от зоны к зоне. Когда светодиод смещен в прямом направлении, полосы слегка изгибаются, уменьшая энергетический барьер между полупроводниками n- и p-типа. Этот уменьшенный энергетический барьер позволяет большему количеству основных носителей диффундировать к противоположной стороне перехода. Поскольку электроны с n-стороны становятся меньшинством, когда достигают p-стороны, рекомбинация более вероятна.
Рисунок \ (\ PageIndex {2} \):. Зонная диаграмма (энергия в зависимости от положения), показывающая рекомбинацию в прямом смещенном p-n переходе.В правой половине рисунка 2 изображен полупроводник n-типа, на котором электроны (черные точки) являются основными носителями. Прямое смещение вызывает расщепление одного уровня Ферми (в условиях равновесия) на два квазиуровня Ферми Fp и Fn. Эти уровни энергии показаны сплошными линиями около валентной зоны и зоны проводимости для полупроводников p- и n-типа соответственно. Большая стрелка возле большинства электронов показывает направление, в котором электроны диффундируют через обедненную область.Электроны представлены черными точками, а дырки — кружками. Когда электрон из полупроводника n-типа проходит через область обеднения (представленную диагональными линиями), он рекомбинирует с дыркой в валентной зоне. Это приводит к тому, что электрон теряет свою энергию и попадает в валентную зону, где была дырка, представленная кружком с буквой «x». Энергия, потерянная электроном, сохраняется и используется для излучения фотона или частицы света.
Рисунок \ (\ PageIndex {3} \):.Сравнение прямой и непрямой запрещенной зоны полупроводников.Когда электрон в зоне проводимости рекомбинирует, он предпочитает перейти в состояние с наивысшей энергией (пик) в валентной зоне, потому что, согласно теории запрещенной зоны полупроводников, именно там находится большинство дырок. В полупроводниках с прямой запрещенной зоной, таких как нитрид галлия, большая часть этих электронов находится во впадине зоны проводимости и может перемещаться в валентную зону без какого-либо изменения импульса от фонона. График зависимости энергии от импульса на рисунке 3 показывает, что для рекомбинации электрона в непрямом полупроводнике (например, в кремнии) требуется дополнительный импульс в виде фонона.Вовлечение фонона маловероятно. Более эффективно, чтобы светодиоды были сделаны из прямых полупроводников, так что больше ничего (фононов) не требуется. Смысл устройства в том, чтобы создавать фотоны из пары электрон-дырка, и было бы крайне неэффективно вводить дополнительную энергию для рекомбинации электрона и дырки. По этим причинам непрямые полупроводники вряд ли будут использоваться для светодиодов.
Температурная зависимость
В светодиодах ширина запрещенной зоны полупроводников увеличивается с понижением температуры.Более низкие температуры вызывают увеличение ширины запрещенной зоны, потому что параметр решетки полупроводника становится меньше, а это означает, что атомы становятся ближе друг к другу. Это приводит к тому, что валентные электроны становятся ближе к другим валентным электронам, увеличивая электростатическую потенциальную энергию \ [U = \ frac {qQ} {4 \ pi \ epsilon_0 r} \], где r — расстояние между свободным электроном и валентным электроном, \ (\ epsilon_0 \) — диэлектрическая проницаемость свободного пространства, а q и Q — отдельные заряды. r уменьшается, что увеличивает U. Более высокая электростатическая потенциальная энергия электронов создает большую ширину запрещенной зоны, поскольку взаимодействия затрудняют перемещение электронов в зону проводимости.Сравните две температурные ситуации для светодиода: при комнатной температуре и после погружения в жидкий азот. Увеличение ширины запрещенной зоны из-за более низкой температуры потребует более высокого напряжения питания для включения светодиода. Эта увеличенная энергия запрещенной зоны будет использоваться, когда электрон рекомбинирует с дыркой, что приводит к более короткой длине волны света. И наоборот, если температура повысится выше комнатной, ширина запрещенной зоны станет меньше, что означает, что полупроводник становится более проводящим, и для питания светодиода потребуется меньшее напряжение.
Соотношение ширины запрещенной зоны и длины волны фотона
Энергия запрещенной зоны светодиода может быть определена путем измерения напряжения на светодиоде в точке, в которой светодиод едва начинает включаться. Это напряжение можно преобразовать в эВ, просто умножив на заряд одного электрона (е). Например, если измеренное напряжение составляет 1,7 В, энергия запрещенной зоны будет 1,7 эВ. Поскольку светодиоды используют межзонную рекомбинацию, электрон будет уменьшаться на всю длину запрещенной зоны. Другими словами, напряжение на светодиоде соответствует значению энергии запрещенной зоны.Энергия испускаемого фотона определяется выражением \ [E = hf = \ frac {hc} {\ lambda} \], где h — постоянная Планка (в единицах эВ * с), c — скорость света в вакууме, f — частота, а \ (\ lambda \) — длина волны фотона.
| Цвет светодиода | Диапазон длин волн (нм) | Используемые полупроводники |
|---|---|---|
| Красный | 625-760 | AlGaAs |
| Оранжевый | 600-625 | GaAsP |
| Желтый | 577-600 | АлГаИнП |
| Зеленый | 492-577 | GaN |
| Синий | 455-492 | ZnSe |
| фиолетовый | 390-455 | ИНГАН |
Как указано в таблице 1, цвет, излучаемый светодиодом, зависит от длины волны фотонов, испускаемых в результате рекомбинации.Тип полупроводника, используемого в устройстве, определяет энергию запрещенной зоны, которая используется для создания фотонов с разными длинами волн. Следовательно, цвет светодиода напрямую зависит от материала.
Вопросы
- При комнатной температуре измеренное напряжение на светодиоде составило 1,67 В. Какова ширина запрещенной зоны у этого полупроводника и какая длина волны излучается?
- Почему большинство светодиодов изготавливаются из прямых полупроводников?
- Работает ли светодиод при прямом или обратном смещении? Почему?
Ответы
- Ширина запрещенной зоны равна 1.67 эВ, что соответствует длине волны 743 нм. Горит красный свет. Светодиоды
- в основном изготавливаются из прямых полупроводников, поскольку для рекомбинации электрона в зоне проводимости с дыркой в валентной зоне не требуется изменение импульса.
- Прямое смещение, так что энергетический барьер между полупроводниками p- и n-типа уменьшается, чтобы позволить большему количеству основных носителей диффундировать к противоположной стороне перехода, что приводит к большей рекомбинации.
Список литературы
- Пьер, Роберт Ф.(1996). Основы полупроводниковых приборов. Рединг, Массачусетс: Addison-Wesley, 1996. Print.
- Умран С. Инан и Азиз С. Инан. (2000) Электромагнитные волны . Река Аппер Сэдл, Нью-Джерси: Prentice Hall, 2000. Печать.
- Фавваз Т. Улаби и Эрик Михильссен и др. (2010). Основы прикладной электромагнетизма. Верхняя Сэдл Ривер, Нью-Джерси: Prentice Hall, 2010. Печать.
- Хуммель, Рольф Э. (2012). Электронные свойства материалов. Нью-Йорк, Нью-Йорк: Springer, 2012. Печать.
Авторы и авторство
- Камрон Норзад, бакалавр Калифорнийского университета в Дэвисе, инженерия электронных материалов
В чем разница между светодиодом и лазерным диодом?
Видимый солнечный свет имеет много разных цветов, которые вместе образуют белый свет. Каждый из этих цветов возможен благодаря уникальной длине волны испускаемого фотона.
Когда мы говорим о светодиодах, хотя они имеют разные длины волн и являются полихроматическими, например, излучают диапазон длин волн, они все же могут выводить только один цвет.
Истинные волны одной длины излучают светодиоды лазера. И это фундаментальное различие, которое приводит к множеству других различий в том, как светодиоды и лазеры работают и используются в различных приложениях.
И светодиоды, и лазеры излучают фотоны для получения света. Светодиодный свет более рассеянный и разнонаправленный, в то время как лазерный свет сильно сфокусирован, что делает их специализированными в своей функции. Лазеры используются в оптике и электронике, а светодиоды — для освещения.
Как излучает свет светодиодный диод
Светодиод, или светоизлучающий диод, представляет собой переходной диод, который контролирует количество электричества, проходящего через него. Светодиод изготовлен из полупроводниковых соединений, содержащих галлий и другие материалы, которые производят световую энергию разного цвета.
Синие и зеленые светодиоды производятся из соединений галлия, индия и нитратов. Напротив, красные светодиоды производятся из соединений галлия, алюминия и фосфата.
В основе диода лежит p-n переход, содержащий отверстия.Через эти отверстия электроны прыгают через переход от p к n. В этом процессе рекомбинации дырок и электронов они меняют свое состояние.
Дополнительная энергия, выделяемая при изменении состояния электронов, вызывает испускание фотонов.
Затем эти фотоны взаимодействуют с другими материалами, используемыми в светодиодах, и током, протекающим через них, испускает видимый свет!
Это свойство называется электролюминесценцией. Проще говоря, это светодиодная технология.
Еще одна вещь, на которую следует обратить внимание, это то, что, пересекая переход, электроны на более высоких уровнях энергии стремятся вернуться в свое исходное состояние.Таким образом, «реабсорбция» электронов обратно в переход может происходить в неправильном направлении.
Это реабсорбция приводит к неэффективности использования энергии, что означает, что меньше электроэнергии преобразуется в энергию света.
Несмотря на это, светодиоды имеют высокий уровень эффективности, преобразуя около 90% энергии в свет.
Как работает лазерный диод
Лазеры — это очень крутое явление, которое очень эффективно как с точки зрения конструкции, так и с точки зрения разработки. Слово лазер означает усиление света за счет вынужденного излучения излучения.Здесь также ток проходит через соединения галлия на p-n-переходе.
Но в случае лазеров стимулированное излучение фотонов для создания петли обратной связи, приводящей к тому, что все фотоны находятся в фазе друг с другом или когерентны и имеют одинаковую длину волны, то есть монохроматические.
По сути, пучок фотонов отвечает за постепенное заполнение камеры зеркального цилиндра.
Эта зеркальная поверхность отражает фотоны обратно в атомы внутри камеры, возбуждая их электроны.Эти электроны в возбужденном состоянии хотят высвободить дополнительную энергию, которая снова имеет форму фотона.
Этот недавно выпущенный фотон добавляется к пучку фотонов внутри камеры, усиливая процесс отражения и возбуждения.
После того, как выпущено достаточное количество фотонов, выходящий свет резонатор позволяет испускать узкий, яркий и сфокусированный лазерный луч. Этот лазерный луч очень эффективно преобразует ток в свет, поэтому для работы с ним необходимы защитные очки.
Источник: https://www.olympus-lifescience.com/en/microscope-resource/primer/lightandcolor/lasersintro/Эта эффективность позволяет лазеру значительно нагреваться. Выходная мощность лазерного диода составляет от 1 до 500 мВт, в зависимости от класса безопасности. Стандартная лазерная указка класса 2 выдает около 1 мВт. В то время как для мощного лазера класса 3B требуется защитное снаряжение для глаз, так как он выдает 500 мВт.
Из-за этой высокой точности лазеры используются в коммерческих целях, например, для резки алмаза или металлов, или для тонкой хирургии глаза в LASIK.Они передают сигналы на большие расстояния и поэтому используются для телекоммуникаций. Встречаются в лазерных принтерах, оптоволокне,
Характеристики светодиода и лазерного диода
Хотя и светодиоды, и лазеры используют p-n-переходы и ток для излучения фотографий и получения видимого света, они имеют несколько фундаментальных отличий.
| Спецификация | Светодиоды | Лазеры |
| Принцип работы | Электролюминесценция | Стимулированная эмиссия |
| Электрическая к оптической эффективности | 10-20% | До 70% |
| Ширина спектра длин волн | Более широкий, от 25 до 100 нм (от 10 до 50 ТГц) | Более узкий, от <10-5 до 5 нм (от <1 МГц до 2 МГц) |
| Когерентность | Когерентные длины волн в фазе | Некогерентное рассеяние света |
| Цветность | Полихроматический, имеет несколько диапазонов длин волн | Монохроматический, длина волны одного цвета |
| Направленность | Ненаправленный | высоконаправленная |
| Выходная мощность | Низкое энергопотребление, выходная мощность пропорциональна входному току | Высокая мощность от 1 мВт до 500 мВт, пропорциональная току выше порогового значения |
Преимущества и недостатки лазерных диодов и светодиодов?
Поскольку работа и применение лазеров и светодиодов сильно различаются, их плюсы и минусы тоже.
Давайте посмотрим на некоторые из этих преимуществ и недостатков обеих световых технологий.
Светодиодынамного дешевле как в производстве, так и в обслуживании. Вот почему они используются в повседневных коммерческих и домашних условиях для обеспечения света. Светодиоды начинают излучать свет примерно при 50 мА.
Источник: https://learnabout-electronics.org/Semiconductors/diodes_26.phpС другой стороны, лазеры более дороги в обслуживании и эксплуатации. Лазерам требуется более высокий ток для поддержания высокоэнергетического состояния электронов.Ток должен быть выше минимального порога 40 мА.
Высокая выходная мощность лазеров может разрушить точечное оборудование, излучающее световой луч, что делает их применение очень специфичным, например, для волоконной оптики. Для сравнения, светодиоды излучают рассеянный свет, поэтому, если светодиод светит на площади более 1 мм, лазер может светить на площади всего 10 микрон.
Светодиодытакже имеют более длительный срок службы. Но хотя лазеры имеют гораздо более высокий уровень энергоэффективности, они все еще далеки от использования в качестве средства освещения.По крайней мере, в ближайшие несколько лет.
Заключительные слова
Теперь вы знаете фундаментальную разницу в генерации света и излучении светодиодов и лазерных диодов. Они очень похожи по дизайну, но в приложении они существенно различаются с некоторыми ключевыми изменениями.
Знаете ли вы, что светодиоды близки к лазерной технологии?
Вы видели применение лазера вокруг себя в некоммерческой среде?
Поделитесь со мной своими мыслями в комментариях ниже.
Темный секрет светодиода — IEEE Spectrum
Иллюстрация: Bryan Christie Design
Синий светодиод, , возможно, величайший оптоэлектронный прорыв за последние 25 лет, таит в себе темный секрет: увеличьте ток, и его эффективность резко упадет. Эта проблема известна как спад, и она не только озадачивает самые блестящие умы в этой области, но и угрожает будущему отрасли электрического освещения.
ПровидцыTech пообещали нам новый яркий мир, в котором холодные и эффективные белые светодиоды, основанные на синих светодиодах, заменят расточительные маленькие обогреватели, известные как лампы накаливания.Более десятка стран уже приняли законы, которые запрещают или скоро запретят лампы накаливания. Но трудно себе представить, чтобы светодиоды вытеснили лампы накаливания и стали доминировать в мировой индустрии электрического освещения, если мы не сможем победить спад.
В фонариках, подсветках экранов мобильных телефонов, а теперь и в телевизорах, а также в ряде других приложений белые светодиоды уже составляют многомиллиардный рынок. Но это всего лишь 5 миллиардов долларов США по сравнению с отраслью освещения в целом, продажи которой в следующем году должны достичь 100 миллиардов долларов, по данным исследовательской компании Global Industry Analysts.Уловка будет заключаться в том, чтобы заставить светодиоды превращать электричество в свет достаточно эффективно, чтобы компенсировать их относительно высокую стоимость — примерно 16 центов за люмен при яркости лампового типа, в отличие от примерно 0,1 цента или меньше для ламп накаливания.
Посмотрите на конкурентов, и вы подумаете, что работа далась легко. Современные лампы накаливания для сада не сильно отличаются от тех, что Томас Эдисон продавал более века назад. Они по-прежнему тратят 90 процентов своей мощности, обеспечивая примерно 16 люмен на ватт.Люминесцентные лампы работают намного лучше — более 100 лм / Вт, но даже они бледнеют по сравнению с лучшими светодиодами. Современные белые светодиоды излучают около 250 лм / Вт, и нет никаких причин, по которым этот показатель не достигает 300 лм / Вт.
К сожалению, эти светодиоды наилучшим образом работают только при малой мощности — например, несколько миллиампер, необходимых для подсветки маленького экрана вашего мобильного телефона. При текущих уровнях, необходимых для общего освещения, срабатывает свисание и падает ниже 100 лм / Вт.
Иллюстрация: Bryan Christie Design Архитектура светодиода: В основе каждого белого светодиода лежит полупроводниковый чип, сделанный из материалов на основе нитрида.Чип традиционно располагается поверх катодного вывода. Подача напряжения в несколько вольт на это устройство заставляет микросхему излучать синий свет. Прохождение света через желтый люминофор дает белый свет. Современные мощные светодиоды представляют собой варианты этой архитектуры с более сложными пакетами для превосходного управления температурой.
Первое сообщение об испускании света полупроводником было сделано британским радиоинженером Генри Джозефом Раундом, который заметил желтоватое свечение, исходящее от карбида кремния в 1907 году.Однако первые устройства, похожие на сегодняшние светодиоды, появились только в 1950-х годах в инженерных лабораториях Signal Corps в Форт-Монмуте, штат Нью-Джерси. Там исследователи изготовили устройства, излучающие оранжевый; зеленые, красные и желтые эквиваленты последовали в 60-х и 70-х годах, и все они были довольно неэффективными.
Большой скачок в направлении общего освещения произошел в середине 1990-х, когда Сюдзи Накамура, работавший тогда в Nichia Corp. в Токусиме, Япония, разработал первый практичный ярко-синий светодиод с использованием составных полупроводников на основе нитрида.(Достижение Накамуры принесло ему Премию тысячелетия в области технологий 2006 года, что примерно соответствует Нобелевской премии в области инженерии.) Получив синий свет, вы можете получить белый, пропуская синие лучи через желтый люминофор. Люминофор поглощает часть синего и переизлучает его в желтый цвет; сочетание синего и желтого дает белый.
Все светодиоды изготавливаются в виде агрегированных секций или областей из различных полупроводниковых материалов. Каждый из этих регионов играет определенную роль.Одна область служит источником электронов; он состоит из кристалла сложного полупроводника, в который были введены крошечные количества примеси, такой как кремний. Каждый такой атом примеси или примеси имеет четыре электрона на своей внешней оболочке по сравнению с тремя в атоме галлия, алюминия или индия. Когда легирующая примесь занимает место, которое обычно занимает один из этих других атомов, она добавляет электрон к кристаллической решетке. Дополнительный электрон легко проходит через кристалл, действуя как переносчик отрицательного заряда.Из-за этого избытка отрицательных зарядов такой материал получил название n -типа.
На противоположном конце светодиода находится область из материала типа p , названная так потому, что в нем есть избыточные носители положительного заряда, созданные легированием таким элементом, как цинк или магний. Эти металлы состоят из атомов с двумя электронами на внешней оболочке. Когда такой атом находится на месте атома алюминия, галлия или химически подобного элемента (из группы III в периодической таблице), решетка заканчивается коротким замыканием на электрон.Эта вакансия ведет себя как положительный заряд, перемещаясь по кристаллу, как недостающая плитка в головоломке с сортировкой по числам. Эта мобильная вакансия называется дырой.
В середине сэндвича несколько необычайно тонких слоев. Они составляют активную область, в которой излучается свет. Некоторые слои, сделанные из одного полупроводникового материала, окружают центральный слой, сделанный из другого, создавая «колодец» толщиной всего в несколько атомов — желоб, настолько ограниченный, что законы квантовой механики правят безраздельно.Когда вы вводите электроны и дырки в лунку, прикладывая напряжение к областям типа n и p , два типа носителей заряда будут захвачены, увеличивая вероятность их рекомбинации. Когда они это сделают, выскочит фотон.
Чтобы сделать светодиод, вы должны вырастить серию четко определенных полупроводниковых слоев на тонкой пластине из кристаллического материала, называемой подложкой. Подложкой для красных, оранжевых и желтых светодиодов является арсенид галлия, который прекрасно работает, потому что его атомы расположены так же, как и атомы слоев, построенных на нем.Во время изготовления в кристаллической решетке полупроводника практически не возникает никаких механических напряжений, поэтому существует очень мало дефектов, которые могли бы подавить генерацию света.
К сожалению, синим и зеленым светодиодам не хватает такой хорошей платформы. Их называют нитридными светодиодами, потому что их основной полупроводник — нитрид галлия. Нитрид галлия типа n легирован кремнием, тип p — магнием. Квантовые ямы между ними представляют собой нитрид галлия-индия. Чтобы изменить цвет излучаемого света с зеленого на фиолетовый, исследователи меняют соотношение галлия и индия в квантовых ямах.Немного индия дает фиолетовый светодиод; немного больше дает зеленый цвет.
Такие светодиоды в идеале должны быть изготовлены на подложках из нитрида галлия. Но оказалось невозможным вырастить большие идеальные кристаллы нитрида галлия, которые потребуются для изготовления таких пластин. Варшавская компания Unipress, мировой лидер в этой области, не может изготавливать кристаллы больше нескольких сантиметров, и то только путем поддержания в камере роста температуры 2200 ° C и давления почти 20 000 атмосфер.
Таким образом, производители синих светодиодов вместо этого обычно строят свои устройства на пластинах из сапфира, чья кристаллическая структура не совсем соответствует структуре нитридов. И это несоответствие порождает множество дефектов — их миллиарды на квадратный сантиметр.
Иллюстрация: Bryan Christie Design Combatting Droop Droop — потеря эффективности при высокой мощности — поражает обычные нитридные светодиодные структуры. Они имеют активную область с квантовыми ямами из нитрида галлия и индия и барьерами из GaN, а также слой блокировки электронов, удерживающий электроны в этой области.Исследователи из Политехнического института Ренсселера уменьшили спад с помощью новых активных областей, которые сначала были получены путем объединения ямок GaInN и барьеров из нитрида алюминия, галлия и индия, а в последнее время — объединения ямок GaInN с барьерами из GaInN. Между тем, Philips Lumileds также разработал структуру, которая менее склонна к провисанию благодаря гораздо более толстой квантовой яме.
Удивительно, что такие светодиоды вообще работают. Любой красный, оранжевый или желтый светодиод на основе арсенида, содержащий столько же дефектов, не будет излучать абсолютно никакого света.По сей день исследователи, в том числе сам Накамура, переехавший в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре (UCSB) в 1999 году, не могут прийти к единому мнению о причине этого явления. Возможно, решение этой проблемы также может объяснить дряблость.
Объяснение дается нелегко. Когда исследователи задумали найти причину провисания нитридных светодиодов, одним из первых подозреваемых было тепло, которое, как они знали, могло вызвать провисание арсенидных светодиодов. Там тепло передает электронам и дыркам столько энергии, что квантовая яма больше не может их удерживать.Вместо того, чтобы рекомбинировать, некоторые из них ускользают, но их уносят электрические поля в устройстве. Но исследователи отклонили эту возможность, отметив, что нитридные светодиоды страдают от спада даже при подаче коротких импульсных напряжений, расположенных достаточно далеко друг от друга, чтобы позволить устройствам остыть.
Другая теория была предложена еще в 1996 году Накамурой. Он утверждал, что все можно объяснить структурой квантовой ямы. Накамура и его коллеги посмотрели на светодиоды с помощью просвечивающего электронного микроскопа и были удивлены, обнаружив светлые и темные области внутри квантовой ямы, предполагая, что материал там не был однородным.Затем они более внимательно исследовали кристаллическую структуру, используя дифракцию рентгеновских лучей, и обнаружили, что в квантовой яме были кластеры, богатые индием (яркие), рядом с областями, бедными индием (темные).
Накамура предположил, что, поскольку кластеры индия не имеют дефектов, электроны и дырки будут захвачены в них, что сделает возможным яркое излучение, по крайней мере, при малых токах. Продолжая эту линию рассуждений, команда Накамуры утверждала, что высокая эффективность светодиодов при низких токах проистекает из очень высокой доли рекомбинации электронов и дырок в бездефектных кластерах.Однако при более высоких токах эти кластеры станут насыщенными, и любые дополнительные носители заряда будут перетекать в области с достаточно плотными дефектами, чтобы погасить излучение света. Они предположили, что насыщение при высоком токе объясняет наблюдаемый спад.
В последние годы эта теория потеряла популярность. «Для начала мы увидели кластеры, богатые индием, в квантовых ямах InGaN, как и весь остальной мир», — объясняет Колин Хамфрис, глава Кембриджского центра нитрида галлия при Кембриджском университете в Англии.Но затем он и его команда начали подозревать, что их электронный микроскоп был причиной того, что он обнаруживал. Таким образом, группа провела малодозовую электронную микроскопию. «Мы посмотрели на первые несколько кадров — с очень низкой экспозицией — и не увидели скопления индия вообще. Но когда мы подвергли материал воздействию луча, эти кластеры образовались », — говорит он. Они пришли к выводу, что кластеризация была просто артефактом измерения.
В 2003 году Хамфрис представил это потрясающее открытие на Пятой Международной конференции по нитридным полупроводникам в Наре, Япония.Это не было хорошо принято. Многие делегаты утверждали, что с образцами из Кембриджа что-то пошло не так. Итак, группа Хамфриса вернулась и изучила более широкий спектр образцов, в том числе светодиоды, поставляемые Nichia. Их работа только укрепила их мнение о том, что кластеры образовались в результате повреждения электронным пучком.
В 2007 году команда Хамфриса из Кембриджа вместе с исследователями из Оксфордского университета описала, как они решали проблему с помощью так называемого трехмерного атомного зонда.Это устройство подает высокое напряжение, которое испаряет атомы на поверхности, а затем отправляет их по отдельности через масс-спектроскоп, который идентифицирует каждый из них по отношению заряда к массе. Выпаривая один слой за другим и объединяя все данные, вы можете визуализировать трехмерное изображение поверхности с атомарной точностью.
Полученные изображения снова подтвердили то, что показал электронный микроскоп: кластеризации нет. Дискредитация теории кластеров была важным шагом, хотя и оставила исследовательское сообщество без альтернативного объяснения спада.
Затем, 13 февраля 2007 года, калифорнийский гигант по производству светодиодов Philips Lumileds Lighting Co. сделал ошеломляющее заявление о том, что он «фундаментально решил» проблему спада. Он даже сказал, что скоро включит свою технологию уменьшения спада в образцы своих флагманских светодиодов Luxeon.
Lumileds держал в секрете причину обвисания в течение нескольких месяцев. Затем, на заседании Международной конференции по нитридным полупроводникам, состоявшейся в сентябре 2007 года в Лас-Вегасе, он представил доклад, в котором обвиняется рекомбинация Оже — процесс, названный в честь французского физика 20-го века Пьера-Виктора Оже, который включает в себя взаимодействие электрона и дырки с другим носителем без испускания света.
Идея была довольно радикальной и встретила неоднозначную реакцию. «Applied Physics Letters» опубликовали статью Лумиледса только после неоднократных отклонений и исправлений. «По моему опыту, это была одна из самых сложных статей для публикации», — говорит Майк Креймс, директор Advanced Laboratories компании.
Команда Крамеса использовала лазер для исследования слоя нитрида галлия-индия, полупроводника, используемого для квантовых ям в нитридном светодиоде. Они настроили лазер на длину волны, которую мог бы поглощать только слой нитрида галлия-индия, так что каждый разряд создавал пары электронов и дырок, которые затем рекомбинировали, чтобы произвести фотоны.Когда исследователи построили график полученной фотолюминесценции в зависимости от различных интенсивностей, падающих на образец, они построили кривые, которые точно соответствуют уравнению, описывающему эффекты оже-рекомбинации.
Плохая новость в том, что вы не можете исключить этот вид рекомбинации, который пропорционален кубу плотности носителей. Короче говоря, если у вас есть носители — которые, конечно, вам нужны для генерации света — у вас также есть рекомбинация Оже. Однако хорошая новость заключается в том, что Lumileds продемонстрировала, что вы можете довести пик своей эффективности до гораздо более высоких токов, уменьшив плотность носителей, то есть распределив носители по большему количеству материала.Компания делает это с помощью так называемой двойной гетероструктуры (DH), по сути, квантовой ямы шириной 13 нанометров, а не обычных 3 или 4 нм. В нем по-прежнему проявляются квантовые эффекты, хотя они не так ярко выражены, а конструкция менее эффективна, чем стандартная при малых токах. Тем не менее, он отлично работает при более высоких токах. Команда Lumileds создала тестовую версию, пиковая эффективность которой немного выше, чем у обычного светодиода.
Хотя эта новая кристаллическая структура может быть многообещающей, ее трудно выращивать.Возможно, именно поэтому Lumileds еще не реализовал этот дизайн в своих светодиодах Luxeon. «Есть несколько способов справиться со спадом, и мы исследовали большинство из них», — говорит Креймс. «У нас в разработке новые структуры, как ЦО, так и не ЦО, и мы будем двигаться вперед с наилучшей структурой».
Не все убеждены , что рекомбинация Оже является причиной спада. Одним из таких скептиков является Йорг Хадер, теоретик из Аризонского университета, который работает с бывшими коллегами в Германии в Филиппском университете Марбурга и в одном из крупнейших мировых производителей светодиодов, Osram Opto Semiconductors, в Регенсбурге.
«Все [Lumileds] показали, что они могут сопоставить результаты с зависимостью, подобной Ожеру», — утверждает Хадер. «Это довольно слабый аргумент, чтобы найти подходящий вариант и посмотреть, что может ему соответствовать». По его мнению, существует большая вероятность того, что данные Lumileds могут быть дополнены другими зависимостями плотности, а также кубической зависимостью, которая классически ассоциируется с рекомбинацией Оже.
Хадер рассчитал величину прямой оже-рекомбинации для типичного синего светодиода.Уравнения, описывающие взаимодействие электрона и дырки с третьим носителем, восходят к 1950-м годам, но это не означает, что их легко решить. Хадер говорит, что не шел простыми путями. Вместо этого он учел все физические взаимодействия в программе длиной в десятки тысяч строк — программе, выполнение которой в первоначальной форме заняло бы несколько лет. Однако Хадер говорит, что он научился тому, что можно безопасно пропустить, чтобы сократить время бега до 1 минуты. Он говорит, что модель показывает, что оже-потери слишком малы, чтобы учесть падение светодиода, хотя он допускает, что это падение может быть вызвано другими процессами, связанными с оже-рекомбинацией.Эти процессоры более сложны, потому что они также связаны с дефектами материала или тепловыми колебаниями (фононами в квантовом выражении) полупроводникового кристалла.
Крамес критикует расчеты Хадера за то, что они не учитывают возможность того, что электроны могут занимать более высокие энергетические уровни, известные как зоны более высокой проводимости. Но Хадер считает, что включение этих групп вряд ли повлияет на его выводы.
В мае этого года компьютерные ученые из UCSB представили новые доказательства в поддержку этой дискуссии.Команда Криса Ван де Валле включила вторую зону проводимости в свои расчеты оже-рекомбинации в нитридах и пришла к выводу, что оже вносит значительный вклад в спад. Однако они моделировали только объемные материалы, а не реалистичные квантовые ямы, для которых Ван де Валль признает, что его методы не могут справиться с расчетами, по крайней мере, на современных компьютерах.
Хадер не сомневается в общей форме результатов UCSB. Однако он отмечает, что значение, которое группа Ван де Валле приняла для второй зоны проводимости, существенно отличается от той, которая приводится в некоторых научных статьях.Использование этих опубликованных значений оказало бы сильное влияние на любую оценку величины рекомбинации Оже. Выводы Хадера и Ван де Валле подчеркивают отсутствие консенсуса среди теоретиков относительно причины спада.
Меньше утечки: поля поляризации могут вызвать провисание светодиода. Утверждается, что такие поля вытесняют электроны из активной области в Слой p-типа, где некоторые рекомбинируют, не испуская света (вверху). Структура с «согласованной поляризацией» (внизу) имеет гораздо более слабое внутреннее поле и, следовательно, имеет меньшую утечку электронов, позволяя большему количеству электронов рекомбинировать с дырками. Иллюстрация: Bryan Christie Design
Тем временем группа, возглавляемая Э. Фредом Шубертом из Политехнического института Ренсселера в Трое, штат Нью-Йорк, предложила еще одну теорию. Его команда в сотрудничестве с Samsung обвиняет падение в утечке слишком большого количества электронов из квантовой ямы.
Интересно, что команда Шуберта, как и исследователи из Lumileds, пришла к своим выводам, накачав свет на нитридные структуры и наблюдая за светом, который эти структуры излучают в ответ.Но Шуберт и компания исследовали полностью светодиодные структуры и сравнили результаты, полученные при оптической накачке, со световым потоком, генерируемым при приложении напряжения, как это происходит при нормальной работе. Как и ожидалось, падение сработало, когда устройство было электрически накачано. Но исследователи не увидели никаких признаков спада данных фотолюминесценции.
Затем они пригласили Иоахима Пипрека, теоретика из института NUSOD, консультанта по моделированию устройств в Ньюарке, штат Делавэр. Он использовал компьютерную модель для моделирования поведения синего светодиода и обнаружил, что сильные внутренние поля, характерные для нитридов, должны вызывать электроны утекают из ям.
Теперь Шуберт и его коллеги представили прямые доказательства в поддержку своих аргументов в пользу утечки информации. Они взяли светодиод, не подключенный к какой-либо цепи, и поразили его светом с длиной волны 405 нм, который поглощается только в квантовых ямах. Исследователи обнаружили напряжение на диоде, что означает, что носители должны покинуть лунки, что противоречит теории Лумиледса.
Команда Шуберта попыталась контролировать утечку электронов, изменив дизайн светодиода. Путем тщательного выбора материалов для активной области — перехода от обычного барьера из нитрида галлия к версии из нитрида алюминия, галлия и индия — они смогли устранить заряды, которые имеют тенденцию образовываться там, где встречаются отдельные кристаллические слои.Они говорят, что такое «согласование поляризации» постоянно снижает спад, повышая выходную мощность на 25 процентов при высоких токах.
Шуберт считает, что электроны, выходящие из ям, рекомбинируют с дырками в области типа p . Если бы он смог обнаружить эту рекомбинацию, это, безусловно, добавило бы веса его объяснению. «Мы искали это свечение, — говорит Шуберт, — но не видели». Однако он не удивлен, потому что нитрид галлия типа p является очень неэффективным излучателем света, а поверхность светодиода находится поблизости, поэтому рекомбинация поверхности в верхнем контакте также вероятна.
Однако можно обнаружить электроны в области типа p , изменив стандартную структуру светодиода, и исследователи из UCSB именно это и сделали. Эта команда, возглавляемая Стивеном ДенБаарсом и Накамурой, выполнила работу по оснащению области типа p дополнительной квантовой ямой, которая излучает свет, отличающийся от цвета основного светодиода. На семинаре в Монтрё, Швейцария, осенью 2008 года группа сообщила, что они обнаружили именно такой вид излучения.
Хотя этот эксперимент доказал, что электроны действительно текут в область типа p , он не может сказать нам, откуда они пришли. И хотя теория утечки электронов Шуберта может объяснить результаты, вполне могут быть другие вещи, которые также могут объяснить их. Мы даже не можем исключить оже-рекомбинацию как доминирующий механизм, потому что доля электронов, протекающих в область типа p , еще не определена количественно.
У каждой теории есть свои чемпионы. Теоретики из Филиппского университета в Марбурге считают, что рекомбинация Оже, в основном фононная форма, является основной причиной спада. То же самое делает Semiconductor Technology Research, компания по моделированию устройств, базирующаяся в Ричмонде, штат Вирджиния. Тем временем группа Хадиса Моркока из Университета Содружества Вирджинии поддерживает поддержку Шубертом утечки электронов, которую они приписывают низкой эффективности, с которой дырки вводятся в квантовую яму.
Запутались? Присоединяйтесь к клубу — и поймите, что это противоречие — именно то, что вы ожидаете найти в области, которая внезапно начала добиваться больших успехов.Даже если у нас нет общепризнанной теории для объяснения спада, у нас есть растущий арсенал проверенного оружия для борьбы с ним — устройства Шуберта с согласованной поляризацией, широкие структуры квантовых ям Лумиледса, а также конструкции, которые улучшают закачка в скважину, среди прочего. Жаль, что мы до сих пор не можем договориться о том, как они работают.
Промышленность будет двигаться вперед. Светодиоды только начинают вытеснять люминесцентные лампы и лампы накаливания. Когда-нибудь, при нашей жизни, нити накаливания наконец перестанут превращать десятки гигаватт в нежелательное тепло.Дымовые трубы будут извергать меньше углерода в глобальную теплицу. И нам не придется вставать на стремянки, чтобы менять перегоревшие лампочки почти так часто, как сегодня.
И примерно в то время, когда вы будете читать этот журнал при свете светодиода, теоретики, возможно, получат водонепроницаемые объяснения для экспериментаторов, и мы узнаем ответ на остающийся животрепещущий вопрос: что вызывает спад?
Об авторе
Ричард Стивенсон, автор книги «The LED’s Dark Secret» [стр.22], защитил кандидатскую диссертацию. в Кембриджском университете, где изучал сложные полупроводники. Затем он занялся промышленностью и начал делать вещи. Теперь, будучи независимым журналистом из Уэльса, он пишет о них. В перерывах между заданиями он строит традиционные усилители класса A Hi-Fi, в отличие от усилителя класса D, который предпочитает Гленн Зорпетт из IEEE Spectrum . «Если бы мы жили в одном офисе, — говорит Стивенсон, — многие часы были бы потрачены на обсуждение пути к hi-fi нирване».
Для дальнейшего исследования
Бумаги Philips Lumileds — это «Оже-рекомбинация в InGaN, измеренная по фотолюминесценции», автор: Y.К. Шен, Г.О. Мюллер, С. Ватанабе, Н. Ф. Гарднер, А. Мункхольм и М. Р. Крамес, Applied Physics Letters 91 141101, 1 октября 2007 г. Диоды, достигающие максимальной квантовой эффективности выше 200 А / см 2 », Н. Ф. Гарднер, Г. О. Мюллер, Ю. К. Шен, Г. Чен, С. Ватанабе, В. Гётц и М. Р. Крамес, APL 91 243506, 12 Декабрь 2007.
Доклады Политехнического института Ренсселера: «Происхождение падения эффективности в светоизлучающих диодах на основе GaN» М.-ЧАС. Ким, М. Ф. Шуберт, К. Дай, Дж. К. Ким и Э. Фред Шуберт, Дж. Пипрек, APL 91 183507, 30 октября 2007 г .; «Влияние плотности дислокаций на падение эффективности в светоизлучающих диодах GaInN / GaN», М. Ф. Шуберт, С. Чхаджед, Дж. К. Ким и Э. Фред Шуберт, Д. Д. Колеске, М. Х. Кроуфорд, С. Р. Ли, А. Дж. Фишер, Г. Талер. , и MA Banas, APL 91 231114, 7 декабря 2007 г .; и «Поляризационно-согласованные GaInN / AlGaInN светоизлучающие диоды с несколькими квантовыми ямами и пониженным падением эффективности», М.F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M.-H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong и Y. Park, APL 93 041102, 28 июля 2008 г.
Статья Йорга Хадера и др.: «О важности радиационных и оже-потерь в квантовых ямах на основе GaN, APL 92 261103, 1 июля 2008 г.».
Статья из Университета Содружества Вирджинии — «О падении эффективности в многоквантовых диодах InGaN с синими светоизлучающими ямами и ее снижении с помощью легированных барьеров квантовых ям p. » Дж.Xie, X. Ni, Q. Fan, R. Shimada, Ü. Озгюр и Х. Моркоч, APL 93 121107, 23 сентября 2008 г.
Light Emitting Diodes — обзор
6.4 Удаленный люминофор
Концепция «Удаленного люминофора» — это технология упаковки светодиодов, при которой люминофоры наносятся или смешиваются со стеклом или смолой, а последний размещается вдали от кристалла синих светодиодов (Dal Lago et al., 2012). Типичная структура выносного светодиодного модуля люминофорного типа показана на рис. 81.
Рис.81. Вид в разрезе типичного выносного светодиодного модуля люминофорного типа.
Kim et al. (2005c) сообщили об улучшении эффективности преобразования синего света светодиодов в желтый свет с помощью удаленного люминофора. Они сравнили световой поток преобразованного в люминофор светодиода InGaN с различными конфигурациями люминофора YAG: Ce 3 + . Светоотдача удаленной конфигурации, в которой смола, содержащая люминофор, была уложена поверх слоя герметика без люминофора, была больше, чем у традиционной конфигурации с одним герметиком, содержащим люминофор.Их сравнение как с помощью эксперимента, так и с помощью моделирования трассировки лучей показало, что светоотдача удаленной конфигурации на ~ 15% больше, чем у традиционной конфигурации. Yu et al. (2010) также заявили на основе моделирования трассировки лучей, что светоотдача светодиодов со слоем люминофора на удалении от светодиодного чипа выше, чем у обычного светодиода с люминофором, диспергированным в герметике. Конфигурация люминофора в последней работе не была точно такой же, как у так называемого удаленного люминофора, но они логически указывали, что отделение люминофора от светодиодных чипов может улучшить эффективность преобразования света.
Между тем, Leung (2014) указал, что увеличение стоимости производства удаленного люминофора не уравновешивает увеличение светоотдачи. Он утверждал, что модуль даунлайта с увеличенным количеством обычных пакетов белых светодиодов дешевле, чем даунлайт, использующий выносной люминофор с той же мощностью.
Существует много типов выносных люминофорных компонентов. Типичными являются пластинчатый поликарбонат (Meneghini et al., 2013), полиэтилентерефталат (PET) (Huang et al., 2011a) или стекло, на которое нанесены люминофоры с некоторым связующим.Также широко исследуются фосфорсодержащие смолы или стекла различной формы (пластина, сфера, купол и т. Д.) (Conner, 2012; Intematix, 2014; Schiel, 2012). В качестве выносного люминофора был также предложен термостойкий гибкий фторуглеродный полимер, содержащий люминофор (Huang et al., 2014).
Также были исследованы многие люминофорные стекла, применимые в технологии удаленного люминофора. Например, композитное стекло (называемое «стеклокерамикой») было произведено путем отжига Ce-содержащего стекла SiO 2 –Al 2 O 3 –Y 2 O 3 стекла (Fujita et al., 2008), что привело к осаждению кристаллов люминофора YAG: Ce 3 + . Другим примером является фосфорсодержащий стеклянный композит, который был получен путем нагревания прессованной смеси стеклянного порошка и люминофоров до температуры выше температуры стеклования T g (Fujita et al., 2013). Композит не показал разрушения при 121 ° C, относительной влажности 95% и 2 атм (так называемые условия высокоускоренных стресс-тестов, HAST) в течение 300 часов. С другой стороны, композит на основе силиконовой смолы того же состояния показал явное разрушение.Последним примером является стекло, легированное люминофором, полученное смешиванием стеклянного порошка SiO 2 –Na 2 O – Al 2 O 3 –Ca 2 O с люминофором (Tsai et al., 2013 ). Стекло показало лучшую стабильность светоотдачи во время испытания на термическое старение, чем силиконовая смола, смешанная с люминофором.
Электрофоретическое осаждение (EPD) — еще один процесс, испытанный для нанесения люминофоров на стеклянные пластины.